JP3932207B2 - 無線周波数励起導波レーザ - Google Patents
無線周波数励起導波レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3932207B2 JP3932207B2 JP53988798A JP53988798A JP3932207B2 JP 3932207 B2 JP3932207 B2 JP 3932207B2 JP 53988798 A JP53988798 A JP 53988798A JP 53988798 A JP53988798 A JP 53988798A JP 3932207 B2 JP3932207 B2 JP 3932207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- laser
- housing
- mirror
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/0315—Waveguide lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/07—Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
- H01S3/073—Gas lasers comprising separate discharge sections in one cavity, e.g. hybrid lasers
- H01S3/076—Folded-path lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、無線周波数(以下、「RF」という)励起導波レーザ、特に、RF励起導波レーザの構成部材の改良に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
一般に、分布インダクタンスを有するRF励起導波レーザが知られている。先行技術の図1に、アメリカ特許4,787,090(以下、「特許090」という)に開示された従来のRF励起導波レーザを示す。特許090は、金属製ハウジングに挿入された分布インダクタンスRF励起導波レーザ装置を開示している。上記金属製ハウジングは真空ハウジングであるとともに、共振器ミラーを支持する構造になっている。特許090は、金属製ハウジング内に挿入されたRF励起導波レーザ装置の一つの表面に、外部締め付け板を押し付けて、挿入された装置を締め付けることを教示している。しかし、実際には、上記締め付け方法にはレーザの精度および性能に悪影響を及ぼす多くの問題があることが判明した。例えば、締め付ける力の強さを制御することが難しく、その結果、締め付ける力が強すぎて、内部のセラミックス導波構造を破損してしまうことがある。更に、上記締め付け装置では、真空ハウジングの一つの面が非常に薄く、締め付け板によって変形する可能性がある。更にハウジングの強度が低下し、レーザの光整列の安定性を損なう。
【0003】
先行技術の図2および3に、通常の電極を使用して、Z型光導波路構造内のガス放電を励起する従来の屈折導波路を示す。上記構造においては、全てのチャネル(経路)においてガス放電が起きる。上記導波路は、その中に導波チャネル6が形成されたセラミックス基材4からなっている。金属電極8がセラミックス基材4の両面に設置されている。この状態でRFエネルギーが与えられると導波路の中でプラズマ放電が起きる。導波チャネルの交差部分12では、導波チャネルのその他の通常の部分におけるよりも実質的に高電流であり、その結果、交差部分のプラズマは相対的に温度が高く、強度が高いことが判明した。上述した不均一なガス放電の状態は、レーザ変換効率を低下させ、交差部分で電極のスパッタリング(飛散)が生じることがある。
【0004】
先行技術の図4に、U型孔導波スラブを含む、従来のZ型導波路共振器の配置を示す。Z型は、導波チャネル6の配列がZの形をしていることを意味する(即ち、3つの導波チャネルであって、それぞれが導波路を横切って通過する)。反射ミラー11がチャネル6に隣接して位置している。出力レーザビームは、透過ミラー13を通って放出される。
【0005】
先行技術の図5には、従来の導波路に使用されている導波チャネルの端部を示す。図示されているように、従来の導波チャネルは円形、四角形、およびU形の断面を有している。各チャネルは、概ね1対1の縦横比(高さと幅の比率)を有している。各導波チャネルの端部に位置するミラー11および13(図4参照)は、同時に多数の要件を満たす光マウント(光学機材搭載装置)に搭載されている。
【0006】
第1の要件は、ガス封入器の真空度を損なうことなく、ミラーの角度設定が行われなければならないことである。
【0007】
第2の要件は、上記設定は広範な環境条件において、安定していることである。更に、高出力レーザにおいては、上記光マウントはミラーの光基材から余剰の熱を取り除いて、潜在的な損傷および表面形状の歪みを極小化することである。これらは、矯正しないで放置すると、性能の低下および信頼性の低下に結びつく。角度を安定に維持し、且つ、表面形状を歪めることなく、共振装置をマウントに締め付けることは緊要であるが、達成が困難である。最後の要件は、商業的に有効であって、コストが安く、その適用が、マーケットにとっても経済的に通常認められるレベルであることである。
【0008】
先行技術の図6に、従来のガスレーザー共振器用の透過ミラーマウントを示す。上記ミラーマウントは、透過ミラー16を有する金属ポスト14を使用している。湾曲点の周りの湾曲部17は、真空封入器を通る角度を変える働きをする。ミラーマウントが、取り付けボルト19によって、(図示されていない)レーザハウジングに締め付けられることは公知である。「O」リング21および23によって、ミラーとレーザハウジングとが密封される。マウントの角度変化は、真空封入器の外側に位置する精密ねじ込み式調整ネジ18を使用して行われる。ネジ18は、順次、ポスト14に対して力を加える。上述したように、ポストは通常(図示されていない)レーザハウジングと一体的で、そして、レーザハウジングに密封される。多くの場合、4本の調整ネジ18は、直角方向に傾斜する動きをもたらすけれども、3点システムのようには安定していない。透過ミラーは、押圧キャップ20によって、「O」リング21に押圧された状態で固定されている。
【0009】
ミラー16をポスト14に取り付けるために用いられている従来の方法には、問題点がある。透過ミラー16(および図示されていない高反射ミラー)は、典型的に、ミラーに軸方向の力を加える押圧キャップ20を使用して取り付けられている。冷却目的のために、図7に示すように、高反射ミラーの背面に強く密着することが要求される。押圧キャップ20をそのように配置するためには、(図中矢印Fで示すように)ミラー16の軸方向の力が生じる。この力によって、ミラーの22の部分に歪みが生じ、ミラーの表面形状を損傷する。この問題点を解決する方法の1つは、ポストの端に古典的な3点接触でミラーを搭載することであるが、この方法によると、熱的な面を犠牲にしなければならない。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上述した問題点および従来技術の他の欠陥は、本発明の導波路レーザによって解決される。本発明の一態様によれば、導波路レーザは、中央開口領域を有する硬い金属のハウジング(24)であって接地電位にあるワンピース(one piece)のハウジング(24)と、その1つの表面に形成された少なくとも1つの導波チャネル(37)を有する1つの長いセラミックブロック(36)と、前記ハウジング中央開口領域の内面と前記セラミックブロック(36)の前記1つの表面との間に接触して配置された接地電極(32)と、前記セラミックブロックの反対側の表面と接触して配置された第2の電極(38)と、前記第2の電極(38)に電気接続されたインダクタ(40)と、前記インダクタ(40)と前記ハウジング(24)間に配置されたC型スプリング(26)であって、前記導波チャネル(37)と前記電極(32、38)に圧力を付与して、前記電極(32、38)およびセラミックブロック(36)を前記ハウジング(24)内に固定して保持するとともに、前記インダクタ(40)と前記ハウジング(24)間を低インダクタンスで接続するC型スプリング(26)とを備える。
【0011】
好ましくは、前記接地電極はチタン、チタンアルミナイド合金、金またはプラチナから形成される。
【0012】
好ましくは、前記接地電極はチタンから形成される。
【0013】
好ましくは、前記導波チャネルの幅が導波チャネルの高さよりも大きい。
【0014】
好ましくは、前記セラミックブロックに形成されて、導波チャネルとハウジングの中央開口領域との間でガスの通路を与える開口部が更に備えられる。
【0015】
好ましくは、導波チャネルからハウジングの中央開口領域に延伸するセラミックブロックに形成されて、導波チャネルとハウジングの中央開口領域との間でガスの通路を与える複数の開口部が更に備えられる。
【0016】
好ましくは、導波チャネルからハウジングの中央開口領域に延伸するセラミックブロックに形成されて、導波チャネルとハウジングの中央開口領域との間でガスの通路を与えるチャンネルが更に備えられる。
【0017】
好ましくは、前記セラミックブロックは3つの導波チャネルを備える。
【0018】
好ましくは、前記セラミックブロックは4つの導波チャネルを備える。
【0019】
好ましくは、前記セラミックブロックは5つの導波チャネルを備える。
【0020】
上述したこの発明の特徴および他の特徴ならびに利点は、次の詳細な記述および図面から、当業者は理解し、識別することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
