JPH02228666A - コントラスト増強用の光脱色性層用材料およびそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、例えば半導体集積回路の製造に用いられ、
微細で高精度なレジストパターンを形成する際に、レジ
スト膜上の像のコントラストを増強する目的で形成され
る光膜♂性層用材料と、この材料を使用したパターン形
成方法とに闇するものである。

（従来の技術） 半導体集積回路の高？度化に伴ない、集積化すべき回路
の最小パターン寸法も、ますます微細になってきており
、これに伴なって、１　（ｕｍ）程度或いはサブミクロ
ンの微細レジストパターンを高精度で形成する技術が要
求されできている。

解像度を向上させて高精度でパターニングするため、従
来から使用されているフォトリソグラフィ技術の他に、
電子線、Ｘ線或いはイオンビームを線源として用いたり
ソグラフィ技術の開発も行なわれている。しかしながら
、量産性、経済性或いは作業性等を考慮すると、比較的
簡便な装置構成で英施し得る、光を用いたフォトリング
ラフィが有利であり、高解像度を寅現するためのフォト
リングラフィ技術が、種々、提案されでいる。

このようなフォトリソグラフィ技術の一例として、例え
ば文献：”ＩＥＥＥ　ＥＬＥＣ丁ＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥ
　ＬＥＴＴＥＲ３（アイ　イー　イー　イー　エレクト
ロン　デバイス　レターズと（Ｖｏｌ、ＥＤＬ−４，Ｎ
ｏ、　１．ｐ！４〜１６゜１９８３年１月）に開示され
でいる、コントラスト・エンハンスト・フォトリソグラ
フィ（ＣｏｎｔｒａｓｔＥｎｈａｎｃｅｄ　Ｐｈｏｔｏ
ｌｉｔｈｏｃ＋ｒａｐｈｙ）技術（以下、ＣＥＰＬ技術
と称する場合も有る。）があった、このＣＥＰＬ技術に
よれば、簡単なプロセスの付加により、高解像度のレジ
ストパターンが形成できる。

この出願に係る発明の説明に先立ち、図面を参照しで、
上述のＣＥＰＬ技術の原理につき説明する。

第３図（Ａ）〜（Ｅ）は、ＣＥＰＬ技術の原理を説明す
るため、主として概略的な断面により各工程を示す説明
図である。

まず、第３図（Ａ）に示すように、例えばシリコンウェ
ハから成る基板１１の表面に、パターニングすべきレジ
スト膜１２を設け、当該膜１２の表面にコントラストエ
ンハンスメント層（ＣｏｎｔｒａｓｔＥｎｈａｎｃｅｍ
ｅｎｔ　Ｌａｙｅｒ）と称する薄膜１３を塗布形成する
。

通常、この薄膜Ｉ３は、露光前には露光波長ｌこ対する
吸収が大きいが、露光に係る光の照射に伴なって次第に
吸収が小さく成り、当該光に係る透過率が高く成る材料
（光消色性色素成分と称する。）を含有する構成となっ
ている。以下の説明においでは、上述した薄膜１３を光
脱色性層ｊ３と称する。そして、前述した第３図（Ａ）
の位置関係に対応して横軸を採り、縦軸には露光波長に
関する透過率を採って光強度分布を示す第３図（Ｂ）か
らも理解できるよう１こ、光がフォトマスク１４を通過
すると、光の回折及びフォーカシング効果によって、フ
ォトマスク１４の光源に対して陰となる部分にまで光が
達する。ここで、上述したフォトマスク１４を用いるこ
とにより、光脱色性層１３のうち、光の当った部分では
前述した光消色性色素が消色して露光部分１３ａとなり
、光のドーズ量が比較的小ざい部分では未露光部分＋３
ｂとしで形成される（第３図（Ｃ））、このように、レ
ジスト膜１２上に形成された光脱色性層１３は露光部分
１３ａで寅質的に透明となり、未露光部分＋３ｂとの間
でコントラストが形成される。

