JPH02227401A - 含フッ素セルロースエステル誘導体 - Google Patents
含フッ素セルロースエステル誘導体Info
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- JPH02227401A JPH02227401A JP4709889A JP4709889A JPH02227401A JP H02227401 A JPH02227401 A JP H02227401A JP 4709889 A JP4709889 A JP 4709889A JP 4709889 A JP4709889 A JP 4709889A JP H02227401 A JPH02227401 A JP H02227401A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、新規含フッ素セルロースエステル播導体に関
する。
する。
本発明の含フツ素セルロースエステル誘導体は耐湿性、
耐水性、離型性、撥水撥浦性、酸素透過性に優れ、成型
品、フィルム、インキ、塗料用樹脂、コーティング材料
、接着剤、ガス分離膜、液体分離膜、液晶表示セルのシ
ール材、エレクトロルミネッセンス(EL)表示セル、
コンタクトレンズなどの原料として有用である。
耐水性、離型性、撥水撥浦性、酸素透過性に優れ、成型
品、フィルム、インキ、塗料用樹脂、コーティング材料
、接着剤、ガス分離膜、液体分離膜、液晶表示セルのシ
ール材、エレクトロルミネッセンス(EL)表示セル、
コンタクトレンズなどの原料として有用である。
[従来の技術]
溶剤溶解型のセルロース誘導体を用いて含フツ素セルロ
ース誘導体を得る方法は知られている(特開昭61−1
71702号公報参照)。この場合、未置換水酸基を利
用して反応させるため、フッ素含有率の高いものが得ら
れない。
ース誘導体を得る方法は知られている(特開昭61−1
71702号公報参照)。この場合、未置換水酸基を利
用して反応させるため、フッ素含有率の高いものが得ら
れない。
セルロースに直接トリフルオロ酢酸のような含フツ素化
合物を反応させてセルロース誘導体を得ることも知られ
ている[セルロース・ケミストリー・アンドテクノロジ
ー(C1lulose ChemigLryand T
echnology) 、上1(6)、615(19B
2)参照]。この反応によれば置換度の高い誘導体が得
られるにも拘わらず、フッ素導入により期待さレル轡能
が十分発現しない。
合物を反応させてセルロース誘導体を得ることも知られ
ている[セルロース・ケミストリー・アンドテクノロジ
ー(C1lulose ChemigLryand T
echnology) 、上1(6)、615(19B
2)参照]。この反応によれば置換度の高い誘導体が得
られるにも拘わらず、フッ素導入により期待さレル轡能
が十分発現しない。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、フッ素の導入効果が十分に発揮される含フツ
素セルロースエステル誘導体を提供しようとするもので
ある。
素セルロースエステル誘導体を提供しようとするもので
ある。
[課題を解決するための手段]
本発明の要旨は、一般式:
%式%)]
[式中、ぐ、1およびnはq≧、−≧0.n>0゜12
十a+n=3を満足する数、Xは、相異なることもあり
、水素、フッ素または塩素を表わし、qは1〜200の
数、pはセルロース誘導体の重合度を表わし、5〜30
00の数、Rはシアノ基、置換基を有していてもよいC
6〜C6アルキル基、C8〜C,アシル基、アリール基
、ヒドロキシエチル語、ヒドロキシプロピル基またはカ
ルボキシメチル基を表わす。] で示される含フツ素セルロースエステル誘導体に存する
。
十a+n=3を満足する数、Xは、相異なることもあり
、水素、フッ素または塩素を表わし、qは1〜200の
数、pはセルロース誘導体の重合度を表わし、5〜30
00の数、Rはシアノ基、置換基を有していてもよいC
6〜C6アルキル基、C8〜C,アシル基、アリール基
、ヒドロキシエチル語、ヒドロキシプロピル基またはカ
ルボキシメチル基を表わす。] で示される含フツ素セルロースエステル誘導体に存する
。
本発明の新規含フツ素セルロースエステル誘導体(A)
は、セルロースまたは未置換水酸基を有するセルロース
誘導体に F(CX、CF、CF、08X、CF、COY
