JPH0222658A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は例えばプリント配線板をエツチングにより製
造する工程で用いるレジストの電子ビーム露光方法に関
するものである。

〔従来の技術〕

第２図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は従来周知のエラ・チ
ングによりプリント配線板を製造する工程を模式的に示
す工程図、第３図（Ａ）（Ｂ）ば第２図（Ａ　）　（Ｂ
　１の工程で電子ビームの照射によりレジストを露光し
不溶性の硬膜を形成する過程を示す説明図である。第２
図（Ａ　）　（Ｂ　）　（Ｃ）　（Ｄ　）と第３図（Ａ
）（Ｂ）において（１）は銅張積層板を構成する絶縁基
板であって例えばガラス布基材エポキシ樹脂積層板を用
いる。（２）は上記絶縁基板（１１の片面に被着した銅
箔、（３）はこのｆＪ箔の表面に塗着したレジスト、（
４）はこのレジストを露光して形成した不溶性の硬膜、
（５）は乙の硬膜により保護されて腐食除去されずに残
った上記銅箔（２）の部分からなる導体ストリップ、（
８）は上記レジスト（３）の上記硬膜（４）にすべき所
定の部分とその近傍を露光して形成した硬膜部分である
。

次に従来周知のエツチングによりプリント配線板を製造
する工程とこの工程で適用する従来の電子ビーム露光方
法について説明する。まず絶縁基板（１）の片面に銅箔
（２）を被着した鋼張積層板を用いてその銅箔（２）の
表面を清浄したうえ所定の厚さのレジスト（３）を塗着
する（第２図（Ａ）参照）。電子銃（図示せず）から発
射した電子ビームを加速・収束・偏向制御してレジスト
（３）の表直に照射しその部分をレジスト（３）の厚さ
に亙って露光し重合反応により不溶性の硬膜（４）にす
ると共に回路設計に基づく導体パターンに対応して電子
ビームを加速・収束・偏向制御して硬膜（４）のパター
ンを形成したのち溶剤を用いて、レジスト（３）の非露
光部分を溶解除去し硬膜（４）だけを残す（第２図（Ｂ
）参照）。

次にエツチング液を用いて銅箔（２）の硬膜（４）で保
護された部分を残してその他の部分を腐食除去すると硬
膜（４）の被着した導体ストリップ（５）のパターンが
形成される（第２図（Ｃ］参照）。その後所定の溶剤を
用いて硬膜ｆ４］を溶解除去すると絶縁基板（１）の片
面に導体ストリップ（５）で導体パターンを再現したプ
リント配線板が得られる（第２図（Ｄ）参照）。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような従来の電子ビーム露光方法では銅張積層板
の銅箔（２）の表面に塗着した所定の厚さのレジスｌ−
＋３１の表面に電子ビームを照射して露光し重合反応に
より不溶性の硬膜（４）にするがレジスト（３）の硬膜
（４）にすべき所定の部分に電子ビームを照射するとそ
の表面で電子ビームの一部が反射し周囲の構造物で再び
反射してこの所定の部分の近傍に入射しその近傍をも露
光して不溶性の硬膜部分（８）を生じるので（第３図（
Ａ）参照）溶剤を用いてレジスト（３）の非露光部分を
溶解除去すると硬膜部分（８）が残り　（第３図（Ｂ）
参照）導体パターンを再現した正確な描画ができないと
云う解決すべき課題があった。この発明は上記のような
課題を解決するためになされたものであって導体パター
ンを再現して正確に描画することのできる電子ビーム露
光方法を得ろことを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る電子ビーム露光方法は基板の表面にレジ
ストを塗着し更にその上に保護膜を被着して保；Ｗ膜の
表面に照射し反射した電子ビームが再び入射して保護膜
へ浸透する深さを上廻る厚みの保護膜とする工程、保護
膜の表面に照射し保護膜へ直接入射する電子ビームによ
りレジストを選択的に露光する工程を備えたものである
。

〔作用〕

この発明においては保護膜の厚みが保護膜の表面に照射
し反射した電子ビームが再び入射して保ＳＩ膜へ浸透す
る深さを上廻るからレジストは保護膜の表面で反射して
再び入射する電子ビームで露光されることはなく保護膜
の表面に直接入射する電子ビームでのみ露光される。