図8に、先行技術の締め付け板の問題点を解決したこの発明の改良締め付け装置が示されている。レーザヘッド(または装置)23は、レーザヘッドの電気的アースとしての機能も併せ持つ1個(ワンピース)の金属ハウジング24を有している。金属ハウジング24内には、ハウジングと電気的に接続された金属電極38および非酸素放出・非微粒子放出電極32が配置され、セラミックス導波路36が両電極の間に位置している。導波路36は、その中に形成された導波チャネル37を有している。RF電源装置30は、同軸ケーブル25によって、真空密封されたRFコネクタ133を介して、そして、更に位相の一致した同軸ライン135によって、真空密封されたRFコネクタ137を介して、電極38に接続されている。内部冷却経路31を形成する冷却液封入プレート29が、ハウジング24に取り付けられている。なお、内部冷却経路31は、ハウジング24内に形成して、プレート29によって密封してもよい。セラミックス導波路36は、上下右左の全ての方向において、電極38および32の外方に張り出して、上下の電極の端において、電極間で放電が起きることを防止する。この導波路36の張り出し(または電極38および32の引き込み)によって、セラミックスの表面に沿う方向の電極間の電気抵抗が、導波路を通る方向の電極間の電気抵抗よりも全ての個所で確実に大きくなっている。
【0022】
分布インダクタンス40は、先行技術の図1に用いられているように、セラミックススペーサ28によって、電極38の上方に設置されている。分布インダクタンス40の一端は、ワイヤー141によって電極38と電気的に結合され、そして、分布インダクタンス40の他端は、金属製C型スプリング26によって、アースとして機能する金属ハウジングに電気的に結合されている。この発明のレーザ23は、先行技術において使用されている外部締め付け板、例えば、図1に示す締め付け板を除外した締め付け装置を備えている。外部締め付け板の代わりに、C型スプリング26とセラミックススペーサ28との組み合わせからなる装置を用いている。C型スプリングは、金めっきベリリウム−カッパー等の弾力性のある材料から作られている。C型スプリング26によって、所定の締め付け力、および、インダクタンス40と金属ハウジング24との間の低インダクタンス接続が得られる。この装置によって、非常に均一な締め付け力が得られ、その締め付け力は、セラミックス部材の破損を引き起こさない程度の大きさである。
【0023】
更に、この発明の締め付け装置によると、ハウジング24を薄くする必要が無いので、従来の装置に比して、ハウジングの堅固さを向上し、センタリングが安定する。更に、セラミックススペーサ28は単純な、2個の部材からなっており、図1に示す先行技術の装置に使用されるセラミックス部材よりもコストが低い。(低出力レーザに対しては)ハウジング24に取り付けられた金属フィン42によって空冷することができる。フィン24は、図に示すように、ハウジングの底部に取り付けるのが望ましい。(40W以上の)高出力レーザに対しては、冷却経路34の中を液体または圧縮空気を流す装置が用いられる。または、図に示されているように、上述した両方の方法を使用することができる。
【0024】
先行技術においては、電極としてアルミニウムが一般的に用いられている。アルミニウムは以下の点でこの装置の材料として優れている。即ち、安価である。電気抵抗が低く、熱伝導率が高い。酸素の減少を阻止する優れた酸化物を形成する。更に、CO2レーザと共通の波長において、導波路として使用するとき、伝搬損失が低い。残念なことに、アルミニウムの上に形成される固有の酸化物(Al2O3)の熱膨張係数は、アルミニウム基板の熱膨張係数と係数で3.5異なっている。レーザが起動、停止(スイッチオンおよびオフ)されたとき、またはパルスモードで操作されたときに生じる熱サイクルは、上記酸化物を損傷して、粒子を発散させる。これ等の粒子は、レーザの、高い光強度の導波路の中で直接生じるので、上述した飛散した粒子は加熱され、光学ミラーを損傷し、レーザの性能を低下させる。特に、垂直の位置でレーザが操作されるとき、その信頼性を低下させ、ある位置から他の位置への移動時または移動を伴う操作時には、移動の影響を受ける。
【0025】
上述した酸化物の飛散問題を低減するために、通常、アルミニウムに電解薄膜を施す。電解浴は、レーザガス媒質の汚染をさけるために特に清浄に保たなければならない。ガスを放出すると、レーザヘッドハウジング内でレーザガスと混合して汚染を引き起こす。電解浴の清浄性を保つために特別な配慮をすると、レーザの製造コストが高くなる。電解薄膜形成工程で析出した酸化物のガス放出に対して必要な追加の熱処理を行うと、追加の出費が必要になる。更に、電解薄膜形成によって、アルミニウムにおける上述した飛散の問題は軽減されるけれども、根本的にその問題は解決されない。
【0026】
本発明においては、図8に示した非酸素放出・非微粒子放出電極シム板32として、アルミニウムの代わりにチタンを使用することによって、上述した問題点を解決する。チタンおよびその合金の耐酸化性および耐腐食性は、400□未満の温度で優れている。800□未満の温度では、チタン−アルミナイド合金の耐酸化性は十分である。チタンおよびその合金は、空気中において、頑強な表面酸化物被膜を形成するので、熱伝導率およびRF抵抗に関してはアルミニウムほどは良くないという事実にかかわらず、この装置へ適用する利点がある。他の適切な材料は、金およびプラチナであるが、コストが高く、大きな装置に使用するには適していない。これ等の材料は、適切なコストにするために、導波路をカバーする金属電極の部分だけを覆う薄いフォイル(箔)の形で使用することができる。更に、上述した材料は、公知の薄膜析出技術(蒸着、スパッタリング等)によって、電極を覆う薄膜の形で析出させることができ、優れた耐酸化性/耐腐食性を示す。
【0027】
非酸素放出・非微粒子放出電極32は、チタン薄板の形状とすることができる。チタン薄板を使用することによって、この相対的に低い熱伝導材の温度上昇を最小化して、レーザガスの過度の温度上昇を防止する。しかしながら、容易な操作ができる厚さは必要である。この発明の態様においては、チタンシム電極は、1/4インチ以下の厚さを有している。
【0028】
図9および10には、この発明の1つの態様の、電極38および32の間に配置されたセラミックス導波路36が、導波チャネル37の配列とともに示されている。先行技術の図2および3を参照しながら述べたように、過度のプラズマ放電が導波チャネルの交差部分に生じる。図8および9に示された実施態様は、セラミックス導波路36と接触する相対的に厚いアルミニウム電極38を有しており、RF電気的接触は、(電気)ワイヤ141によって分布インダクタンス40に対してなされている。相対的に厚い電極は、ホットRF電極として機能するとともに、セラミックス導波路36から伝導によつて熱を除去する働きをする。チタン電極32は、装置の底部において導波チャネル内のプラズマと接触している。必ずしも必要ではないが、39で示される導波チャネルの各交差部分の上に、セラミックス製カバー48が使用されている。使用されるときには、セラミックス製カバーは、セラミックスサポート143および圧縮バネ145によってその位置に固定される。交差部分39の全域が金属電極32および38によって覆われないようにすると、交差部分内のプラズマは交差部分全域の80%以下を占める結果となる。好ましい実施態様においては、金属電極32および38は、各導波チャネルの交差部分39の所定部分まで延び(図9において「d」として示す距離)ており、所定部分の長さは非交差部分における導波チャネル37の幅の大きさに概ね等しい。これによって、交差部分39において高温強度のプラズマが生じないようにし、更に、その結果、高度に均一なポンピング、レーザ効率の向上およびレーザ寿命の向上をもたらす。セラミックス製カバー48は、金属電極32によって覆われていない導波チャネルの交差部分39を覆うように置かれる。セラミックス製カバーは導波路を延長して、レーザのモードの質を向上させる。このように配置することによって、プラズマの移動を共振器の光学器材から遠ざけて、レーザ寿命の向上に良い結果をもたらす。
【0030】
更に別の実施態様においては、セラミックスカバー48は取り除かれて、チャネルの交差部分39はカバーされない状態にある。セラミックスカバーを取り除くことによって、出力の低下は生じない。しかしながら、セラミックスカバー48を金属電極32によって覆われていない導波チャネルの交差部分の上に置くことによって、少し優れた質のモードが得られる。
【0031】
図11には、別の配置の導波チャネル37を有するセラミックス導波路36を示す。導波チャネル37a−37dは、リング共振器の形状が「ボウタイ(蝶ネクタイ)」または「8の字」を形成するように配置される。従って、導波チャネル37aおよび37bは実質的に平行であり、第3の導波チャネル37cは第1および第2導波チャネル37aおよび37bと斜めに交差する。第4の導波チャネル37dは第1および第2導波チャネル37aおよび37bと斜めに交差する。反射ミラー45、47および49、ならびに、部分反射ミラー51はチャネル37a−37dを通ってビームを誘導する。ミラー51は部分透過であり、導波路からレーザビームを出力する。更に、第5のミラー52は、従来から知られているように、導波路のビーム取り出し口(出力口)の近くに配置されて、リング共振器から出てくる所定値以下の小さい第2ビームを共振器の中にフィードバックする。このような配置によって、リングレーザの単一方向操作を可能にし、図11に示すように、1つの出力ビームを生じる。リング共振器においては、レーザ利得媒質の光学的長さを増大することによって、物理的に同一の大きさのレーザヘッドから、出力が増大したレーザを得ることができる。図9に示す導波路に、対角線の導波チャネル37dを追加して、リング共振器を構成することによって、出力を約25%増大することができる。図11に示すように、リング共振器の放電長さを長くすることによって、レーザ増幅器としても魅力あるものになる。図39に示すように、電極32および38に設けられた、図11に示す導波中央交差部63に一致する開口部61は、図9のチャネル交差部分に関して述べ、そして、図39に示すように、この交差部分における放電強度を低下させる。電極32が十分に厚いとき、電極32をサポートする金属レーザハウジングに、対応する開口部を設ける必要はない。開口部61における部分63を覆うように、セラミックス製カバー48と同様のセラミックス製カバー65を配置してもよい。
【0032】