(B )【式中、Xおよびqは前記と同意義。Y
はフッ素または塩素を表す。] で示される含フツ素酸ハロゲン化物を反応、させること
により調製することができる。
は、セルロースまたは未置換水酸基を有するセルロース
誘導体に F(CX、CF、CF、08X、CF、COY
(B )【式中、Xおよびqは前記と同意義。Y
はフッ素または塩素を表す。] で示される含フツ素酸ハロゲン化物を反応、させること
により調製することができる。
本発明のセルロースエステル誘導体を用いることにより
、耐湿性、耐水性、撥水撥油性などフッ素導入による機
能が効果的に発現する材料を提供することが可能である
。また、置換基部分は直鎖状エーテル構造を有するため
、熱可塑性に優れ、加工性の良好な材料を提供すること
ができる。
、耐湿性、耐水性、撥水撥油性などフッ素導入による機
能が効果的に発現する材料を提供することが可能である
。また、置換基部分は直鎖状エーテル構造を有するため
、熱可塑性に優れ、加工性の良好な材料を提供すること
ができる。
本発明で使用することのできるセルロースには、コツト
ンリンター、溶解用パルプ、微結晶セルロースなどのセ
ルロース材料の他に、いわゆるリグノセルロース材料も
含まれる。リグノセルロース材料の具体例としては、グ
ランドウッドパルプ(GP)、サーモメカニカルパルプ
(T M P )、セミケミカルパルプ(SCP)、未
すラシクラフトパルブ(UKP)、未すラシ亜硫酸パル
プ(USP)、バガス、木粉などを挙げることができる
。
ンリンター、溶解用パルプ、微結晶セルロースなどのセ
ルロース材料の他に、いわゆるリグノセルロース材料も
含まれる。リグノセルロース材料の具体例としては、グ
ランドウッドパルプ(GP)、サーモメカニカルパルプ
(T M P )、セミケミカルパルプ(SCP)、未
すラシクラフトパルブ(UKP)、未すラシ亜硫酸パル
プ(USP)、バガス、木粉などを挙げることができる
。
これら以外にも未置換水酸基を有するセルロース誘導体
も使用できる。これらの具体例としては、セルロースア
セテート、セルロースブチレート、セルロースフタレー
ト、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、硝
酸セルロース、ベンジルセルロース、カルボキシメチル
セルロースなどを挙げることができる。
も使用できる。これらの具体例としては、セルロースア
セテート、セルロースブチレート、セルロースフタレー
ト、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、硝
酸セルロース、ベンジルセルロース、カルボキシメチル
セルロースなどを挙げることができる。
セルロース材料と化合物(B)との反応は、不均一系で
実施してもよいが、置換度を高める為には均−系で実施
するのが好ましい。セルロース材料またはリグノセルロ
ース材料を用いて均−系で反応を行う場合に使用する有
機溶媒は、塩化リチウムを含有するジメチルアセトアミ
ド(以下、DMAcと略記する)であり、米国特許第4
,302.252号に記載されている。使用するセルロ
ースについては特に制限はないが、上記溶媒は溶解する
以前に含有水分を除去しておくことか望ましい。
実施してもよいが、置換度を高める為には均−系で実施
するのが好ましい。セルロース材料またはリグノセルロ
ース材料を用いて均−系で反応を行う場合に使用する有
機溶媒は、塩化リチウムを含有するジメチルアセトアミ
ド(以下、DMAcと略記する)であり、米国特許第4
,302.252号に記載されている。使用するセルロ
ースについては特に制限はないが、上記溶媒は溶解する
以前に含有水分を除去しておくことか望ましい。
含有水分除去の方法は、セルロースをD M A cと
ベンゼンから成る媒体中ζこ浸漬し、ベンゼンを留去す
るとともに、含有する水を共沸により留去させるなどの
方法が適当である。化合物(B)は上記溶媒に良く溶解
する。
ベンゼンから成る媒体中ζこ浸漬し、ベンゼンを留去す
るとともに、含有する水を共沸により留去させるなどの
方法が適当である。化合物(B)は上記溶媒に良く溶解
する。
化合物(B )のセルロースに対する割合については、
特に制限はないが、フッ素を含む置換基導入の効果を示
す生成物を得るためには、セルロースのグルコース残基
あたり0.5当量以上用いるのが望ましい。
特に制限はないが、フッ素を含む置換基導入の効果を示
す生成物を得るためには、セルロースのグルコース残基
