KR920010602B1 - 가스 레이저 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명에 의한 제1실시예의 가스레이저장치에 사용되는 캐소드의 부분횡단면도.
제2도는 캐소드의 사시도.
제3도는 가스레이저장치의 방전부의 횡단면도.
제4도는 방전이 개시되지 전의 캐소드의 깊이방향으로 원소분석 결과를 나타내는 그래프.
제5도는 방전개시로부터 200시간 경과시에 음극의 깊이방향으로 원소분석 결과를 나타내는 그래프.
제6도는 실용상의 방전입력과 방전시간 전의 상호관계를 나타내는 그래프.
제7도는 제2실시예의 가스레이저장치에서 사용되는 방전전극의 사시도.
제8도는 제3실시예의 펄스레이저장치에서 사용되는 캐소드의 부분횡단면도.
제9도는 펄스레이저장치의 방전부의 횡단면도.
본 발명은 한쌍의 방전전극이 레이저 매질인 가스혼합물의 분위기중에 위치되도록 배치되어 있는 형의 가스레이저장치에 관한 것이며 좀 더 구체적으로는 가스레이저장치의 방전전극 재료의 개량에 관한 것이다.
상술한 형의 가스레이저로서 가공용 CO2레이저가 사용되어 왔다. CO2레이저는 일반적으로 레이저 매질인 가스혼합물로서 충전되는 방전부와 리드 스크린(reed screen)형으로 배열되도록 방전부내에 제공되는 다수의 아노드봉(anode bar)들과, 아노드봉들에 상관하여 반대에 배치되는 다수의 L-형 캐소드봉들로 구성된다. 고압 DC전원은 안전저항을 통해 방전전극간에 연결되어 있다. DC전압이 방전전극 양단에 걸리므로 전극들간에 글로우방전이 발생하여 그에 의해 가스혼합물이 여기된다. 가스혼합물은 그의 온도상승을 방지할 목적으로 캐소드측으로부터 아노드측으로 열교환기를 통해 재순환된다. 종래에는 두 방전전극의 재료로서 몰리브데늄을 사용해왔다. 왜냐하면 그의 용융점이 높기 때문이다.
미지의 물질을 가공할 목적으로 작업의 제조라인에 도입된 레이저장치에서는 레이저장치의 유지관리 사이클은 제조라인의 생산성에 영향을 주기 때문에 가능한 한 길수록 좋다. 반면 종래의 CO2레이저에서는 방전전극이 열화되므로 그 전극을 유지관리하지 않을 경우 레이저의 방전부내의 전기방전이 글로우 방전으로부터 아크방전으로 변경된다. 이러한 이유 때문에 방전전극의 유지관리는 비교적 짧은 주기로 반복하여 행한다. 예를 들어 종래의 횡류형 5-KW 가스레이저는 최대 약 200시간 동안 연속 사용할 수 있다.
본 발명의 발명자들은 방전전극을 열화시키는 메카니즘을 조사하기 위한 실험을 행했다. 그 실험 결과, 글로우 방전하는 동안 양이온의 충돌로 인해 몰리브데늄으로 구성된 캐소드에 물리적인 스퍼터링 작용이 가해짐을 밝혀냈다. 또한 몰리브데늄은 700℃ 이하의 승화온도를 갖고 있기 때문에 몰리브데늄은 화학 스퍼터링 작용으로부터 영향을 받기 쉽다. 결과적으로 방전전극은 물리적인 스퍼터링 작용과 화학적인 스퍼터링 작용 때문에 열화된다. 장시간 사용 후 몰리브데늄 캐소드를 검사한 결과, 몰리브데늄 캐소드의 표면상의 입자 경계를 따라 망상돌기가 형성되는 것으로 보아 캐소드상에서 스퍼터링이 균일하게 못하게 작용함을 확실하게 알 수 있다. 또한 산화박막이 캐소드의 표면상에 형성된다. 그 산화박막은 He, N2및 CO2가 50:45:5의 비로 된 가스혼합물내에 함유된 극미량의 산소에 의한 것으로 생각된다. 또한 그 산소는 가스레이저장치의 기밀용기의 밀봉 부재를 통한 유입 또는 그 가스혼합물내에 함유된 CO2의 분해때문인 것으로 생각된다.