図12A−図12Cには、符号55で指示される、高反射ミラーのための本発明による改良された光マウント(光学機材搭載装置)が一般的に示されている。光マウントはポスト54からなっており、ポスト54は所定の間隔をおいて設けられた複数のタブ56を有しており、タブ56はポスト54から内側に向って延び、そして、ポスト54の軸線方向と平行である。光学機材(例えば、反射ミラー、または、伝導(透過)ミラー)は、ポスト54の端部に置かれ、スペース58によって隔てられたタブ56によって囲まれている。次いで、圧縮リング60をタブの周りに嵌合し、そして、適切な道具61によって、ポストの縦軸方向に押し込む。これによって、タブ56は光学機材62に向って押され、光学機材62をポスト54に固定する。光学機材62に加わる上述した力は図12Aにおいて「F」の矢印で示されるように、半径方向(外周から中心に向う方向)である。即ち、光学機材の表面に直接力が加わることが無いので、光学機材62の表面の歪みが最小化される。光マウント55は、レーザの端部を密封(シール)する端壁部材に組み込むことができる。更に、レーザ、例えば、図11、33および34に示される屈折型の共振レーザの1つの端壁に複数個の光マウントを組み込むことができる。先行技術(図6、7参照)においては、共振器のミラーは、通常、光学機材(ミラー)に軸方向の力が加わる押圧キャップを使用して取り付けられていた。また冷却のためには、光学機材の背面への緊密な接触が必要とされていた。しかしながら、細心の注意をはらって準備しないと、基材に変形が生じて、光学機材の表面形状を損傷する。この問題点を解決するための1つの方法は、光学機材をポストの端部に3点接触で搭載することである。しかし、この方法によると、装置に熱に関する問題が生じる。
【0033】
これらの問題点は、この発明の光マウント55によって解決される。光マウントから光学機材、例えば、ミラー45、47、49または51に加えられる力は、軸線方向ではなく、半径方向であり、しかも、この力は光学機材の表面から十分後退した側面部分に加えられる。先行技術の図7を参照しながら述べたように、光学機材の表面に不均一に加えられる軸線方向の力によって、光学機材の表面が変形する。他方、この発明の図12Aに示されるように、半径方向の力は、光学機材の表面と平行に加えられるので、光学機材の表面に与える影響は非常に小さい。更に、外周から中心に向う半径方向の締め付け力が、光学機材の前面から十分に後退した部分に加わるので、光学機材の表面を変形から守ることができる。熱的な観点では、最大の熱的抵抗は、光学機材とポスト54の境界部分に生じ、接触面が増えるにしたがって熱的抵抗を少なくすることができ、表面仕上げが向上し、結合力が高まる。この発明の光マウントによると、接触面および結合力が先行技術によって得られるよりも大きいので、光学機材の熱伝導性が向上する。コスト面では、変形を生じること無く、光学機材を光マウントに効果的に取り付けるに当たり、表面の準備およびその技術はそれ程要求されない。光マウント55は、図13から図16に示されているように、ミラーハウジング65に直接組み込まれて製作される。
【0034】
図13から図15および図16には、2個の光マウント55を使用するミラーハウジング65を示す。導波路の各端末に反射面を設けるために、複数個の光マウント55を1個のミラーハウジングに組み込んで製作してもよい。ポスト54(その結果として、光学機材62)の指向方向はセットネジ66を使用して調節する。かくして、ポストを図16に示す屈曲点68の周りに傾斜させる。屈曲点は、薄い金属板材68からなっており、同時に、レーザヘッドの内部を外気から遮断する働きを有し、そして、ポスト54を屈曲させる。
【0035】
溝70(図15参照)がミラーハウジングの面に形成され、ガスケット72が備えられて、ミラーハウジングとレーザヘッドとの間を真空密封させる。ガスケットとして、例えば、インジウムワイヤが使用され、ミラーハウジングとレーザヘッドとの間を金属と金属で密封する。ガスケットを形成するために、他の金属を用いてもよい。密封するために、ゴムガスケットよりも、金属と金属で密封するほうが好ましい。ゴムガスケットを使用すると、ガスの発生に伴ってレーザガスを汚染しレーザの操作寿命を短くする。
【0036】
図16において、それを通ってレーザビームが取り出される部分反射ミラー51のために、ミラーを搭載するポスト54の中を貫通するように孔71が形成されて、開口が形成され、その結果、ポストの中を通って、レーザビームが進む。圧縮リング60がミラー51をポスト54に固定する。ガスケット72によって、レーザヘッドの内部がレーザヘッドの外側の大気と接触するのを妨げる。ポスト54の位置は、図13から図15において述べたと同様の方法で、セットネジ66によって調節される。
【0037】
図17に、この発明の導波チャネル37の端部を示す。導波チャネル37は1対1よりも大きい縦横比を有している(先行技術の縦横比は図5を参照)。与えられた導波路の長さに対しては、上述した矩形の導波チャネルは、高出力を得るために、レーザ利得体積を増大する。四角形のx,y両方の大きさを増大することに関して、上述した方法は好ましい。その理由は、より良いモード識別およびより良いガス冷却が得られるからである。図17に示す導波チャネルの断面積は、スラブ放電形態のように、広い範囲の高い縦横比にわたって、高次モードの識別を向上させる。この発明の導波路は容易に製作することができ、その非対称的な断面積は、スラブまたは大きな丸型または四角の断面を有する導波チャネル(図5参照)を使用する従来技術のレーザが通常直面する高次モードに対して、識別力が高まる。この発明においては、U字型の導波チャネルは、幅方向に延伸されて、1対1よりも広い縦横比、即ち、横4.57mm×縦2.79mmを形成する。この実施態様(図17参照)では、縦横比は概ね横2対縦1で、ローブを追加することなく、軸場で、単一中心を備える低次の横方向モードを維持している。共振器に使用される共振器光学機器は全てフラットであり、導波路共振器と連携するフラットな波面と一致している。
【0038】
1対1の縦横比の導波路を使用する場合は、出力されるレーザビームの直径は、基本的に導波チャネルの大きさと同一である。レーザ使用者は、多くの場合、特定の光システム、例えば、光スキャナの開口部に一致する、特定の直径を有するビームを要望する。従って、光学機材はビームの直径を変更し、レーザビームを視準再整正する機能が要求される。ビーム直径の変更は、公知の通り、合理的な長さにおいて、2個のレンズからなる望遠鏡を使用して典型的に行われる。そのような2個のレンズからなる装置は、光スキャナと共に、レーザヘッドに直接搭載することができる。これは、そのような要求に対して、効果的な解決方法を提供する。
【0039】
導波チャネルの幅が高さよりも大きい場合、または、導波チャネルの高さが幅よりも大きい場合(縦横比が1対1よりも大きい)、レーザビームの回折角はレーザ放出口(即ち、矩形の導波路)の2つの軸に関して同一ではない。導波チャネル断面の最小の大きさ、最大の大きさに伴って、それぞれ、最大の回折角および最小の回折角を有している。その結果、非円形ビームを生じる。
【0040】
図37に、スリットからの距離の関数として、幅4.75mm高さ2.26mmのスリットから放出される矩形のCO2レーザビームの水平軸および垂直軸を展開したものについてのガウスのビーム計算を示す。回折物理に従って、狭い部分は広い部分よりもより急速に拡大する。ガウスのビーム分析に基づいて、垂直に狭く、水平に広い大きさを有する導波チャネルの場合に対して、スリットから約380mm離れた地点において、垂直部分は十分に拡大されて、矩形のレーザビームの水平部分の大きさに一致する。この地点において共振レーザビームは円形である。図37に使用されているスリットに対して、616mmの焦点長を有する円筒状レンズをこの位置に配置することによって、この距離から外に向って円形が維持される。円筒状レンズはビームの垂直部分の回折角を変換して、ビームの水平部分と等しくする。この方法では、ビームはビームの水平部分と等しい回折角で伝播し、円筒状レンズは、幾何学光学的分析では明らかではない非点収差を生じることはない。この方法は、矩形の導波レーザから円形ビームを得るための、低コストで、低光損失、コンパクトな解決方法である。次いで、焦点レンズが配置され、レーザビームを、除去、切開、掘削等のタイプの材料処理/加工を行うための地点に指向する。例として、図37に、レーザスリットから575mmの距離の位置に焦点長127mmのレンズを配置して、所望の適用のために必要な焦点位置を得る場合を図示している。円筒状レンズおよび焦点レンズは、図19および20に示すように、レーザヘッドに直接搭載することができる。
【0041】
円筒状レンズの後に、公知の通り、2個のレンズからなる望遠鏡を装入して、レーザビームの直径を増大または減少し、所望の直径のレーザビームを得る。更に、円筒状レンズと焦点レンズとの間の距離は、スキャナ、焦点レンズまたは回転ミラー等の他の光学機材を備えることができるように、十分にとる。コンパクトさを保つために、全ての光学機材は、上述したように、レーザヘッドに直接搭載することができる。光ベンチとして機能するレーザヘッドに搭載された3個レンズからなる光装置(ビーム矯正装置)は、低コスト、低損失およびコンパクトであって、ユーザが特定の直径を有する丸いビームを要求するような場合に、この装置によって、矩形の導波チャネルから所望の直径を有する円形レーザビームを得ることができる。
【0042】
矩形の導波チャネルの例として、3個のレンズからなる公知のビーム矯正装置を使用して、短い距離内で所望の直径を有する丸いビームを得て、光スキャナ等の所望の光サブシステムに提供することができる。このような3個のレンズからなるサブシステムは、光スキャナ等の光装置と共にレーザヘッドに直接塔載することができる。
【0043】
