JPH04107563A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、複写機などの画像形成装置において好適に使
用される電子写真感光体に関する。

（従来技術） 近年、導電性基体上に感光層が形成された電子写真感光
体として、加工性がよく製造コストの面で有利であると
共に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用され
ている。上記有機感光体においては、光照射により電荷
を発生させる電荷発生材料と、゛発生した電荷を輸送す
る電荷輸送材料とにより電荷発生機能と電荷輸送機能と
を分解した感光層を有することで、高感度化を図った機
能分離型電子写真感光体が知られている。

また、上記電荷輸送材料とじてジアミン誘導体を含有す
る感光体が知られている。該ジアミン誘導体の中でも特
に下記一般式（７，Ｂ （Ｒ、）　ｔ （Ｒ２）。

（式中、Ｒ，−Ｒ，は、同一または異なって、低級アル
キル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を示す；
Ｙは、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を示す；Ｉ、ｍ、ｎおよび０はＯ〜２
の整数を示す。）で表される化合物は、ドリフト移動度
が大きく、しかもドリフト移動度に関する電界強度依存
性が小さいという特徴を有している。

従って、上記一般式〔ｆ］で表されるジアミン誘導体を
電荷輸送材料として使用した感光体は、高感度で残留電
位の小さなものが得られる。

（発明が解決しようとする問題点） しかじながら上記一般式〔Ｉ：で表されるジアミン誘導
体自身は、光照射により異性化反応などが生じず、光安
定性に優れていることは知られているものの、実際に上
記一般弐ｆ）で表されるジアミン誘導体を電荷輸送材料
として使用して、結着樹脂等と共に成膜形成することで
感光体とした場合は、光照射により帯電能の低下が発生
し、光照射後暗所で保管しても帯電能の低下が完全に回
復しないという問題点があった。

（発明の目的） 本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、上
記一般式（Ｉ）で表されるジアミン誘導体を電荷輸送材
料として使用した感光体において、さらに光照射後の帯
電能の低下が回復可能となった良好な電子写真感光体を
提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段および作用）本発明は、
導電性基体上に、電荷輸送材料として下記一般式ｒ、Ｉ
〕で表されるジアミン誘導体および下記式（ｎ）で表さ
れる１、１−ビス（Ｐジエチルアミノフェニル）−４，
４−ジフェニル＝１３−ブタジエンを含有する感光層を
設けたことにより上記目的を達成した。

（式中、Ｒ，−Ｒ，は、同一または異なって、低級アル
キル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を示す：
Ｙは、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を示す；Ｉ。

ｍ、ｎおよび０は０〜２の整数を示す。）本発明者等が
鋭意研究の結果、電荷輸送材料として一般式（Ｉｌで表
されるジアミン誘導体を含有する感光層を有する電子写
真感光体が、第１図に示されるように前記一般式（ｆｆ
〕で表される１゜１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）−４゜４−ジフェニル−１，３−ブタジエン（以後
ブタジェン誘導体と言う。）を混合させることによって
、光照射後の帯電能の低下が回復されることを見出した
。

すなわち第１図は、縦軸に光劣化後の暗所保管による感
光体の帯電能の回復（光劣化後暗所保管した感光体の表
面電位−初期の感光体の表面電位）をとり、横軸に前記
一般式〔■〕で表されるジアミン誘導体１００重量部に
対する前記一般式〔■）で表されるブタジェン誘導体の
添加量をとったものであり、・は感光体に蛍光灯（Ｎａ
ｔｉｏｎａｌ　　ハイライト　Ｆ、Ｌ、１５Ｗ）を用い
て４０００ＬＵＸの光で３０分間光劣化させた場合、Ｏ
は感光体に蛍光灯（Ｎａｔｉｏｎａｌ　　Ａイライト　
Ｆ、Ｌ、１５Ｗ）を用いて１００ＯＬＵＸの光で１時間
光劣化させた場合を示している。

第１図より明らかなように、ブタジェン誘導体を添加し
なければ光劣化後暗所保管しても、・では７０Ｖ、○で
は５０Ｖの帯電能の低下が見られる。しかしながら、ブ
タジェン誘導体の添加により徐々に帯電能の低下が回復
し始め、Ｏでは２０重量部以上添加することにより帯電
能の低下が完全に回復していることがわかる。