다른 한편, 장시간 사용 후 몰리브데늄 아노드를 검사한 결과 약 1 또는 2μm두께의 겹겹이 쌓인 물질이 캐소드와 마주보는 쪽에서 발견되었으며 또한 외경이 약 100μm인 흑색돌기들이 그의 표면상에서 발견된다. 누적된 물질은 아노드의 캐소드와 마주보는 쪽의 일부로서 무정형 MoO3이기 때문에 캐소드내의 상술한 스퍼터링은 가스혼합물의 흐름과 더불어 캐소드 재료 입자가 아노드로 분산되어 이동되어 그 물질이 아노드상에 쌓이는 것으로 생각된다. 분석결과, 쌓인 물질상에 형성된 돌기들은 탄소로 구성됨을 알아냈다. 결과적으로, 마이크로-아크는 그 돌기로부터 발생되는 것으로 생각된다.
상술한 분석결과로부터, 방전전극의 열화로부터 마이크로-아크가 발생되는 메카니즘은 다음과 같이 생각된다. 즉, 몰리브데늄 캐소드는 가스레이저의 방전부내의 글로우방전으로 인해 스퍼터링 작용으로부터 영향을 받으므로 결국, 아노드상에 물질이 불균일하게 쌓이게 된다. 쌓인 물질은 산화 몰리브데늄이기 때문에 절연특성을 갖는다. 전계의 집중은 아노드표면의 어떤 부분에서 발생된다. 망상돌기들이 불균일한 스퍼터링 작용으로 인해 캐소드의 표면상에 형성되면 그 돌기들로 인해 전계가 집중되게 된다. 전계가 집중되는 결과로서 마이크로-아크가 발생되며 또한 마이크로-아크 발생지점들의 수가 증가될수록 마이크로-아크 발생지점상에 전계가 집중됨으로서 방전입력의 불균일함이 점점 심해지는 경향이 있다. 방전입력은 국소적으로 아크한계 또는 그 이상에 달하게 되므로 결국에는 글로우방전이 방전부 전체에 걸쳐 아크방전으로 변경된다. 상술한 조건은 DC방전형의 가스레이저뿐만 아니라 AC방전형의 가스레이저에도 적용되며 여기서 방전전극은 둘다 스퍼터링으로부터 교대로 영향을 받아 마모 및 열화된다.
종래의 가스레이저는 하나의 방전전극쪽에서 스퍼터링으로 인해 발생되는 산화물은 다른 방전전극의 표면상에 쌓이게 되고 또한 전극의 열화로 인해 아크한계가 낮아지므로 그에 의해 짧은 주기로 유지관리해야 하는 문제점을 갖고 있다.
그러므로, 본 발명의 목적은 유지관리 주기를 개선할 수 있도록 방전전극의 열화되는 것을 방지할 수 있는 가스레이저장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 가스레이저장치는 방전전극의 하나 또는 둘다의 표면을 몰리브데늄으로 형성하는 대신 산화티타늄으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
산화티타늄은 지나칠 정도로 안정된 물질이기 때문에 스퍼터링 속도가 작아서 물리적인 때문에 스퍼터링 속도가 작아서 물리적인 스퍼터링으로부터 영향을 받지 않는다. 또한 증기압은 대기온도가 높을 때 비교적 낮기 때문에 산화티타늄은 화학적 스퍼터링으로부터 영향을 받지 않는다. 증기압은 TiO2온도가 약 1530℃일 때 10-5torr의 값을 갖는 반면 MoO3의 온도는 동일한 증기압 조건하에서 470℃까지만 증가된다. 결론적으로 하나의 방전전극에서의 스퍼터링으로부터 결과되는 쌓이는 물질이 다른 방전전극상에 발생하는 것으로부터 방지될 수 있으므로 그에 의해 전계집중이 방지된다. 또한 티타늄이 표면상태가 안정되어 있으므로 전계집중이 방지될 수 있으므로 마이크로아크의 발생이 방지될 수 있다. 결국, 방전전극들이 열화되는 것이 방지되므로 장기간동안 안정된 방전이 보장될 수 있다.