図18から図23には、装置(レーザヘッド)23が、ビームを形成する光学機器、反転ミラー、音響−光、振動ミラー型スキャナ(即ち、検流計型スキャナ)モータ駆動回転ミラー等の転向装置のための搭載装置として示されている。図18に示されているように、レーザヘッド23には、RFコネクタおよびRF位相調節装置82が取り付けられている。装置82(図8参照)によって、レーザは、各種同軸ケーブルおよびRF電源装置に結合され、レーザヘッド、ケーブルおよび遠隔RF電源装置は交換可能である。装置82は同軸ケーブル25に連結され、同軸ケーブルは密封されたRFコネクタ133に連結される。この交換可能性は特に好ましい特徴である。レーザヘッド23の各端部上には、ミラーハウジング65(図13から15を参照)が配置されている。冷却口90を通って、内部冷却経路31(図8および23参照)を流れる冷却液が出入する。冷却液密封プレート29(図8参照)は、(図示しない)「O」リングシールを備えており、冷却液がレーザヘッド23から流出するのを防止している。ミラー45、47、49および51はミラーハウジング65に搭載され、導波路36を通ってレーザビームを導く。ビーム再指向装置88は、ミラー51が搭載されているミラーハウジング65の出力側に連結され、図23に示すように、ビームを再指向する。その結果、ビームは、ビーム再指向装置からレーザヘッド23に実質的に平行に出ていく。レンズ92、94および96は、ビームを修正して、上述したように、所望の断面積を有するビームを生じる。光スキャナ95等の他の光学機材を、図23に示すように、レーザヘッド23に搭載してもよい。スキャナは、音響−光セル、モータ駆動回転ミラー、または、検流計、同調フォーク等の振動ミラースキャナであればよい。スキャナおよび追加のミラー(図示しない)を適切な位置に配置することによって、スキャナケーブルを出るビームを所望の方向に曲げることができる。
【0044】
レンズの保持方法の1つの実施態様を図示する。ビーム再指向装置88をミラーハウジング65に(例えば、ネジで)取り付け、ビーム直径調節光学機材92、94、96およびそれに伴う搭載装置をレーザヘッド23に取り付ける。レンズ92、94および96の間の距離を調節して、円形ビームを得る。所望のビーム形状を得るための調節量は、公知の技術にあるように、レンズのために選択された曲率によって決定される。
【0045】
レーザビームの形状は、このようにして、レーザハウジングに搭載されている光学スキャナモジュール95の穴と一致するまで調節される。ビーム再指向装置88とスキャナとの間にはカバーが設けられ、埃および水がビーム再指向装置88−スキャナ間のレーザビーム経路に入らないようにする。他の実施態様は、(図示しない)スライド式外部円柱状筒内に搭載されたレンズからなっており、外部円柱状筒はレーザヘッドに搭載されている。円柱状筒のスライドによって、レンズ間の距離を調節し、直径が所望の大きさに調節されたビームを得る。
【0046】
180度ビーム再指向装置88は、図23に示すように、ミラーハウジング65の1つから出力するレーザビームを、レーザヘッドの長い方の表面と平行になるように導く。ビーム再指向装置の詳細を図24−32に示す。ビーム再指向装置88は、2個の45度の傾斜面を有するミラーを搭載するミラーマウント100および102からなっている。各ミラーマウント100および102はミラー104を備えている。レーザビームはミラーハウジング65から出力して、ビーム再指向装置に形成された開口106に入り、ミラーマウント100および102で反射して、開口108を通って出る。
【0047】
図11に示す「ボウタイ」(「8の字」)型導波レーザに対しては、ビーム再指向装置88は、2個のミラーマウント100および102、穴112を有する第3のミラーマウント110、およびフィードバックミラー114(フィードバックミラー52と類似)を備えており、図11に示された「ボウタイ」(「8の字」)型導波レーザのための一方向の操作を生じる。第3のミラーマウント110は、第2の開口108に位置する。ミラーマウント100および102の調節は、1つの実施態様では、セットネジの周りに、ミラーマウント100および102をビーム再指向装置ハウジング116に保持するゴム製「O」リングを備えることによって行う。逆回転セットネジは、最終的な調節が終了した後、ミラー位置を固定するために使用される。更に、少量の接着剤を、ミラーマウント100および102の最終的な調節が終了した後、ミラー位置を固定するために使用してもよい。
【0048】
図31および32には、備えられた穴112からレーザビームがビーム再指向装置88を出る第3のミラーマウント110が示されている。更に、図31には、「ボウタイ」型導波路(図11参照)を一方向に操作させるためのフィードバックミラー114が示されている。第3のミラーマウント110を調節するためのメカニズムはミラーマウント100および102に関して用いられたのと同一である。セットネジの周りに装入されたゴム製「O」リングは、一方向の操作を行うように、ミラーを調節するために使用される。整列は、例えば、4回折限定可視He−Neレーザに使用される整列手続きによって、行われる。一度調節されると、一方向ミラーの位置を固定するために、逆回転セットネジが再度使用される。更に、適切な整列が維持されるように、ミラー114を固定するために、再び接着剤を使用してもよい。
【0049】
この発明によって、RF励起レーザの改良された種々の構成部材が提供される。この発明は、基本的にZ型導波路を参照して説明した。この発明によって得られる利点は、WまたはWI(NV)および他の複数のチャネル形状を含む各種の導波路に関しても、同様に得られる。従って、この発明のRF励起レーザの改良された種々の構成部材は、単に、Z型導波路に限定されるものではない。
【0050】
この発明の多くの適用に際して、これまで述べた装置よりも、更にコンパクトでコストの低い光ビーム矯正装置が望まれる。
【0051】
図38に、アナモルフィックなビーム拡大器(エクスパンダ)200によって達成されるコンパクトな低コストの装置を示す。アナモルフィックなビームエクスパンダ200は、側断面図で示すように、単純な2個の部品からなるホルダ206内に配置される2個の単純なプリズムを使用する。プリズム204はホルダ206a内に装入され、プリズム202はホルダ206b内に装入される。図に示すように、ホルダ206bはホルダ206a内に装入される。ホルダ206bは、プリズム202、204が適切に整列されるまで、回転し、(図示しない)圧力ネジまたは他の適切な整列保持機構によってその位置に固定される。2個のプリズムの各々は、所定のウエッジ角を有するように設計され、レーザビームのx、y軸の回折角の1つを矯正する。プリズムは所望のレーザ波長を伝える適切な光学材によって製作される。CO2レーザに対して、ZnSeは、プリズム材に適している。プリズム202は、図16に示す透過ミラーによって取り出される矩形のレーザビーム208の垂直部分の分散を増大するように、製造され、配置される。従って、プリズム204の表面では、レーザビームの垂直方向の大きさは、レーザビームの水平方向の大きさと等しい。この位置では、レーザビームは円形である。プリズム204のウエッジ角が選択され、そのウエッジ角でプリズムが配置される。その結果、円形のビームが維持されアナモルフィックなビームエクスパンダから前方に進む。プリズム204のウエッジ角を、ビームの垂直部分の分散を減少し、ビームの水平部分の分散と一致するように選択することによって、上述したことが可能になる。この例では、装置200をレーザヘッドの透過ミラーにボルトで止めることによって、レーザヘッドの長さが約2.54cmだけ長くなることに留意すれば、上述した装置が魅力的であることが明らかである。従って、上述した装置は、前述した円筒状レンズを使用する場合よりも、更にコンパクトであるが、コストが少し高くなる。
【0052】
図33および34は、Z型(図9参照)または「ボウタイ」型リング形状の代わりに、W(またはM)(図33参照)およびWI(またはNV)(図34参照)型の導波チャネル構造がそれぞれ形成されたセラミックス構造を示す。ガスレーザのガス放出利得領域は図17(または図5)に従っている。W型導波路は、3個のミラーを有する端部を備えている。WI(またはNV)型構造は、各端部に3個のミラーを必要とし、3軸調節および/または3個ミラーの中央ミラーの整列を、図13、14および15で示した手続き/説明によって、行うことは難しい。その理由は、ミラーの間隔が近すぎて、中央反射ミラーを保持する傾斜可能なポストに対して、3軸ネジ調節を行うことが出来ないからである。
【0053】
図35および36は、この問題に対する解決策を示す。光マウント55(図12〜15参照)の少なくとも1つのミラーホルダが延伸している。この例では、長いポストを使用することによって、中央部の光マウントが延伸されている。セットネジ66へのアクセスは明確に可能であり(図36参照)、それによって、ミラーは上述したように、調節することができる。あるいは、より広いレーザ配置を用いることによって、セットネジ間の距離を大きくする。この方法は、2以上のW型導波チャネルを組み合わせた導波レーザに対しても適用できる。
【0054】
RF(無線周波数)パルスを導波路に適用する度毎に、得られる媒質の温度が上昇し、膨張する。導波チャネル内で膨張するガスは、導波チャネルからレーザハウジング内のバラスト容積部へと広がって行き、安定した均一な圧力に達する。RFのパルス−レート−周波数が導波チャネル内のガス円柱の音響−共振−周波数に近づくと、チャネル内に永続的な圧力波が蓄積し、導波チャネルに沿って、非均一圧力変化が生じる。この非均一圧力が生じると、放電がチャネルの中央部分で消滅してしまう。その結果、逆に、圧力の低い端部に向って更に強いガス放電が生じる。ガスの放電励起における非均一性は、レーザ出力の劇的な減衰、パルス間のピーク出力の変動、出力ビームの質、低効率等のレーザ性能を引き起こす。
【0055】
音響共振、レーザ性能を損ねる力が生じる周波数は、ガスの成分組成、圧力、導波チャネルの長さおよび直径、電気的パルスのピーク電力、衝撃係数を含む各種要因に影響を受ける。例えば、NまたはNV型からなる長さ45cmの導波チャネルにおいて、音響共振ポイントは、800〜900Hz(基本)、1600〜1800Hz(第2調波)、2400〜2700Hz(第3調波)の範囲に位置する。
【0056】
