JPH021998A - ガスレーザー装置 - Google Patents

ガスレーザー装置

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JPH021998A
JPH021998A JP63143944A JP14394488A JPH021998A JP H021998 A JPH021998 A JP H021998A JP 63143944 A JP63143944 A JP 63143944A JP 14394488 A JP14394488 A JP 14394488A JP H021998 A JPH021998 A JP H021998A
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discharge
cathode
sputtering
anode
titanium oxide
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JP63143944A
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Kiyohisa Terai
清寿 寺井
Koichi Nishida
西田 公一
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、放電電極をレーサー媒質ガス中に位置するよ
うに設けるタイプのガスレーザー装置に係り、特にその
放電電極の材質を改良したものに関する。
(従来の技術) この種のガスレーザー装置としては、例えば加工用CO
2ガスレーザー装置がある。その基本的構成は、レーザ
ー媒質ガスが充満する放電部に例えばすたれ状のアノー
ドと、これに向かうように折れ曲かるし字ビン状の多数
のカソードとを対向して設け、これらの放電電極間にバ
ラスト抵抗を介して高圧直流電源を接続することにより
画成電電極間でグロー族−はを起こさせてレーザー媒質
ガスを励起するものである。この場合、レーサー媒質ガ
スは、温度上昇を抑えるため熱交換器を通して循環され
、放電部内ではカソード側か上流となりアノード側に向
かうように流される。そして、画成電電極の1質として
は、高融点であることに石Hして一般にはモリブデンが
採用されていた。
(発明が解決しようとする課題) ところで、特に、研究用1ではなく加工用として生産ラ
インに導入されるレーザー装置では、そのメンテナンス
周期は生産性に大きな影響を与えるから、それが極力長
いことか望ましい。しかるに、従来のCO,ガスレーザ
ー装置では、放電電極のメンテナンスを怠るとbk電電
題が劣化し、放電部における放電がグロー放電からアー
クh(電に移行するという現−gが発生することから、
比較的短期間で放電電極のメンテナンスを繰り返さねば
ならないというのが実情であった。因みに、従来の例え
ばいわゆる横流形の5KW機では最大約200時間程度
かメンテナンス周期の限界と4なっていた。
そこで、本発明賃らは放電電極の劣化メカニズムをシ!
jべるため多くの実験・分析を繰り返し、次のような“
jf実を究明した。ます、モリブデン製のカソードは、
グロー放電時の11−イオンの衝突により物理的なスパ
ッタリング作用を受ける。また、モリブデンは昇華lH
度か約700 ℃以上と低いため、化学的なスパッタリ
ング作用も受は易く、双ノjのスパッタリングにより次
第に消耗する。この場合、長時間使用した後のモリブデ
ン製カソードを検査すると、表面に結晶粒界に沿った網
[1状突起が観察され、スパッタリングが不均一に行わ
れていることが明らかにされた。更に、表面には薄い酸
化膜が形成されていた。この酸化膜の存在は、レーザー
媒質ガス(He / N2 / C02−50: 45
:5)中に酸素か極微量含まれるために生成したと考え
られる。
−Jj、長時間使用した後のモリブデン製アットには、
カソードに而する片側に約1〜2μm程度の堆積物と、
所々に外径約100μI11程度の黒い突起物か観察さ
れた。この堆積物は、非晶質のM o O3であり、か
つカソード側に偏っていることから、上述のようなカソ
ードにおけるスパッタリングによって飛散した物質が、
放電部におけるレーザー媒質ガスの流れに乗してアノー
ド側に移行し、ここに堆積したものと行えられる。また
、堆積物上の突起物の分)11結果は炭素であったこと
から、これかマイクロアークの発生点であることか推測
された。
さて、これらの分)Ii結宋に基つき推測される放電電
極の劣化からアーク発生に至るメカニズムは次の通りで