ざらに、上述した光脱色性層１３を通過する光は、第３
図ＣＢ）に対応させて示す第３図（Ｄ）からも理解でき
るように、光脱色性層１３を設すないで露光を行なった
場合に比してコントラストが増強され、レジスト膜１２
に対して選択的な露光を行なうことができる。

このように、光脱色性層１３ヲ配設することにより、そ
の復の現像処理を経て、例えば第３図（Ｅ）に示すよう
な奇麗でシャープなレジストパターン＋２ｂ　Ｖ形成す
ることができる。

上述したＣＥＰＬ技術の原理によれば、光脱色性層１３
ヲ構成する材料（光脱色性層用材料と称する。）の光学
的性質が特に重要である。この光脱色性層用材料は、主
として光消色性色素成分と、皮膜形成成分とによって構
成される。

従来、高圧水銀灯から発せられる９線（波長４３６（ｎ
ｍ））或いはｉ線（波長３６５（ｎｍ））に感度を有す
る光消色性色素成分として、ジアゾニウム塩、スチルバ
ゾリウム塩、アリールニトロン類が知られでいる。

これら従来の光消色性色素成分のうち、スチルバゾリウ
ム塩は、光消色が熱によって非特異的に進行しない、２
＋２の環化反応を光消色反応に利用している。このため
、光消色性色素成分としてスチルバゾリウム塩を含有す
る光脱色性層用材料は、優れた保存安定性を有すること
が知られでいる。

また、ジアゾニウム塩は光消色反応における応答性が高
く、露光に際して透過率の増加速度が大きい、このため
、ジアゾニウム塩を光消色性色素成分として含有する光
脱色性層用材料を用いることによって、ＣＥＰＬ技術の
欠点の１つである、露光量の増大によるスルーブツト低
下を回避し得ることが知られている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、従来知られている光脱色性層用材料のう
ち、スチルバゾリウム塩やジアゾニウム塩のような塩を
光消色性色素成分として含有する場合、当該色素成分の
分子内の電荷が分極している。このため、これら塩を用
いで形成した光脱色性層は、分子内分極によって凝集を
来し、結晶が析出しやすいという問題点が有った。

また、従来知られる光脱色性層用材料は、上述した光消
色性色素成分と、例えばポリビニルアルコールのような
水溶性の皮膜形成成分との組み合わせで構成される。し
かしながら、このような材料を用いて、例えばナフトキ
ノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルを含むレジ
ストのように、露光に際してガス（窒素）を発生するレ
ジスト膜上に光脱色性層を形成した場合、光脱色性層の
ガス透過性が乏しく、光脱色性層またはレジスト膜に気
泡を生じることが有った。

さらに、種々の感光性材料に要求される一般的な特性と
しで、ＣＥＰＬ技術で用いられる光脱色性層用材料にも
、優れた保存安定性が要求されている。

この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、光脱
色性層の形成時に結晶化を来すことなく、かつレジスト
膜によって露光時に発生するガスの透過性や保存安定性
に優れたコントラスト増強用の光脱色性層用材料と、こ
れを用いたパターン形成方法と１Ｆｒ提供することに有
る。

（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この出願の第一発明に係る
コントラスト増強用の光脱色性層用材料によれば、光消
色性色素成分と皮膜形成成分とを含んで成るコントラス
ト増強用の光脱色性層用材料において、 上述した光消色性色素成分が、下記の一般式または、下
記の一般式（ＩＩ　） （但し、一般式（Ｉ）及び一般式（ｎ）中、Ｒ１−Ｒ４
は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、百換基を
有するアリール基、または１換基を有するアラルキル基
のうちのいずれかの基を表わし、一般式（Ｉｆ）中のｎ
は正の整数を示す、）で表わされるブタジェン誘導体の
うちの少なくとも−ｆ！類を含有し、 かつ、前述した皮膜形成成分がロジン類、または下記の
一般式（ＩＩＩ） （ｎｍ））〜ｈ線（４０５（口ｍ））の波長領域に吸収
を有する化合物である。このような一般式（Ｉ）で表わ
されるブタジェン誘導体として、具体的１こ例示すれば
、下記の構造式■〜構造式■で表わされるもの、ざらに
、一般式（■１）で表わされるブタジェン誘導体の具体
例としては、構造式〇で表わされるものが挙げられる。

