JPH02217337A - 膜付きガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、金属化合物を用いた膜付きガラス基板の製造
方法に関し、特にガラス基板中から膜中へのアルカリの
拡散を抑制し、以て信頼性及び耐候性に優れた膜付きガ
ラス基板を製造する方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、金属有機化合物を含む溶液を塗布した後焼成し、
膜付きガラス基板を製造する方法として、シリコンテト
ラエトキシド（Ｓｉ　（ＯＣｇＨｓ）　ａ）を含む溶液
をソーダ石灰ガラス基板に塗布・乾燥後通常の雰囲気中
で焼成してＳｉ０ｇ膜付きガラス基板を製造した例が報
告されている。（例えば、Ｓ、５ａｋｋａｅｔ　ａｌ、
、Ｊ、Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔ、５ｏ１ｉｄｓ、６３（１９
８４）２２３）また、シリコンテトラエトキシド（Ｓｉ
　（ＱＣ！ＩＩ！１）　４）およびボロン・トリミープ
ロポキシド（Ｂ　（ＯＣＪｙ）　ｓ）　。

ジルコニウム・テトラ・ｎブトキシド（Ｚｒ（ＯＣＪ９
）　ａ”）を含むあるいはアルミニウム・テトラ・ｓｅ
ｃブトキシド（Ａ　Ｉ　（ＯＣ４Ｈ９）　４）　ｆｊｊ
液を室温・・相対湿度２０％の雰囲気でガラス基板に塗
布し、乾燥後通常の雰囲気中で焼成して、８２０２　５
ｉｆｔ系膜付きガラス基板、　Ｚｒ０ｔ−５ｉＯｔ系膜
付きガラス基板あるいは、Ａｌ１０．−　Ｓｉｎ、系膜
付きガラス基板を製造した例が報告されている。（例え
ば、Ｎ、Ｔｏｈｇｃｅｔ　ａｌ、＋Ｊ、Ａｓ、Ｃｅｒａ
ｔＳｏｃ、、７０（１９８７）Ｃ１３，）またガラス基
板に、金属有機化合物を含む溶液を塗布し、型を押しあ
て、離型しこれを通常の雰囲気中で焼成し、表面に凹凸
を有する膜付きガラス基板を製造した例が報告されてい
る。（例えば、〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記従来の膜付きガラス基板の製造方法
においては膜を緻密化するのに必須の焼成過程において
、ガラス基板中のアルカリ成分が膜中あるいは膜表面に
拡散し、因って得られる膜付きガラス基板の表面にヤケ
が発生し易く、耐候性が悪かったり、上に積層した表示
素子、あるいは電子デバイスの性能、信頼性に悪影響を
及ぼすという問題点があった。

特に高度の信頼性が要求される光ディスク等の基板とし
ては、上記問題は極めて重要な問題であった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記従来の問題点を解決するためになされたも
のであって、ガラス基板に金属化合物を含む溶液を塗布
した後焼成することにより膜付きガラス基板を製造する
方法において、■水蒸気圧が１０Ｐａ以下の雰囲気で該
焼成を行う。■減圧雰囲気下で該焼成を行う。および■
乾燥ガスの流通雰囲気下で該焼成を行う膜付きガラス基
板の製造方法である。

本発明に使用できるガラス基板としては、ソーダライム
ガラス、ボロシリケートガラス、アルミノシリケートガ
ラス等任意のガラス基板が使用できるが、ソーダライム
ガラス等のアルカリ金属含有ガラスを使用することが本
質的に本発明の効果が大きく反映されることになり、ま
た価格も低価格となるので好ましい。

本発明に用いる金属化合物としては金属有機化合物およ
び金属塩が挙げられる。金属有機化合物および金属塩と
しては、重縮合あるいは架橋反応がおこることによって
溶液の粘性を上昇させるような化合物あるいは焼成によ
って金属酸化物になるような化合物であれば使用できる
。