ある。放電部におけるグロー放電によりモリブデン製の
カソードがスパッタリング作用を受け、アノード上に不
均一に堆積する。この堆積物はモリブデンの酸化物であ
るため絶縁性があり、このためアノード表面の所々で電
界集中が生ずる。−h゛、カソード上にも不均一なスパ
ッタリングにより網目状突起が発生するため、これも電
界集中の原因となる。このような電界集中の結果、マイ
クロアークが発生し、このマイクロアークの発生点が多
くなると、電界かその点に一層集中する傾向を呈し、放
電人力の不均一性が苫しくなる。
そして、放電人力が局部的にアーク限界以上となり、つ
いには放電部全体がアークh′i電に移行してしまうの
である。
以上述べたように、従来のガスレーザー装置では、カソ
ードのスパッタリングによりアノード上に酸化物か堆積
し、このような放電電極の劣化によりアーク限界か低く
なって短期間でのメンテナンスを強いられるという問題
があったのである。
従って、本発明のrl的は、放電電極の劣化を極力防1
1−できてメンテナンス周期を長くすることができるガ
スレーザー装置を提供するにある。
[発明の構成] (課題を解決するためのL段) 本発明のガスレーザー装置は、放電電極間における/+
に電によりレーザー媒質ガスを励起するようにしたもの
において、少なくとも一方の放電電極のうち少なくとも
放電点灯領域表面を酸化チタンとしたことを特徴とする
ものである。
(作用) 酸化チタンは極めて安定な物質であるから、スペッタリ
ング率が小さく物理的スパッタリングを受けにくい。ま
た、高温でも蒸気圧が低いから、化学的スパッタリング
も受けにくい。因みに、蒸気圧がIOTorrとなる〆
温度は、M o O+では約490℃で、Ti 02で
は約1530℃である。このため、他ノjの電極にスパ
ッタリングに起因する絶縁性堆積物を生じさせにくく、
これによる電界集中を抑制できる。一方、酸化チタン自
体の表面状態も安定であるから、これにても電界集中か
牛しにくい。そして、このようにして放電電極の劣化を
防市できるから、長期間にわたり安定な放電を維持させ
ることかできるようになる。
(実施例) 以下、本発明を加1ユ川のCO2ガスレーサー装置に適
用した一実施例について第1図ないし第4図を参照して
説明する。
全体的構成は第3図に示しである。1はh’を主部で、
その内部をレーザー媒質ガスが図中ノ、:、から右に向
かって流れるようになっており、そのガスは図示しない
熱交換器で冷却されて再び放電部1に戻るように循環す
る。この実施例ではレーザー媒質ガスは、He / N
2 / C02−so: 45: 5の成分比であって
、その他、不可避的に混入した極微量の酸素等が存在し
ているものと煮えられる。
2は放電電極の一方を(h成するアノードで、これは例
えば上ド方向に延びる直線状の細棒電極からなり、すだ
れ状をなすように多数本が近接して並べられている。こ
のアノードは、ここではステンレス製である。
一方、3はbk電電極の他方を構成するカソードで、こ
れはL字形に屈曲させた細棒電極からなり、先端をアノ
ード2に向けた状態で多数本が近接して並べられている
。このカソード3と上記アノード2との間にはバラスト
抵抗4を介して直流電源5が接続され、これにてカソー
ド3及びアノード2間にグロー放電(放電領域を第3図
中に交差斜線を付して示す)が生ずるようになっている
。このようなグロー放電の結果、レーザー媒質ガス中の
C02か励起され、図示しない周知の共振器間でレーサ
ー発振か行われる。この場合の、光軸は第′3図中に符
号「6」で示しである。
そして、上記カソード′3は、母材はチタン製であるか
、その先端の放電点灯鎖酸表面はレーザー媒質ガス中に
含まれる微量の酸素により酸化され、第1図に模式的に
示すように、酸化チタン薄膜7がj]工成されている。
さて、上記構成によれば、放電によってカソード3がス
パッタリング作用を受けても、カソード3のh(電点灯
領域表面はスパッタリング率がとしく低い酸化チタン薄
膜7により覆われているから、スパッタリング量自体が
極めて少ない。また、酸化チタンは安定な物質で高温ド
でも蒸気圧か極めて低く、化学的スパッタリングも生じ
にくい。このため、アノード2上への堆積物の量は従来
のモリブデン製カソードを使用する場合に比べて激減し
、その分、アノード2表面における電界集中ひいてはマ
イクロアークの発生を回避できる。また、酸化チタン薄
膜7は安定であるから、従来のモリブデン製カソードの
場合のように不均一スパッタリングに起因するカソード
3表面の電界集中が生じ難く、この面からもマイクロア