（但し、一般式（ＩＩＩ）中、日５〜ＲＩＯは、アルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、置換基を有するアリ
ール基、または置換基を有するアラルキル基のうちのい
ずれかの基を表わす、） で表わされるフェノール二量体 のうちの少なくとも一種類を含有して成ることを特徴と
している。

上述したブタジェン誘導体は、いずれも、例えばキシレ
ン、デカリシ、クロロベンゼン、トルエン等の低極性有
機溶媒ζこ可溶であり、分子内分極を生じることがなく
、しかも、ｉ線（３６５Ｎ（Ｌ；ｚｔｌａ）ｔ 構造式■ また、この発明に係る光脱色堆層用材料を構成する皮膜
形成成分としては、アヒエチン酸、アどエチン酸を主成
分とするガムロジン（例えば中国ロジン、米国ロジン、
ポルトガルロジン）、マレイン酸変性ロジン、水素添加
アビエチン酸を主成分とする水素添加ロジン、または重
合ロジンなどのロジン類や、前述した一般式（ＩＩＩ）
で表わされるフェノールニ屋体のうちから選ばれた化合
物を用いれば良い、これらの皮膜形成成分（よ、前述し
た低極性溶媒に可溶であり、しかも、レジスト膜の現像
に用いられるアルカリ性水溶液にも可溶である。

ざらに、上述した光消色性色素成分と皮膜形成成分とが
、光脱色性層を形成するためのコーティング溶液におい
て占める重量比は、皮膜形成成分：光消色性色素成分が
１：１〜ｌＯ：１、ざらに好ましくは２：１〜５：１と
するのが好適である。この範囲内で比率を設計するに当
っては、光消色性色素成分の含有ｉｌを低く抑えておく
ことによって、光脱色性層の剥離特性をさらに向上させ
ることができ、また、光消色性色素成分の含有量を過剰
に低くするとＣＥＬ効果を得ることが難しくなる。

また、この出願の第二発明に係るコントラスト増強用の
光脱色堆層用材料を用いたパターン形成方法によれば、 基板上にパターン形成用のレジスト膜を形成する工程と
、 上述したレジスト膜の表面に、請求項１に記載の、コン
トラスト増強用の光脱色堆層用材料を含むコーティング
溶液を塗布して光脱色性層を形成する工程と、 上述の光脱色性層及びレジスト膜に対し、フォトマスク
を介して露光した後、これら光脱色性層とレジスト膜と
を同時に現像する工程とを含む ことを特徴としている。

ざらに、これら発明の実施に当り、アルカリ性現像液に
対する溶解補助剤として、カルボン酸類（例えば安息香
酸、サリチル酸等）または多価フェノール類（例えばレ
ゾルシノール、とロガロールなど）などを含有したり、
界面活性剤や潤滑剤などを含有させても良い。

（作用） この出願に係る発明の構成によれば、既に述べたような
分子内分極を生じない光消色性色素成分を含有すること
により、光脱色性層における当該色素成分の凝集を回避
し、成膜性の向上を図ることができる。また、前述した
皮膜形成成分は、低極性有機溶媒とアルカリ性現像液と
の双方に可溶である。このため、上述した色素成分と皮
膜形成成分とを組み合わせて構成される光脱色性層用材
料を用いることにより、レジスト膜と光脱色性層との同
時現像が可能となる。

（実施例） 以下、この発明の実施例につき説明する。尚、以下に説
明する実施例においては、この発明の理解を容易とする
ため、特定の条件を例示して説明するが、この発明は、
これら実施例にのみ限定されるものではないことを理解
されたい。