例えば５ｉ（ＯＣＨｚ）４，５ｉ（ＯＣｚｔｌｓ）＊、
Ｔｉ（ＯＣＪｔ）４゜Ｔｉ　（ＯＣ４）＋９）、４．　
Ｚｒ（ＯＣＪｔ）　ａ、　Ｚｒ（ＯＣＪＪ　４１Ａ１　
（ＯＣ＊Ｌ）３．　Ａ１（ＯＣ４Ｈ９）！、　Ｎａ０Ｃ
ｚｌｌｓ等のＭ（ＯＲ）ｌｌＣＭはＳｉ、　Ｔｉ、　Ｚ
ｒ、　Ｃａ、　Ａｉ’、　Ｎａ、　Ｐｂ、　　Ｂ、　Ｓ
ｎ。

Ｇｅ等の金属、Ｒはメチル、エチル等のアルキル基、ｎ
は１〜４の整数〕で示される金属アルコキシドと一般に
呼ばれる。化合物および−Ｃ１，−ＣＯＯＨ。

−ＣＯＯＲ，−ＮＯ３゜ 重縮合あるいは架橋反応を行なう一般的官能基を含む金
属有機化合物アセチルアセトナート等の金属キレート錯
体、あるいは塩化物、硝酸塩、酢酸塩等の金属塩が例示
できる。

焼成を行う前の塗布膜を形成する方法としては、ガラス
基板を前記金属有機化合物および、あるいは、金属塩を
含む溶液（以後、溶液と略称する）に浸漬した後引き上
げる方法（通称ディッピング法）、溶液を滴下した後回
転させる方法（通称スピンコード法）あるいは、スプレ
ー法印刷法、ロールコート法等が挙げられる。溶液塗布
は必要に応じて、雰囲気中の湿度を制御（たとえば相対
湿度２０％）した環境において行うことが望ましい。

焼成雰囲気中の水蒸気圧は、例えば焼成炉内を減圧後乾
燥ガスで充満させること、乾燥ガスを流通させること、
および雰囲気を例えば１ＯＰａ以下の減圧雰囲気とする
ことにより常に１ＯＰａ以下に制御することができる。

上記乾燥ガスとして、空気＋Ｏｚ＋Ｎｚ＋ＩＣ＋Ｎｅ＋
＾ｒ等およびこれらの混合ガスが挙げられる。空気、０
□等により酸化雰囲気での焼成が、Ｎｔ＋Ｈｅ＋Ｎｅ＋
Ａｒ、等により不活性雰囲気での焼成が、それぞれ実現
できる。目的に応じて乾燥ガスの種類を選定することが
望ましい。水蒸気分圧がｌ０Ｐａ以下の乾燥ガスを用い
れば水蒸気圧１０Ｐａ以下の雰囲気が実現できる。

特に、塗布膜作製用溶液中に増粘剤としての有機高分子
を含ませ、塗膜形成後これらの有機高分子を焼成により
燃焼・分解する場合には、Ｏ！を含む乾燥ガス雰囲気中
で焼成することが好ましい。

又特に、膜表面に凹凸を有する光デイスク基板を、前記
塗布膜にプレス型等の溝形状を転写して作製する方法に
おいては、塗布膜作製用溶液中に増粘剤として、ポリエ
ーテルグリコール類等の有機高分子を加えてお（ことが
作業性等の面で好ましく、（例えば、特開昭６２−２２
５２７３）この様な場合においてはこれら有機高分子を
焼成により燃焼分解する必要性があり、従って、前述の
が好ましい。

また、焼成雰囲気中の水蒸気圧は、焼成炉内をができる
。

焼成雰囲気中の水蒸気圧は、低い方が良く１Ｏ−３Ｐａ
以下にすることがさらに好ましい。

焼成温度は、膜を設けたガラス基板の耐熱温度（軟化点
）以下で任意に設定できるが、膜を緻密にするために３
００℃以上とすることが好ましい。

〔作　用〕

本発明は、前記従来の方法により、金属有機化合物およ
び／又は金属塩を含む溶液から、塗布・焼成により膜付
きガラス基板を製造する際、ガラス基板中から膜中へ多
くアルカリが拡散するのは焼成雰囲気中に水蒸気が存在
するためであることに鑑みなされたものである。

詳細には、従来該焼成時においては塗布膜中の反応等に
おいて水蒸気が発生するために大きな作用を有すとは考
えられていなかった雰囲気中の水蒸気（通常何も配慮し
なければ数ＫＰａオーダ）が、被膜中のＨ”又はＨ，Ｏ
”の供給源となっており、雰囲気中の水蒸気圧を低減す
ることにより該イオンの被膜中での生成を低減でき、被
膜中の該イオンの生成を低減することにより「被膜中の
Ｈ゛又はＨ３Ｏ＋とガラス基板中のアルカリイオンとの
相ある。