従って、電荷輸送材料として一般式〔Ｉ〕で表されるジ
アミン誘導体を含有する感光層を有する電子写真感光体
では、第１図に示されるように前記−形式〔■］で表さ
れるブタジェン誘導体を混合させることによって、光照
射後の帯電能の低下が回復できることは明らかである。

（好適態様） 本発明の電子写真感光体は、結着樹脂、電荷発生材料、
電荷輸送材料としての上記一般式［ＩＩで表されるジア
ミン誘導体、添加剤としての上記−形式（ＩＩ）で表さ
れるブタジェン誘導体と、溶剤等を混合した塗布液を調
整し、この塗布液を導電性基体上に塗布、乾燥して感光
層を形成することにより作製される。上記感光層には、
電荷発生材料、電荷輸送材料および結着樹脂を混合した
単層型と、電荷発生層および電荷輸送層を積層した積層
型とがあるが、本発明の電子写真感光体はいずれにも適
用可能である。

電荷輸送材料としては前記−形式（Ｉ〕で表されるジア
ミン誘導体が用いられる。

上記−形式〔ｌ）における低級アルキル基としては、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソ
ブチル、ｔｅｒ　ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル基な
どの炭素数１〜６のアルキル基が例示される。上記低級
アルキル基のうち、炭素数１〜４のアルキル基が好まし
い。

また、低級アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基などの炭素
数１〜６のアルコキシ基が例示される。上記低級アルコ
キシ基のうち、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましい
。

また、ハロゲン原子としては、フン素、塩素、臭素およ
びヨウ素原子が挙げられる。

なお、上記置換基Ｒ，−Ｒ，および上記置換基Ｙは、フ
ェニル環の任意の位置に置換していてもよい。

上記−形式ＣＩ）で表されるジアミン誘導体としては、
例えば、Ｎ、　　Ｎ＝−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニ
ル）−Ｎ、Ｎ”　−（ジフェニル）ベンジジン、４．４
°−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）ジフェニル、４
，４°−ビス［Ｎ−（３メチルフエニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノコジフェニル、４，４”　−ビス［Ｎ−（３−
メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニル
、４゜４°−ビス［Ｎ−（３−クロロフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノコジフェニル、４−　［Ｎ−（２メチル
フエニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４゜−［Ｎ−（４
−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニル
、４−　［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］−４′　−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノコジフェニル、３．３°　−ジメチル
−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ’Ｎ゛　−テトラキス−４−メチルフ
ェニル（１゜１゛−ビフェニル）−４，４“　−ジアミ
ンなどが例示され、その他に特願昭６２−２７７１５８
号公報Ｐ２１−Ｐ２８に記載のジアミン誘導体が例示さ
れる。

前記−形式ＣＩ〕で表されるジアミン誘導体は、前記式
（ＩＩ）で表される１、ｌ−ビス（Ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）−４，４＝　　−ジフェニル１．３−ブタジ
エンを混合することで、感光体として用いた場合の帯電
能の低下を抑えることができる。その好適な混合量は、
組み合わされる電荷発生材料の種類によって異なるもの
の、前記−形式ＣＩ）で表されるジアミン誘導体１００
重量部に対して前記式（ｎ）で表される１、１−ビス（
Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４・　−ジフェニ
ル−１，３−ブタジエンを１０重量部乃至１００重量部
の割合で使用でき、特に２０重量部乃至１００重量部の
割合で使用することが好ましい。

電荷発生材料としては、例えば、セレン、セレン−テル
ル、アモルファスシリコン、ピリリウム塩、アブ系化合
物、ジスアヅ系化合物、フタロンアニン系化合物、アン
サンスロン系化合物、ペリレン系化合物、インジゴ系化
合物、トリフェニルメタン系化合物、スレン系化合物、
トルイジン系化合物、ピラゾリン系化合物、キナクリド
ン系化合物、ピロロビロール系化合物等、種々のものが
使用し得る。これらの電荷発生材料は、一種または二種
以上を混合して使用される。

