JPH02212324A - 偏波保持光ファイバのためのプリフォームを提供する方法 - Google Patents
偏波保持光ファイバのためのプリフォームを提供する方法Info
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- JPH02212324A JPH02212324A JP1320380A JP32038089A JPH02212324A JP H02212324 A JPH02212324 A JP H02212324A JP 1320380 A JP1320380 A JP 1320380A JP 32038089 A JP32038089 A JP 32038089A JP H02212324 A JPH02212324 A JP H02212324A
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Classifications
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01861—Means for changing or stabilising the diameter or form of tubes or rods
-
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- C03B37/01217—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments by inserting one or more rods or tubes into a tube for making preforms of polarisation-maintaining optical fibres
-
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- C03B37/01228—Removal of preform material
- C03B37/01231—Removal of preform material to form a longitudinal hole, e.g. by drilling
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は偏波保持光ファイバのためのプリフォームを提
供する方法に係る。
供する方法に係る。
発明の前頭
外部拘束（温度変化、圧力、・・・・・・）にもかかわ
らず一定時間にわたって安定状態の光偏波を保持するこ
とが求められる度ごとに、光電気通信用の従来形低屓失
モノモード光ファイバは一波を保持する特別なファイバ
によって取り替えられなげればならない。残留する不完
全性のため（僅かのだ円率、応力異方性）、従来形「円
形対称」モノモードファイバは実際に２つの直交偏波伝
播モードを輸送することができ、さらにモード結合効果
のため、ファイバからの取出口における偏波状態は不安
定である。
らず一定時間にわたって安定状態の光偏波を保持するこ
とが求められる度ごとに、光電気通信用の従来形低屓失
モノモード光ファイバは一波を保持する特別なファイバ
によって取り替えられなげればならない。残留する不完
全性のため（僅かのだ円率、応力異方性）、従来形「円
形対称」モノモードファイバは実際に２つの直交偏波伝
播モードを輸送することができ、さらにモード結合効果
のため、ファイバからの取出口における偏波状態は不安
定である。
直線偏波保持ファイバは基本モードの２つの直線偏波状
態の縮退を除去することによって導入された線形複屈折
を持ち、これは形状複屈折（だ円形コア）の場合あるい
は応力複回折（コア周囲の異方性応力）の場合もあり、
あるいはまた両方の結合形である場合もある。この種の
ファイバは回路網、長距離リンク及びコヒーレント検波
光学電気通信装置にとって有利であり、あるいはまた例
えば水中聴音機のような幾つかの光フアイバセンサの応
用にも有用である。
態の縮退を除去することによって導入された線形複屈折
を持ち、これは形状複屈折（だ円形コア）の場合あるい
は応力複回折（コア周囲の異方性応力）の場合もあり、
あるいはまた両方の結合形である場合もある。この種の
ファイバは回路網、長距離リンク及びコヒーレント検波
光学電気通信装置にとって有利であり、あるいはまた例
えば水中聴音機のような幾つかの光フアイバセンサの応
用にも有用である。
直線偏波保持ファイバを製造するためには様々な方法が