本発明によれば、焼成雰囲気中の水蒸気圧を低く制御し
であるため、アルカリの拡散に必要な対向イオン種とし
てのＨ゛あるいはＨ１０゛の膜中での生成が抑制され従
って、ガラス基板中のアルカリが膜中へ拡散することが
ほとんどない。以て、本発明により、ガラス基板から膜
中へのアルカリの拡散量の極めて少ない膜付きガラス基
板が製造できる。

一般にガラス基板の劣化は、基板中のアルカリが基板表
面で、水、炭酸ガス等と反応することにより塩を形成し
、溶出、溶解を起こすこ・とにより進む。（例えば、Ｐ
、Ｂ、　Ａｄａｎ＋ｓ／Ｊ、Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓ　ｔ、５
ｏｌｉｄｓ。

６７（１９８４）１９３．） 一方、ガラス基板に膜体を設けることにより、ガラス基
板の劣化は抑制できるが、前記従来の製造法により作製
したものは、焼成時にアルカリが膜中へ拡散し、該アル
カリが膜付きガラス基板の劣化の原因となる。

本発明によれば、被膜中へのアルカリ拡散量の’−−＆
１＆１１．　！　−ｌ＃　＋−甘せ詔制；愚１各−従う
て、劣化の起こりにくい高耐候性・信鯨性の膜付きガラ
ス基板を製造することができる。

【実施例〕

実施例−１ 出発原料として、シリコンテトラエトキシド（Ｓｉ（Ｏ
ＣｘＨｓ）４）およびチタニウムテトラｎ−ブトキシド
（Ｔｉ　（０−ｎｃ４Ｈ啼）　４）を用い、溶媒には：
Ｌ５’）　−ル、加水分解触媒には塩化水素をそれぞれ
用いた。加える水の量はシリコンテトラエトキシドに対
してモル比で４倍とした。シリコンテトラエトキシドの
エタノール溶液に希塩酸（３ｗｔ％）を加えて室温で３
０分間攪拌した。その後チタニウムテトラｎ−ブトキシ
ドのエタノール溶液を徐々に加え、同じく室温でさらに
３０分間反応させた。シリコンテトラエトキシドとチタ
ニウムテトラｎ−ブトキシドはモル比で８３．５二１６
．５となるようにした。

こうして得られた溶液は、黄色〜無色透明であり酸化物
換算濃度は、８．５ｗｔ％である。該溶液をエタノール
で２倍の体積に希釈して塗布溶液ｌとした。

該塗布溶液中にソーダライムガラス基板を浸漬し、一定
速度（１，６ｍ／５ｅｃ）で引き上げることにより、塗
布膜をガラス基板上に形成した。得られた該膜付きガラ
ス基板を真空焼成炉内に保持し、２、７　Ｘ　１０−３
Ｐａ　（２Ｘ　ｌ　Ｏ−’ｔｏｒｒ）に減圧した後その
まま減圧操作を継続しつつ３５０℃まで昇温し、３５０
℃で３０分間保持した後、室温まで冷却し減圧を中止し
Ｎ２を導入して大気圧にもどし開放する焼成を行った（
実施例−１）。

同時に比較のため、熱風炉を用い通常の焼成を行って、
膜付きガラス基板を製造した。（比較例−１）０通常の
焼成は大気圧下（水蒸気圧数ＫＰａ）３５０℃で３０分
間保持して行った。

上記減圧焼成および、通常焼成によって得られた膜付き
ガラス基板についてそれぞれ二次イオン質量分析（ＳＩ
ＭＳ）を用いて、膜中へのアルカリの拡散プロファイル
を測定した。

その結果を第１図に示す。

図から明らかなとおり、減圧焼成により作製された膜付
きガラス基板（実施例−１）は通常焼成によって作製さ
れた膜付きガラス基板（比較例−１）よりも、膜中への
アルカリの拡散量が少なく例えば、膜の中央付近で比較
すれば２．５桁程度少ない。