結着樹脂としては、種々のもの、例えば、スチレン系重
合体、アクリル系重合体、スチレン−アクリル系重合体
、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素
化ポリエチレン、ポリプロピレン、アイオノマー等のオ
レフィン系重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、ポリエステル、アルキッド樹脂、ポリ
アミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリ（４，４″
シクロへキシリデンジフェニル）カーボネート等のポリ
カーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン、ジアリ
ルフタレート、シリコーン樹脂、ケトン樹脂、ポリビニ
ルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、フェノール樹脂
や、エポキ／アクリレート等の光硬化型樹脂等、各種の
重合体が使用できる。

単層型の電子写真感光体においては、結着樹脂１００重
量部に対して電荷発生材料は２〜２０重量部、とくに３
〜１５重量部、電荷輸送材料は４０〜２００重量部、特
に５０〜１００重量部であるのが適当である。また、単
層型の感光層の厚さはｌＯ〜５０！Ｊｍ、特に１５〜２
５μｍ程度であるのが好ましい。

積層型の電子写真感光体において、電荷発生層を構成す
る電荷発生材料と結着樹脂とは種々の割合で使用するこ
とができるが、結着樹脂１００重量部に対して、電荷発
生材料５〜５００重量部、特ムこ１０〜２５０重量部の
割合で用いるのが好ましい。

また、電荷発生層は、適宜の膜厚を有していてもよいが
、０．０１〜５μｍ、特に０．、ｌｌ−３ａ程度に形成
されるのが好ましい。

電荷輸送層を構成する上記電荷輸送材料と前記結着樹脂
とは種々の割合で使用することができるが、光照射によ
り電荷発生層で生した電荷が容易に輸送できるように、
結着樹脂１００重量部に対して、電荷輸送材料１０〜５
００重量部、特に２５〜２００重量部の割合で用いるの
が好ましい。

また、電荷輸送層は、２〜１００μｍ、特に５〜３０μ
ｍ程度に形成されるのが好ましい。

導電性基体としては、導電性を有するシート状やドラム
状のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料
、例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理
のアルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金
、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、
チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレ
ス鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記
金属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラ
スチック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫
酸アルマイト法で陽極酸化し、酢酸ニッケルで封孔処理
したものが好ましい。

また、導電性基体は、必要に応して、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。

なお、上記電荷輸送材料、電荷発生材料および結着樹脂
等の各成分からなる感光層用塗布液の調製に際しては、
使用される結着樹脂等の種類に応じて適宜の有機溶剤が
使用され、該有機溶剤としては、例えば、メタノール、
エタノール、プロパツール、イソプロパツール、ブタノ
ールなどのアルコール類、ｎ−ヘキサン、オクタン、シ
クロヘキサン等の脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲ
ン化炭化水素、テトラヒドロフラン、エチレングリコー
ルジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエー
テル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸メチ
ル等のエステル類等種々の溶剤が例示され、一種または
二種以上混合して用いられる。また、上記感光層用塗重
液を調製する際、分散性、塗工性等をよくするため、界
面活性剤、シリコーンオイルなどのレヘリング剤、ある
いはターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレ
ンなどの従来公知の増悪剤等、種々の添加剤を併用しで
いてもよい。上記シリコーンオイルとしては、ポリジメ
チルシロキサンが好ましい。

上記感光層用塗布液などは、従来慣用の混合分散方法、
例えば、ペイントシェーカー　ミキサーホールミル、サ
ンドミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調製
することができ、得られた感光層用塗布液などの塗布に
際しては、従来慣用のコーティング方法、例えば、デイ
、プコーティング、スプレーコーティング、スピンコー
ティング、ローラーコーチインク、ブレードコーティン
グ、カーテンコーティング、バーコーティング法等が採
用される。

（実施例） 以下、本発明を実施例に基づいてより詳しく説明する。

予Ｊｌ騒 まず、予備実験とじて光照射による電荷輸送材料の光劣
化回復特性を判断するため、ベンジジン誘導体にブタジ
ェン誘導体を種々異なった量で添加したフィルムを作製
し、それを光照射後暗所保管し体積抵抗率の変化を調べ
た。