산화티타늄의 표면을 갖는 방전전극들은 다음과 같은 방법으로 얻을 수 있다. 첫째방법으로 방전전극을 티타늄을 기재로하여 형성한 다음, 그 방전전극을 가스레이저장치내에 넣기 전에 그의 표면이 산화되도록 전극을 대기중에서 소성한다. 둘째 방법으로 방전전극은 티타늄을 기재로 하여 형성한 다음, 가스레이저장치내에 넣고, 통상의 방식으로 방전전극들간에 전기방전이 개시될 때 방전으로 인한 열이 그 티타늄 기재에 가해져서 레이저 매질인 가스혼합물내에 함유된 극미량의 산소에 의해 그 기재가 산화됨으로서 산화티타늄표면이 얻어진다. 세째방법으로, 방전전극을 몰리브데늄을 기재로 하여 형성한 다음, 스퍼터링, 이온도금 또는 레이저 클래딩(cladding)에 의해 전극표면에 티타늄을 부착한다. 그 다음, 그 전극을 미리 소성시키거나 도는 가스레이저장치내에 넣고 전기방전을 시켜서 전극의 표면을 산화시킨다. DC방전형의 가스레이저장치의 경우에 방전전극쌍 중 어느 하나만 산화티타늄 표면을 가지면 된다. 그러나, AC방전형의 가스레이저장치의 경우에 방전전극은 둘 다 산화티타늄 표면을 가져야 한다.
이제 본 발명의 양호한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1∼4도를 참조하여 본 발명의 가스레이저장치를 가공용의 CO2레이저의 적용한 제1실시예를 설명한다.
우선, 제3도를 참조하면 레이저 매체인 가스혼합물은 제3도에서 볼 수 있는 바와 같이 방전부 1의 내부공간의 좌측으로부터 우측으로 흐른다. 가스혼합물은 열교환기(도시한됨)에 의해 냉각된 다음 방전부의 1의 공간을 통해 재순환된다. 가스혼합물을 구성하는 He, N2및 CO2가 50:45:5의 비이다. 그 가스혼합물내에는 극미량의 산소등이 함유된 것으로 생각된다. 가스혼합물의 압력은 약 30torr이고 방전부내의 그의 유속은 공간 중심에서 약 70m/초이다.
방전전극의 각 아노드봉 2는 수직으로 연장되는 가느다란 봉전극을 포함한다. 다수의 그러한 아노드봉 2는 방전부의 1의 공간을 가로질러 배열된다. 방전전극의 각각의 캐소드봉 3은 일반적으로 L형상의 가느다란 봉전극을 포함한다. 다수의 그러한 캐소드봉 3은 그의 일단이 아노드봉 2로 향하도록 배치되어 있다. DC전원 5는 전극 2와 3 양단에 높은 DC전압이 걸리도록 각각 20KΩ의 저항을 갖는 안전저항 4를 통해 전극 2와 3간에 연결되어 있다. DC전압을 전극 2와 3양단에 걸어주고, 방전부 1의 공간을 통해 가스혼합물을 흘려주면 글로우방전이 개시된다. 글로우가 존재하는 영역은 제3도에서 사선으로 나타낸다. 글로우로 휩싸이는 각각의 캐소드봉 3의 섬광부분은 가스압력등의 영향을 받기 쉽다. 이 실시예에서 각각의 캐소드봉 3의 섬광부분은 각각의 캐소드봉 3의 말단으로부터 10mm와 20mm간의 범위내에 있다. 글로우방전의 발생 즉시, 레이저 매체인 가스혼합물내의 CO2가 여기되어 반사기(도시안됨)를 각각 갖고 있는 종래의 공진기들에서 레이저 발진이 생긴다. 빔축은 제3도에서 참조번호 6으로 나타낸다.