あたり0.5当量以上用いるのが望ましい。
セルロースと化合物(B)との反応を円滑に進行させる
ためには、いわゆるエステル化触媒の存在が望ましい。
ためには、いわゆるエステル化触媒の存在が望ましい。
触媒としては溶媒と反応せず有意に反応を進めうるちの
、例えば、トリエチルアミン、ピリジンなどの塩基を用
いることができる。
、例えば、トリエチルアミン、ピリジンなどの塩基を用
いることができる。
触媒として使用するトリエチルアミン、ピリジンなどの
量はセルロースグルコース残基あたり0.1−10当量
程度が適当であり、これ以上多く用いても生成物の置換
度に影響を与えない。トリエチルアミンの共存は、セル
ロースの溶媒中への溶解性を低下させる傾向があるので
、トリエチルアミンを使用する場合は、溶媒にセルロー
ス次いで化合物(B)の順で溶解し、反応温度において
撹拌下トリエチルアミンを滴下させるか、あるいは、セ
ルロースを溶解したのち、反応温度において反応試薬と
トリエチルアミンを同時に滴下させろ。反応温度につい
てはいずれの場合も特に制限はないが、約θ〜約100
℃が適当である。
量はセルロースグルコース残基あたり0.1−10当量
程度が適当であり、これ以上多く用いても生成物の置換
度に影響を与えない。トリエチルアミンの共存は、セル
ロースの溶媒中への溶解性を低下させる傾向があるので
、トリエチルアミンを使用する場合は、溶媒にセルロー
ス次いで化合物(B)の順で溶解し、反応温度において
撹拌下トリエチルアミンを滴下させるか、あるいは、セ
ルロースを溶解したのち、反応温度において反応試薬と
トリエチルアミンを同時に滴下させろ。反応温度につい
てはいずれの場合も特に制限はないが、約θ〜約100
℃が適当である。
反応を終了した溶液あるいは懸濁液から目的の含フツ素
セルロース誘導体を回収するためには、溶液または懸濁
液を貧溶媒中に投入すれば、セルロース誘導体を沈澱さ
せることができるので、これを濾別すればよい。2集さ
れた沈澱をアセトン中に分散させ、抽出するか、または
水中より濾集した沈澱を乾燥することなく、直ちにエタ
ノールに溶解させ、脱イオン水中に再び投入、析出させ
、放置することなどにより、適宜精製することができる
。濾液からDMAcおよび塩化リチウムを回収すること
は、有機溶剤による抽出により可能である。
セルロース誘導体を回収するためには、溶液または懸濁
液を貧溶媒中に投入すれば、セルロース誘導体を沈澱さ
せることができるので、これを濾別すればよい。2集さ
れた沈澱をアセトン中に分散させ、抽出するか、または
水中より濾集した沈澱を乾燥することなく、直ちにエタ
ノールに溶解させ、脱イオン水中に再び投入、析出させ
、放置することなどにより、適宜精製することができる
。濾液からDMAcおよび塩化リチウムを回収すること
は、有機溶剤による抽出により可能である。
精製した含フツ素セルロース誘導体を真空乾燥などによ
り絶乾状態とし、fffffiを秤量することにより、
反応による重量増加率および置換度を求めることができ
る。置換度は生成物の元素分析結果からし求めることが
できるが、両者の結果はよく一致することが確かめられ
ている。
り絶乾状態とし、fffffiを秤量することにより、
反応による重量増加率および置換度を求めることができ
る。置換度は生成物の元素分析結果からし求めることが
できるが、両者の結果はよく一致することが確かめられ
ている。
未置換水酸基を有するセルロース誘導体を用いる場合に
は、これを溶解する媒体、例えばアセトノ、酢酸エチル
を用いて反応を行えばよい。
は、これを溶解する媒体、例えばアセトノ、酢酸エチル
を用いて反応を行えばよい。
[実施例]
次に実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
実施例1
(1)Lic12/DMAc系セルロース溶液の調製[
ヂュルバク(A 、 F 、 T urbak)らの方
法による] 100*(i容丸底フラスコのまま、真空乾燥したファ
ツトマン・セルロース(Whatman Ce1lul
ose)(CF−11)0.39に、DMAc35蛙お
よびベンゼン20x(2を加えて加熱した。残存水分は
ベンゼンとの共沸により取り除いた。その後、105℃
で熱風乾燥しておいた塩化リチウム2.79を加え、−
晩撹拌し、溶解して無色透明のLiC&/DMAc系セ
ルロース溶液を得た。
ヂュルバク(A 、 F 、 T urbak)らの方