音響共振がレーザ性能に及ぼす悪影響は、基本および第2調波共振、即ち、導波チャネルの長さLの一端からL/4、L/2および3L/4の地点に対してガス圧ピークが生じる位置に、開口を設けることによって排除することができる。そのようなガス圧解放用の開口は、セラミックス導波路の全幅にわたって、導波チャネルが位置する部分の上に、切り開いた狭いスロットによって形成することができる。このように形成されたスロットは、更に、導波路の全てのアーム間における電気的相互連結を強化する優れた効果がある。それによって、レーザ放電の開始を容易にし、レーザの開始におけるタイムジッターを減少する。更に、開口を新たに設けることによって、バラスト容積部および導波チャネル内のガス間の新たなガス交換を可能にする。このガス交換は、レーザの全般性能を強化する効果がある。
【0057】
NおよびNV型導波チャネルでは、多くの場合、基本および第2調波音響共振のピークにガス放出用開口を設けることによって、音響共振の及ぼす悪影響を取り除くことができる。多数の穴は一般的に必要とされない。図40に、レーザを駆動するRFパルスの繰り返し率が50Hzから7000Hzの間で変化するときに生じる出力の大きな変化を表すデータを示す。図9および10に示すセラミックスカバー48が無いとき、全体の長さLw=18.7インチを有するN型導波路に対しては、(これはN型導波路の1つのアームに対するのと概ね同じ長さである)、チタン電極によって覆われている導波路の長さLe(即ち、導波チャネルの覆われた部分)によって、音響共振が決まる。この発明の実施例では、導波路の長さLe=14.12インチであって、それはチタン電極によって覆われた部分である。図40に、840Hzおよび1680Hzで起きている強共振を示す。これは、実施例に使用した典型的な形のセラミックス導波路に対して□で示すデータから明らかである。パルス繰返周波数が音響共振周波数を上回り、等しくなり、下回って変動する際に、生じている、出力における大きな変動は、基本共振および第2調波共振において明らかである。
【0058】
図41に、基本、第2および第3調波音響共振に対する典型的な圧力変化を示す。基本に対しては、最大圧力がLe/2で生じ、第2調波に対しては、Le/4および3Le/4で最大圧力が生じている。これらの位置にベント開口を設けることによって、これらの強共振が生じるのを防止し、レーザ性能を向上させることが判明した。更に、第3調波は生じないことが判明した。その理由は、第3調波はLe/2の位置に最大圧力点があるが、そこにはベント開口が設けられて、基本共振を弱める。従って、Le/2の位置に設けられた開口は、第3調波共振を排除するように機能する。他の形状の導波レーザを使用して第4またはそれ以上の音響共振が問題となるときには、上述したことを適用して、これら高い周波数共振を排除することができる。
【0059】
図42には、上述した導波路36の各導波チャネル37内におけるベントホール100a−cの配置の一例を示す。ベント開口の大きさを、音響共振を所望の量まで弱めるために必要な大きさよりも、大きくしないことが重要である。その理由は、開口が大き過ぎると、上部電極38(図8参照)からベントホールを通って、下部電極32への放電に対して、低いインピーダンスを生じるからである。これによって、放電の位置にホットスポット(過熱点)を生じ、そして、レーザ効率を低下させる。
【0060】
セラミックス導波路36の上を通るベントホール100を設けることは、上部電極38、および、ある場合にはセラミックススペーサ28に、上記ベントホールに対応するベントホールを設ける必要がある。これらの複数の穴を設けるときは、組立工程において、圧力放出ベントホールをふさがないように、心合せをして整列することが必要である。更に、アルミニウム電極38が放電に晒されると、上述したように、導波路に微粒子が析出する。これ等の微粒子はレーザビームによって加熱されたとき、導波路から推進されてミラーの損傷を引き起こし、最終的にレーザ帰還キャビティミラーの一つに衝突する。図43に示すように、1端から所定の位置の、セラミックス導波路36の底面を横切る、浅く、狭い切り込み102a−c(またはスロット)が好ましい。これは、組み立てが容易で、同一の所望の結果をもたらす。深さ0.03インチ、幅0.088インチのスロットが、図43に示すように、セラミックス導波路の底面を横切って形成されたときに、図40で×印のデータで示すように、50%の一定のパワーデュウティを維持しながら、レーザ放出を駆動するRFパルス繰返比率によって出力が変動する。この圧力放出用開口は、底部のチタン電極と接触し、その結果、アースとして機能するアルミニウムハウジングと電気的熱的に接触する。
【0061】
図34に示すNV型セラミックス導波路および他の形状の導波路に対して、浅い、狭いスロットを設けた場合にも同様の結果が得られる。レーザ放出のエネルギーとしての電気パルスのパルス繰返比がレーザの注入ガス放出器の音響共振と重なるときに、レーザ性能に悪影響を及ぼすような、形状の封入されたレーザ放出器の全てに対して、本発明は適用することができる。そのような悪影響を及ぼす音響共振は、封入されたレーザ放出器を駆動するRFまたはdc電気パルスの何れかによって生じる。この発明は、パルスガスレーザに対して広く適用できる。
【0062】
素数は、1またはそれ自体以外の如何なる数字によっても割る事が出来ない数字、即ち、1、3、5、7、11、13、等である。導波路に沿って、長さがnLe/3,nLe/5,nLe/7等の選択された素数の位置にベント開口を設けることによって、同じような結果を得ることができる。ここで、nは整数1、2、3、4、5等音響共振の波長の半分を示す。図40に示す○印で示すデータは、孔がLe/3,3Le/5,6Le/7の位置に配置された結果である。孔の直径は、0.080インチであった。すべての場合において、RFパワーピークは600Wに維持され、そして、パルス列の衝撃係数はCWパワーの50%に維持された。
【0063】
好ましい実施態様について示し説明したが、この発明の思想、範囲から離れることなく各種の修正、置き換えが行われる。従って、この発明は説明の目的で記述されたものであって、それによって何ら制限されるものではない。
【0064】
【図面の簡単な説明】
【図1】先行技術のレーザ締め付け装置の部分分解透視図である。
【図2】先行技術の、金属電極を含む導波路の平面図である。
【図3】図2の導波路の側面図である。
【図4】先行技術の、導波チャネルの近傍にミラーの設置を示した導波路の平面図である。
【図5】先行技術の、導波路に使用されるチャネルの端部を示す図である。
【図6】先行技術の、光マウントの断面図である。
【図7】先行技術の、従来の光マウントにミラーを搭載するための装置の側面図である。
【図8】この発明の締め付け装置の、端の部分を取り除いた側面図である。
【図9】この発明の金属電極およびセラミックスカバーを備えた導波路の底面図である。
【図10】図9の導波路の側面図である。
【図11】この発明のリングレーザ装置のボウタイまたは8の字型導波路を上から示した概略図である。
【図12】この発明の光マウントの側面図である。
【図13】この発明のミラーハウジングの後面図である。
【図14】図13の線14−14における断面図である。
【図15】図13のミラーハウジングの前面図である。
【図16】この発明の高反射ミラーの搭載装置の断面図である。
【図17】この発明の導波チャネルの端面を示す図である。
【図18】他の光学機材のための搭載面として使用されるレーザヘッドの上面を示す図である。
【図19】図18のレーザヘッドの側面図である。
【図20】図18の底面を示す図である。
【図21】図19の線21−21における断面図である。
【図22】図18のレーザヘッドの端面を示す図である。
【図23】光スキャナを備えた図18のレーザヘッドの側面図である。
【図24】図18に示されたレーザヘッドと使用されるビーム再指向装置の前面図である。
【図25】図24のビーム再指向装置を側方から見たときの断面図である。
【図26】図24のビーム再指向装置の後面を示す図である。
【図27】図24のビーム再指向装置の側面を示す図である。
【図28】図24のビーム再指向装置を端部から見たときの断面図である。
【図29】図18に示すレーザヘッドと使用される第1ミラーマウントの前面を示す図である。
【図30】図18に示すレーザヘッドと使用される第2ミラーマウントの前面を示す図である。
【図31】図18に示すレーザヘッドと使用される第3ミラーマウントの前面を示す図である。
【図32】図31の線32ー32における断面図である。
【図33】この発明のW型導波路の上面を示す図である。
【図34】この発明のWIまたはNV型導波路の上面を示す図である。
【図35】この発明の、W型導波路(図33)の3個のミラーの側の端部またはWIまたはNV型導波路(図34)の両方の端部のためのミラーハウジングの後面を示す図である。
【図36】図35のミラーハウジングの上面を示す図である。
【図37】水平および垂直部分のレーザビームの大きさが等しくなる位置に円筒状レンズを配置し、水平部分4.57mm、垂直部分2.79mmの矩形レーザを円形レーザに変換する状態を示した光波分析結果をプロットした図である。
【図38】この発明の、短い距離において、矩形のレーザビームを円形のレーザビームに変換するためのアナモルフィックなビームエクスパンダの側面を示す図である。
【図39】この発明の、電極および導波チャネルの交差部分の上を覆うセラミックスカバーを備えたリング導波路の底面を示す図である。
【図40】この発明の、周波数の関数としてレーザ出力をプロットした図である。
【図41】この発明の、レーザ導波チャネルの音響調波の波型をプロットした図である。
【図42】この発明の、ガス圧ベントホールを有する導波路の上面を示す図である。
【図43】この発明の、ガス圧放出スロットを有する導波路の底面を示す図である。
Claims (10)
- 中央開口領域を有する硬い金属のハウジングであって接地電位にあるワンピースのハウジングと、
その1つの表面に形成された少なくとも1つの導波チャネルを有する1つの長いセラミックブロックと、
前記ハウジング中央開口領域の内面と前記セラミックブロックの前記1つの表面との間に接触して配置された接地電極と、
前記セラミックブロックの反対側の表面と接触して配置された第2の電極と、
前記第2の電極に電気接続されたインダクタと、