각각의 캐소드봉 3의 기체 7로서 티타늄을 사용하고 또한 제1도에 개략적으로 나타낸 바와 같이 티타늄의 표면상의 산화티타늄 박막 8에서 섬광부분이 형성된다. 산화티타늄 박막 8을 갖는 각각의 캐소드봉 3은 다음과 같이 제조된다. 즉, 우선 전체 캐소드봉 3을 티타늄으로 형성한 다음 가스레이저장치의 방전부 1내에 혼입한다. 그 다음, 그 장치의 통상적인 사용과 동일한 방식으로 방전전극 2와 3간에서 전기방전을 개시한다. 캐소드봉 3은 글로우에 의해 가열하면 각각의 캐소드봉 3의 표면은 가스혼합물중의 함유된 극미량의 산소에 의해 산화된다. 그에 의해 각각의 캐소드봉 3의 표면상에 산화티타늄박막이 형성된다. 참고적으로 제4 및 5도는 아우거 효과에 근거한 분석법에 따라 전기방전 발생전과 200시간으로 방전후의 그의 깊이방향에서 캐소드의 원소분석 결과를 제각기 나타낸다. 횡축은 캐소드의 표면으로부터의 깊이를 나타내며 또한 수직축은 각 그래프 분광강도를 기준으로 한 원소비를 나타낸다. 그래프는 200시간 동안의 전기방전 후 기재인 티타늄으로 제조된 캐소드의 표면상에 약 500Å 두께의 산화티타늄 박막이 형성됨을 나타낸다. 그렇게 형성된 산화티타늄 박막의 두께는 방전기간과 거의 비례하는 것으로 생각된다.
상술한 구성에 의하면 각각의 캐소드봉 3의 섬광부분 표면이 산화티타늄 박막 8로 피복되는데 이의 스퍼터링 속도가 아주 느리기 때문에 전기방전에 의해 캐소드봉 3이 스퍼터링 작용으로부터 영향을 받게될지라도 물리적인 스퍼터링은 거의 방지된다. 또한 산화티타늄은 안정 물질로서 고온의 분위기에서 저증기압을 갖고 있기 때문에 화학적 스퍼터링도 또한 방지된다. 따라서 아노드봉 2상에 파일된 물질의 양은 몰리브데늄으로부터 형성된 종래의 캐소드의 경우에 비해 상당히 감소되므로 그에 의해 아노드의 표면상에 전계가 집중되며 그로 인해 마이크로-아크(micro-arcs)의 발생이 방지된다. 또한 산화티타늄 박막 8이 안정되기 때문에 종래의 몰리브데늄 캐소드의 경우에 볼 수 있는 바와 같은 균일한 스퍼터링으로 인한 각 캐소드봉 3의 표면상의 전계집중이 방지되며 그에 의해 마이크로-아크의 발생이 억제된다.
상술한 구성의 결과로서 전극 2와 3은 열화로부터 방지될 수 있으므로 안정된 방전이 장기간동안 유지될 수 있다. 또한 가스레이저장치의 유지관리 사이클이 개선될 수 있고 또한 가스레이저장치가 적용되는 생산라인의 생산성이 개선될 수 있다. 제6도는 횡류형 5-KW CO2레이저의 경우에 실제적인 방전입력과 방전기간간의 상호관계를 나타낸다. 제6도에 보인 바와 같이 종래의 몰리브데늄 캐소드에서는 실제적인 방전입력이 점차 감소되며 또한 전기방전은 약 100시간동안만 유지된다. 반면에 본 발명의 티타늄 캐소드에서는 200시간 방전후조차 방전입력이 큰 값에 유지될 수 있다. 제6도에서 횡축은 지수적 칫수를 나타낸다.
티타늄 캐소드의 직경은 200시간 동안 전기 방전 후 약 9μm만큼 감소된다. 그 결과에 근거하면 이 실시예에 적용된 티타늄 캐소드의 동작기간은 약 10,000시간이다. 종래에는 캐소드상에 쌓이는 물질을 제거하기 위해 최장 약 200시간 간격으로 유지관리했다. 반면 본 발명의 장치에서는 그 간격을 종래의 장치에서의 것보다 7.5배로서 약 1500시간으로 연장될 수 있다. 제6도로부터 알 수 있는 바와 같이 티타늄 캐소드 3은 실용상의 방전입력이 전기방전의 초기 단계에서 낮고 또한 방전이 진행됨에 따라 증가되는 성향을 나타낸다. 그러나, 장치의 검사 작업시에 종래의 장치에서보다 장기간동안 캐소드 3에 대해 소성을 행하면 실용상의 방전입력은 처음에 충분히 큰 값에 유지될 수 있다.