次に、上記減圧焼成および通常焼成によって得られた膜
付きガラス基板をそれぞれ８０℃９０％Ｒ」、で４００
時間保持する耐候性試験を行った。

耐候性試験後の上記減圧焼成により得られた膜付きガラ
ス基板（実施例−１）の表面は耐候性試験前と同様均一
で、表面の劣化や析出物の発生は認められなかった。

一方、通常焼成によって得られた膜付きガラス基板（比
較例−１）の表面には、析出物が認められた。

本実施例−１と同一の作製方法により最終焼成温度のみ
を４５０℃、５５０℃と変えて減圧焼成により作製した
膜付きガラス基板について、同様のＳＩＭＳ分析および
同一の耐候性試験を行った。

４５０℃で最終焼成したものも、５５０℃で最終焼成し
たものも、先の３５０℃で最終焼成したものと同様、ガ
ラス基板中から膜中へのアルカリの拡散はあまり認めら
れず、また耐候性試験後のこれらの膜付きガラス基板の
表面は均一で表面の劣化や析出物の発生は認められなか
った。

先の比較例−１と同一の作製方法により最終焼成温度の
みを４５０°Ｃ，５５０℃と変えて通常焼成により作製
した膜付きガラス基板について同様のＳＩＭＳ分析およ
び同一の耐候性試験を行った。

ガラス基板中から膜中へのアルカリの拡散量は、最終焼
成温度の高いものほど、即ち３５０℃〈４５０℃〈５５
０℃の順で多いことがわかった。

また耐候性試験後、これらの膜付きガラス基板の表面に
は析出物の発生が認められその発生密度は最終焼成温度
の高いものほど高いことがわかった。

実施例−２ シリコンテトラエトキシド“とホウ素トリｉ−プロポキ
シドとをＳｉＯ□およびＢ２Ｏ３となった時にモル比で
８０：２０となるようにそれぞれ秤量する。

秤量したシリコンテトラエトキシドに対してモル比で５
倍のエタノールとモル比で６倍の水（６−ｔχのｌＮ０
ｆｆ溶液を使用）を加えて約７０℃で４時間還流した。

上記還流によってシリコンテトラエトキシドはある程度
加水分解反応を起こした状態となっている。その後上記
還流処理液に先の秤量ずみのホウ素トリｉ−プロポキシ
ドを滴下した後さらに約７０℃で４時間の還流を続けた
。５ｉ−０−Ｂ結合がある程度生成したと思われる上記
溶液に等量（同体積）のエチルアルコールを加えて塗布
溶液２とした。

アルミニウムトリ５ｅｃ−ブトキシドＬｏｇと２−プロ
パツール１００ａ＋１をそれぞれ秤量し、混合する。こ
の後、室温で３０分間撹拌し、塗布溶液３とした。

ジルコニウムテトラｎ−ブトキシド１０ｇと無水エタノ
ール１００ｍ１をそれぞれ秤量し、混合する。この後室
温にて約１時間攪拌し、塗布溶液４とした。

ジルコニウムテトラｎ−ブトキシド５ｇ、アルミニウム
トリ５ｅｃ−ブトキシド５ｇを秤量し、１００ｓｊ２の
２−プロパツールと混合した後、Ｓｉテトラエトキシド
５ｇを添加した。この後、室温で３０分間攪拌し、塗布
溶液５とした。

上記塗布溶液２〜５を完全にＮ２て置換したドライボッ
クス中に置き（相対湿度１０％）、あらかじめ洗浄した
ガラス基板を塗布溶液中に浸漬した後引きあげて、ガラ
ス基板上に該溶液を塗布した。

塗布後ドライボックス中に保持して十分乾燥した種々の
塗布膜付きガラス基板をドライボックスから取り出し実
施例−１と同様の減圧焼成および比較例−１と同様の通
常焼成を行った。最終焼成温度は４００℃とした。

得られた８ｇ０３　　Ｓｉ０ｇ系、ＺｒＯ，、Ａ　１　
ｔＯｓ＋およびＡ　１　ｔＯｚ　−ＺｒＯ２−Ｓｉｎ、
系膜付きガラス基板についてＳＩＭＳによるアルカリ拡
散プロファイルの測定と耐候性試験（８０℃９０％Ｒ，
１，４００時間）を行った。

いずれの組成の膜を設けたガラス基板も、減圧下（２，
７Ｘ　ｌ　Ｏ−”Ｐａ）で焼成したものの方が通常焼成
したものよりも、焼成後の段階で膜中のアルカリ含量が
少なく耐候性試験においては、劣化しにくいことがわか
った。

ガラス基板に設ける膜の組成は上記に限らず、任意の組
成について本発明による、アルカリ拡散防止の効果が得
られる。

実施例−３ 実施例−１で調製した塗布溶液ｌに平均分子量６００の
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ６００）を、最終生成
物である１　６．５　Ｔｉ０ｚ・８３．５５ｉＯｚ組成
の酸化物に対する重量比で（ＰＥ０６００）／（酸化物
）＝１の量加え、均一に溶解したものを塗布溶液６とし
た。

該塗布溶液６を用いてスピンコード法により化学強化ガ
ラスディスク基板（１３ｃｍφ）にＰＥＧ６００を含む
１６．５ＴｉＯ□・８３．５ＳｉＯ□塗布膜を形成した
。該塗布膜に、迅速に峰高さ０．１５μｍ、膜中２μｍ
、峰間隔４μｍの多数の膜部を有するアセチルセルロー
ス製（弾性係数１０　’ｋｇｆ／ｃｔａりの厚さ５０μ
ｍの型を押しあて接合した。

その後、線型を接合した塗布膜付きガラス基板を９０℃
で３０分間クリーンオーブンを用い大気中で乾燥した後
アセチルロール製の型の離型を行なった。

該離型後の表面に凹凸を有する塗布膜付きガラス基板を
乾燥空気流通雰囲気中（水蒸気圧１Ｏ−２Ｐａ程度）４
００℃で３０分間焼成を行った。

この最終焼成により塗布膜は平均２１０ｎｍ厚の１６、
５７ｉＯｚ・８３．５ＳｉＯ□非晶質膜（屈折率１．５
０）になっていた。

上記操作により作製された表面に凹凸を有する、光デイ
スク用膜付きガラス基板の表面及び断面を走査型電子顕
微鏡により観察したところ、溝深さ約７５ｎｍ溝中約２
μｍ、溝間隔約４μｍの良好な溝形状が形成されていた
。

上記実施例により作製された光デイスク用ガラス基板Ｑ
４１！を略断面図を第２図に示す。

次に該光デイスク用ガラス基板の耐候性試験を行った。

比較の為に、上記実施例と同様の手順で焼成のみ通常の
雰囲気（水蒸気圧数ＫＰａ）中４００℃で３０分間焼成
を行うことにより作製した、表面に凹凸を有する光デイ
スク用膜付きガラス基板についても同時に耐候性試験を
行った。

耐候性試験は８０℃９０％Ｒ，Ｈ，で４００時間保持す
ることにより行った。

耐候性試験後の上記乾燥空気中焼成により作製した光デ
イスク用膜付きガラス基板の表面は、耐候性試験前と同
様均一で表面の劣化や析出物の発生は認められなかった
。

一方、比較の為、通常焼成により作製した光デイスク用
膜付きガラス基板の表面には、耐候性試験後析出物が認
められた。

本実施例のごとく、塗布溶液中にポリエチレングリコー
ル等の有機高分子の増粘剤を含み、かつ該有機高分子を
焼成により、燃焼分解する必要のある場合、Ｏ！を含む
乾燥ガス雰囲気中で焼成することが好ましい。

本実施例において、乾燥空気の代わりに乾燥０！中で焼
成を行った場合にも本実施例同様膜中へのアルカリの拡
散の少ない、従って耐候性のよい光デイスク用膜付きガ
ラス基板が得られた。

実施例−４ 実施例−２で調製した塗布溶液２〜５に実施例＝３同様
、ＰＥＧ６００を、最終生成酸化物に対する重量比で（
ＰＥＧ６００）／　（酸化物）−１の量加え、均一に溶
解し塗布溶液を調製した。

これら塗布溶液を用いてＮ２流下中（室温相対湿度ｌＯ
％）、スピンコード法により化学強化ガラスディスク基
板（１３ｃａφ）にＰＥＧを含む８１０３　５ｔ（ｈ系
、　Ｚｒ０１．＾１８０３およびＡ　Ｉ　！０３　　Ｚ
ｒ０ｔ　　Ｓｔ島系塗布膜を形成した。

これらの塗布膜に実施例−３と同様のプレス操作を行い
、最終的には乾燥空気中（水蒸気圧１０−　”Ｐａ以下
）４００℃で３０分間焼成を行った。

上記操作により作製された種々の、表面に凹凸を有する
光デイスク用膜付きガラス基板について、ＳＩＭＳによ
るアルカリ拡散プロファイルの測定と耐候性試験（８０
℃９０％Ｒ，８，４００時間）を行った。

いずれの組成の凹凸膜を設けたガラスディスク基板も乾
燥空気中（水蒸気圧１（Ｉ”Ｐａ以下）で焼成したもの
の方が、通常焼成したものよりも、焼成後の段階で膜中
のアルカリ含量が少なく耐候性試験においては劣化しに
くいことがわかった。

ガラスディスク基板に設ける凹凸を有する膜の組成は、
上記に限らず、任意の組成について本発明によるアルカ
リ拡散防止の効果が得られる。

実施例−５ 化学強化ディスク基板（１３ｃ＋ｎφ）に、下地膜とし
て蒸着法により２００ｎｍの５ｉＯｚ膜を形成し、ディ
スク基板１とした。またＣＶＯ＜化学気相析出）法によ
り１１００ｎの５ｉａＮ４膜を下地膜として形成しディ
スク基板２とした。

実施例−１で調製した塗布溶液ｌを用いて上記ディスク
基Ｆｉ１およびディスク基板２にスピンコード法により
、ＴｆＯｔ　　Ｓｉｎ□系塗布膜塗布膜下地膜体の上に
さらにもう一層設けた。得られた二層膜付きディスク基
板を実施例−１と同様真空焼成炉内に保持し２．７　Ｘ
　１　（Ｉ”Ｐａに減圧した後、そのまま減圧操作を継
続しつつ３５０℃まで昇温し、３５０℃で３０分間保持
した後室温まで冷却し、減圧を中止しＮ、を導入して大
気圧にもどし開放する焼成を行った。

同時に比較のため、大気圧下（水蒸気圧数ＫＰａ）３５
０℃で３０分間保持する通常の焼成を行った。

上記減圧焼成および通常焼成によって得られた二層膜付
きディスク基板をそれぞれ８０℃９０％Ｒ，１１，で１
０００時間保持する耐候性試験を行った。

耐候性試験後の上記減圧焼成により得られた二層膜付き
ディスク基板には、ＳｉＯ□を下地膜としたディスク基
板１の場合も、Ｓｉ３Ｎ４を下地膜としたディスク基板
２の場合も、析出物等の発生や劣化は認められなかった
。一方通常焼成によって得られた二Ｎ膜付きディスク基
板の表面にはいずれの下地膜を設けた場合も、表面に析
出物が認められた。

上記実施例から明らかなとおり、アルカリの拡散防止を
目的として下地膜を設けた場合もその上に塗布膜・を設
は通常の焼成を行うと、ガラス基板中から下地膜を通し
て塗布膜中および表面へのアルカリの拡散が進み、アル
カリ拡散防止を目的とした下地膜の効果はあまり大きく
ない。しかしながら下地膜を設け、その上に塗布膜を形
成し低い水蒸気圧下で焼成したものは、アルカリ拡散防
止層としての下地膜の効果が大きく有効に発揮され、よ
って耐候性の優れたディスク基板が得られる。

下地膜の組成、形成方法は、上記に限らず任意の組成、
形成方法のものについて、本発明によるアルカリ拡散防
止の効果が得られる。また、下地膜の上に設ける塗布膜
の組成についても上記に限らず当然任意の組成のものに
ついて本発明によるアルカリ拡散防止の効果が得られる
。

〔発明の効果〕

本発明によれば、実施例から明らかなとおり、ガラス基
板中から膜中へのアルカリの拡散を抑制しながら塗布膜
の焼成が行え、因って膜中のアルカリ含量の極めて少な
い、耐候性、信頼性に優れた膜付きガラス基板が製造で
きる。