また、以下の実施例で用いた薬品類のうち、一部出所を
省略して説明する場合も有るが、いずれも化学的に、充
分に純粋であり、容易に入手し得るものを用いた。

〈実施例］〉光消色性試験 まず、この実施例１においでは、光脱色性層用材料゛に
含有せしめるブタジェン誘導体として前述の構造式■に
示す化合物を用い、皮膜形成成分として中国ロジンを用
いた場合につき説明する。

始めに、実施例１で用いたコーティング溶液の調製につ
き説明する。

まず、光消色性色素成分である構造式■のブタジエ、ン
誘導体６０（ｍｑ）　（亜南香料産業製の１ｉ’Ｔ−４
０５，ｆｌ　（商品名））と皮膜形成成分である「中国
ロジンＷＷ、！Ｉ　（荒用化学工業製）　１４０（ｎ＋
ｑ）とを低極性有機溶媒であるキシレン１　（ｍβ）に
溶解する。然る後、この溶液を、０．２（Ｌｊｍ）の孔
径を有するメンフレンフィルタを用いで濾過し、コーテ
ィング溶液が得られる。

次に、光消色性試験の手順につき説明する。

まず、厚さ約０．９（ｍｍ）の石英基板の表面に、上述
したコーティング溶液を約２０００（ｒ、ｐ、ｍ、）の
速度で回転塗布し、室温で乾燥させた。このようにしで
得られた光消色性試験用の試料における光脱色性層は、
触針式膜厚計ｒタリステップ１（テーラーホプンン社製
）により測定したところ、約０．３３　＜　Ｌｌ　ｍ　
）の乾燥膜厚で形成されでいた。

次に、上述した条件下で作製した試料を２枚用意し、そ
のうちの一方の試料に対してのみ、高圧水銀灯（２００
〜４５０（ｎｍ）の水銀輝線スペクトルを発生するカス
バー露光機を使用）によって１０分に亙って露光を行な
い、他方の試料については露光前の状態に保った。

続いて、このようにして得られた２枚の試料の夫々に関
し、可視紫外分光光度計（日立製。

１７−３４００）を用いて約１９０〜５００（ｎｍ）の
範囲で吸収スペクトルを測定した。

その結果につき、第１図を参照しで説明する。

第１図は、縦軸に透過率（％）を採り、横軸に波長（ｎ
ｍ）’８採って示す特性曲線図である。尚、同図中、実
線により示す曲線工は露光前の状態を保った試料の吸収
スペクトルを表わし、−点鎖線により示す曲線ｔｒは上
述した手順により露光を行なった試料を表わす。

このＭ１図からも理解できるように、露光前の試料に係
る結果を示す曲線Ｉと、露光後の試料に係る結果を示す
曲線■との比較から、ｈ線に相当する波長４０５（ｎｍ
）近傍における透過率の著しい変化が認められる。この
４０５（ｎｍ）における透過率を比較すれば、露光前の
透過率が３０．５　Ｃ％）であるのに対しで、露光後の
透過率は８５（％）であった。

従って、この実施例１に係る光脱色性層用材料を用いて
光脱色性層を形成することにより、ｈ線に感光性を有す
るレジスト膜との組み合わせで、良好なコントラスト増
強を行ない得ることが理解できる。

〈実施例２＞ｈ線しジストを用いたパターンニング試験 次に、この実施例２では、実施例１で説明した組成によ
り１０（ｍβ）のコーティング溶液を調製し、第二発明
に係る方法を利用して寅際にＣＥＰＬ技術を実施した。

その結果につき図面を参照して説明する。

第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の方法の実施例を説
明するため、各工程毎に概略的な基板断面により示す説
明図である。

この実施例２Ｔ：は、ｈ線用のレジスト材料としで、ア
ルカリ溶液で現像可能なｒ　ＴＳＭＲ−Ｖ３Ｊ（東京応
化製、商品名）ＩＦｒ用いた。

まず、直径が６（インチ）（１（インチ）は約２，５４
（ｃｍ））のシリコンウェハを基板ＩＩに用い、この基
板に対して２００（”Ｃ）の温度で１分周に亙って水分
除去を目的とした熱処理を行なう、然る後、この基板１
１に対して２３（”Ｃ）の温度で１分間に亙ってヘキサ
メチルジシラザンによる表面疎水化処理を行なう。