전술한 실시예에서 비록 본 발명을 직류 방전을 실시하는 2축 직교(biaxial cross flow)형 CO2레이저에 적용했지만 본 발명은 가스혼합물의 종류와 무관한 레이저 매질과 같은 가스혼합물의 분위기내에 방전전극을 설치한 형과 같은 다른형의 레이저장치, 예를 들어 축류(axial flow) 가스 레이저, 3축 직교형 가스레이저등에도 적용될 수 있다. 그밖에 방전전극의 형상은 고려에 두지 않는다. 예를 들어 방전캐소드는 본 발명의 제2실시예로서 제7도에 보인 캐소드 9와 같이 Σ-형으로 형성될 수도 있다. 제8도에 보인 바와 같이, 각각의 캐소드봉 3은 기재 10을 몰리브데늄으로 하여 형성할 수도 있다. 티타늄 코팅 11은 각각의 캐소드봉 3에 도포한 다음 각각의 캐소드봉 3의 표면상에 산화티타늄 박막이 형성되도록 산화시킨다. 각각의 캐소드봉 3에 티타늄 코팅 11을 도포하는 방법으로는 기술상 공지된 바와 같은 스퍼터링, 이온도금 및 레이저 클래딩 등이 있다. 이 방법들 중, 레이저 클래딩이 가장 좋은 방법으로 생각된다. 왜냐하면 약 0.4mm의 최대 코팅 두께가 제공되기 때문이다. 또한 티타늄 코팅 11을 산화하기 위해 전술한 실시예에서 적용된 것과 동일한 방법을 채택할 수도 있다. 또 다른 방법으로 티타늄 코팅이 산화되도록 레이저장치를 조립하기 전에 캐소드를 가열할 수도 있다.
전술한 실시예에서는 본 발명을 직류방전형 가스레이저에 적용하긴 했지만 본 발명은 또 다른 전류방전형 가스레이저에 적용할 수도 있다. 교류방전형의 가스레이저에서 캐소드와 아노드 두 전극이 스퍼터링 작용으로부터 영향을 받기 때문에 캐소드와 아노드는 둘 다 산화티타늄 표면을 가질 필요가 있다. 두 전극이 모두 산화티타늄 표면을 갖는 구성은 제1∼4도를 참조하는 제1실시예의 설명으로부터 쉽게 이해될 수 있다고 생각되기 때문에 그에 대한 상세한 설명과 도면은 생략한다.
또한, 본 발명의 목적을 성취하기 위해, 방전전극은 상술한 바와 같은 방전전극의 표면상에 산화티타늄을 사전에 형성하는 대신에 티타늄을 기재로 하여 형성하거나 또는 티타늄이 코팅된 몰리브데늄을 기재로 하여 형성할 수도 있다. 가스레이저장치의 사용을 개시할 때 방전전극들간에서 유발되는 전기방전은 티타늄 표면을 산화시켜주므로 각 전극의 표면은 결국 산화티타늄으로 피복되게 된다. 이러한 구성은 또한 제1실시예로부터 쉽게 이해할 수 있으므로 그에 대한 상세한 설명과 도면은 생략한다.
제8도 및 9도는 본 발명을 펄스출력을 사용하는 펄스레이저에 적용한 제4실시예를 나타낸다. 티타늄을 기재로 하여 형성된 캐소드봉 13과 아노드봉 14는 방전부 12의 상하측에 대향하여 배치된다. 펄스전원은 그 전극들 양단에 연결된다. 산화티타늄 박막은 기재인 티타늄의 산화에 의해 각각의 전극의 섬광부분의 표면상에 형성된다. 레이저 매질은 가스혼합물은 제9도에 나타낸 바와 같이 우측과 좌측방향 어느 한쪽으로 흐를 수 있다. 제1실시예서와 같이 제4실시예에서도 동일한 효과가 성취될 수 있다.
전술한 설명과 도면은 단순히 본 발명의 원리를 설명하기 위한 것으로 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니고 오직 청구범위에 의해서만 제한된다.
Claims (8)
- 레이저 매질인 가스혼합물의 분위기중에 한쌍의 방전전극(2,3)을 배치하고 방전전극(2,3) 양단에 DC전압을 걸어서 전기방전을 개시함으로서 그에 의해 가스혼합물을 여기시키는 가스레이저장치에 있어서 상기 방전전극(2,3)의 캐소드(3)를 티타늄을 기재(7)로 하여 형성한 다음, 상기 캐소드(3) 중, 전기방전하는 동안 글로우로 덮히는 부분에 해당하는 섬광부분의 표면이 산화되어 산화티타늄피막(8)으로 된 것이 특징인 가스레이저장치.