法による] 100*(i容丸底フラスコのまま、真空乾燥したファ
ツトマン・セルロース(Whatman Ce1lul
ose)(CF−11)0.39に、DMAc35蛙お
よびベンゼン20x(2を加えて加熱した。残存水分は
ベンゼンとの共沸により取り除いた。その後、105℃
で熱風乾燥しておいた塩化リチウム2.79を加え、−
晩撹拌し、溶解して無色透明のLiC&/DMAc系セ
ルロース溶液を得た。
(2)含フツ素セルロース誘導体の調製ピリジン1.3
5m12(セルロース単位モル当り9モル相当量)を含
むDMAc20肩QにXがH,YがFである化合物(B
)(数平均q=23)(セルロース単位モル当り6モル
相当M)を溶解した溶液を、側管付滴下ロートを用いて
、(1)で得たセルロース溶液に滴下した。その間、反
応液は70℃に保ちつつ撹拌した。滴下終了後、上部に
乾燥用塩化カルシウム管をセットした冷却管をフラスコ
に装着し、70℃で撹拌下、2時間反応を行った。
5m12(セルロース単位モル当り9モル相当量)を含
むDMAc20肩QにXがH,YがFである化合物(B
)(数平均q=23)(セルロース単位モル当り6モル
相当M)を溶解した溶液を、側管付滴下ロートを用いて
、(1)で得たセルロース溶液に滴下した。その間、反
応液は70℃に保ちつつ撹拌した。滴下終了後、上部に
乾燥用塩化カルシウム管をセットした冷却管をフラスコ
に装着し、70℃で撹拌下、2時間反応を行った。
反応終了後、大過剰のメタノール(300112)に反
応液を撹拌下しながら投入し、反応物および未反応化合
物(B)を沈澱させ、その沈澱物から未反応化合物(B
)を除くため、大量のアセトン中に撹拌下、1日放置し
、溶解させた。反応物のみになったアセトン中の沈澱物
をG3ガラスフィルターで2集し、最後にエーテルで洗
浄した。更に、真空デシケータ−とアスピレータ−によ
る威圧乾燥を行った後、真空乾燥装置により、室温で恒
温まで乾燥し、秤量を行った。反応生成物の重量増加率
は124%であり、これより求めノー置換度は0.06
5であった。また、反応生成物のフッ素含量は31.9
%であり、重量増加率から求めた計算値32.2%と良
好なL致を示した。
応液を撹拌下しながら投入し、反応物および未反応化合
物(B)を沈澱させ、その沈澱物から未反応化合物(B
)を除くため、大量のアセトン中に撹拌下、1日放置し
、溶解させた。反応物のみになったアセトン中の沈澱物
をG3ガラスフィルターで2集し、最後にエーテルで洗
浄した。更に、真空デシケータ−とアスピレータ−によ
る威圧乾燥を行った後、真空乾燥装置により、室温で恒
温まで乾燥し、秤量を行った。反応生成物の重量増加率
は124%であり、これより求めノー置換度は0.06
5であった。また、反応生成物のフッ素含量は31.9
%であり、重量増加率から求めた計算値32.2%と良
好なL致を示した。
実施例2
実施例1と同様にして得たセルロース溶液に、ピリノン
1.35m&(セルロース単位モル当り9モル相当量)
を添加した後、Q=1である化合物(B)(1,1,2
,2,3−ペンタフルオロプロピルオキン−2,2−ジ
フルオロプロピオン酸フルオリド)の所定m[セルロー
ス単位モル当り3モル相当量1.59(2x&)]を側
管付滴下ロートを用いて滴下した。その間、反応液は7
0℃に保ちつつ撹拌した。滴下終了後、実施例1と同様
の冷却管を装着し、70℃で撹拌下、8時間反応を行っ
た。
1.35m&(セルロース単位モル当り9モル相当量)
を添加した後、Q=1である化合物(B)(1,1,2
,2,3−ペンタフルオロプロピルオキン−2,2−ジ
フルオロプロピオン酸フルオリド)の所定m[セルロー
ス単位モル当り3モル相当量1.59(2x&)]を側
管付滴下ロートを用いて滴下した。その間、反応液は7
0℃に保ちつつ撹拌した。滴下終了後、実施例1と同様
の冷却管を装着し、70℃で撹拌下、8時間反応を行っ
た。
反応終了後、大過剰の脱イオン水中に反応液を撹拌下で
注意深く投入し、−夜室温で撹拌した。
注意深く投入し、−夜室温で撹拌した。
その後、G4ガラスフィルターで2集し、乾燥せずその
ままエタノールに再溶解し、必要に応じ適当量まで濃縮
したのち、大過剰の脱イオン水中に再び同様に投入し、
析出させた状態で一夜撹拌後、2集により回収した。次
いで、アスピレータ−減圧乾燥を行ったのち、真空乾燥
装置により、室温で恒量になるまで乾燥し、秤量を行い
、反応によるセルロースの重量増加率と置換度を求めた