公知であり、それらは１９８６年刊行の［Ｔｈｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｒ Ｌｉｇｈｔｖａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ（光波技術ジャーナル）」語中［■−４巻第８
号１０７１頁〜１０８９頁に掲載されたＪ、Ｎｏｄａ他
による［ＰＯｌａｒｉＺａｔｉＯｎｍａｉｎｔａｉｎｉ
ｎａ ｆｉｂｅｒｓ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ａｐｐｌｉ
ｃａ口０ｎＳ（偏波保持ファイバとその応用）」に紹介
されている（参照文献１）。「ボウ−タイ」ファイバが
ホウ素をドープした直径方向に相対する円形の区域を含
む管上に被覆及びコアをＭＣＶＤデポジションすること
によって提供される。
公知であり、それらは１９８６年刊行の［Ｔｈｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｒ Ｌｉｇｈｔｖａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ（光波技術ジャーナル）」語中［■−４巻第８
号１０７１頁〜１０８９頁に掲載されたＪ、Ｎｏｄａ他
による［ＰＯｌａｒｉＺａｔｉＯｎｍａｉｎｔａｉｎｉ
ｎａ ｆｉｂｅｒｓ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ａｐｐｌｉ
ｃａ口０ｎＳ（偏波保持ファイバとその応用）」に紹介
されている（参照文献１）。「ボウ−タイ」ファイバが
ホウ素をドープした直径方向に相対する円形の区域を含
む管上に被覆及びコアをＭＣＶＤデポジションすること
によって提供される。
参照文献２としての１９８２年刊行の
ｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ （電子
工学レター）］第１８巻第１８号７６４頁〜７６５頁に
掲載されたＲ、Ｈ。
工学レター）］第１８巻第１８号７６４頁〜７６５頁に
掲載されたＲ、Ｈ。
５ｔｏｌｅｎ他によるｒｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｕｂｅ
１ｉｔｈＯＱｒａＤｈＶｆｏｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｆ
ｉｂｅｒｓ（光ファイバのための基板管リソグラフ〉」
では、これらのセクタは選択化学エツチングで作られて
いる。この技術は難かしく、感光樹脂のデポジションに
よって保護されていない酸化ホウ素ドープトシリカの区
域をエッチするためフッ化水素酸溶液が使用されている
。工程は多数であって、デポジション、ＵＶａ光、現像
、エツチング等々がある。
１ｉｔｈＯＱｒａＤｈＶｆｏｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｆ
ｉｂｅｒｓ（光ファイバのための基板管リソグラフ〉」
では、これらのセクタは選択化学エツチングで作られて
いる。この技術は難かしく、感光樹脂のデポジションに
よって保護されていない酸化ホウ素ドープトシリカの区
域をエッチするためフッ化水素酸溶液が使用されている
。工程は多数であって、デポジション、ＵＶａ光、現像
、エツチング等々がある。
参考文献３としての、１９８２年刊行のｒ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ（電子工学レター）」誌
第１８巻第２４号１０３６頁〜１０３８頁に掲載のＲ，
Ｄ、Ｂｉｒｃｈ他による「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏ
ｒ Ｐｏ１ｏｒｉｚａｔｉｏｎ−１ａｉｎｔａｉｎｉｎ
Ｑ ｆｉｂｅｒｓ （偏波保持ファイバの製造）」では
、これらの区域は選択熱エツチングで作られている。エ
ツチングはこの場合プローランプを用いて加熱された部
分に作用するフッ化水素ガスによって実行される。
ｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ（電子工学レター）」誌
第１８巻第２４号１０３６頁〜１０３８頁に掲載のＲ，
Ｄ、Ｂｉｒｃｈ他による「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏ
ｒ Ｐｏ１ｏｒｉｚａｔｉｏｎ−１ａｉｎｔａｉｎｉｎ
Ｑ ｆｉｂｅｒｓ （偏波保持ファイバの製造）」では
、これらの区域は選択熱エツチングで作られている。エ
ツチングはこの場合プローランプを用いて加熱された部
分に作用するフッ化水素ガスによって実行される。
２つの先行例においては、光クラッド及びコアのその後
のデポジションが非対称構造体上で実行されるが、縮管
加工工程侵には非円形コアを生じ、従って円形コアを持
つ標準形の線形ファイバへの結合に際して損失を増す。
のデポジションが非対称構造体上で実行されるが、縮管
加工工程侵には非円形コアを生じ、従って円形コアを持
つ標準形の線形ファイバへの結合に際して損失を増す。
第２の場合には、この影響はイギリス特許出願第ＧＢ−
Ａ−２１８０２３２号に開示されているように局部化さ
れた再デボジシｌンの付加工程によって除去されること
ができる。このことは方法をさらに複雑化し、結果は完
全性から遠ざかる。
Ａ−２１８０２３２号に開示されているように局部化さ
れた再デボジシｌンの付加工程によって除去されること
ができる。このことは方法をさらに複雑化し、結果は完
全性から遠ざかる。
第４の参照文献としての、１９８３年刊行の［Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ（電子工学レター）」
誌第１９巻７９２頁〜７９４頁に掲載されたＹ、５ａｓ
ａｋｉ他によるｒ Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ−ｍａｉ
ｎｔａｉｎｉｎａ ｆｉｂｅｒ （偏波保持ファイバ）
」においては、「ビンインジャケット」又は「パンダ」
法は被覆に孔明けすることを必要とし、これはプリフォ
ームを破損する危険無しに長い範囲で実行することは困
難である。
ｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ（電子工学レター）」
誌第１９巻７９２頁〜７９４頁に掲載されたＹ、５ａｓ
ａｋｉ他によるｒ Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ−ｍａｉ
ｎｔａｉｎｉｎａ ｆｉｂｅｒ （偏波保持ファイバ）
」においては、「ビンインジャケット」又は「パンダ」
法は被覆に孔明けすることを必要とし、これはプリフォ
ームを破損する危険無しに長い範囲で実行することは困
難である。
以上の総ての方法において、酸化ホウ素をドープしたシ
リカ帯域はコアのどちらかの側に挿入されている。高い
複屈折性を得るためには、高い応力レベルを生じるプリ
フォーム内に帯域を挿入する必要があり、そしてしばし
ばこのことはプリフォームを割れ又は破裂させる。
リカ帯域はコアのどちらかの側に挿入されている。高い
複屈折性を得るためには、高い応力レベルを生じるプリ
フォーム内に帯域を挿入する必要があり、そしてしばし
ばこのことはプリフォームを割れ又は破裂させる。
最後に、ヨーロッパ特許出願第ＥＰ−Ａ−０１４５０３
１号は、基本プリフォームのシリカで被覆したガラス管
の内側に次の素子を配置するという方法を開示している
。つまり先ず少なくとも酸化ホウ素をドープした２個の
シリカ製シリンダ及び第２に酸化チタニウムをドープし
た２個のシリカ製シリンダである。管内の空の空間には
ドープされていないシリカの０ツドが備えられている。
１号は、基本プリフォームのシリカで被覆したガラス管
の内側に次の素子を配置するという方法を開示している
。つまり先ず少なくとも酸化ホウ素をドープした２個の
シリカ製シリンダ及び第２に酸化チタニウムをドープし
た２個のシリカ製シリンダである。管内の空の空間には
ドープされていないシリカの０ツドが備えられている。
相互関連するそれら固有の位置にこれらの品目の総てを
保持することは極めて難かしい。この方法によって作ら
れたファイバはコアの変形を有し、これは本来は円形の
ファイバに結合するとき不利であるし、又はファイバの
その後の取扱いを複雑化する外部変形を持つ。
保持することは極めて難かしい。この方法によって作ら
れたファイバはコアの変形を有し、これは本来は円形の
ファイバに結合するとき不利であるし、又はファイバの
その後の取扱いを複雑化する外部変形を持つ。
従って本発明の目的は上記の欠点を取除き、かつ回路網
ファイバに結合し易すい高複屈折性の偏波保持ファイバ
をより中純な方法で提供することである。
ファイバに結合し易すい高複屈折性の偏波保持ファイバ
をより中純な方法で提供することである。
発明の要約
本発明は、偏波保持光ファイバのためのプリフォームを
提供する方法を提供するものであって、その軸に沿って
交差する２つの直交対称面をもつ基本プリフォームから
出発して、前記基本プリフォームの外側面上で第１の面
の周りに対称形に、少なくとも酸化ホウ素をドープした
シリカによって少なくとも部分的に構成される２つの横
長の素子と、
前記基本プリフォームの外側面上
に第２の面の周りに対称形に、少なくとも酸化チタニウ
ムをドープしたシリカによって少なくとも部分的に構成
され素子が事実上円筒形を構成すべく互いに補償するよ
うにして選択される。
提供する方法を提供するものであって、その軸に沿って
交差する２つの直交対称面をもつ基本プリフォームから
出発して、前記基本プリフォームの外側面上で第１の面
の周りに対称形に、少なくとも酸化ホウ素をドープした
シリカによって少なくとも部分的に構成される２つの横
長の素子と、
前記基本プリフォームの外側面上
に第２の面の周りに対称形に、少なくとも酸化チタニウ
ムをドープしたシリカによって少なくとも部分的に構成
され素子が事実上円筒形を構成すべく互いに補償するよ
うにして選択される。
第１の方法においては、前記基本プリフォームは円筒形
外面を持ち、各横長の素子は、管の軸線に沿って交叉す
る２つの面に沿って切断された管部分である。前記管は
酸化ホウ素又は酸化チタニウムをドープしたシリカのデ
ポジットをその内側に備えている支持管であってもよく
、管はダイヤモンドソーを用いて長さ方向に切断される
。
外面を持ち、各横長の素子は、管の軸線に沿って交叉す
る２つの面に沿って切断された管部分である。前記管は
酸化ホウ素又は酸化チタニウムをドープしたシリカのデ
ポジットをその内側に備えている支持管であってもよく
、管はダイヤモンドソーを用いて長さ方向に切断される
。
第２の方法では、前記プリフォームはプリズム形外面（
例えば正方形）を持ち、各横長の素子は酸化ホウ素又は
酸化チタニウムをドープした純粋なシリカの管を押しつ
ぶしすることによって得られ、純粋なシリカ部分は次工
程で加工又は側面を研磨され多角形断面の（例えば正方
形）プリズムを形成する。
例えば正方形）を持ち、各横長の素子は酸化ホウ素又は
酸化チタニウムをドープした純粋なシリカの管を押しつ
ぶしすることによって得られ、純粋なシリカ部分は次工
程で加工又は側面を研磨され多角形断面の（例えば正方
形）プリズムを形成する。
第３の方法では、前記最初に円筒形のプリフォームは円
筒形ブランクによって構成される前記横長の素子のそれ
ぞれ１つを受取るべく外側面内に４つの溝を形成するよ
うにして加工されている。
筒形ブランクによって構成される前記横長の素子のそれ
ぞれ１つを受取るべく外側面内に４つの溝を形成するよ
うにして加工されている。
酸化ホウ素又は酸化チタニウムを含むブランクは、酸化
ホウ素又は酸化チタニウムをドープされたシリカの内部
デポジットを含む支持管を押しつぶしすることによって
得られ、次に全体的にかあるいは部分的に支持管を削除
する。
ホウ素又は酸化チタニウムをドープされたシリカの内部
デポジットを含む支持管を押しつぶしすることによって
得られ、次に全体的にかあるいは部分的に支持管を削除
する。
任意の方法に適用し得る変形例では、上記のプリフォー
ムは１ｉＩｉ！全体に押しつぶしするに先立ってシリカ
管内に挿入される。
ムは１ｉＩｉ！全体に押しつぶしするに先立ってシリカ
管内に挿入される。
この方法で作られたプリフォームは次に、従来式の線引
き作業にかけられる。
き作業にかけられる。
必要があれば、その反射指数値のために酸化ホウ素をド
ープしたシリカは酸化ゲルマニウムドーピングを含み、
酸化チタニウムをドープしたシリカはフッ素ドープを含
む。
ープしたシリカは酸化ゲルマニウムドーピングを含み、
酸化チタニウムをドープしたシリカはフッ素ドープを含
む。
酸化ホウ素は高膨張係数を持ち、酸化チタニウムは低膨
張係数を持つから、酸化ホウ素をドープした区域はファ
イバの軸線に対して垂直な方向に沿って圧縮応力を生じ
、酸化チタニウム及びフッ素をドープした部分は垂直方
向に沿って膨張応力を生じ、高い線形複屈折を含む。こ
れらの応力は事実上円形であるコアの周囲に生じる。
張係数を持つから、酸化ホウ素をドープした区域はファ
イバの軸線に対して垂直な方向に沿って圧縮応力を生じ
、酸化チタニウム及びフッ素をドープした部分は垂直方
向に沿って膨張応力を生じ、高い線形複屈折を含む。こ
れらの応力は事実上円形であるコアの周囲に生じる。
酸化チタニウムへのフッ素の添加は同様モル濃度で実行
され、チタニウムの存在のため指数内増加を低減又は放
棄させることを可能にし、こうして寄生光ガイド効果が
防止される。
され、チタニウムの存在のため指数内増加を低減又は放
棄させることを可能にし、こうして寄生光ガイド効果が
防止される。
次に本発明のいくつかの実施例につき添付図面を参照し
て以下に説明する。
て以下に説明する。
１」Ｌｌ
第１図は従来形ＭＣＶＤデポジション技術によって製作
されたプリフォーム１を示す。これはシリカ管２を含む
モノモードプリフォームであって、ψ 。
されたプリフォーム１を示す。これはシリカ管２を含む
モノモードプリフォームであって、ψ 。
フッ素とリン酸物をトープしたシリカクラッド３及び酸
化ゲルマニウムをドープしたシリカコア４を含む。シリ
カ管２の厚さは例えば化学エツチング又はブロートーチ
蒸発によって減らされることができる。
化ゲルマニウムをドープしたシリカコア４を含む。シリ
カ管２の厚さは例えば化学エツチング又はブロートーチ
蒸発によって減らされることができる。
そのほか、管５は、ＭＣＶＤデポジション技術を用いて
得られたシリカデポジット７を備えたシリカ支持管６に
よって構成され（第２Ａ図）、前記デポジット１は酸化
ホウ素をドープされているか又は酸化ゲルマニウムを任
意に共にドープされている。
得られたシリカデポジット７を備えたシリカ支持管６に
よって構成され（第２Ａ図）、前記デポジット１は酸化
ホウ素をドープされているか又は酸化ゲルマニウムを任
意に共にドープされている。
同様に管８は、ＭＣＶＤデポジション技術によってシリ
カデポジット１０を備えたシリカ支持管９によって構成
され（第３Ａ図）、前記デポジット１０は酸化チタニウ
ムをドープされているか、さらに任意にはフッ素を共に
ドープされたシリカである。酸化ホウ素は高い膨張係数
をもち、一方酸化チタニウムは低い膨張係数をもつ。
カデポジット１０を備えたシリカ支持管９によって構成
され（第３Ａ図）、前記デポジット１０は酸化チタニウ
ムをドープされているか、さらに任意にはフッ素を共に
ドープされたシリカである。酸化ホウ素は高い膨張係数
をもち、一方酸化チタニウムは低い膨張係数をもつ。
台管はダイヤモンドソーを用いて軸線沿いに交叉する２
つの平面に沿って切断され、４つの横長の素子１５（第
２Ｂ図）及び４つの横長の素子１８（第３Ｂ図）を形成
する。
つの平面に沿って切断され、４つの横長の素子１５（第
２Ｂ図）及び４つの横長の素子１８（第３Ｂ図）を形成
する。
第４図を参照すれば、基本プリフォーム１は２つの直交
平面２０及び３０を共に有している。
平面２０及び３０を共に有している。
２つの素子１５はプリフォーム１に対面して平面２０の
周りに対称形に配置され、さらに同様に２つの素子１８
は平面３０の周囲に対称にプリフォーム１に対面して配
置される。４つの素子１５及び１８の断面は１つのリン
グを形成する。これらの素子の全体は例えば先端で溶接
されて、プリフォーム１に容易に固定される。シリカ１
４の外側管は好ましくはこの組立て体の周りに配置され
、次に好ましくは減少圧力例えば１００トル及び２００
０℃〜２２００℃の闇の温度で押しつぶされる。
周りに対称形に配置され、さらに同様に２つの素子１８
は平面３０の周囲に対称にプリフォーム１に対面して配
置される。４つの素子１５及び１８の断面は１つのリン
グを形成する。これらの素子の全体は例えば先端で溶接
されて、プリフォーム１に容易に固定される。シリカ１
４の外側管は好ましくはこの組立て体の周りに配置され
、次に好ましくは減少圧力例えば１００トル及び２００
０℃〜２２００℃の闇の温度で押しつぶされる。
このことは従来形プリフォームのようにファイバに引抜
きされることができるプリフォームを提供する。酸化ホ
ウ素をドープされた区域はファイバの軸線に対して垂直
な方向に沿って圧縮応力を生じる。酸化チタニウムをド
ープされた区域は垂直方向に沿って伸びを生じ、それに
よって高い線形複屈折を生じる。
きされることができるプリフォームを提供する。酸化ホ
ウ素をドープされた区域はファイバの軸線に対して垂直
な方向に沿って圧縮応力を生じる。酸化チタニウムをド
ープされた区域は垂直方向に沿って伸びを生じ、それに
よって高い線形複屈折を生じる。
第２の変形例では、第５図から第８図に示す工程に従う
ことができる。プリフォーム４１は先行のプリフォーム
１と同類であるが、但しその外管４２が例えば断面が四
角形のプリズム４０を形成】るため加工又は研磨されて
いる点だけが違う。
ことができる。プリフォーム４１は先行のプリフォーム
１と同類であるが、但しその外管４２が例えば断面が四
角形のプリズム４０を形成】るため加工又は研磨されて
いる点だけが違う。
第６Ａ図に示すようなそして第２Ａ図と同じになるよう
な管５を押しつぶすことによって、シリンダ４２が得ら
れる（第６Ｂ図）。これは次に純粋なシリカで作られた
部分が断面が多角形であるように加工又は研磨されると
、酸化ホウ素でドープされたシリカの中心シリンダ４３
を含むものになる。
な管５を押しつぶすことによって、シリンダ４２が得ら
れる（第６Ｂ図）。これは次に純粋なシリカで作られた
部分が断面が多角形であるように加工又は研磨されると
、酸化ホウ素でドープされたシリカの中心シリンダ４３
を含むものになる。
この横長の素子は４８で示されている。
第７Ａ図に示すような、さらに第３Ａ図に示されたもの
に類似させた管８を押しつぶすことによって、円筒４５
が得られる（第７Ｂ図）。さらにその純粋シリカで作ら
れた部分は断面が四角でありまた酸化チタニウムをドー
プしたシリカの中央シリンダ４６を含むプリズム４７を
得るように加工又は研磨される。この横長の素子は４９
で示されている。
に類似させた管８を押しつぶすことによって、円筒４５
が得られる（第７Ｂ図）。さらにその純粋シリカで作ら
れた部分は断面が四角でありまた酸化チタニウムをドー
プしたシリカの中央シリンダ４６を含むプリズム４７を
得るように加工又は研磨される。この横長の素子は４９
で示されている。
第８図を参照すれば、基本プリフォーム４１は２つの直
交対称面を限定する線５０及び６０を共有している。２
つの横長の素子４８は面５０のどちらかの側に配置され
、２つの横長方形素子４９は平面６０のどちらかの側に
配置されている。
交対称面を限定する線５０及び６０を共有している。２
つの横長の素子４８は面５０のどちらかの側に配置され
、２つの横長方形素子４９は平面６０のどちらかの側に
配置されている。
これら様々な素子が加工される形状は、素子が外側のシ
リカ管１４の内側に含まれるとき生じる空の空間を事実
上完全に取除くように選択される。
リカ管１４の内側に含まれるとき生じる空の空間を事実
上完全に取除くように選択される。
４つの素子の断面は部分的に円形である。その後、プリ
フォームは前のように押しつぶされる。
フォームは前のように押しつぶされる。
第３の変形例では、第９図から第１２因に示す工程が実
行される。
行される。
第９図では、最初は円筒形のプリフォーム５１がシリカ
管５５内にフッ素及びリン酸化物をドープしたシリカの
クラッド５４を含み、さらに酸化ゲルマニウムをドープ
したシリカのコア５３を含む。このプリフォームは従来
形のＭＣＶＤデボ、ジション技術によって作製される。
管５５内にフッ素及びリン酸化物をドープしたシリカの
クラッド５４を含み、さらに酸化ゲルマニウムをドープ
したシリカのコア５３を含む。このプリフォームは従来
形のＭＣＶＤデボ、ジション技術によって作製される。
４つの規則的に間隔をつけた長さ方向溝５６及び５７が
このプリフォームの側面内に形成される。これらの溝は
プリフォームの全長にわたって例えばダイヤモンドチッ
プカッタを用いて容易に加工される。
このプリフォームの側面内に形成される。これらの溝は
プリフォームの全長にわたって例えばダイヤモンドチッ
プカッタを用いて容易に加工される。
加えて第２Ａ図に示すものと類似の管５（第１０Ａ図）
が、酸化ホウ素をドープした、さらに任意には酸化ゲル
マニウムを共にドープしたシリカのデポジット７をもっ
て提供される。
が、酸化ホウ素をドープした、さらに任意には酸化ゲル
マニウムを共にドープしたシリカのデポジット７をもっ
て提供される。
同様に管８は、ＭＣＶＤデポジション技術によって酸化
チタニウム及びフッ素をドープしたシリカのデポジット
１０を備えた支持管９によって構成される（第１１３図
）。
チタニウム及びフッ素をドープしたシリカのデポジット
１０を備えた支持管９によって構成される（第１１３図
）。
管５及び８は押しつぶし加工され５°及び８°（第１０
Ｂ図及び１１１３図参照）となり、それから少なくとも
ある楢のシリカが化学エツチング又はブロートーチ蒸発
によって支持管から除去される。このことはブランク１
１及び１２を提供する。それらの直径は第１２図に示す
ようにプリフォーム５１内に備えられた溝５６及び５７
の寸法内に事実上適合する。
Ｂ図及び１１１３図参照）となり、それから少なくとも
ある楢のシリカが化学エツチング又はブロートーチ蒸発
によって支持管から除去される。このことはブランク１
１及び１２を提供する。それらの直径は第１２図に示す
ようにプリフォーム５１内に備えられた溝５６及び５７
の寸法内に事実上適合する。
この図では、１７０及び８０はプリフォーム５１によっ
て示された２つの直交する対称面を示す、２つのブラン
ク１１は平面７０の周りに対称形に溝５６内でプリフォ
ームの外面に対して配置され、さらに２つのブランク１
２が同様に溝５７内に平面８０の周りに対称形に配置さ
れている。ブランクは対応する溝内に容易に保持され、
さらに好ましくはそれらはプリフォーム５１の外側面を
越えて伸びはしない。
て示された２つの直交する対称面を示す、２つのブラン
ク１１は平面７０の周りに対称形に溝５６内でプリフォ
ームの外面に対して配置され、さらに２つのブランク１
２が同様に溝５７内に平面８０の周りに対称形に配置さ
れている。ブランクは対応する溝内に容易に保持され、
さらに好ましくはそれらはプリフォーム５１の外側面を
越えて伸びはしない。
このようにして形成された事実上円筒形の組立て体は外
