JPH02195682A - 薄膜el素子の絶縁層形成方法 - Google Patents
薄膜el素子の絶縁層形成方法Info
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- JPH02195682A JPH02195682A JP1015259A JP1525989A JPH02195682A JP H02195682 A JPH02195682 A JP H02195682A JP 1015259 A JP1015259 A JP 1015259A JP 1525989 A JP1525989 A JP 1525989A JP H02195682 A JPH02195682 A JP H02195682A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、交流駆動の薄膜EL(エレクトロルミネセン
ス)素子の絶縁層形成方法に関するものである。
ス)素子の絶縁層形成方法に関するものである。
(従来の技術)
一般に、この種の薄膜BL素子は、例えば特開昭63−
170891号公報に開示され第2図に示すように二重
絶縁層構造を有し、ガラス等の透明絶縁板から成る基板
l上に蒸着法やスパッタリング法等の適当な方法を用い
てITO等の透明導電材料を素材とする透明電極2を形
成し、次いでこの上に絶縁破壊を防ぐため、S 10
z S^QtOsh YzQ3+ TazOs等の酸化
物絶縁材料を素材とする第1の絶縁層3、ZnS等の母
体材料内にMn等の発光中心を添加した螢光材料を素材
とする発光層4、第1の絶縁層3と同様な材料から成る
第2の絶縁層5、及び前記透明電極2と対向すると共に
反射性を有する電極として舷等の導電材料を素材とする
背面電極6をこの順序で順次蒸着法やスパッタリング法
等の適当な方法を用いて積層形成して成るものである。
170891号公報に開示され第2図に示すように二重
絶縁層構造を有し、ガラス等の透明絶縁板から成る基板
l上に蒸着法やスパッタリング法等の適当な方法を用い
てITO等の透明導電材料を素材とする透明電極2を形
成し、次いでこの上に絶縁破壊を防ぐため、S 10
z S^QtOsh YzQ3+ TazOs等の酸化
物絶縁材料を素材とする第1の絶縁層3、ZnS等の母
体材料内にMn等の発光中心を添加した螢光材料を素材
とする発光層4、第1の絶縁層3と同様な材料から成る
第2の絶縁層5、及び前記透明電極2と対向すると共に
反射性を有する電極として舷等の導電材料を素材とする
背面電極6をこの順序で順次蒸着法やスパッタリング法
等の適当な方法を用いて積層形成して成るものである。
そして、透明電極2と背面電極6との間に交流電圧を印
加すると、電極2,6間に発生する電界により発光N4
が発光し、基板1を通って外部へ照射される。
加すると、電極2,6間に発生する電界により発光N4
が発光し、基板1を通って外部へ照射される。
(発明が解決しようとする課題)
このような薄膜EL素子の第1の絶縁層3は高誘電率、
高耐圧、高蓄積電荷密度を有することが望まれているが
、通常TazOs、 5iJn+ YZO31PbTi
O3等の材料をスパッタリング法や蒸着法により成膜し
て形成すると、蓄積電荷密度が2〜4μC/cd程度と
低くなるため、素子の駆動電圧が高くなるとともに、耐
圧が低くなり安定性に欠けると言う問題があった。
高耐圧、高蓄積電荷密度を有することが望まれているが
、通常TazOs、 5iJn+ YZO31PbTi
O3等の材料をスパッタリング法や蒸着法により成膜し
て形成すると、蓄積電荷密度が2〜4μC/cd程度と
低くなるため、素子の駆動電圧が高くなるとともに、耐
圧が低くなり安定性に欠けると言う問題があった。
そこで、本発明は前記問題に基づいて成されたものであ
り、高蓄積電荷密度を有することのできる薄膜EL素子
の絶縁層形成方法を提供することを目的とするものであ
る。
り、高蓄積電荷密度を有することのできる薄膜EL素子
の絶縁層形成方法を提供することを目的とするものであ
る。
(課題を解決するための手段)
本発明は、少なくとも透明電極と発光層との間に絶縁層
を形成する薄膜EL素子の絶縁層の形成方法において、
前記透明電極が形成された透光性基板を200℃以上に
加熱し、この透光性基板に反応性高周波スパッタリング
法によってチタン酸バリウムを堆積速度20〜40Å/
分で膜厚4500Å以上に成膜して前記絶縁層を形成し
たものである。
を形成する薄膜EL素子の絶縁層の形成方法において、
前記透明電極が形成された透光性基板を200℃以上に
加熱し、この透光性基板に反応性高周波スパッタリング
法によってチタン酸バリウムを堆積速度20〜40Å/
分で膜厚4500Å以上に成膜して前記絶縁層を形成し
たものである。