このような、従来行なわれている前処理を行なった後、
上述のレジスト材料を３０００（ｒ、１９ｍ、）の速度
で基板の表面に回転塗布する。然る後、前述と同様に、
この基板を＋００（”Ｃ）の温度で１分間に亙って乾燥
させ、１．２（ｕｍ）の膜厚を有するレジスト膜１２を
形成する（第２図（Ａ））。

次に、このレジスト膜１２の表面に、前述のコーティン
グ溶液￥！英施例１と同一の条件で回転塗布し、膜厚が
０．４（ｕｍ）の光脱色性層１５を形成する（第２図（
８））。

続いて、ｈ線用縮小投影露光製画であるＦＳＲＡ−９５
３５Ｊ　（＃Ｊ口数０．３５）　　（パーキンエルマー
社製）を用い、上述した状態の基板に対して、フォトマ
スク１４ヲ介して露光を行なう、これによって、光脱色
性層１５には露光部分１５ａと未露光部分＋５ｂ、及び
レジスト膜１２には露光部分１２ａと未露光部分＋２ｂ
を形成する（第２図（Ｃ））。

このような工程を経た後、この実施例で用いたレジスト
材料に好適なアルカリ性現像液１ｉ’ＮＭＤ−３、！ｌ
　（東京応化製、商品名）（こより、上述の基板を１分
間に亙ってパドル現像を行なう。

このような工程により、光脱色性層１５とレジスト膜の
露光部分１２ａとを同時に溶解させ、第２図（Ｄ）に示
すようなレジストパターン（レジスト膜１２の未露光部
分＋２ｂに相当）が得られる。

上述のパターン形成に当り、露光直後の基板を光学顕微
鏡によって観察した。その結果、レジスト膜の露光１こ
よって発圧し、かつ光脱色性層との間に残留するガスは
認められなかった。

また、フォトマスク１４として種々の寸法を有するテス
トマスクを用い、ざらに、露光量と焦点とを種々に変え
で、パターン幅の異なる複数の試料を作製した。

然る後、これら試料に関しで、電子８微鏡観察と、ＳＥ
Ｍ測長機１ｉ’Ｓ−６０００，ｊ（日立製作所製、商品
名）による測定とを行なった。

その結果、この実施例の光脱色性層用材料を利用して光
脱色性層を形成することにより、最小解像寸法として０
．４５　（ｕ　ｍ　）のラインアンドスペースを形成す
ることができ、０．５（ｕｍ）のラインアンドスペース
形成時の焦点マージンは１．２（ｕｍ）であった。

ざらに、この実施例２においでは、皮膜形成成分として
、実施例１で説明した中国ロジンの代わりに、前述の一
般式（ＩＩＩ）で表わされ、下記の構造式■で示される
フェノール二量体を前述の重量比で含有させ、コーティ
ング溶液を調製してパターン形成を行なった。

Ｇ（ＧＨｓ）ｓ　　　　　Ｇ（に８３）！その結果、皮
膜形成成分として中国ロジンを用いた場合と同様に、結
晶化を来すことなく良好な成膜性が得られ、しかも、直
接現像を行なうことができた。この際の最小解像寸法及
び焦点マージンは、皮膜形成成分を変えでも、前述と同
様に、良好な値であった。

〈比較例１〉 この比較例１では、実施例２として説明したコーティン
グ溶液を用いることなく、従来知られでいるｈ線用レジ
ストのみでパターン形成を行なった。

その結果、最小解像寸法は０．５０　（ｕ　ｍ　）のラ
インアンドスペースであり、０．５（ｕｍ）のラインア
ンドスペース形成時の焦点マージンは０．６（ｕｍ）で
あった。

上述した説明からも理解できるように、実施例２として
説明した、この発明の光脱色性層用材料を用いることに
より、従来のＣＥＰＬ技術と同様にレジストパターンの
解像度を向上させることができ、しかも、ガス透過性や
成膜性の向上及び同時現像を達成し得ることが確認でき
た。