実験例１ ホ１Ｊ（４，４°　−シクロヘキシリデンジフェニル）
カーボネート（三菱瓦斯化学社製、商品名Ｚ２００）１
００重量部、Ｎ、　　Ｎ・−ビス（０，Ｐジメチルフェ
ニル）−Ｎ、Ｎ・　−（ジフェニル）ヘンジジン１００
重量部、１．１−ビス（Ｐジエチルアミノフェニル）−
４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン１重量部およ
び所定量のトルエンを用い超音波分散器にて分散液を調
整すると共に、アルミシート上に塗布し、約１１０°Ｃ
で熱処理を加えることにより、厚み約２０μｍのフィル
ムを作製した。

実験例２ Ｎ、　　Ｎ＝−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、
　Ｎ”　−（ジフェニル）ベンジジンを１００重量部、
■、１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４
−ジフェニル−１，３−ブタジエンを２重量部としたこ
と以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製した。

実験例３ Ｎ、　　Ｎ＝−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、
　　Ｎ・　−（ジフェニル）ベンジジンを１００重１部
、１．１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，
４−ジフェニル−１，３−ブタジエンを３重量部とした
こと以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製した
。

実験例４ Ｎ、　Ｎｏ−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）−Ｎ、
　Ｎ・　＝（ジフェニル）ベンジジンを１００重量部、
１，１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４
−ジフェニル−１，３−ブタジエンを５重量部としたこ
と以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製した。

実験例５ Ｎ、　　Ｎ＝−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、
　　Ｎ・　−（ジフェニル）へンジジンを１００重１部
、１，１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル＞４．４
−ジフェニル−１，３−ブタジエンを７重量部としたこ
と以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製した。

実験例６ Ｎ、　　Ｎ・−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、
　　Ｎ・　＝（ジフェニル）−、ンジジンを１００重量
部、１，１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４
，４−ジフェニル−１，３−ブタジエンを１０重量部と
したこと以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製
した。

実験例７ Ｎ、　Ｎ”−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、　
Ｎ・　−（ジフェニル）ベンジジンを１００重量部、１
．１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−
ジフェニル−１，３−ブタジエンを１１重量部としたこ
と以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製した。

実験例８ ＮＮ・−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）ＮＮ・　−
（ジフェニル）ベンジジンを８４重量部、１．１−ビス
（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４〜ジフェニル
−１，３−ブタジエンを１７重量部としたこと以外は、
実験例１と同様にしてフィルムを作製した。

実験例９ Ｎ、　　Ｎ・−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、
　Ｎ＝　　−（ジフェニル）ベンジジンを７７重量部、
１，１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４
−ジフェニル−１，３−ブタジエンを２３重量部とした
こと以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製した
。

実験例１Ｏ Ｎ、　　Ｎ・−ビス（ｏ、ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、
　Ｎ＝　　−（ジフェニル）ベンジジンヲ７０重量部、
■、１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４
−ジフェニル−１，３−ブタジエンを３０重量部とした
こと以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製した
。

実験例１１ Ｎ、　　Ｎ’−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、
　Ｎ・　−（ジフェニル）ベンジジンを５０重量部、１
．１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−
ジフェニル−１，３−ブタジエンを５０重量部としたこ
と以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製した。

実験例１２ Ｎ、　　Ｎ＝−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）−Ｎ
、　　Ｎ・　−（ジフェニル）ベンジジンに代えて３．
３“−ジメチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ・　、Ｎ・　−テトラキス
−４−メチルフェニル（１，１−−ビフェニル）−４，
４＝　　−ジアミンとしたこと以外は、実験例１１と同
様にしてフィルムを作製した。

比較実験例Ｉ Ｎ、　Ｎ＝−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、　
Ｎ＝　　−（ジフェニル）ベンジジンを１００重量部と
し、■、１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４
，４−ジフェニル−１，３−ブタジエンを用いないとし
たこと以外は、実験例１と同様にしてフィルムを作製し
た。

比較実験例２ ＮＮ“−ビス（ｏ、ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、　　Ｎ
−−（ジフェニル）ベンジジンを５０重量部、１．１−
ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェ
ニル−１，３−ブタジエンに代えてＮ、Ｎ−ジエチルア
ミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾンを５０重量
部用いたこと以外は、実験例Ｉと同様にしてフィルムを
作製した。

比較実験例３ Ｎ、　　Ｎ′−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）−Ｎ
、　Ｎ・　−（ジフェニル）ベンジジンを５０重１部、
１．Ｉ−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４
−ジフェニル−１，３−ブタジエンに代えてＮ−エチル
−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒド
ラゾンを５０重量部用いたこと以外は、実験例１と同様
にしてフィルムを作製した。