- 레이저 매질인 가스혼합물의 분위기중에 한쌍의 방전전극(2,3)을 배치하고 방전전극(2,3) 양단에 DC전압을 걸어서 전기방전을 개시함으로서 그에 의해 가스혼합물을 여기시키는 가스레이저장치에 있어서, 상기 방전전극(2,3)의 캐소드(3)를 몰리브데늄을 기재(10)로 하여 형성한 다음 캐소드(3)에 티타늄피막(11)을 피복하고, 그 다음 상기 캐소드(3) 중 전기방전하는 동안 글로우로 덮히는 부분에 해당하는 섬광부분의 표면이 산화되어 산화티타늄 피막으로 된 것이 특징인 가스레이저장치.
- 레이저 매질인 가스혼합물의 분위기 중에 한쌍의 방전전극(2,3)을 배치하고 방전전극(2,3) 양단에 DC전압을 걸어서 전기방전을 개시함으로서 그에 의해 가스혼합물을 여기시키는 가스레이저장치에 있어서 상기 방전전극의 캐소드(3)를 티타늄으로 형성하고, 그의 표면이 전기방전하는 동안 산화되어 산화티타늄피막(8)으로 된 것이 특징인 가스레이저장치.
- 레이저 매질인 가스혼합물의 분위기 중에 한쌍의 방전전극(2,3)을 배치하고 방전전극(2,3) 양단에 DC전압을 걸어서 전기방전을 개시함으로서 그에 의해 가스혼합물을 여기시키는 가스레이저장치에 있어서 상기 방전전극(2,3)의 캐소드(3)를 몰리브데늄을 기재(7)로 하여 형성한 다음, 상기 캐소드(3)에 티타늄박막(11)을 피복하고, 그 다음 상기 티타늄박막(11)이 전기방전하는 동안 산화되어 산화티타늄피막(8)으로 된 가스레이저장치.
- 레이저 매질인 가스혼합물의 분위기중에 한쌍의 방전전극(2,3)을 배치하고 방전전극(2,3) 양단에 DC전압을 걸어서 전기방전을 개시함으로서 그에 의해 가스혼합물을 여기시키는 가스레이저장치에 있어서 상기 방전전극(2,3)은 둘 다 티타늄을 기재로 하여 형성한 다음 상기 두 방전전극(2,3) 중 전기방전하는 동안 글로우로 덮히는 부분에 해당하는 섬광부분의 표면이 산화되어 산화티타늄피막(8)으로 된 것이 특징인 가스레이저장치.
- 레이저 매질인 가스혼합물의 분위기중에 한쌍의 방전전극(2,3)을 배치하고 방전전극(2,3) 양단에 AC전압을 걸어서 전기방전을 개시함으로서 그에 의해 가스혼합물을 여기시키는 가스레이저장치에 있어서 방전전극(2,3) 각각을 몰리브데늄을 기재로 하여 형성한 다음 각각의 방전전극(2,3)에 티타늄 박막을 피복하고 그 다음 각각의 방전전극(2,3)중 전기방전하는 동안 글로우로 덮히는 부분에 해당하는 섬광부분의 표면이 산화되어 산화티타늄피막(8)으로 된 것이 특징인 가스레이저장치.
- 레이저 매질인 가스혼합물의 분위기 중에 한쌍의 방전전극(2,3)을 배치하고 방전전극(2,3) 양단에 AC전압을 걸어서 전기방전을 개시함으로서 그에 의해 가스혼합물을 여기시키는 가스레이저장치에 있어서 방전전극(2,3) 각각은 티타늄으로 형성하고, 각각의 방전전극(2,3)의 표면이 전기방전하는 동안 산화되어 산화티타늄 피막(8)으로 된 것이 특징인 가스레이저장치.
- 레이저 매질인 가스혼합물의 분위기 중에 한쌍의 방전전극(2,3)을 배치하고 방전전극(2,3) 양단에 AC전압을 걸어서 전기방전을 개시함으로서 그에 의해 가스혼합물을 여기시키는 가스레이더 장치에 있어서 상기 방전전극(2,3)은 몰리브데늄을 기재로 하여 형성한 다음 방전전극(2,3) 각각에 티타늄 박막을 피복한 후, 상기 티타늄 코팅이 전기방전하는 동안 산화되어 산화티타늄피막(8)으로 된 가스레이저장치.
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