〔発明の実施例〕

第１図（Ａ　ｌ　（Ｂ　ｌはこの発明の一実施例を適用
したレジストの露光過程を示す説明図である。第１図（
Ａ）（１３）において（１）〜（４）は上記の従来の電
子ビーム露光方法におけるものと全く同一のものである
。（１０１は例えばポリエステル・フィルムからなる保
ＸＩＪ　膜であってこの表面に照射し反射した電子ビー
ムが再び入射して浸透する深さを上廻る所定の厚さを有
する。またこの実施例には基板として上記の銅張積層板
を用いる。

次にエツチングによりプリント配線板を製造する工程で
適用した上記実施例について説明する。

絶縁基板（１）の片面に銅箔（２）を被着した銅張積層
板を用いてその銅箔（２）の表面を清浄にしたうえ所定
の厚さのレジスｌ−（３１を介して保護膜００）を被着
し電子銃（図示せず）から発射した電子ビームを加速収
束・偏向制御して保護膜００）の表面に照射する。

保護膜口０へ直接入射する電子ビームは、その内部に浸
透し保護膜０〔を透過してレジスｌ−（３１をその厚さ
に亙って露光し、重合反応により不溶性の硬膜（４）に
する。電子ビームが保ｉｔＪ　ＩＩ！Ｉ　ＱＯＩあるい
はレジスト（３）へ浸透する深さＲ（ａｍ）と電子ビー
ムの加速電圧’／（Ｖｌと保護膜ａωまたζよレジスト
（３）の密度ρ（ｇ／ｃ１りとの間にはＲ＝２．　Ｉ　
Ｘｌ０−”　Ｖ”／　ｐの関係がある。一方、保護膜Ｑ
ＯＩの表面で反射した電子ビームは周囲の製造物で反射
して再び保護膜α０）の電子ビームが直接入射する部分
の近傍にも入射するがこの電子ビームは周囲の構造物や
雰囲気ガスと衝突してそのエネルギーを失なっているの
で保護膜ａωの内部へ浸透しても保護膜ａＩを透過する
ことはなくしたがって硬膜（４）の近傍のレジスト（３
）が露光されることはない（第１図（Ａ）参照）。

回路設計に基づく導体パターンに対応して電子ビ−人を
加速・収束・偏向制御して硬膜（４）のパターンを形成
したのち保護膜（１０１を剥離し溶剤を用いてレジスト
（３）の非露光部分を溶解除去して硬膜（４）だけを残
す（第１図（Ｂ）参照）。以上の操作により導体パター
ンを再現した正確な描画を行なうことができる。

なお上記実施例では銅張積層板に導体パターンを再現し
て描画する場合について説明したが例えば電子ビーム露
光装置のテーブルに銅張積層板を載置して位置決めする
際のマーク検出で銅箔（２）の表面に照射し反射した電
子ビームによるレジスト（３）の露光防止をする場合に
もこの発明を利用することができる。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり基板の表面にレジストを
塗着し更にその上に保護膜を被着して保護膜の表面に照
射し反射した電子ビームが再び入射して保護膜へ浸透す
る深さを上廻る厚みの保護膜としたので保護膜の表面に
照射して直接入射する電子ビームによりレジストを選択
的に露光して導体パターンを再現した正確な描画をする
ことができると云う効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ　）　（Ｂ　）はこの発明の一実施例を適用
したレジストの露光過程を示す説明図、第２図（Ａ）（
Ｂ）（Ｃ１（ＤＪは従来周知のエツチングによりプリン
ト配線板を製造する工程を模式的に示す工程図、第３図
（Ａ）（Ｂ）は第２図（Ａ　）　（Ｂ　）の工程で硬膜
を形成する過程を示す説明図である。 図において（１）は絶縁基板、（２）は銅箔、（３）は
レジスＩ−、＋４１は硬膜、００１は保護膜である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板の表面にレジストを塗着し更にその上に保護膜を被
   着して上記保護膜の表面に照射し反射した電子ビームが
   再び入射して上記保護膜へ浸透する深さを上廻る厚みの
   上記保護膜とする工程、上記保護膜の表面に照射し上記
   保護膜へ直接入射する上記電子ビームにより上記レジス
   トを選択的に露光する工程を備えたことを特徴とする電
   子ビーム露光方法。