JPS61267707A - サイドトンネル型定偏波光フアイバ - Google Patents

サイドトンネル型定偏波光フアイバ

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JPS61267707A
JPS61267707A JP60109625A JP10962585A JPS61267707A JP S61267707 A JPS61267707 A JP S61267707A JP 60109625 A JP60109625 A JP 60109625A JP 10962585 A JP10962585 A JP 10962585A JP S61267707 A JPS61267707 A JP S61267707A
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core
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holes
fiber
glass
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Hiroshi Suganuma
寛 菅沼
Hiroshi Yokota
弘 横田
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • G02B6/105Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type having optical polarisation effects
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光フアイバ応用計測器やコヒーレント光伝送
方式等で要求される偏波をその特性を保持したまま伝搬
させる定偏波ファイバ、特に伝搬モードHE、、の2つ
のモードHE、、XおよびHE、、’のうち一方のみを
伝搬させる波長帯を有する絶対単一偏波光ファイバに関
する。
従来の技術 光通信技術の進展に伴って現在種々の装置に光ファイバ
が使用されている。その中で、各種通信装置に用いられ
ている光ICや光ヘテロゲイン方式では、光ファイバか
らの出力が指定された方向の直線偏波であることが前提
とされ、また、8梗の測定装置では、光ファイバを伝搬
する光が直蟇偏波であることが要求されている。そこで
、偏波面を保持したまま直線偏波を伝搬させる定偏波フ
ァイバが開発されている。
従来、この定偏波ファイバとして第5図、第6図および
第7図にそれぞれその断面が示される楕円コア型ファイ
バ、非軸対称応力付与型ファイバおよびサイドトンネル
型ファイバ等が提案されている。
楕円コア型ファイバでは、コア51の断面が楕円形をし
ており、電界が長軸に平行(X軸方向)な場合と垂直(
y軸方向)な場合とで伝搬定数が異なり、これら2方向
の間の複屈折率Bは、複屈折率Bの(楕円偏平率)・(
比屈折率差Δ)2という関係を持つ。ただし、比屈折率
差Δはコア51の屈折率n。およびクラッド52の屈折
率n1によって と表わされる。従って、コア51、クラッド52の屈折
率n。、nlおよびコア51・の楕円偏平率を工夫する
ことにより、高い複屈折率Bを得てX%y2方向の直交
偏波に複屈折性を与え、これらのエネルギー結合を抑制
することができる。
一方、非軸対称応力付与型ファイバでは、クラッド62
中に設けられた一対の応力付与部材63によってコア6
1に一方向くX軸方向)の応力が加えられ、コア61の
内部に歪が生じ、本来は等方性の物体であったコア61
が異方性となって楕円コア型ファイバのコア51と同様
に高い複屈折率を得るものである。
このように楕円コア型ファイバおよび非軸対称応力付与
型ファイバは、縮退している2つの直交偏波モードHE
、、XおよびHE、、yに対して複屈折性゛を与え、こ
れらのモード間のエネルギー結合を抑制することにより
、ただ一つの偏波面を保存するものであり、一般に複屈
折ファイバと呼ばれている。
これらの複屈折ファイバでは所定の偏波が保存されると
ともに、この偏波とは速度、損失等で異なるが直交する
偏波が同時に伝導される。従って、このファイバをファ
イバセンサに適用した場合には、その直交する偏波成分
を除去して所定の偏波成分のみを抽出するために検光子
等を必要とする。
そのため、その光ファイバを伝搬した光を受ける受光素
子は、光ファイバを伝導したエネルギーの一部しか受け
られず、測定装置としての感度が低くならざるを得ない
という問題がある。
これに対して、サイドトンネル型ファイバでは、コア7
1の両側に一対の中空部73が設けられており、この中
空部73は中空であるからその屈折率はほぼ1となって
コア71およびクラッド72より屈折率の低い部分を形
成している。従って、第7図において、ファイバのX軸
方向はW型の屈折率分布を示すことになる。
一般に、単一クラッド型の屈折率分布を有する単一モー
ドファイバでは、基本モードであるHE、。
モードの電磁界エネルギーはどのような波長帯でもコア
中に閉じ込められ、伝搬される。すなわち、HE、、モ
ードにはカットオフ波長あるいはカットオフ周波数が存
在しない。ところが、W型の屈折率分布を有する二重ク
ラッド構造の単一モードファイバでは、コア中の電磁界
エネルギーがコアを内包する第1のクラッドおよび第1
のクラッドを内包する第2のクラッドに漏れやすく、コ
アと第1のクラッドの径比およびコア、第1のクラッド
、第2のクラッドの屈折率間の比屈折率差により決定さ
れる波長域においては、HE、、モードも漏れモードに
転化し、カットオフ状態となる。
すなわち、第7図に示すサイドトンネル型ファイバのX
軸方向においては、中空部73が第1のクラッドとして
、クラッド72が第2のクラッドとして作用し、コア7
1中の電磁界エネルギーが中空部73およびクラッド7
2に漏れて、HE、、モードも漏れ雪−ドとなる。
さらに、X軸方向にのみ中空部73が設けられて、強い
非軸対称の屈折率分布を有するので、直交する2つの偏
波モードHE、♂およびHE、、’にそれぞれ互いに異
なるカットオフ波長が存在する。
従って、これらのカットオフ波長の間の帯域では、HE
、、XモードおよびHE、、yモードのうち−方がカッ
トオフ状態に、他方が導波状態になる。
すなわち、サイドトンネル型ファイバは絶対単一偏波帯
域を有し、この帯域を用いてファイバセンサを構成すれ
ば、上記の楕円コア型ファイバおよび非軸対称応力付与
型ファイバ等の複屈折ファイバが有していた問題が解決
され、高感度の測定装置や検出装置を実現することがで
きる。
発Iが解゛しようとする問題点 このように、サイドトンネル型ファイバは楕円コア型フ
ァイバおよび非軸対称応力付与型ファイバ等に比べて理
論的に大きな利点を有するものである。しかしながら、
これまでのところ、このサイドトンネル型ファイバの製
作例は少なく、その中に絶対単一偏波帯域の存在が明示
された実例がない。
この原因として、サイドトンネル型ファイバの構造が、
コアとクラッドとの界面に中空のトンネルを有するとい
う極めて特殊なものであるので、理論解析からは良好な
特性を示すことが予測されても、その形状を実際に製造
するのは困難であるということが挙げられる。
特に、第7図かられかるように、低屈折率部分である中
空部73はコア71の全周を囲むわけではなく、コア7
1の一部に接するだけである。従って、コア71と中空
部73との接触面積があまり小さいと、コア71の中の
電磁界エネルギーが外に漏洩しにくくなり、HE++モ
ードにカットオフ状態が生じなくなる。そこで、絶対単
一偏波ファイバとするためには、コア71と中空部73
との接触面積を大きくする必要があり、そのためには中
空部73の断面積を太き(しなければならない。このよ
うなサイドトンネル型ファイバを確実に製造することは
極めて困難であった。
かくして、本発明の目的は、絶対単一偏波帯域を有する
とともに確実且つ容易に製造することのできるサイドト
ンネル型定偏波光ファイバを提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明者等は、容易且つ確実に製造することができるサ
イドトンネル型定偏波光ファイバを種々研究した結果、
コアの全周を屈折率の小さい低屈折率部および内側クラ
ッドでとり囲み、さらにそれらを屈折率の大きい外側ク
ラッドで内包して非軸対称のW型用折率分布を形成する
ことが有効であることを見出した。
すなわち、本発明のサイドトンネル型定偏波光ファイバ
は、コアと、該コアを内包する内側クラッドと、該内側
クラッドを内包する外側クラッドと、前記コアに接し且
つ前記コアの両側に設けられた低屈折率部とを具備し、
前記内側クラッドは前記コアより小さい屈折率を有し、
前記外側クラッドは前記内側クラッドより大きい屈折率
を有し、さらに前記低屈折率部は前記内側クラッドより
小さい屈折率を有することを特徴とする。
心理 以上のようなサイドトンネル型定偏波光ファイバの構成
例を第1図に示す。すなわち、この光ファイバは、屈折
率noのコア11と、コア11を内包 ゛する屈折率n
1の内側クラッド12と、内側クラッド12を内包する
屈折率n2の外側クラッド13と、コア11の両側に設
けられた屈折率n3の低屈折率部分4から構成されてい
る。
そして、各屈折率n。s n Is n 2およびn3
の間に、n(1>n+>na  且つ n2>n。
なる関係を持たせることにより、第1図に示すファイバ
のX軸方向およびy軸方向の屈折率分布はそれぞれ第2
図(1)および(2)のように表わされる。
すなわち、X軸方向には屈折率の溝が深いW量分。
布、y軸方向には屈折率の溝が浅いW量分布がそれぞれ
形成される。
このように、本発明のサイドトンネル型定偏波光ファイ
バでは、コア11の全周にわたってW型用折率分布が形
成されるので、コア11と低屈折率部14との接触面積
が小さくてもHE、、モードにカットオフ状態が生じる
。また、このW型用折率分布はX軸方向とy軸方向とで
はその分布形状が異なり、非軸対称となっているので、
直交する2つの偏波モードHE11XおよびHE、、y
にそれぞれ異なるカットオフ波長が存在する。
従って、本発明によれば、コア11に接する低屈折率部
14の断面積が小さくても絶対単一偏波帯域を有するこ
とができる。
なお、第1図では、内側クラッド12が低屈折率部14
によって2つに分割されているが、低屈折率部14は、
内側クラッド12を2分割している必要はなく、コア1
4の両側に接していればよい。
また、本発明によるサイドトンネル型定偏波光ファイバ
は、好ましくは、低屈折率部が中空であり、コアがSi
O2ガラスからなり、内側クラッドが5iOa−Fガラ
スからなり、外側クラッドが、内側クラッドよりもフッ
素濃度の低いSiO,−Fガラスあるいは5iOaガラ
スからなる。
なお、上記した材料は、例示に過ぎず、屈折率減少ドー
パントとしては、フッ素だけでなく、ホウ素などの他の
材料を使用することもできる。
また、屈折率増加ドーパントであるGeO2等を310
2ガラスに添加すると、その5iOzガラスは大きな熱
膨張係数を有するようになるが、フッ素は逆にSi O
,ガラスの熱膨張係数を小さくする働きがある。このた
め、上記したようなりラッドの屈折率を減少させた、5
iO−zコア/5102−Fクラッド構造のファイバで
は、コアの屈折率を増加させた、5tO2−Ge02コ
ア/Si O−クラッド構造等の7フイバに比べて、製
造時にクラッドからコアに加えられる応力が小さいので
、コアにひび等が入りにくくなり、ファイバ作成が容易
となる。
さらに、フッ素が添加されると、SiO2ガラスは粘度
が低下するので、コアおよび外側クラッドよりもフッ素
の添加濃度の高い内側クラッドが最も低粘度となり、製
造時のプリフォームにはW型の粘度分布が形成される。
従って、低屈折率部を中空としても、この中空部分に接
している内側クラッドの粘度が低いので、プリフォーム
線引時に中空部分がつぶれにくくなり、ファイバを形成
しやすくなる。
更に、コアとして純粋5102ガラスを用いると、屈折
率を制御するためのドーパント添加により生じる散乱損
失の増加がないのでファイバがより低損失になるととも
に、耐水素特性および耐放射線特性が優れたものとなる
ことがそれぞれ次の■、■の文献に示されている。
■[各種光ファイバの水素雰囲気昇温特性」真田和夫、
小林俊明他、昭和59年度電気通信学会総合全国大会予
稿集 ■「耐放射線光ファイバの開発」 椋梨浩明、渡辺稔他
、住友電気昭和59年9月第123号なお、低屈折率部
は中空に限るものではなく、フッ素濃度の高いSiO□
等、内側クラッドより小さい屈折率を有する物質で構成
してもよい。しかしながら、本発明によれば、前述した
ように低屈折率部の断面積が小さくて済み、′さらに製
造時に熱膨張によって生じる応力が小さく、また内側ク
ラッドの粘度が低いので、低屈折率部を中空としても確
実にファイバを形成することができる。そこで、低屈折
率部を中空とすれば、内側クラッドより屈折率の小さい
物質を用いる手間が省けるので、より一層、ファイバ形
成が容易となる。
このように、Si O−ガラスに添加されるフッ素の濃
度を調整すれば、絶対単一偏波帯域を有する定偏波光フ
ァイバを容易且つ確実に形成することができる。
また、本発明の定偏波光ファイバは、非軸対称のW型屈
折率分布を有しているので、HEl、″モードおよびH
E 、’、’モードがともに伝搬する波長域においては
これら2つの偏波モードに対して複屈折性を示す。従っ
て、上記の波長域では従来の定偏波光ファイバと同様に
、本発明によるファイバを複屈折型ファイバとして用い
ることができる。
実施例 以下、本発明の実施例について添付図面を参照して説明
する。
第1図に示す構成のサイドトンネル型定偏波光ファイバ
を作成した。
まずコアll用の直径1.OmmのSiO2ガラスと、
内側クラッド12用のフッ素を1.2重量%含有する直
径5.0mmの5iO2−Fガラスと、外側クラッド1
3用のフッ素を0.3重量%含有するSiO□−Fガラ
スからなる、半径方向に三層構造の直径28mmのガラ
スロッドをVAD法で形成する。そして、このガラスロ
ッドの断面において一直径上で且つコア11の両側の内
側クラッド12の部分に直径3mmの孔を2つあける。
次に、これらの孔の中にSFsを流し込みながらガラス
ロッドを加熱することによって孔の表面をプラズマエツ
チングする。その結果、孔の径が拡大されるとともに、
孔の表面が滑らかに研摩される。そして、2つの孔がコ
ア11に達して、孔の表面にコア11が露出するまでエ
ツチングが行なわれる。このようにして、プリフォーム
が得られる。
その後、プリフォームの2つの孔内にN2を流して孔内
の圧力を調節しながら、抵抗炉を用いて外径150μm
に線引し、第1図に示すようなサイドトンネル型ファイ
バを形成した。
以上のようにして形成された本実施例のファイバの測定
データを以下に記す。
波長0.633μmのHe −Neレーザを光源として
ビート長を測定しようとしたところ、ビートが観察され
ず、ファイバ内での偏光状態はファイバの長手方向にお
いてほぼ一定であり均一性のよいファイバであることが
確認された。
また、上記の光源を一用いて円偏光を本実施例のファイ
バに入射し、出射端でのHE、、XモードおよびHE、
、’モードの各強度PXおよびPyを測定して、ファイ
バ長に対する消光比1101o P y / P Xの
関係を調べたところ、第3図に示すような結果が得られ
た。すなわち、例えば、ファイバ長100mでは消光比
が一30dBにもなり、波長0.633μmの光に対し
てHE、lXモードは伝搬するが、HE I+ yモー
ドは損失が大きくほとんど伝搬しないことがわかる。
さらに、本実施例によるファイバのHE、、にモードお
よびHE、、’モードの損失波長特性を調べたところ、
第4図に示す結果が得られた。第4図かられかるように
、HE11″モードおよびHE、、’モードのカットオ
フ波長はそれぞれほぼ0.60μm10.70μmとな
り、これらカットオフ波長間の帯域はHE、、Xモード
のみを伝搬する絶対単一偏波帯域となっている。
なお、上記実施例では、ガラスロッドの形成方法として
VAD法を用いたが、MCVD法あるいは0■P○法を
用いてもよい。
また、ガラスロッドの孔表面のエツチングはSFsの他
、CF、等を用いたプラズマエツチングでもよい。
さらに、プリフォーム線引時の加熱源としては、CO2
レーザおよび超高純度カーボン炉等を使用することもで
き、また孔内の圧力調節用の気体はN2に限るものでは
なく、5i02に対して反応しない他の気体でもよい。
発明の詳細 な説明したように本発明によれば、HE、、Xモードと
HE r 、’モードのうち一方のみがカットオフ状態
となる絶対単一偏波帯域が存在し、唯一の偏波モードの
みを伝搬することができる。従って、上記した本発明の
定偏波光ファイバは、ファイバセンサに適用されると非
常に感度を高め、さらにファイバのみでポーラライザが
実現される等、光通信や計測その他の分野において非常
に有用なものである。
さらに、本発明の定偏波光ファイバは容易且つ確実に製
造し得る構成を有しているので、本発明によればサイド
トンネル型定偏波光ファイバを安価に多量に製造するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のサイドトンネル型定偏波光ファイバの
1構成例を示す断面図、 第2図(1)および(2)はそれぞれ第1図の構成例の
X軸方向およびy軸方向の屈折率分布図、第3図および
第4図はそれぞれ本発明の実施例のファイバ長に対する
消光比を示す図および損失波長特性図、 第5図、第6図および第7図はそれぞれ従来の定偏波光
ファイバの断面図である。 〔主な参照番号〕 11.51.61.71・・コア、

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)コアと、該コアを内包する内側クラッドと、該内
    側クラッドを内包する外側クラッドと、前記コアに接し
    且つ前記コアの両側に設けられた低屈折率部とを具備し
    、 前記内側クラッドは前記コアより小さい屈折率を有し、
    前記外側クラッドは前記内側クラッドより大きい屈折率
    を有し、さらに前記低屈折率部は前記内側クラッドより
    小さい屈折率を有することを特徴とするサイドトンネル
    型定偏波光ファイバ。
  2. (2)前記低屈折率部が中空であることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項に記載の定偏波光ファイバ。
  3. (3)前記コアはSiO_2ガラスからなり、前記内側
    クラッドはSiO_2−Fガラスからなり、前記外側ク
    ラッドは、前記内側クラッドよりもフッ素濃度の低いS
    iO_2−FガラスあるいはSiO_2ガラスからなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の定偏波
    光ファイバ。
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