(作用)
前記方法により形成される絶縁層は高い蓄積電荷密度を
有し、素子の駆動電圧を低くし、かつ安定性が向上でき
る。
有し、素子の駆動電圧を低くし、かつ安定性が向上でき
る。
(実施例)
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を詳述する。尚
、本実施例において、第2図で示した従来例と同一機能
を有する箇所には同一符号を付しその詳細な説明は省略
する。透光性のガラス基板1 (NA−40)上には
従来例と同様な方法例えばスパッタリング法により透明
電極2を膜厚2000人で形成し、この透明電極2を所
望のパターンにパターニングする。そして、この透明電
極2を形成したガラス基板1を300℃に加熱し、この
ガラス基板1上に反応性高周波スパッタリング法により
高誘電体材料であるでBaTi0.(チタン酸バリウム
)をターゲットとして堆積速度を27Å/分、スパッタ
ガス(Ar/(h=9/1)、ガス圧力10n+tor
rの各条件でBaTiO3薄膜7を膜厚6000人積層
して第1の絶縁層3を形成する。この後、第1の絶縁層
3の上にZnS:Mnを電子ビーム蒸着法により500
0人積層し発光層4を形成し、またこの上にスパッタリ
ング法でBaTi0.を膜厚6000人積層し第2の絶
縁層5を形成し、さらにその上に^a等により背面電極
6を膜厚2000人形成して薄膜EL素子が形成される
。
、本実施例において、第2図で示した従来例と同一機能
を有する箇所には同一符号を付しその詳細な説明は省略
する。透光性のガラス基板1 (NA−40)上には
従来例と同様な方法例えばスパッタリング法により透明
電極2を膜厚2000人で形成し、この透明電極2を所
望のパターンにパターニングする。そして、この透明電
極2を形成したガラス基板1を300℃に加熱し、この
ガラス基板1上に反応性高周波スパッタリング法により
高誘電体材料であるでBaTi0.(チタン酸バリウム
)をターゲットとして堆積速度を27Å/分、スパッタ
ガス(Ar/(h=9/1)、ガス圧力10n+tor
rの各条件でBaTiO3薄膜7を膜厚6000人積層
して第1の絶縁層3を形成する。この後、第1の絶縁層
3の上にZnS:Mnを電子ビーム蒸着法により500
0人積層し発光層4を形成し、またこの上にスパッタリ
ング法でBaTi0.を膜厚6000人積層し第2の絶
縁層5を形成し、さらにその上に^a等により背面電極
6を膜厚2000人形成して薄膜EL素子が形成される
。
以上のように構成される本発明の薄JJ!EL素子は、
先ずガラス基板1を300℃に加熱した状態で反応性高
周波スパッタリング法により堆積速度を27Å/分、ス
バフタガス(^r10□= 9/1)及びガス圧力10
mtorrの条件下でRaTi0.薄膜7を膜厚600
0人積層して第1の絶縁N3を形成したものである。
先ずガラス基板1を300℃に加熱した状態で反応性高
周波スパッタリング法により堆積速度を27Å/分、ス
バフタガス(^r10□= 9/1)及びガス圧力10
mtorrの条件下でRaTi0.薄膜7を膜厚600
0人積層して第1の絶縁N3を形成したものである。
このようにして得られたEL素子に駆動電圧を加えて各
特性を測定したところ、耐電界は3.OX 10’V
/ al、比誘電率は67、最大蓄積電荷密度は20μ
C/cIAと言う結果が得られた。そして、このように
従来例と比較して高い蓄積電荷密度を有する絶縁wi3
が得られるため、駆動電圧を低くすることができるとと
もに、高耐圧が得られ素子の安定性が増す。そして、実
験によると、ガラス基板1を200℃以上、膜厚を45
00Å以上、及び堆積速度を20〜40Å/分の範囲の
各条件とすることにより最大蓄積電荷密度を10μC/
c+Jの高い値に達成でき、誘電率も50以上となる。
特性を測定したところ、耐電界は3.OX 10’V
/ al、比誘電率は67、最大蓄積電荷密度は20μ
C/cIAと言う結果が得られた。そして、このように
従来例と比較して高い蓄積電荷密度を有する絶縁wi3
が得られるため、駆動電圧を低くすることができるとと
もに、高耐圧が得られ素子の安定性が増す。そして、実
験によると、ガラス基板1を200℃以上、膜厚を45
00Å以上、及び堆積速度を20〜40Å/分の範囲の
各条件とすることにより最大蓄積電荷密度を10μC/
c+Jの高い値に達成でき、誘電率も50以上となる。
尚、ガラス基板1の温度が200℃以下の場合には結晶
性が悪く誘電率が小さい値となり、膜厚が4500Å以
下の場合にはピンホール等の欠陥の影響で耐圧が低く充
分に高い電荷密度を得ることができない。
性が悪く誘電率が小さい値となり、膜厚が4500Å以
下の場合にはピンホール等の欠陥の影響で耐圧が低く充
分に高い電荷密度を得ることができない。