側シリカ′ｒ！！１４内に挿入され、次に押しつぶし加
工される。
側シリカ′ｒ！！１４内に挿入され、次に押しつぶし加
工される。
以上説明した総ての変形例において、高い線形複屈折が
生じるファイバが得られる。ファイバは高い円形度をも
つコアを有し、これによって結合が容易化し、さらにフ
ァイバは優れた外部円形性を保持する。
生じるファイバが得られる。ファイバは高い円形度をも
つコアを有し、これによって結合が容易化し、さらにフ
ァイバは優れた外部円形性を保持する。
勿論本発明は以上の具体例のみに限定されない。
こうして様々な管の製造において、フランス特許第８７
１４２８６号に開示する方法を用いて塩化物の水溶液又
は有機溶液をスプレィすることによってホウ素、ゲルマ
ニウム又はチタニウムなどの酸化物を挿入することが可
能である。フッ素についてはＳｉＦ４．０２Ｆ６、ＣＦ
２Ｃｊ２、ＳＦｅ、・・・・・・等々のようなガスの形
で挿入され得る。
１４２８６号に開示する方法を用いて塩化物の水溶液又
は有機溶液をスプレィすることによってホウ素、ゲルマ
ニウム又はチタニウムなどの酸化物を挿入することが可
能である。フッ素についてはＳｉＦ４．０２Ｆ６、ＣＦ
２Ｃｊ２、ＳＦｅ、・・・・・・等々のようなガスの形
で挿入され得る。
第１図は従来形円筒形基本プリフォームの概略断面図、
第２Ａ図は酸化ホウ素をドープしたシリカの内部デポジ
ットをもつシリカ製支持管の概略断面図、第２Ｂ図は第
２Ａ図の管を４部分にスライスした後で得られる円筒形
ブランクの断面図、第３Ａ図及び３Ｂ図はそれぞれ第２
Ａ図及び２Ｂ図に類似の、但し酸化チタニウムをドープ
したシリカの内部デポジットをもつシリカ製支持管を示
づ説明図、第４図は第１図、第２Ｂ図及び第３Ｂ図の素
子から製造さ、れた押しつぶし加工以前の本発明プリフ
ォームの１具体例の説明図、第５図はプリズム様の変形
基本プリフォームの概略断面図、第６Ａ図は第２Ａ図に
示す即ち酸化ホウ素をドープしたシリカの内部デポジッ
トを持つシリカ製支持体により構成された部品に類似の
管の断面図、第６Ｂ図は第６Ａ図の管から得られた横長
の素子の断面図、第７Ａ図及び７Ｂ図はそれぞれ第６Ａ
図及び６Ｂ図に類似の但し酸化チタニウムをドープした
シリカの内部デポジットを持゛つシリカ支持管を示す説
明図、第８図は第５．第６Ｂ及び第７Ｂ図の素子から構
成された、そして押しつぶし加工に先立つ本発明プリフ
ォームの別の具体例の説明図、第９図は円筒形でありか
つ４つの長さ方向溝を持つ変形基本プリフォームの概略
断面図、第１０Ａ図は酸化ホウ素をドープしたシリカの
内部デポジットをもつシリカ製支持管の概略断面図、第
１０Ｂ図は第１０Ａ図の管から得られた円筒形ブランク
の説明図、第１１Ａ図は酸化チタニウムとフッ素をドー
プしたシリカの内部デポジットをもつシリカ製支持管の
概略断面図、第１１Ｂ図は第１１Ａ図の管から得られた
円筒形ブランクの説明図、及び第１２図は第９図、第１
０Ｂ図及び第１１８図の素子から製造された押しつぶし
加工に先立つ本発明プリフォームの断面図である。 １・・・・・・基本プリフォーム、 １５・・・・・・
横長の素子、２０・・・・・・第１平面、 ３０・・・
・・・第２平面。
第２Ａ図は酸化ホウ素をドープしたシリカの内部デポジ
ットをもつシリカ製支持管の概略断面図、第２Ｂ図は第
２Ａ図の管を４部分にスライスした後で得られる円筒形
ブランクの断面図、第３Ａ図及び３Ｂ図はそれぞれ第２
Ａ図及び２Ｂ図に類似の、但し酸化チタニウムをドープ
したシリカの内部デポジットをもつシリカ製支持管を示
づ説明図、第４図は第１図、第２Ｂ図及び第３Ｂ図の素
子から製造さ、れた押しつぶし加工以前の本発明プリフ
ォームの１具体例の説明図、第５図はプリズム様の変形
基本プリフォームの概略断面図、第６Ａ図は第２Ａ図に
示す即ち酸化ホウ素をドープしたシリカの内部デポジッ
トを持つシリカ製支持体により構成された部品に類似の
管の断面図、第６Ｂ図は第６Ａ図の管から得られた横長
の素子の断面図、第７Ａ図及び７Ｂ図はそれぞれ第６Ａ
図及び６Ｂ図に類似の但し酸化チタニウムをドープした
シリカの内部デポジットを持゛つシリカ支持管を示す説
明図、第８図は第５．第６Ｂ及び第７Ｂ図の素子から構
成された、そして押しつぶし加工に先立つ本発明プリフ
ォームの別の具体例の説明図、第９図は円筒形でありか
つ４つの長さ方向溝を持つ変形基本プリフォームの概略
断面図、第１０Ａ図は酸化ホウ素をドープしたシリカの
内部デポジットをもつシリカ製支持管の概略断面図、第
１０Ｂ図は第１０Ａ図の管から得られた円筒形ブランク
の説明図、第１１Ａ図は酸化チタニウムとフッ素をドー
プしたシリカの内部デポジットをもつシリカ製支持管の