く実施例３＞ｉ線しジストを用いたパターンニング試験 次に、この実施例３では、ｉ線しジストに用いて好適な
光消色性色素成分としで、前述の構造式■に示されるブ
タジェン誘導体を用い、ざらに、皮膜形成成分として前
述の中国ロジンを用いてコーティング溶液を調製し、実
施例２と同様な手順でＣＥＰＬ技術壱寅施した。

この際、コーティング溶液は、光消色性色素成分を変え
たことを除き、実施例２と同一の重量比で調製した。

ざらに、この実施例３では、レジスト材料として、前述
のアルカリ溶液で現像可能なｆＴＳＭＲ−３６５ｉＢ　
、Ｊｌ　（東束応化製、商品名）を用いた。このレジス
トで形成されるレジスト膜と、この実施例３に係る光脱
色性層との露光は、ｉ線用縮小投杉１Ｍ光ＨＭＴ：アル
？　ＲＡ−１０１ＶＬＩＩ　Ｊｌ　（開口数０．４２）
（日立製作断裂）によって行なった。

尚、このような材料及び装置を使用たパターン形成グは
、露光後に１１０（”Ｃ）の温度で６０秒問に亙って「
ボスト露光ベーク」を行なったことを除き、実施例２と
同一の条件とした。

その結果、この実施例３の光脱色性層用材料を利用して
光脱色性層を形成することにより、最小解像寸法として
０．４（ｕｎ）のラインアンドスペースを形成すること
ができ、０．５（ｕｍ）のラインアンドスペース形成時
の焦点マージンは１．５（ｕｍ）であった。

また、この実施例３に係る光脱色性層用材料を用いるこ
とにより、結晶化を来すことなく良好な光脱色性層の成
膜を行なうことができ、しかも、良好なガス透過性の達
成を図ると共に、直接現像を行なうことができた。

く比較例２〉 この比較例２では、実施例３として説明したコーティン
グ溶液を用いることなく、従来知られている上述のｉ線
用レジストのみでパターン形成を行なった。

その結果、最小解像寸法は０．５０　（ｕ　ｍ　）のラ
インアンドスペースであり、焦点マージンは０．６（ｕ
　ｍ　）であった。

上述した説明からも理解できるように、実施例３として
説明した、この発明の光脱色性層用材料を用いることに
よつ、従来のＣＥＰＬ技術と同様なレジストパターンの
解像度向上を図り、しがも、ガス透過性や成膜性の向上
及び同時現像を達成し得ることが確認できた。

〈実施例４〉保存安定性試験 次に、実施例１で説明したコーティング溶液（ｈ線用の
光脱色性層用材料）を用い、保存安定性を検討した結果
につき説明する。

まず、通常の光脱色性層用材料の保存状態を実現するた
め、前述したコーティング溶液を遮光可能な容器に入れ
て密閉状態とした後、２６（’Ｃ）の温度で２ケ月間に
亙って暗所に放置した。

続いて、このような放置状態とした後のコーティング溶
液を用い、実施例１で説明した手順と同一の条件で、未
露光の試料作製と吸収スペクトルの測定とを行なった。

その結果、上述の放置状態とした後の４０５（ｎｍ）に
おける透過率は、３１．０　（％）であった。

従って、実施例１で説明した露光前の試料に係る透過率
３０．５（％）に比較して、上述の放置状態としても、
光脱色性層用材料に実質的な変化を生じないことが理解
できる。また、この放置後のコーティング溶液は、前述
と同様な光脱色性を有していた。

以上、この発明の実施例につき詳細【こ述べたが、この
発明は、これら実施例にのみ限定されるものではないこ
と明らかである。

例えば、光脱色性層用材料を含むコーティング溶液とし
て、皮膜形成成分、光消色性色素成分、及び低極性有機
溶媒につき特定の化合物を例示して述べた。しかし、こ
の発明は、これら例示した化合物によってのみ限定され
るものではない。