前記インダクタと前記ハウジング間に配置されたC型スプリングであって、前記導波チャネルと前記電極に圧力を付与して、前記電極およびセラミックブロックを前記ハウジング内に固定して保持するとともに、前記インダクタと前記ハウジング間を低インダクタンスで接続するC型スプリングとを備えた導波路レーザ。 - 前記接地電極がチタン、チタンアルミナイド合金、金またはプラチナから形成されている、請求項1に記載の導波路レーザ。
- 前記接地電極がチタンから形成されている、請求項1に記載の導波路レーザ。
- 前記導波チャネルの幅が導波チャネルの高さよりも大きい、請求項1に記載の導波路レーザ。
- 前記セラミックブロックに形成されて、導波チャネルとハウジングの中央開口領域との間でガスの通路を与える開口部を更に備えている、請求項1に記載の導波路レーザ。
- 導波チャネルからハウジングの中央開口領域に延伸するセラミックブロックに形成されて、導波チャネルとハウジングの中央開口領域との間でガスの通路を与える複数の開口部を更に備えている、請求項1に記載の導波路レーザ。
- 導波チャネルからハウジングの中央開口領域に延伸するセラミックブロックに形成されて、導波チャネルとハウジングの中央開口領域との間でガスの通路を与えるチャンネルを更に備えている、請求項1に記載の導波路レーザ。
- 前記セラミックブロックは3つの導波チャネルを備えている、請求項1に記載の導波路レーザ。
- 前記セラミックブロックは4つの導波チャネルを備えている、請求項1に記載の導波路レーザ。
- 前記セラミックブロックは5つの導波チャネルを備えている、請求項1に記載の導波路レーザ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4109297P | 1997-03-14 | 1997-03-14 | |
US60/041,092 | 1997-03-14 | ||
PCT/US1998/005055 WO1998040939A1 (en) | 1997-03-14 | 1998-03-13 | Rf excited waveguide laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000511005A JP2000511005A (ja) | 2000-08-22 |
JP3932207B2 true JP3932207B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=21914691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53988798A Expired - Lifetime JP3932207B2 (ja) | 1997-03-14 | 1998-03-13 | 無線周波数励起導波レーザ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6192061B1 (ja) |
EP (1) | EP0904616B1 (ja) |
JP (1) | JP3932207B2 (ja) |
AU (1) | AU6939198A (ja) |
CA (1) | CA2252085A1 (ja) |
DE (1) | DE69840287D1 (ja) |
WO (1) | WO1998040939A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11969849B2 (en) * | 2019-11-25 | 2024-04-30 | Lumus Ltd. | Method of polishing a surface of a waveguide |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6603790B1 (en) | 2000-02-22 | 2003-08-05 | Hans Kodeda | Gas laser and a dedusting unit thereof |
US6493375B1 (en) | 2000-02-22 | 2002-12-10 | Tuilaser Ag | Adjustable mounting unit for an optical element of a gas laser |
US6804284B1 (en) * | 2000-02-22 | 2004-10-12 | Tuilaser Ag | Optical element holding and extraction device |
US6859482B1 (en) | 2000-02-22 | 2005-02-22 | Tuilaser Ag | Modular gas laser discharge unit |
US6480517B1 (en) | 2000-02-22 | 2002-11-12 | Tuilaser Ag | Shadow device for a gas laser |
US6782029B1 (en) | 2000-02-22 | 2004-08-24 | Tuilaser Ag | Dedusting unit for a laser optical element of a gas laser and method for assembling |
US6522679B1 (en) | 2000-02-22 | 2003-02-18 | Tuilaser | Gas laser discharge unit |
US6788722B1 (en) | 2000-07-10 | 2004-09-07 | Coherent, Inc. | High power waveguide laser |
US6625193B2 (en) * | 2001-01-22 | 2003-09-23 | The Boeing Company | Side-pumped active mirror solid-state laser for high-average power |
US7200161B2 (en) * | 2001-01-22 | 2007-04-03 | The Boeing Company | Side-pumped solid-state disk laser for high-average power |
WO2002075870A2 (en) * | 2001-03-17 | 2002-09-26 | Peter Vitruk | Truncated ridge waveguide for all-metal gas laser excitation |
US6697408B2 (en) | 2001-04-04 | 2004-02-24 | Coherent, Inc. | Q-switched cavity dumped CO2 laser for material processing |
EP1384293B1 (en) * | 2001-04-04 | 2009-12-23 | Coherent Deos | Q-switched co 2 laser for material processing |
WO2002084823A1 (en) * | 2001-04-04 | 2002-10-24 | Coherent Deos | A thermally efficient laser head |
TW528636B (en) | 2001-05-09 | 2003-04-21 | Electro Scient Ind Inc | Micromachining with high-energy, intra-cavity Q-switched CO2 laser pulses |
US6798816B2 (en) * | 2002-10-21 | 2004-09-28 | Coherent, Inc. | Folded tapered-waveguide CO2 laser |
EP1447064B1 (en) * | 2003-02-12 | 2010-06-02 | Coherent GmbH | Kit-of-parts for surgically ablating eye tissue |
US7039079B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-05-02 | Coherent, Inc. | Pulsed CO2 laser including an optical damage resistant electro-optical switching arrangement |
US7113529B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-09-26 | Coherent, Inc. | Pulsed CO2 laser including an optical damage resistant electro-optical switching arrangement |
US20040188379A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Dielectric-in-dielectric damascene process for manufacturing planar waveguides |
US7050475B2 (en) | 2003-05-02 | 2006-05-23 | Litelaser Llc | Waveguide laser |
US6999490B2 (en) * | 2003-07-21 | 2006-02-14 | Coherent, Inc. | Discharge igniter for a waveguide CO2 laser |
US7577177B2 (en) * | 2004-01-12 | 2009-08-18 | Videojet Technologies Inc. | Multi-path laser system |
US7260134B2 (en) * | 2004-02-06 | 2007-08-21 | Coherent, Inc. | Dielectric coupled CO2 slab laser |
US7263116B2 (en) * | 2004-08-05 | 2007-08-28 | Coherent, Inc. | Dielectric coupled CO2 slab laser |