本発明により製造される膜付きガラス基板は、光デイス
ク用基板のみならず、エレクトロクロミック素子、エレ
クトロルミネッセンス素子液晶素子等の表示素子や薄膜
トランジスター等の電子部品を積層するガラス基板とし
ても適用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例−１および比較例−１で製造した膜付き
ガラス基板のアルカリの拡散プロファイルをＳ　ＩＭＳ
により測定した結果である。 第２図は実施例−３で製造した光デイスク用ガラス基板
の概略断面図である。 第 図 手 続 補 正 書 笥２ 図 １゜ ２゜ ３゜ 事件の表示 特願平１−３７２５９号 発明の名称 膜付きガラス基板の製造方法 補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　大阪市中央区道修町３丁目５番１１号氏名　（４
００）　　日本板硝子株式会社代表者　中島　達ニ ４、代理人 住所　東京都港区新橋５丁目１１番３号新橋住友ビル 日本板硝子株式会社　特許部　内 ６、補正により増加する請求項の数　　　０７、補正の
対象　明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ８、補正の内容 （１）明細書２頁１７行目にＦを含むあるいは」とある
のを「あるいは」と補正する。 （２）明細曹２頁１８行目に「溶液な」とあるのを「を
含む溶液を」と補正する。 （３）明細書３頁２行目にｒＡＩＯｚＪとあるのをｒＡ
１２０３Ｊと補正する。 （４）明細書３頁３行目ないし４行目に「例えば、Ｎ、
Ｔｏｈｇｃｅｔ＊・＊Ｊ、Ａ−，Ｃｅｒａｇｉ、Ｓｏｃ
、」とあるのを「例えば、Ｊ　、Ａｍ、Ｃｅｒａｗ＋、
Ｓｏｃ、　Ｊと補正する。 （５）明細書５頁１０行目に「一般に呼ばれる。 化合物」とあるのを「一般に呼ばれる化合物」と補正す
る。 （６）明細１１１５頁１２行目ないし１３３行目補正す
る。 （７ン明Ｉ１１書５頁１６行目に「金属有機化合物アセ
チルアセトナートＪとあるのを「金属有機化合物、アセ
チルアセトナートＪと補正する。 （８）明細ＩＳ頁４行目に「スプレー法印刷法」とある
のをｒスプレー法、印刷法」と補正する。 （９）明細書６頁１３行目にｒＨｃ」とあるのをｒＨｅ
Ｊと補正する。 （１０）明細書９頁１２行目に「例えば、Ｐ、Ｂ、Ａｄ
ａｇ＋ｓ／Ｊ、ＮｏｎＪとあるのを「例えば、Ｊ、Ｎｏ
ｎＪと補正する。 （１１）明細書ｌＯ頁６行目に「ｎ−ブトキ」とあるの
を「ｎ−ブトキ」と補正する。 （１２）明細書１０頁１３行目に「ｎ−ブトギ」とある
のを「ｎ−ブトキ」と補正する。 く１３）明細書１０頁１５行目に「ｎ−ブトキ」とある
のを「ｎ−ブトキ」と補正する。 （１４）明細書１７頁２行目に「アセチルロース」とあ
るのを「アセチルセルロース」と補正する。 （１６）明細書２２頁２０行目に「素子液晶素」とある
のを「素子、液晶素」と補正する。 （１６）第１図および第２図を別紙の通り補正する。 第１図 笛２ 図 ５ｉ０２−Ｔｉ０２　系１ｒｌｌ、ＭＷガラス基板　　
ゝ珀

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガラス基板に金属化合物を含む溶液を塗布した後
   焼成することにより膜付きガラス基板を製造する方法に
   おいて、水蒸気圧が１０Ｐａ以下の雰囲気中で該焼成を
   行うことを特徴とする膜付きガラス基板の製造方法。
2. （２）ガラス基板に金属化合物を含む溶液を塗布した後
   焼成することにより膜付きガラス基板を製造する方法に
   おいて、該焼成を減圧雰囲気下で行うことを特徴とする
   膜付きガラス基板の製造方法。
3. （３）ガラス基板に金属化合物を含む溶液を塗布した後
   焼成することにより膜付きガラス基板を製造する方法に
   おいて、該焼成を乾燥ガスの流通雰囲気下で行うことを
   特徴とする膜付ガラス基板の製造方法。