。重量増加率は133%であり、これより求めた置換度
は0.90であった。この化合物の”F−NMRの測定
結果は次のとおりであった。
ままエタノールに再溶解し、必要に応じ適当量まで濃縮
したのち、大過剰の脱イオン水中に再び同様に投入し、
析出させた状態で一夜撹拌後、2集により回収した。次
いで、アスピレータ−減圧乾燥を行ったのち、真空乾燥
装置により、室温で恒量になるまで乾燥し、秤量を行い
、反応によるセルロースの重量増加率と置換度を求めた
。重量増加率は133%であり、これより求めた置換度
は0.90であった。この化合物の”F−NMRの測定
結果は次のとおりであった。
外部標準: トリフルオロ酢酸
溶媒 : DMSOda
δpp−を高磁場側を正・とする値で表示(b)
(a) (c) (d)〜 OCCP*
CH*OCPtCP *CH*P+9.5
2F (a)+34.5〜+35.6
2F’ (b)+46.8
2F’ ((り+盈 64.8
IP (d)比較例 実施例2において化合物(B)の代わりにトリフルオロ
酢酸無水物を用いる以外は、実施例2と同様に操作して
セルローストリフルオロアセテートを得た。重量増加率
107%であり、これより求めた置換度は1.8であっ
た。F=29.9%。
(a) (c) (d)〜 OCCP*
CH*OCPtCP *CH*P+9.5
2F (a)+34.5〜+35.6
2F’ (b)+46.8
2F’ ((り+盈 64.8
IP (d)比較例 実施例2において化合物(B)の代わりにトリフルオロ
酢酸無水物を用いる以外は、実施例2と同様に操作して
セルローストリフルオロアセテートを得た。重量増加率
107%であり、これより求めた置換度は1.8であっ
た。F=29.9%。
試験例
実施例1および比較例で得られた含フツ素セルロース誘
導体の粉末を硝酸ナトリウム飽和水溶液の入ったデシケ
ータ−中で25℃で10日間放置した後の水分を測定し
た。実施例1のセルロースエステル誘導体では、0.5
%であったが、比較0例のセルロース誘導体では1.8
%であった。
導体の粉末を硝酸ナトリウム飽和水溶液の入ったデシケ
ータ−中で25℃で10日間放置した後の水分を測定し
た。実施例1のセルロースエステル誘導体では、0.5
%であったが、比較0例のセルロース誘導体では1.8
%であった。
特許出顯人ダイキン工業株式会社
代理人 弁理士 青山葆 はか1名
手続補正書(自船
発明の名称
住所
名称
大阪府大阪市北区中崎西2丁目4番12号 梅田セνタ
ービル(285)ダイキン工業株式会社 代表者 山 1) 稔 埋入 7、補正の内容 明細書中、次の箇所を補正します。
ービル(285)ダイキン工業株式会社 代表者 山 1) 稔 埋入 7、補正の内容 明細書中、次の箇所を補正します。
■、特許請求の範囲の欄
別紙の通り。
■1発明の詳細な説明の欄
(1)第3真下から第9行、「e≧、」とあるを[g≧
0、Jと訂正。
0、Jと訂正。
(2)第4頁第2行、「存する。」の後に「以下、一般
式(A)における真の値を置換度と表現する。Jを挿入
。
式(A)における真の値を置換度と表現する。Jを挿入
。
以上
5、補正命令の日付 : 自発
(別 紙)
特許請求の範囲
1′、一般式:
%式%)]
[式中、(1,sおよびnはa≧0、m≧0、n>0、
(2+s+n=3を満足する数、Xは、相異なることも
あり、水素、フッ素または塩素を表わし、qは1〜20
0の数、pはセルロース誘導体の重合度を表わし、5〜
3000の数、Rはシアノ基、置換基を有していてもよ
い01〜C,アルキル基、C2〜C8アシル基、アリー
ル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基また
はカルボキシメチル基を表わす。] で示される含フツ素セルロースエステル誘導体。
(2+s+n=3を満足する数、Xは、相異なることも
あり、水素、フッ素または塩素を表わし、qは1〜20
0の数、pはセルロース誘導体の重合度を表わし、5〜
3000の数、Rはシアノ基、置換基を有していてもよ
い01〜C,アルキル基、C2〜C8アシル基、アリー
ル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基また
はカルボキシメチル基を表わす。] で示される含フツ素セルロースエステル誘導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、l、mおよびnはl≧、m≧0、n>0、l+
m+n=3を満足する数、Xは、相異なることもあり、
水素、フッ素または塩素を表わし、qは1〜200の数
、pはセルロース誘導体の重合度を表わし、5〜300
0の数、Rはシアノ基、置換基を有していてもよいC_
1〜C_■アルキル基、C_2〜C_■アシル基、アリ
ール基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基ま
たはカルボキシメチル基を表わす。] で示される含フッ素セルロースエステル誘導体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4709889A JPH02227401A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 含フッ素セルロースエステル誘導体 |
US07/476,697 US5187269A (en) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | Fluorine-containing cellulose derivative |
EP19900102483 EP0382208A3 (en) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | Fluorine-containing cellulose derivative |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4709889A JPH02227401A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 含フッ素セルロースエステル誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02227401A true JPH02227401A (ja) | 1990-09-10 |
Family
ID=12765708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4709889A Pending JPH02227401A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-28 | 含フッ素セルロースエステル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02227401A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997036933A1 (fr) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | Daikin Industries, Ltd. | Procede de fluoration de materiaux cellulosiques et materiaux cellulosiques fluores |
JP2009502724A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | エヌティーエヌユー テクノロジー トランスファー エーエス | 炭素膜 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4709889A patent/JPH02227401A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997036933A1 (fr) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | Daikin Industries, Ltd. | Procede de fluoration de materiaux cellulosiques et materiaux cellulosiques fluores |
JP2009502724A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | エヌティーエヌユー テクノロジー トランスファー エーエス | 炭素膜 |
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