US7583717B2 (en) * | 2004-08-30 | 2009-09-01 | Videojet Technologies Inc | Laser system |
US7310360B2 (en) * | 2004-10-25 | 2007-12-18 | The Boeing Company | Apparatus and method for face cooling of optical components of a laser system |
WO2006049634A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-11 | Litelaser L.L.C. | Laser alignment system and method |
US20070031156A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Robotham W S Jr | Amplification of TTL RF oscillator signals with digital logic and power switching technology for CO2 laser RF power supplies |
US20070024011A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Raymond Michaud | Thermally stable vacuum enclosure seal design for CO2 lasers |
US20080002751A1 (en) * | 2005-08-10 | 2008-01-03 | Gongxue Hua | High damage threshold Q-switched CO2 laser |
US7453918B2 (en) * | 2005-08-11 | 2008-11-18 | Coherent, Inc. | Pulsed RF high pressure CO2 lasers |
CN101379666A (zh) * | 2006-02-03 | 2009-03-04 | 录象射流技术公司 | 具有减小横截面尺寸和/或减小光轴畸变的波导激光器 |
US7570683B1 (en) | 2006-03-01 | 2009-08-04 | Epilog Corporation | Waveguided laser channels for a gas laser |
US7817684B2 (en) * | 2006-11-16 | 2010-10-19 | Ofs Fitel Llc | Passively modelocked figure eight fiber laser |
US7411989B2 (en) * | 2006-12-13 | 2008-08-12 | Coherent, Inc. | Mechanically Q-switched CO2 laser |
JP5179793B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2013-04-10 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源用ドライバレーザ |
US8942270B2 (en) | 2008-02-22 | 2015-01-27 | Coherent, Inc. | Diffusion-cooled CO2 laser with flexible housing |
US7940816B2 (en) | 2008-09-05 | 2011-05-10 | Ofs Fitel Llc | Figure eight fiber laser for ultrashort pulse generation |
US9071031B2 (en) * | 2010-10-29 | 2015-06-30 | Trumpf, Inc. | RF-excited laser assembly |
US8422528B2 (en) * | 2011-02-24 | 2013-04-16 | Iradion Laser, Inc. | Ceramic slab, free-space and waveguide lasers |
US8611391B2 (en) * | 2011-05-03 | 2013-12-17 | Coherent, Inc. | Waveguide CO2 laser with mutiply folded resonator |
DK2565996T3 (da) | 2011-09-05 | 2014-01-13 | Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh | Laserindretning med en laserenhed og en fluidbeholder til en køleindretning af laserenheden |
EP2565673B1 (en) | 2011-09-05 | 2013-11-13 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Device and method for marking of an object by means of a laser beam |
EP2564973B1 (en) * | 2011-09-05 | 2014-12-10 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Marking apparatus with a plurality of lasers and a combining deflection device |
EP2565994B1 (en) | 2011-09-05 | 2014-02-12 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laser device and method for marking an object |
ES2544034T3 (es) | 2011-09-05 | 2015-08-27 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Aparato de marcado con al menos un láser de gas y un termodisipador |
EP2564972B1 (en) * | 2011-09-05 | 2015-08-26 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means and telescopic means for each laser beam |
ES2544269T3 (es) * | 2011-09-05 | 2015-08-28 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Aparato de marcado con una pluralidad de láseres de gas con tubos de resonancia y medios de deflexión ajustables individualmente |
ES2530070T3 (es) * | 2011-09-05 | 2015-02-26 | ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Aparato de marcado con una pluralidad de láseres y conjuntos ajustables individualmente de medios de desviación |
JP2012164666A (ja) * | 2012-03-29 | 2012-08-30 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源用ドライバレーザのレーザ増幅器 |
US9281651B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-03-08 | Gsi Group Corporation | Laser resonator with parasitic mode suppression |
US9231362B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-01-05 | Synrad, Inc. | Multi-pass slab laser with internal beam shaping |
CN105048256B (zh) * | 2015-09-23 | 2017-10-20 | 江苏卓远激光科技有限公司 | 一种激光器电极板活动安装式结构 |
EP3747089B1 (en) | 2018-01-29 | 2024-03-06 | Idea Machine Development Design & Production Ltd. | Compact coaxial laser |
US10644474B2 (en) * | 2018-03-07 | 2020-05-05 | Coherent, Inc. | Conductively-cooled slab laser |
WO2021019447A1 (en) | 2019-07-31 | 2021-02-04 | IDEA machine development design AND production ltd. | Disc laser |
WO2021158396A1 (en) | 2020-02-05 | 2021-08-12 | Coherent, Inc. | Radio-frequency excited gas laser |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4064465A (en) * | 1973-05-30 | 1977-12-20 | Westinghouse Electric Corporation | Laser cavities with gas flow through the electrodes |