比較実験例４ Ｎ、　　Ｎ・−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）Ｎ、
　　Ｎ゛−（ジフェニル）ベンジジンを５０重量部、１
，１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−
ジフェニル−１，３〜ブタジエンに代えてＮ、　Ｎ、　
Ｎ゛、　　Ｎ＝−テトラキス（３〜メチルフエニル）−
１，３−ジアミノベンゼンを５０重量部用いたこと以外
は、実験例１と同様にしてフィルムを作製した。

比較実験例５ Ｎ、　　Ｎ・−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）−Ｎ
、　　Ｎ＝　　−（ジフェニル）ベンジジンに代えて３
．３・−ジメチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ・、Ｎ・　−テトラキス
−４−メチルフェニル（１，１゛　　−ビフェニル）−
４，４・　−ジアミンとしたこと以外は、比較実験例１
と同様にしてフィルムを作製した。

（フィルムの評価） ７４１Ｌゴ野酎耐皿 ■・作製直後のフィルム使用 ■・４０００　ＬＵＸの白色蛍光灯を用いて３０分開光
劣化させた後のフィルム使用 ■・光劣化させた後９６時間暗所保管させたフィルム使
用 体盪皿抗生圓貫定 実験例１乃至実験例１１および比較実験例１乃至比較実
験例６で得られたフィルムを試料箱（タケダ理研製、商
品名ＴＲ４２）に入れ、体積抵抗測定装置（タケダ理研
製、商品名デジタルエレクトロメーターｌＲ８６５２）
および直流低電圧電源（タケダ理研製、商品名ＴＲ３０
０Ｃ）を用いて１００■の印加電圧で測定した。その結
果を表１．２に示す。

（以下余白） 棹馴 眸階 表１．２より明らかなように、実験例１乃至実験例１１
のフィルムは、電荷輸送材料として前記式〔Ｉ］で表さ
れるジアミン誘導体に、前記式〔■］で表されるブタジ
ェン誘導体を混合させるに従って、光劣化前と、光劣化
後の暗所保管終了後での体積抵抗率の変化が徐々に無く
なり、実験例８乃至実験例１２から明らかなように、ジ
アミン誘導体を１００重量部と考えると、これに対して
ブタジェン誘導体を２０重量部以上の割合で混合させる
ことで体積抵抗率の変化がほぼ完全に防止されているこ
とがわかる。即ち体積抵抗率は、光劣化後の暗所保管に
よって光劣化前の状態まで回復したことになり、膜の物
性が光劣化前の状態に戻ったと言え、帯電能が維持され
ていることが判る。

これに対して、電荷輸送材料としてベンジジン誘導体の
みを用いた比較実験例１および比較実験例５のフィルム
は、光劣化前と光劣化後の暗所保管終了後での体積抵抗
率の変化が充分防止されていないことから、光劣化後の
暗所保管によっても帯電能が回復しないことがわかる。

さらに、ジアミン誘導体対してヒドラゾン誘導体あるい
はジアミノヘンゼン誘導体を混合させた比較実験例２乃
至比較実験例４のフィルムは、何れも光劣化前と、光劣
化後の暗所保管終了後での体積抵抗率の変化が充分防止
されていないことから、光劣化後の暗所保管によっても
帯電能が回復しないことがわかる。

（電子写真感光体の調整） 実施例１ 結着樹脂としてポリビニルブチラール（積木化学社製、
商品名工スレツクＢＬＩ）１００重量部、電荷発生材料
としてのメタルフリーフタロシアニン２５０重量部、及
び所定量のテトラヒドロフランをボールミルに仕込、２
４時間攪拌混合して電荷発生層用塗布液を調整し、この
調整液をアルミニウムドラムに浸漬法により塗布し、１
１０″Ｃで３０分間熱風乾燥して硬化させることにより
膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。