特に、光消色性色素成分として前述の構造式■または構
造式〇に示すブタジェン誘導体を例示し、種々の特性試
験を行なった結果につき説明したが、他のブタジェン誘
導体であっても、上述の実施例と同様な効果を得ること
ができる。

また、皮膜形成成分として、特定のロジン類と特定のフ
ェノール二量体を例示して説明したが、これらに限定さ
れるものではない、前述した他の０ジン類や他のフェノ
ール二量体を用いでも、上述の実施例と同様な効果を得
ることができ、ざらには、低極性有機溶媒とアルカリ性
水溶液との双方に可溶であれば、下記の構造式■で示さ
れるコール酸誘導体などを用いても良い。

これら、材料、数値的条件またはその他の条件は、この
発明の目的の紀口内で、任意好適な設計の変更及び変形
を行ない得ること明らかである。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この出願の第一発
明に係るコシトラスト増強用の光脱色性層用材料によれ
ば、既に述べたような光消色性色素と皮膜形成成分とを
含有することにより、光脱色性層の成膜性向上を図り、
ｉ線〜ｈ線の波長領域ｔこ感度を有し、しかもガス透過
性や保存安定性に優れた材料を提供することができる。

また、この出願の第二発明に係るパターン形成方法によ
れば、上述した光脱色性層用材料を用いることにより、
光脱色性層の除去とレジスト膜の現像とを同時に行なう
ことができる。

従って、この出願に係る発明を適用することにより、例
えば６４（Ｍｂｉｔ）Ｄ日ＡＭ（ダイナミックランダム
アクセスメモリ）など、サブハーフミクロン級のパター
ン精度が要求される半導体装Ｎを容易に製造することが
期待できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の詳細な説明するため、縦軸に透過
率、横軸に波長を採って示す特性曲線図、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の詳細な説明するた
め、レジストパターンの形成に係る工程を概略的な基板
断面によって示す説明図、第３図（Ａ）〜（Ｅ）は、従
来技術を説明するための図である。 １・・・・基板、１２・・・・レジスト膜２ａ・・・・
・レジスト膜の露光部分 ２ｂ・・・・・レジスト膜の未露光部分４・・・・フォ
トマスク ３．１５・・・・光脱色性層 ３ａ、　１５ａ・・・・・光脱色性層の露光部分３ｂ、
　＋５ｂ・・・・・光脱色性層の未露光部分。 ｒノー）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光消色性色素成分と皮膜形成成分とを含んで成る
   コントラスト増強用の光脱色性層用材料において、 前記光消色性色素成分が、下記の一般式（ I ）▲数式
   、化学式、表等があります▼‥‥（ I ） または、下記の一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼‥‥（II） （但し、一般式（ I ）及び一般式（II）中、Ｒ＾１〜
   Ｒ＾４は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、置
   換基を有するアリール基、または置換基を有するアラル
   キル基のうちのいずれかの基を表わし、一般式（II）中
   のｎは正の整数を示す。）で表わされるブタジエン誘導
   体のうちの少なくとも一種類を含有し、 かつ、前記皮膜形成成分がロジン類、 または下記の一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼‥‥（III） （但し、一般式（III）中、Ｒ＾５〜Ｒ＾１＾０は、ア
   ルキル基、アリール基、アラルキル基、置換基を有する
   アリール基、または置換基を有するアラルキル基のうち
   のいずれかの基を表わす。） で表わされるフェノール二量体 のうちの少なくとも一種類を含有して成る ことを特徴とするコントラスト増強用の光脱色性層用材
   料。
2. （２）基板上にパターン形成用のレジスト膜を形成する
   工程と、 前記レジスト膜の表面に、請求項１に記載の、コントラ
   スト増強用の光脱色性層用材料を含むコーティング溶液
   を塗布して光脱色性層を形成する工程と、 前記光脱色性層及びレジスト膜に対し、フォトマスクを
   介して露光した後、これら光脱色性層とレジスト膜とを
   同時に現像する工程と を含む ことを特徴とするコントラスト増強用の光脱色性層用材
   料を用いたパターン形成方法。