概略断面図、第１１Ｂ図は第１１Ａ図の管から得られた
円筒形ブランクの説明図、及び第１２図は第９図、第１
０Ｂ図及び第１１８図の素子から製造された押しつぶし
加工に先立つ本発明プリフォームの断面図である。 １・・・・・・基本プリフォーム、 １５・・・・・・
横長の素子、２０・・・・・・第１平面、 ３０・・・
・・・第２平面。
Claims (10)
- （１）偏波保持光ファイバのためのプリフォームを提供
する方法であつて、その軸に沿つて交差する２つの直交
対称面をもつ基本プリフォームから出発して、前記基本
プリフォームの外側面上で第１の面の周りに対称形に、
少なくとも酸化ホウ素をドープしたシリカによって少な
くとも部分的に構成される２つの横長の要素と、２つの
横長の素子とを機械的に当接させ前記基本プリフォーム
の外側面上に第２の面の周りに対称形に、少なくとも酸
化チタニウムをドープしたシリカによって少なくとも部
分的に構成される前記基本プリフォーム及び上記４つの
横長の素子が事実上円筒形を構成べく互いに補償するよ
うにして選択される偏波保持光ファイバのためのプリフ
ォームを提供する方法。 - （２）前記基本プリフォームが円筒形外側面を持ち、さ
らに各横長の素子が、管の軸線に沿って交差する２つの
平面に沿つて切断された管の部分である請求項１に記載
のプリフォームを作る方法。 - （３）前記管が、その内部において酸化ホウ素又は酸化
チタニウムをドープされたシリカのデポジットが設けら
れた支持管であつて、管がダイヤモンドソーによつて長
手方向に切断される請求項２に記載のプリフォームを作
る方法。 - （４）前記基本プリフォームがプリズム形の外側面を持
ち、各横長の素子が酸化ホウ素又は酸化チタニウムをド
ープされた純粋なシリカの管を押しつぶし加工すること
によって得られ、次に純粋シリカ部分が多角形断面のプ
リズムを形成するように側面を加工され又は研磨されて
いる請求項１に記載のプリフォームを作る方法。 - （５）前記基本プリフォームの断面が正方形である請求
項４に記載のプリフォームを作る方法。 - （６）初めは円筒形の基本プリフォームが、円筒形ブラ
ンクによって構成された前記横長の素子のそれぞれを受
取るべく外側面内に４つの溝を形成するように加工され
る請求項１に記載のプリフォームを作る方法。 - （７）酸化ホウ素ブランク又は酸化チタニウムブランク
が、酸化ホウ素又は酸化チタニウムをドープしたシリカ
の内部デポジットを含む支持管を押しつぶし加工するこ
とによつて得られ、次に全体的又は部分的に前記支持管
を取除く請求項６に記載のプリフォームを作る方法。 - （８）前記基本プリフォーム及び前記４つの横長の素子
によって構成される組立て体が、押しつぶし加工に先立
つて外側シリカ管に挿入されている請求項１に記載のプ
リフォームを作る方法。 - （９）酸化ホウ素をドープされたシリカがさらに酸化ゲ
ルマニウムをも含む請求項１に記載のプリフォームを作
る方法。 - （１０）酸化チタニウムをドープされたシリカがさらに
フッ素ドーピングをも含む請求項１に記載のプリフォー
ムを作る方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8816224 | 1988-12-09 | ||
| FR8816224 | 1988-12-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212324A true JPH02212324A (ja) | 1990-08-23 |
| JP2613657B2 JP2613657B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=9372777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1320380A Expired - Fee Related JP2613657B2 (ja) | 1988-12-09 | 1989-12-08 | 偏波保持光ファイバのためのプリフォームを提供する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4978377A (ja) |
| EP (1) | EP0372450B1 (ja) |
| JP (1) | JP2613657B2 (ja) |
| CA (1) | CA2004938A1 (ja) |
| DE (1) | DE68912288T2 (ja) |
| FI (1) | FI96453C (ja) |
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