次に、結着樹脂としてポリ（４，４・　−シクロへキシ
リデンジフェニル）カーボネート（三菱瓦斯化学社製、
商品名２２００）１００重量部、電荷輸送材料としてＮ
、　　Ｎ・−ビス（０，Ｐ−ジメチルフェニル）　−Ｎ
、　　Ｎ′（ジフェニル）ヘンジジン５０重量部、１，
１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジ
フェニル−１，３ブタジ工ン５０重量部、および所定量
のトルエンをホモミキサーで攪拌混合して電荷輸送層用
塗布液を調整した。この塗布液を上記電荷発生層の表面
に浸漬法により塗布した後、９０°Ｃで３０分間熱風乾
燥することにより膜厚約２０μｍの電荷輸送層を形成し
、電子写真感光体を作製した。

比較例１ 電荷輸送層で用いたＮ、　Ｎ・−ビス（０，Ｐ−ジメチ
ルフェニル）−Ｎ、Ｎ゛−（ジフェニル）ヘンジジンを
１００重量部とし、１，１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン
を用いないとしたこと以外は、実施例１と同様にして電
子写真感光体を作製した。

比較例２ 電荷輸送層で用いた１、１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）−４，４−ジフェニル−１３−ブタジエン５
０重量部と代えて、Ｎ、　Ｎ−ノエチルアミノヘンズア
ルデヒドジフェニルヒドラゾン５０重量部としたこと以
外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した
。

比較例３ 電荷輸送層で用いた１、１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）−４，４−ジフェニル−１゜３−ブタジエン
５０重量部と代えて、Ｎ−エチル−３−カルバゾリルア
ルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン５０重量部とし
たこと以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を
作製した。

比較例４ 電荷輸送層で用いた１、１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）−４，４−ジフェニル−１゜３−ブタジエン
５０重量部と代えて、Ｎ、Ｎ、ＮＮ゛−テトラキス（３
−メチルフェニル）−１゜３−ジアミノヘンゼン５０重
量部としたこと以外は、実施例１と同様にして電子写真
感光体を作製した。

（電子写真感光体の評価） ′％率几 ■・作製直後の電子写真感光体を使用 ■・４０００　ＬＵＸの白色蛍光灯を用いて３０分間光
劣化させた後、９６時間暗所保管させた電子写真感光体
使用 露光盪Ｉ盈久皿定 電子写真特性は、第２図に示す装置で測定した。

実施例１および比較例１乃至比較例４で得られた電子写
真感光体５を回転させながら、コロトロン１を用い一７
００Ｖに帯電させた。

次いで、半導体レーザー２（λ−７８０ｎｍ、露光強度
＝０．７ｍＷ／ｃ＋ｆｌ、露光時間２６０μ５ｅｃ）を
用いて、感光体を露光した後の表面電位を露光後電位と
し、７の位置に配置した表面電位計で測定した。結果を
表３に示す。

（以下余白） 表３ 表３から明らかなように、本発明の電子写真感光体（実
施例１）は、電荷輸送材料としてベンジジン誘導体のみ
を用いた電子写真感光体（比較例２）と同等の感度特性
を有しており、ベンジジン誘導体自身の持つ感度特性を
維持していることがわかる。これに対して、ベンジジン
誘導体にブタジェン誘導体以外の化合物として他の電荷
輸送材料を組み合わせた比較例２乃至比較例４の電子写
真感光体は、何れも感度の悪化したものであった。

実施例２ 結着樹脂としてポリビニルブチラール（積木化学社製、
商品名工スレツダＢＬＩ）１００重量部、電荷発生材料
とじての１，４−ジチオケト−３６−シフエニルピロロ
７３．４−Ｃ３ピロール；３０重量部、及び所定量のジ
クロロメタンをボールミルに仕込、１２０時間攪拌混合
して電荷発生層用塗布液を調整し、この調整液をアルミ
ニウムドラムに浸漬法により塗布し、１１０°Ｃで３０
分間熱風乾燥して硬化させることにより膜厚０．５μｍ
の電荷発生層を形成した。

次に、結着樹脂としてポリ（４，４・　−シクロへキシ
リデンジフェニル）カーボネート（三菱瓦斯化学社製、
商品名Ｚ２００）１００重量部、電荷輸送材料としてＮ
、　　Ｎ・−ビス（ｏ、ｐ−ジメチルフェニル）−Ｎ、
Ｎ＝−（ジフェニル）ベンジジン１００重量部、１，１
−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフ
ェニル−１゜３−ブタジエン１重量部、および所定量の
トルエンをホモミキサーで攪拌混合して電荷輸送層用塗
布液を調整した。この塗布液を上記電荷発生層の表面に
浸漬法により塗布した後、９０″Ｃで３０分間熱風乾燥
することにより膜厚約２０μｍの電荷輸送層を形成し、
電子写真感光体を作製した。