以上、本発明の一実施例を詳述したが、本発明の要旨の
範囲内で適宜変形できる。例えば、第2の絶縁層5の無
いタイプのEL素子にも本発明を適用することができる
。
範囲内で適宜変形できる。例えば、第2の絶縁層5の無
いタイプのEL素子にも本発明を適用することができる
。
以上詳述したように本発明によれば、少なくとも透明電
極と発光層との間に絶縁層を形成する薄膜EL素子の絶
縁層の形成方法において、前記透明電極が形成された透
光性基板を200℃以上に加熱し、この透光性基板に反
応性高周波スパッタリング法によってチタン酸バリウム
を堆積速度20〜40Å/分で膜厚4500Å以上に成
膜して前記絶縁層を形成したことにより、高蓄積電荷密
度の絶縁層を有する薄膜EL素子の絶縁層形成方法を提
供することができる。
極と発光層との間に絶縁層を形成する薄膜EL素子の絶
縁層の形成方法において、前記透明電極が形成された透
光性基板を200℃以上に加熱し、この透光性基板に反
応性高周波スパッタリング法によってチタン酸バリウム
を堆積速度20〜40Å/分で膜厚4500Å以上に成
膜して前記絶縁層を形成したことにより、高蓄積電荷密
度の絶縁層を有する薄膜EL素子の絶縁層形成方法を提
供することができる。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は従来
例を示す断面図である。 1−ガラス基板(透光性基板) 2−透明電極 3−第1の絶縁層 4−発光層 7−チタン酸バリウム薄膜特許出願人
日本精機株式会社 代理人 弁理士 牛 木 護 同 弁理士 薄 1)長門部 2図
例を示す断面図である。 1−ガラス基板(透光性基板) 2−透明電極 3−第1の絶縁層 4−発光層 7−チタン酸バリウム薄膜特許出願人
日本精機株式会社 代理人 弁理士 牛 木 護 同 弁理士 薄 1)長門部 2図
Claims (1)
- (1) 少なくとも透明電極と発光層との間に絶縁層を
形成する薄膜EL素子の絶縁層の形成方法において、前
記透明電極が形成された透光性基板を200℃以上に加
熱し、この透光性基板に反応性高周波スパッタリング法
によってチタン酸バリウムを堆積速度20〜40Å/分
で膜厚4500Å以上に成膜して前記絶縁層を形成した
ことを特徴とする薄膜EL素子の絶縁層形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1015259A JPH02195682A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 薄膜el素子の絶縁層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1015259A JPH02195682A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 薄膜el素子の絶縁層形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02195682A true JPH02195682A (ja) | 1990-08-02 |
Family
ID=11883856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1015259A Pending JPH02195682A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 薄膜el素子の絶縁層形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02195682A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6589674B2 (en) | 2001-01-17 | 2003-07-08 | Ifire Technology Inc. | Insertion layer for thick film electroluminescent displays |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1015259A patent/JPH02195682A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6589674B2 (en) | 2001-01-17 | 2003-07-08 | Ifire Technology Inc. | Insertion layer for thick film electroluminescent displays |
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