ークの発生を抑制することができる。これらの結果、本
実施例によれば、アノード2やカソード3の劣化を防市
して安定的な放電を長時間にわたり維持することができ
、メンテナンス周期を長くできて生産ラインの生産性を
大幅に高めることかできる。因みに、(黄流形の5KW
機における実用放電人力と放電時間との関係を実験によ
り求めると、第4図に示す通りとなり、従来のモリブデ
ン製カソードでは徐々に実用放電人力が低下し、約10
0時間が寿命とかえられるところ、本実施例のチタン製
カソードによれば、200時間を経過しても実用Jlk
l入電は極めて大きく維持できた。また、チタン製カソ
ードの200時間後における直径減少は約9μmであっ
たから、これからp出されるチタン製カソードの寿命は
、実に約1万時間である。また、ステンレス>2アノー
ド2に堆積する堆積物の除去周期は、従来は最大約20
0時間程度であったか、スパッタリング量の少ないチタ
ン製カソード3を使用した本実施例では、7.5倍の約
1500時間に延ばすことができた。尚、チタン製カソ
ード3では、第4図から理解されるように放電開始初期
には実用放電人力が低く、放電を重ねるにつれてそれが
上yI′する傾向を呈する。これは製品用1°:j時の
いわゆるベーキングを長めに実行することにより、1.
1向背品の実用放電人力を十分に薗く1役定できること
を意味する。
尚、上記実施例では直流放電をIII III した2
輔直交形CO2ガスレーザー装置に適用した例を示した
が、本を明はこれに限定される・ものではなく、/jk
電電極電極−ザー媒質ガス中に位置する(1“IS造の
ものに広く適用でき、交流放電タイプのものでも、或い
はいわゆる軸流形や3軸直交形の!g造のものでも良く
、またレーザー媒質ガスの種類も間わない。また、放電
電極の形状をlj目)す、例えば第5図に示したような
Σ形のカソード3にも適用することができる。
第6図は、本発明をパルスレーザ−装、置に適用した第
2実施例を示す。ここでは、放電部8の上ドにチタンを
母材としたカソード9とアノード10とをり・1向する
ように配置し、これらにパルス電源11を接続している
。このカソード9及びアノード10の双方の放電電極の
放7u点灯領域表曲には、やはりl’−J祠チタンの酸
化により酸化チタン膜か形成されている。尚、この構造
の場合、レーサー媒質ガスの流h゛向は左右いずれのノ
j向を向いていても良い。このように(1η成しても、
前記第1実1直例と同様な効果を青ることかできる。
〔発明の効!!] 本発明は以上述べたように、少なくとも−h゛の放電電
極のbk電電点領領域表面酸化チタンとしたから、スパ
ッタリングを受けにくく、また表面状態も安定であるか
ら、長期間にイ〕たり安定な放電を維持でき、もってメ
ンテナンス周期を長くすることかできるという優れた効
果を奏するものである。
4 図面のfRf ’l’−な説明 第1図ないし第4図は本発明の第1大晦例を示し、第1
図はカソードの断面図、第2図は同斜視図、第゛3図は
放電部の断面図、第4図は天川放電人力とhk電電量間
の関係を示すグラフ、第5図は放’ib ’−h wの
変形例を示す第2図)tl当図、第6図は本発明の第2
実施例を示す第3図相当図である。
図面中、1.8は放電部、2.TOはアノード(放電電
極)、3.9はカソード(放電部l!1li)である。
出願人  株式会社  東  芝 第 3 図 第 2 図 第 4 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.レーザー媒質ガス中に位置するように放電電極を設
    け、この放電電極間における放電により前記レーザー媒
    質ガスを励起するようにしたものにおいて、少なくとも
    一方の前記放電電極のうち少なくとも放電点灯領域表面
    は酸化チタンであることを特徴とするガスレーザー装置
JP63143944A 1988-06-10 1988-06-10 ガスレーザー装置 Pending JPH021998A (ja)

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DE89109725T DE68911595T2 (de) 1988-06-10 1989-05-30 Gas-Laserapparat.
KR1019890007929A KR920010602B1 (ko) 1988-06-10 1989-06-09 가스 레이저 장치

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