実施例３ 電荷輸送層で用いた　Ｎ、　Ｎ・−ビス（０，Ｐジメチ
ルフェニル）−Ｎ、Ｎ・　−（ジフェニル）ベンジジン
を８７重１部、１．１−ビス（Ｐジエチルアミノフェニ
ル）−４，４−ジフェニル−１３−ブタジエンを１３重
量部としたこと以外は、実施例２と同様にして電子写真
感光体を作製した。

実施例４ 電荷輸送層で用いた　Ｎ、　Ｎ＝−ビス（０，Ｐジメチ
ルフェニル）−Ｎ、Ｎ”−（ジフェニル）ベンジジンを
８４重１１Ｂ、１．　１−ヒ、２．（Ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエ
ンを１７重量部としたこと以外は、実施例２と同様にし
て電子写真感光体を作製した。

比較例５ 電荷輸送層で用いたＮ、　Ｎ・−ビス（０，Ｐジメチル
フェニル）−Ｎ、Ｎ＝−（ジフェニル）ベンジジンを１
００重量部とし、１．１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル＞４．４−ジフェニル−１，３−ブタジエンを用
いないとしたこと以外は、実施例２と同様にして電子写
真感光体を作製した。

（電子写真感光体の評価） ■　　　感　　の几 ■・作製直後の電子写真感光体を使用 ■・蛍光灯（Ｎａｔｉｏｎａｌ　　ハイライト　Ｆ。

Ｌ、１５Ｗ）を用いて１００ＯＬＵＸの光を１時間照射
し光劣化させた後、９６時間暗所保管させた電子写真感
光体使用 露光復！位夏皿足 静電複写試験装置（ジェンテンク社製）を用いて、実施
例２乃至実施例４および比較例５で得られた各電子写真
感光体に、一定の流れ込み電流を印加して負に帯電させ
、表面電位Ｖ、ｐ（Ｖ）を測定した。そして光劣化後９
６時間暗所保管させた電子写真感光体の表面電位から、
光劣化前の電子写真感光体の表面電位を引いた値をΔＶ
　（Ｖ）として表４に示す。

表４ ＊：各実施例のブタジェン誘導体の混合量を、ジアミン
誘導体１００重量部に対する混合量に換算したもの。

表４から明らかなように、本発明の電子写真感光体（実
施例２乃至実施例４）によれば、電荷輸送材料として前
記式〔Ｊ〕で表されるジアミン誘導体に、前記式〔■〕
で表されるブタジェン誘導体を混合させるにしたがって
、光劣化後の暗所保管によって帯電能の低下が徐々に改
善されることがわかる。これに対して電荷輸送材料とし
てベンジジン誘導体のみを用いた電子写真感光体（比較
例５）は、光劣化による帯電能の低下が暗所保管によっ
ても回復しないことが判る。

（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、感度に優れるだけでな
く、光劣化による帯電能の低下が回復可能な優れた電子
写真感光体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、前記−形式［Ｉ［）で表されるブタジェン誘
導体添加による、光劣化後の帯電能の回復度合を示した
ものであり、第２図は、電子写真感光体の評価を行った
装置を示したものである。 １．３・・・コロトロン、２・・・半導体レーザ、４・
・・ＬＥＤ、５・・・電子写真感光体、７・・・表面電
位計。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性基体上に、電荷輸送材料として下記一般式
   〔 I 〕で表されるジアミン誘導体および下記式〔II〕
   で表される１、１−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル
   ）−４、４−ジフェニル−１、３−ブタジエンを含有す
   る感光層を設けたことを特徴とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 （式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿４は、同一または異なって、低級
   アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を示
   す；Ｙは、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基またはハロゲン原子を示す；ｌ、ｍ、ｎおよび０は０
   〜２の整数を示す。）
2. （２）ジアミン誘導体が、Ｎ、Ｎ’−ビス（Ｏ、Ｐ−ジ
   メチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’−（ジフェニル）ベンジジ
   ンである請求項１記載の電子写真感光体。