JPH02228671A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、複写機などの画像形成装置において好適に使
用される電子写真感光体に関する。

（従来技術） 近年、導電性基体上に感光層が形成された電子写真用感
光体として、加工性がよく製造コストの面で有利である
と共に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用さ
れている。上記有機感光体においては、光照射により電
荷を発生させる電荷発生材料と発生した電荷を輸送する
電荷輸送材料とにより電荷発生機能と電荷輸送機能とを
分離した感光層を有することで、高感度化を図った機能
分離型電子写真用感光体が知られている。上記機能分離
型電子写真用感光体の感光層としては、少な（とも電荷
発生材料を含有する電荷発生層と、電荷輸送材料と結着
樹脂とを含有する電荷輸送層とが積層された積層型感光
体や、電荷発生材料および電荷輸送材料とを結着樹脂中
に分散させて成る単層型感光体等が種々提案されている
。

上記積層型感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とにより
各種機能を分離しているため、前記単層型感光体と異な
り、高感度で感光材料の選択幅が広いという利点がある
。

ところで、電荷輸送材料には正孔輸送型が多いことや表
面に耐久性を持たせるため、導電性基体上に電荷発生層
を設け、更にその上に電荷輸送層を設けた負帯電用積層
型感光体の構造をとることが一般的である。しかしなが
ら、このような負帯電用積層型感光体では負帯電時に雰
囲気中にオゾンが発生し感光体の劣化及び複写環境の汚
染を引き起こしたり、また現像時には製造が困難である
正帯電性のトナーを必要とする等の問題がある。

一方上記の単層型感光体は、正帯電させることができる
だけでなく、感光体の静電潜像を現像するトナーとして
負帯電性トナーを使用できる。これは、一般にトナーは
負帯電するものが得られ易いため、トナー材料の選択幅
が広く、種々のトナー材料を使用することができるとい
う利点がある。

しかしながら、−層中で電子と正孔を移動させるため、
どちらかがトラップとなり残留電位が大きくなる傾向が
ある。しかも、電荷発生材料と電荷輸送材料との組合せ
方により、帯電特性、感度、残留電位等の電子写真特性
が大きく左右されるという問題点がある。

そこで、上記問題点に鑑み単層型感光体を高感度化する
試みとして、電荷発生顔料としてのＮ。

Ｎｏ−ジメチルペリレン−３，４，９，１０−テトラカ
ルボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ＝−ジ（３，５ジメチルフ
エニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキ
シジイミド等のペリレン系顔料と、結着樹脂と、増悪剤
としてのアセナフチレンとからなる電子写真感光体（特
開昭５８−７６８４０号公報）や、上記ペリレン系顔料
と、電荷輸送材料としてのポリビニルカルバゾール系樹
脂と、増感剤としてのターフェニルとからなる電子写真
感光体が提案されている（特開昭５９−１１９３５６号
公報）。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記感光体においても未だ十分な電子写
真特性は得られていない。特に電荷発生材料として用い
られているペリレン系化合物が長波長側に分光感度がな
いことに起因して、赤の分光エネルギーの大きいハロゲ
ンランプと組み合わせた場合において十分な感度を得る
ことができないという問題点があった。

（発明の目的） 本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、電子
写真感光体として要求される特性を十分満足する材料の
組合せを見出すことにより、高感度化された単層型電子
写真感光体を提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段および作用）従って、本
発明においては結着樹脂中に、電荷発生材料として下記
一般式（１） （式中、Ｒ１、ＲＺ　、Ｒ′ｌおよびＲ４は、アルキル
基を示す）で表されるペリレン系化合物と、電荷輸送材
料として下記一般式（ｎ）〜（Ｖ）（式中、Ｒ５〜ＲＺ
６は、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基
、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を示す；Ｙは、
水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハ
ロゲン原子を示す；ｎは１〜３の整数を示す；１．ｍ、
０およびｐはＯ〜２の整数を示す；但し、Ｒｑ　、Ｒｏ
。

ＲＩ　ＩおよびＲ１！は同時に水素原子でないものとし
、水素原子でない前記Ｒ９、ＲＩＯ，Ｒ１１およびＲＩ
２の２、ｍ、ｏおよびｐは、少なくとも１つが２である
ものとする）で表されるジアミン誘導体の群から選ばれ
る少な（とも１種の化合物と、さらに上記ペリレン系化
合物１００重量部に対して１゜２５乃至３．７５重量部
のＸ型メタルフリーフタロシアニンとを含有する感光層
を、導電性基体上に形成して電子写真感光体を構成する
ことにより上記目的を達成した。

本発明者等が鋭意研究の結果、電荷輸送材料としての一
般式（ｎ）〜〔Ｖ〕で表されるジアミン誘導体は、結着
樹脂に対する相溶性がよく、しかもドリフト移動度に関
する電界強度依存性が小さいという特性を有すると言う
知見を得た。そして、該ジアミン誘導体と電荷発生材料
としての一般式（ｒ）で表されるペリレン化合物とを組
み合わせ、結着樹脂中に含有させることで得られる正帯
電性単層型電子写真感光体は、帯電特性、感度、残留電
位等の電子写真特性が優れている。さらに分光増感剤と
してＸ型メタルフリーフタロシアニンをペリレン系化合
物１００重量部に対して１．２５乃至３．７５重量部の
範囲で添加することで、分光感度領域が長波長側に拡大
し、より高感度の感光体が得られることが判明した。

（発明の好適態様） 本発明に使用される電荷発生材料としてのペリレン系化
合物は、前記一般式（１）で表され、式中のＲ１、Ｒ２
、Ｒ３、Ｒ４のうちアルキル基としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ
ｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル基などの炭素数１
〜６のアルキル基が例示される。

具体的には、Ｎ、　　Ｎｏ−ジ（３，５−ジメチルフェ
ニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシ
ジイミド、Ｎ、　Ｎ＝　　−ジ（３−メチル−５−エチ
ルフェニル）ペリレン−３，４，９゜１０−テトラカル
ボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ・　−ジ（３，５−ジエチル
フェニル）ペリレン−３，４゜９．１０−テトラカルボ
キシジイミド、Ｎ、　Ｎ・−ジ（３，５−ジプロピルフ
ェニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキ
シジイミド、Ｎ、　Ｎ＝−ジ（３，５−ジイソプロピル
フェニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボ
キシジイミド、Ｎ、　Ｎ＝　　−ジ（３−メチル−５−
イソプロピルフェニル）ペリレン−３，４，９゜１０−
テトラカルボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ・　−ジ（３，５
−、’７’チルフェニル）ペリレン−３，４゜９．１０
−テトラカルボキシジイミド、Ｎ、　　Ｎ・−ジ（３，
５−ジーｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペリレン−３，４
，９，１０−テトラカルボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ・−
ジ（３，５−ジエチルフェニル）ペリレン−３，４，９
，１０−テトラカルボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ＝−ジ（
３，５−ジエチルフェニル）ペリレン−３，４，９，１
０テトラカルボキシジイミド等が例示されるが、中でも
、Ｎ、　Ｎ・−ジ（３，５−ジメチルフェニル）ペリレ
ン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミドが好
ましい。

本発明に使用される電荷輸送材料としてのジアミン誘導
体としては、前記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表される化
合物が用いられる。

上記一般式（ｎ）〜（Ｖ）における低級アルキル基とし
ては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｔａｒ　ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキ
シル基などの炭素数１〜６のアルキル基が例示される。

上記低級アルキル基のうち、炭素数１〜４のアルキル基
が好ましい。

また、低級アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒ　ｔ−
ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基などの炭
素数１〜６のアルコキシ基が例示される。上記低級アル
コキシ基のうち、炭素数１〜４のアルコキシ基が好まし
い。

また、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素およ
びヨウ素原子が挙げられる。

なお、上記置換基Ｒ５，Ｒ１０および上記置換基Ｙは、
フェニル環またはナフチル環の任意の位置に置換してい
てもよい。

また、上記一般式（ｎ）で表されるジアミン誘導体にお
いて、ｎ−１のｐ−フェニレンジアミン誘導体のうち好
ましい化合物としては、例えば、１．４−ビス（Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノ）ベンゼン、１−（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）−４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノコベンゼン、■、４−ビス［Ｎ−（３
−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコベンゼンな
どが例示され、その他に特願昭６２−２７７１５８号公
報Ｐ１３〜Ｐ２０に記載のジアミン誘導体が例示される
。

上記一般式（ｎ）で表されるジアミン誘導体において、
ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、４．４１−ビス（Ｎ、　Ｎ−ジフェニル
アミノ）ジフェニル、４゜４′−ビス［Ｎ−（３−メチ
ルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニル、４．
４”−ビス［Ｎ−（３−メトキシフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコジフェニル、４．４′−ビス［Ｎ−（３−
クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニル、
４−　［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］−４’−［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノコジフェニル、４−　［Ｎ−（２−メチル
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’−［Ｎ−（３
−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニル
、３，３−ジメチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ・、Ｎ・　−テトラキ
ス−４−メチルフェニル（１，１°　−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン、３．３′−ジメチル−Ｎ。

Ｎ、　Ｎ・、　Ｎｏ　　−テトラキス−４−メチルフェ
ニル（１，１・−ビフェニル）−４，４・　−ジアミン
などが例示され、その他に特願昭６２−２７７１５８号
公報Ｐ２１〜Ｐ２Ｂに記載のジアミン誘導体が例示され
る。

上記一般式（Ｉｆ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝３の４．４”−テルフェニルジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、４．４”−ビス
（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−１，１’：４’、１”
−テルフェニル、４゜４″−ビス［Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−１，１１，４１，１
″′−テルフェニルなどが例示され、その他に特願昭６
２−２７７１５８号公報Ｐ２８〜Ｐ３４に記載のジアミ
ン誘導体が例示される。

また、上記一般式（Ｉ［）で表されるジアミン誘導体に
おいて、ｎ　”　１のｐ−フェニレンジアミン誘導体の
うち、好ましい化合物としては、例えば、１−　［Ｎ−
（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎフェニルアミノ］−
４−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンゼン、１−［Ｎ
、Ｎ−ジ（３，５−ジメチルフェニル）アミノ］　−４
−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンゼン、１．４−ビ
ス［Ｎ（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノコベンゼンなどが例示され、その他に特願昭６２−
２７７１５９号公報Ｐ１３〜Ｐ２１に記載のジアミン誘
導体が例示される。

上記一般式（ＩＩ［）で表されるジアミン誘導体におい
て、ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物
としては、例えば、４．４−ビス［Ｎ−（３，５−ジメ
チルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニル、４
，４−ビス［Ｎ−（３゜５−ジメトキシフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノコジフェニル、４，４−ビス［Ｎ−、
（３，５−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ
ジフェニル、４，４−ビス［Ｎ−（３，５−ジメチルフ
ェニル）　−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノ］ジフ
ェニル、４−　［Ｎ−（２，４−ジメチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ］−４’−［Ｎ−（３，５−ジメチ
ルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニルなどが
例示され、その他に特願昭６２−２７７１５９号公報Ｐ
２１〜Ｐ２９に記載のジアミン誘導体が例示される。

上記一般式（Ｉ［［）で表されるジアミン誘導体におい
て、ｎ＝３の４．４”−テルフェニルジアミン誘導体の
うち、好ましい化合物としては、例えば、４．４”−ビ
ス［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］−１，１’：４１″−テルフェニル、４−　［
Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］−４”−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−１，１’
：４’ｌ”−テルフェニル、４−［Ｎ、Ｎ−ビス（３，
５−ジメチルフェニル）アミノ］−４”（Ｎ、Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）−１，ｌ’ｌ’１゛°−テルフェニルな
どが例示され、その他に特願昭６２−２７７１５９号公
報Ｐ２９〜Ｐ３６に記載のジアミン誘導体が例示される
。

また、上記一般式（ＩＶ）で表されるジアミン誘導体に
おいて、ｎ＝１のｐ−フェニレンジアミン誘導体のうち
、好ましい化合物としては、例えば、１．４−ビス［Ｎ
−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノコベン
ゼン、■、４−ビス（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミ
ノ）ベンゼン、１−（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミ
ノ）−４−［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニ
ルアミノコベンゼンなどが例示され、その他に特願昭６
２−２７７１６１号公報Ｐ１３〜Ｐ１９に記載のジアミ
ン誘導体が例示される。

上記一般式（ＩＶ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物と
しては、例えば、４．４′−ビス（Ｎ−ナフチル−Ｎ−
フェニルアミノ）ジフェニル、４．４１−ビス［Ｎ−（
６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニ
ル、４．４−ビス［Ｎ−（６−メドキシナフチル）−Ｎ
フェニルアミノコジフェニル、４．４’−ビス［Ｎ−（
６−クロロナフチル）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニ
ル、４，４′−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ
−（３−メチルフェニル）アミノコジフェニル、４−　
［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］
−４’−［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−（３−メ
チルフェニル）アミノコジフェニル、４−　［Ｎ−（４
−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’［Ｎ
−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノコジフ
ェニルなどが例示され、その他に特願昭６２−２７７１
６１号公報Ｐ１９〜Ｐ２５に記載のジアミン誘導体が例
示される。

上記一般式（ＩＶ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝３の４．４”−テルフェニルジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、４．４”−ビス
（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）−１，１’：４
”、１”−テルフェニル、４．４”−ビス［Ｎ−（６−
メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−１，１’：
４’１″−テルフェニルなどが例示され、その他に特願
昭６２−２７７１６１号公報Ｐ２５〜Ｐ３０に記載のジ
アミン誘導体が例示される。

また、上記一般式（Ｖ）で表されるジアミン誘導体にお
いて、ｎ＝Ｌのｐ−フェニレンジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、１．４−ビス（Ｎ、
Ｎ−ジナフチルアミノ）ベンゼン、１−（Ｎ、Ｎ−ジナ
フチルアミノ）−４−［Ｎ−（６−メチルナフチル）−
Ｎ−ナフチルアミノコベンゼン、１．４−ビス［Ｎ−（
６−メチルナフチル）−Ｎ−ナフチルアミノコベンゼン
などが例示され、その他に特願昭６２−２７７１６２号
公報Ｐ１３〜Ｐ２２に記載のジアミン誘導体が例示され
る。

上記一般式（Ｖ）で表されるジアミン誘導体において、
ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、４．４′−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ（６−メチ
ルナフチル）アミノコジフェニル、４，４′−ビス［Ｎ
−（６−メチルナフチル）−Ｎ−ナフチルアミノコジフ
ェニル、４゜４′−ビス［Ｎ−（６−メドキシナフチル
）−Ｎ−ナフチルアミノコジフェニル、４．４’−ビス
［Ｎ−（６−クロロナフチル）−Ｎ−ナフチルアミノコ
ジフェニル、４−［Ｎ、Ｎ−ジ（６−メチルナフチル）
アミノコ−４’−［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−
ナフチルアミノコジフェニル、４−　［Ｎ−（４−メチ
ルナフチル）アミノ−Ｎ−ナフチルアミノ］　−４’−
［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−ナフチルアミノコ
ジフェニルなどが例示され、その他に特願昭６２−２７
７１６２号公報Ｐ２２〜Ｐ３０に記載のジアミン誘導体
が例示される。

上記一般式（Ｖ）で表されるジアミン誘導体において、
ｎ−３の４．４”−テルフェニルジアミン誘導体のうち
、好ましい化合物としては、例えば、４．４”−ビス（
Ｎ、Ｎ−ジナフチルアミノ）−１，１”：４’、１”−
テルフェニル、４゜４″−ビス［Ｎ−（６−メチルナフ
チル）−Ｎ−ナフチルアミノ］−１，１’：４’、ｌ”
−テルフェニルなどが例示され、その他に特願昭６２−
２７７１６２号公報Ｐ３０〜Ｐ３８に記載のジアミン誘
導体が例示される。

上記一般式［Ｉ［］〜（Ｖ）で表されるジアミン誘導体
は、一種または二種以上混合して用いられる。なお、上
記ジアミン誘導体は、分子の対称性がよく、光照射によ
り異性化反応などが生じず、光安定性に優れているだけ
でなく、ドリフト移動度が大きく、しかもドリフト移動
度に関する電界強度依存性が小さい。

上記のような特性を有するジアミン誘導体と、前記ペリ
レン系化合物とを組み合わせることによリ、単層型感光
層を有する感光体であっても、高感度で残留電位の小さ
なものが得られる。

本発明に使用される結着樹脂としては、種々のもの、例
えば、スチレン系重合体、アクリル系重合体、スチレン
−アクリル系重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、
アイオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニル
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ア
ルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹
脂、ポリカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン
、ジアリルフタレート、シリコーン樹脂、ケトン樹脂、
ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、フェノ
ール樹脂や、エポキシアクリレート等の光硬化型樹脂等
、各種の重合体が使用できるが、感光体の感度を高め、
感光体の耐摩耗性および繰り返し特性に優れると共に結
着樹脂を溶解する溶剤の選択幅が広いポリ（４，４′　
　−シクロへキシリデンジフェニル）カーボネートが好
ましい。上記ポリ（４，４・　−シクロへキシリデンジ
フェニル）カーボネートを用いると、従来、溶液安定性
等の点から、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン等の
塩素系溶剤しか使用できなかったビスフェノールＡ型ポ
リカーボネートと異なり、テトラヒドロフラン、メチル
エチルケトン等の溶剤も使用することができるので、安
全衛生上も好ましく、取扱いが容易である。なお、上記
ポリ（４，４・　−シクロへキシリデンジフェニル）カ
ーボネートの中でも、分子量１５０００〜２５０００、
ガラス転移点が５８°Ｃ程度のものが好ましい。

上記ペリレン系化合物とジアミン誘導体と上記結着樹脂
との使用割合は、特に限定されず、所望する電子写真感
光体の特性等に応じて適宜選択することができるが、結
着樹脂１００重量部に対して、ペリレン系化合物２〜２
０重量部、好ましくは、３〜１５重量部、ジアミン誘導
体４０〜２００重量部、好ましくは、５０〜１００重量
部使用される。ペリレン系化合物およびジアミン誘導体
が上記使用量よりも少ないと、感光体の感度が十分でな
いばかりか、残留電位が大きくなる。また上記範囲を越
えると感光体の耐摩耗性等が十分でなくなる。

なお、通常、上記ペリレン系化合物を多量に使用すると
正帯電性が十分でなくなり、少量であると感度等が低下
するが、本発明の電子写真感光体においては、特定のペ
リレン系化合物とジアミン誘導体とＸ型メタルフリーフ
タロシアニンを組み合わせているので、ペリレン系化合
物の量が少量であっても感度および表面電位が高く、し
かも残留電位の小さい、正帯電性に優れた電子写真感光
体を得ることができる。

本発明に使用されるＸ型メタルフリーフタロシアニンは
、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が７゜５”、９．１
”　　　１６．７°　　１７．３”、２２゜３６に強い
解析ピークを示すものが好ましい。上記Ｘ型メタルフリ
ーフタロシアニンをペリレン系化合物１００重量部に対
して１．２５乃至３．７５重量部添加することで、分光
感度領域が長波長側に拡大し、より感光体の感度が高く
なるのである。しかし、Ｘ型メタルフリーフタロシアニ
ンをペリレン系化合物１００重量部に対して１．２５重
量部以下添加しただけでは、長波長側への増感効果が生
じない。また、Ｘ型メタルフリーフタロシアニンをペリ
レン系化合物１００重量部に対して３．７５重量部以上
添加すると逆に長波長側での分光感度が高くなってしま
い、赤色原稿の再現性が悪くなってしまう。

また、酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を受は安い
構造を持つ電荷輸送材料等の酸化による劣化を好適に防
止することができる。

上記酸化防止剤としては、２，６−シーｔｅｒｔ−７’
チル−ｐ−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス
（３−（３−ｔ　ｅ　ｒ　ｔ−ブチル−５−エチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，６−ヘ
キサンシオールービス〔３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−
ブチルー４−ヒドロキシフヱニル）プロピオネート］、
ペンタエリスリチル−テトラキス（３−（３，５−ジー
ｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）ブロビオ
ネ−トＬ　２，２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３，
５−ジーｔｅｒむ−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネ−））、２．２−チオビス（４−メチル−６
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、Ｎ、Ｎ・−ヘキサメ
チレンビス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒド
ロキシ−ヒドロシンナマミド）、１，３．５−トリメチ
ル−２゜４．６−トリス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチ
ルー４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン等のフェノール
系酸化防止剤を例示することができるが、中でも、２，
６−ジーｔｅｒも−ブチルーｐ−クレゾールが好ましい
。

本発明の感光体は、前述した各成分を含有する塗布液を
調製し、この塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させ
ることで得られる。

上記導電性基体は、導電性を有するシート状やドラム状
のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料、
例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理の
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記金
属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラス
チック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫酸
アルマイト法で陽極酸化し、酢酸ニッケルで封孔処理し
たものが好ましい。

なお、導電性基体は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。

上記塗布液の調製に際しては、使用される結着樹脂等の
種類に応じて適宜の有機溶剤が使用され、該有機溶剤と
しては、例えば、メタノール、エタノール、プロパツー
ル、イソプロパツール、ブクノールなどのアルコール類
、ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族
系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、テトラヒ
ドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類等種々
の溶剤が例示され、一種または二種以上混合して用いら
れる。また、上記各塗布液を調製する際、分散性、塗工
性等をよくするため、界面活性剤、シリコーンオイルな
どのレベリング剤、あるいはターフェニル、ハロナフト
キノン類、アセナフチレンなどの従来公知の増感剤等、
種々の添加剤を併用していてもよい。

上記シリコーンオイルとしては、ポリジメチルシロキサ
ンが好ましい。

上記各塗布液などは、従来慣用の混合分散方法、例えば
、ペイントシェーカー　ミキサー、ボールミル、サンド
ミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調整する
ことができ、得られた分散液などの塗布に際しては、従
来慣用のコーティング方法、例えば、デイツプコーティ
ング、スプレーコーティング、スピンコーティング、ロ
ーラーコーチインク、フレードコーティング、カーテン
コーティング、バーコーティング法等が採用される。

本発明における電子写真感光体の単層型感光体は、適宜
の厚みを有してもよいが、１５〜３０μｍ、特に１８〜
２７μｍの厚みを有するものが好ましい。

（実施例） 以下に、実施例に基づき、本発明をより詳細に説明する
。

実施史上 ポリ（４，４’　　−シクロへキシリデンジフェニル）
カーボネート（三菱瓦斯化学社製、商品名ポリカーボネ
ートＺ）１００重量部、Ｎ、　　Ｎ・　−ジ（３，５−
ジメチルフェニル）ペリレン−３，４゜９、ｌＯ−テト
ラカルボキシジイミド８重量部、Ｘ型メタルフリーフタ
ロシアニン（大日本インキ社製）０．２重量部、３，３
・−ジエチル−Ｎ、Ｎ。

Ｎ＝　、　Ｎ・　−テトラキス−４−メチルフェニル（
１，１・−ビフェニル）−４，４°　−ジアミン１００
重量部、シリコンオイル（信越化学社製）０．０１重量
部および所定量のテトラヒドロフランを用い、超音波分
散器にて単層型感光層用分散液を調製すると共に、約８
μｍにアルマイト処理されたアルミニウム素管上に塗布
し、約１００°Ｃで熱処理を加えることにより、厚み約
２３μｍの感光層を有する電子写真感光体を作製した。

皇血■又 実施例１の３，３・−ジエチル−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ・Ｎ・
　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜１°−ビフ
ェニル）−４，４・　−ジアミンに代えて、４，４・−
ビス［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノコビフェニル１００重量部を用い、上記実施例
１と同様にして電子写真感光体を作製した。

１隻皿主 実施例１の３，３・−ジエチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ・Ｎ゛　−
テトラキス−４−メチルフェニル（１゜１゛−ビフェニ
ル）−４，４’　　−ジアミンに化工て、４，４゛　　
−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルア
ミノコビフェニルを１００重量部用い、上記実施例１と
同様にして電子写真感光体を作製した。

皇崖■土 実施例１の３，３′−ジエチル−Ｎ、Ｎ、ＮＮ゛　−テ
トラキス−４−メチルフェニル（１゜１°−ビフェニル
）−４，４°　−ジアミンに代えて、４，４°　−ビス
［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−ナフチルアミノコ
ビフェニルを１００重量部用い、上記実施例１と同様に
して電子写真感光体を作製した。

止較皿よ 実施例１の３，３・−ジエチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ′Ｎ°　−
テトラキス−４−メチルフェニル（１１°−ビフェニル
）−４，４’　　−ジアミンに代えて、Ｎ−エチル−３
−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾ
ン１００重量部を用いて、上記実施例１と同様にして電
子写真感光体を作製した。

１較１ 実施例１のＸ型メタルフリーフタロシアニンに代えて、
β型メタルフリーフタロシアニン０．２重量部を用いて
、上記実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した
。

止較■工 実施例１のＸ型メタルフリーフタロシアニンに代えて、
β型メタルフリーフタロシアニン０．６重量部を用いて
、上記実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した
。

止較■土 実施例１において、Ｘ型メタルフリーフタロシアニンを
０．０５重量部用いる以外は上記実施例１と同様にして
電子写真感光体を作製した。

止較■工 実施例１において、Ｘ型メタルフリーフタロシアニンを
０．４重量部用いる以外は上記実施例１と同様にして電
子写真感光体を作製した。

圧１区服 （ａ）帯電特性、感光特性等 上記各実施例および比較例で得られた電子写真用感光体
の帯電特性、感光特性を調べるため、ドラム感度試験機
（ジエンチック社製、ジエンチック　シンシア　３０Ｍ
）を用いて各感光体を正に帯電させ、それらの帯電電位
（表面電位）Ｓ、Ｐ（Ｖ）を測定した。また、ハロゲン
ランプにより露光し、前記帯電電位が１／２となるまで
の時間を求め、半減露光量Ｅｌ／２　　（μＪ　／　ｃ
ｉ　）を算出した。また、露光後、０．１５秒経過後の
表面電位を残留電位Ｒ，Ｐ　（Ｖ）とした。

（ｂ）赤色再現性 赤と同じ明度のグレー原稿を複写し、得られた複写物の
反射濃度を反射濃度計によって測定した後、 を算出することで赤色再現性を調べた。赤色再現性が７
０％以下のものを×、７０〜１００％の範囲内のものを
Δ、１００％以上のものを○として評価した。

上記実施例および比較例で得られた各電子写真感光体の
帯電特性、感光特性および赤色再現性の結果を表に示す
。

五 また、Ｘ型メタルフリーフタロシアニンをペリレン系化
合物に対して１．２５重量部より少なく添加した比較例
３の感光体は、実施例１の感光体に比べて感度が低く、
残留電位も大きい。一方、３．７５重量部より多く添加
した比較例４の感光体は、赤色再現性が悪くなっている
。

（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、特定のペリレン化合物
とジアミン誘導体とＸ型メタルフリーフタロシアニンを
組み合わせることにより、高感度の電子写真感光体を得
ることができる。

表から明らかなように、本発明の電子写真感光体は、半
減露光量が小さく感度が良好であり、表面電位が高く、
残留電位が小さい。

これに対して、比較例１．２の感光体は、感度が低く、
残留電位も大きくなっている。

特許出願人　　　三田工業株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）結着樹脂中に、電荷発生材料として下記一般式〔
   I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３およびＲ＾４は、アル
   キル基を示す）で表されるペリレン系化合物と、電荷輸
   送材料として下記一般式〔II〕〜〔Ｖ〕▲数式、化学式
   、表等があります▼〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｖ〕 （式中、Ｒ＾５〜Ｒ＾２＾０は、同一または異なって、
   水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハ
   ロゲン原子を示す；Ｙは、水素原子、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基またはハロゲン原子を示す；ｎは１〜
   ３の整数を示す；ｌ、ｍ、ｏおよびｐは０〜２の整数を
   示す；但し、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾１およびＲ
   ＾１＾２は同時に水素原子でないものとし、水素原子で
   ない前記Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾１およびＲ＾１
   ＾２のｌ、ｍ、ｏおよびｐは、少なくとも１つが２であ
   るものとする） で表されるジアミン誘導体の群から選ばれる少なくとも
   １種の化合物と、さらに上記ペリレン系化合物１００重
   量部に対して１．２５乃至３． ７５重量部のＸ型メタルフリーフタロシアニンを含有す
   る感光層を、導電性基体上に形成することを特徴とする
   電子写真感光体。 （２）該感光層が、酸化防止剤を含有する請求項第１項
   記載の電子写真感光体。 （３）ペリレン系化合物が、Ｎ、Ｎ’−ビス（３、５−
   ジメチルフェニル）ペリレン−３、４、９、１０−テト
   ラカルボキシジイミドである請求項第１項記載の電子写
   真感光体。（４）Ｒ＾５〜Ｒ＾２＾０が、同一または異
   なって、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
   ルコキシ基またはハロゲン原子である請求項第１項記載
   の電子写真感光体。 （５）Ｙが、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４
   のアルコキシ基またはハロゲン原子である請求項第１項
   記載の電子写真感光体。