US4493087A (en) * | 1979-12-13 | 1985-01-08 | Walwel, Inc. | RF Excited waveguide gas laser |
US4438514A (en) | 1982-02-16 | 1984-03-20 | United Technologies Corporation | Sure-start waveguide laser |
US4577323A (en) * | 1983-09-06 | 1986-03-18 | United Technologies Corporation | U Channel waveguide laser |
US4870654A (en) * | 1987-05-22 | 1989-09-26 | California Laboratories, Inc. | Generation of multiply folded optical paths |
US4807232A (en) * | 1987-12-28 | 1989-02-21 | United Technologies Corporation | Phase locked staggered dielectric ridge array waveguide gas laser |
US4807233A (en) * | 1987-12-28 | 1989-02-21 | United Technologies Corporation | Phase locked cusp-shaped dielectric ridge gas laser |
US4807234A (en) * | 1987-12-28 | 1989-02-21 | United Technologies Corporation | Phase locked alternating dielectric ridge gas laser |
US4787090A (en) * | 1988-03-28 | 1988-11-22 | United Technologies Corporation | Compact distributed inductance RF-excited waveguide gas laser arrangement |
JPH021998A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-08 | Toshiba Corp | ガスレーザー装置 |
US4837769A (en) * | 1989-02-01 | 1989-06-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Phase conjugated slab laser designator |
US5321717A (en) * | 1993-04-05 | 1994-06-14 | Yoshifumi Adachi | Diode laser having minimal beam diameter and optics |
US5353297A (en) | 1993-07-12 | 1994-10-04 | Coherent, Inc. | Gas slab laser with folded resonator structure |
JP2908677B2 (ja) * | 1993-10-15 | 1999-06-21 | 株式会社ケンウッド | 光学式ピックアップの対物レンズ姿勢調整機構 |
US5467362A (en) * | 1994-08-03 | 1995-11-14 | Murray; Gordon A. | Pulsed gas discharge Xray laser |
US5663980A (en) * | 1995-05-22 | 1997-09-02 | Adachi; Yoshi | Semiconductor laser device having changeable wavelength, polarization mode, and beam shape image |
-
1998
- 1998-03-13 US US09/039,036 patent/US6192061B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-13 CA CA002252085A patent/CA2252085A1/en not_active Abandoned
- 1998-03-13 AU AU69391/98A patent/AU6939198A/en not_active Abandoned
- 1998-03-13 EP EP98915138A patent/EP0904616B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-13 WO PCT/US1998/005055 patent/WO1998040939A1/en active Application Filing
- 1998-03-13 JP JP53988798A patent/JP3932207B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-13 DE DE69840287T patent/DE69840287D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11969849B2 (en) * | 2019-11-25 | 2024-04-30 | Lumus Ltd. | Method of polishing a surface of a waveguide |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0904616A1 (en) | 1999-03-31 |
EP0904616B1 (en) | 2008-12-03 |
AU6939198A (en) | 1998-09-29 |
DE69840287D1 (de) | 2009-01-15 |
US6192061B1 (en) | 2001-02-20 |
JP2000511005A (ja) | 2000-08-22 |
EP0904616A4 (en) | 2003-11-05 |
WO1998040939A1 (en) | 1998-09-17 |
CA2252085A1 (en) | 1998-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3932207B2 (ja) | 無線周波数励起導波レーザ | |
US6788722B1 (en) | High power waveguide laser | |
US5506858A (en) | Laser system with transverse mode selecting output coupler | |
US5999555A (en) | Apparatus for combining laser beams | |
US4951294A (en) | Diode pumped modelocked solid state laser | |
RU2012101319A (ru) | Монолитный твердотельный лазер с боковой накачкой и его применение | |
WO1984000257A1 (en) | Combined laser resonator structure | |
JPH0658983B2 (ja) | 内部空洞プリズムq−スイッチを利用するco▲下2▼teaレ−ザ− | |
EP0748530B1 (en) | High brightness cold burst solid state laser operation | |
JP3841921B2 (ja) | マルチチャンネルrf励起ガス放電レーザ | |
WO1999062152A1 (en) | Scalable vertically diode-pumped solid-state lasers | |
JPWO2017204355A1 (ja) | 固体レーザ装置 | |
CN110739599A (zh) | 一种基于微环谐振腔多折射率pt对称光栅激光器 | |
JP4132690B2 (ja) | スラブレーザ | |
JPH1168213A (ja) | Qスイッチco2レーザ装置 | |
JP3766515B2 (ja) | Qスイッチco2レーザ装置 | |
KR100348998B1 (ko) | 방사형으로 배치된 여러 개의 직선형 다이오드 레이저를이용한 고체레이저 발생장치. | |
JPH09270552A (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP4604408B2 (ja) | Ld励起レーザ装置 | |
JPH11150316A (ja) | 固体レーザ発振器 | |
Hertzler et al. | High-power CO2-lasers above 10 kW | |
CN115102015A (zh) | 一种端面泵浦多晶体串接结构 | |
JPH08167751A (ja) | レーザ装置 | |
JPH1079550A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
CN201515144U (zh) | 光纤耦合双端面泵浦全固态激光器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120323 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140323 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |