JPH02205048A - 半導体ウェハのプロービング方法 - Google Patents

半導体ウェハのプロービング方法

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Publication number
JPH02205048A
JPH02205048A JP2426689A JP2426689A JPH02205048A JP H02205048 A JPH02205048 A JP H02205048A JP 2426689 A JP2426689 A JP 2426689A JP 2426689 A JP2426689 A JP 2426689A JP H02205048 A JPH02205048 A JP H02205048A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
chips
defective
stage
probing
Prior art date
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Pending
Application number
JP2426689A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Sato
正登 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2426689A priority Critical patent/JPH02205048A/ja
Publication of JPH02205048A publication Critical patent/JPH02205048A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体ウェハプローブ装置を用いた半導体ウェ
ハプロービング方法に関する。
[従来の技術及び発明が解決すべき課題]従来から半導
体ウェハプローブ装置は、測定ステージに載置された半
導体ウェハに規則的に多数形成されたチップの電極に、
プローブカードに植設され測定装置に接続されたプロー
ブ針を接触させチップの電気的特性を測定してプロービ
ングを行っている。そして予めメモリーされている標準
値と比較し一致すれば良品、不一致ならば不良品と判別
し、良品、不良品のマツプをメモリーすると共に不良品
にはインカー等でマーキングを行っている。しかし、マ
ーキングのミスにより検査の結果良品と判定されたチッ
プにインクが飛び散りインクが付着したり、検査の結果
不良品と判別されたチップにインクの出が悪くマーキン
グされない場合などが生じる。そのためプロービング終
了後良品のチップをカウントし、プローブ装置の検査結
果に基いた良品チップ数と比較し、マーキング装置の誤
動作の発見に努めている。
しかし、このカウントはプロービング終了後半導体ウェ
ハはプロービングを行う測定ステージに載置したままプ
ローブカードを半導体ウェハ上から離し、カウント工程
用のTVカメラを半導体ウェハ上に設置し、半導体ウェ
ハに照射された光の反射光をTVカメラで撮像し、電気
信号に変換して良品のカウントを行うものである。その
ためカウントを行っている間はプロービングは行えず、
効率的にも経済的にも非常にロスが多かった。
本発明は上記の欠点を解決するためなされたもので、簡
単にしかも稼動効率のよいプロービング方法を提供する
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段] 以下の目的を達成するために本発明の半導体ウェハのプ
ロービング方法は、半導体ウェハ上に規則的に多数形成
されたチップの電気的特性を順次測定し、該チップの良
品、不良品を判別し、該不良品にマーキングした後アン
ロードして前記良品をカウントする。
[作用] 本発明の半導体ウェハのプロービング方法は、被検査半
導体ウェハを収納部より取り出し、ローダ部に設けられ
たステージ上に載置して粗アライメントして測定部に搬
送され測定が行われた後アンロードされアンローダ部(
ローダ部と兼ねる場合はローダ部)のステージ上に載置
してカウントを行うものである。このためプロービング
を行いながらカウントも同時に行えるためカウントのた
めにプロービング工程が中断されることがない。
せを行うx、y、z方向及びθ回転駆動機構を備えてい
る。チャックトップ10上で半導体ウェハ2の位置合わ
せ後、半導体ウェハ上にテストヘッド11を下げ(図で
はテストへラド11は上がった状態を示す)テストへラ
ド11にセットされたプローブカード12のプローブ針
13を半導体ウェハ2−1上に形成されたチップの電極
に接触させて測定装置(図示せず)と導電して電気的特
性の測定が行われる。そして予めメモリーされている椋
準値と比較し、一致すれば良品チップ、不一致ならば不
良品チップと判別し、良品、不良品のマツプをメモリー
すると共に、第2図の半導体ウェハの正面図に示すよう
に良品チップ14aについてはマーキングされないが、
不良品チップ14bについてはインカー15等のマーキ
ング装置により印を付す。測定終了後、半導体つ王ハ2
−1はハンド8bに設けた吸着等の手段(図示せず)に
よりアンローダ部16にアンロードきれ、アンローダ部
に設けられたステージ7bに搬送される。
それと同時にローダ部6のステージ7a上に搬送[実施
例] 本発明の半導体ウェハのプロービング方法を実施する一
実施例のプローブ装置を図面を参照して説明する。
第1図はプローブ装置の概略斜視図であって、プローブ
装置1には半導体ウェハ2が複数例えば :25枚収納
されたキャリア3がセットされる収納部4が設けられる
。キャリア3は垂直移動機構(図示せず)により垂直移
動されるようになっており例えば下段に収納された半導
体ウェハ2−1から1枚ずつ搬送装置5aによりローダ
部6に設けられたステージ7a上に載置される。ステー
ジ7aはx、y、z方向に移動及びθ回転可能な機構(
図示せず)に接続されステージ7a上に載置された半導
体ウェハ2−1の粗アライメントを行゛′う。位置合わ
せ済の半導体ウェハ2−1は回転駆動と垂直駆動装置に
接続されたハンド8aにより吸着等の方法により測定部
9に搬送されチャックトップ10上に搬送される。チャ
ックトップ10は載置された半導体ウェハ2−1の正確
な位置合され粗アライメント済の半導体ウェハ2−2が
チャックトップ10上に搬送されて測定が開始される。
 アンローダ部16に搬送されたステージ7b上の半導
体ウェハ2−1はx、 y、・2方向及び回転駆動機構
(図示せず)に接続されたステージ7b□により正確に
位置決めされた後J′良品チップ14aのカウントが行
われる。ステージ7bの上方にはTVカメラ17が設置
されており、TVカメラの横に設置されている光源(図
示せず)からの光を収束レンズ18により集光し半導体
ウェハ2−1の1チツプ上に照射し、その反射光をTV
カメラ17により撮像し電気信停に変換し1画像情報出
力をメモリーに記憶する。メモリーされた画像情報と予
めメモリーされている測定前めマーキングされていない
チップの画像情報(基標データ)と比較し、一致すれば
良品チリプとしカウントし、表示用デイスプレィ1′9
に表示する。インクが付されたチップは不一致となりカ
ウントされない。半導体ウェハ2−1の各チップ毎に順
次上記操作を繰返し、良品チップと不良品チップの数を
知ることができる。そして、カウント表示数とプロービ
ング測定後にメモリーされている良品チップの数と比較
して、マーキングの誤操作を判別することができる。比
較数値が一致すれば誤操作がなかったと判定でき、不一
致の場合は飛散インキ等が原因である事が多く、インキ
の面積や形状等で誤操作を見極める事ができる。その後
、半導体ウェハは搬送装置5bによりアンローダ部16
より搬送され、収納容器に収納され操作を終了する。
以上のような構成のプロービング装置を用いることによ
りカウント操作に要する時間はプロービング時間より短
いため、プロービングの装置を止めることなく順次プロ
ービングを行いなから同時進行してカウント操作をする
ことができる。
以上の説明はローダ部、アンローダ部を備えたプローブ
装置を用いた実施例であるが、本発明は上記実施例に限
定されずアンローダ部をローダ部と兼用にしたプローブ
装置でもカウントをローダ部に於いて実施できることは
いうまでもないことである。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明の半導体ウェハ
のプロービング方法によれば、良品、不良品チップのカ
ウントをアンローダ部で行うことにより、プロービング
を中断することなく連続してプロービングしながらカウ
ント操作を行うことができる。そのため、高価なプロー
ビングを効率よ〈実施することができ、歩留りのよい作
業を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体のウェハのプロービング方法の
一実施例を実施するためのプロービング装置の視斜図で
あり、第2図は一実施例を説明するための半導体ウェハ
の正面図である。 1・・・・・・・・プローバ 2.2−1.2−2・・・・・・・・半導体ウェハ14
a・・・・良品チップ 14b・・・・不良品チップ 代理人 弁理士  守 谷 −雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェハ上に規則的に多数形成されたチップの電気
    的特性を順次測定し、該チップの良品、不良品を判別し
    、該不良品にマーキングした後アンロードして前記良品
    をカウントすることを特徴とする半導体ウェハのプロー
    ビング方法。
JP2426689A 1989-02-02 1989-02-02 半導体ウェハのプロービング方法 Pending JPH02205048A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60211956A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd プロ−ビングマシン
JPS6399541A (ja) * 1986-10-15 1988-04-30 Tokyo Electron Ltd 半導体ウエハプロ−バ装置
JPS63127545A (ja) * 1986-11-17 1988-05-31 Tokyo Electron Ltd プロ−ブ装置

Patent Citations (3)

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