JPH0219473A - 無電解金沈積 - Google Patents

無電解金沈積

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JPH0219473A
JPH0219473A JP1126824A JP12682489A JPH0219473A JP H0219473 A JPH0219473 A JP H0219473A JP 1126824 A JP1126824 A JP 1126824A JP 12682489 A JP12682489 A JP 12682489A JP H0219473 A JPH0219473 A JP H0219473A
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gold
deposition
alkali metal
solution
potassium
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JP1126824A
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English (en)
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Rebecca Victoria Green
レベツカ・ビクトリア・グリーン
Peter Wilkinson
ピーター・ウイルキンソン
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BASF Catalysts LLC
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Engelhard Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/42Coating with noble metals
    • C23C18/44Coating with noble metals using reducing agents

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Nonmetallic Welding Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は金の無電解沈積浴(electroless 
golddeposition barb)として使用
するための溶液に、およびこの種の溶液を用いて金を基
材(5ubsLrate)上に金を沈積させる方法に関
するものである。
本発明を要約すれば、金の原料(たとえばアルカリ金属
の金シアン化物)および還元剤(たとえばアルカリ金属
ホウ水素化物)を含んでなる金の無電解沈積浴として使
用する水溶液が、アルカリ金属またはアンモニウムの7
エロシアニドとアルカリ金属もしくはアンモニウムのフ
ェリシアニドとの混合物を組み入れることにより、また
は1−H−テトラゾールもしくは他のレドックス媒介物
質を組み入れることにより安定化されるということであ
る。上記の溶液は一般にアルカリ金属のシアン化物をも
含有し、また、キレート剤(たとえばEDTA)および
促進剤(たとえば硫酸タリウム)を含有していてもよい
無電解(自触媒的)沈積系は、通常の電気メツキ法を超
える2種の主要な利点を有する。この系は電気的に孤立
した基材、または非伝導性基村上に金属を沈積させるこ
とができ、また、幾何学的構造に無関係に、構成要素以
上の厚さにでも金属を沈積させることができる。しばら
くの間、電子工業界は実際に自触媒的な金の沈積法を模
索してきた。これまでに開発された方法の大部分は、溶
液の不安定性のために不適当であった。従来提案されて
いる金の無電解沈積系の概括はアリ(H。
0、 Alt)およびクリステ4−(1,I?、 A、
 Christie)。
“無電解法積法概論(A review of ele
ctrolessdeposition proces
ses)”、金ビュレティン(GoldBull、) 
、 1984. t7 (4) 、 118−127ペ
ージ(この文献中の示唆は本件明細書中に引用文献とし
て組み入れられている)によりなされている。
“自触媒沈積”の語は、製品上に既に沈積している金属
が、溶液から製品上に同一の金属をさらに沈積させるた
めの触媒として作用することを意味する。直流沈積(g
alvanic deposition) 、たとえば
酸性溶液から鉄基村上への銅の沈積においては、より責
な金属(cu)が表面においてより責でない金属(F 
e)に置き換わるが、−皮表面が銅で覆われると反応が
停止する。金の直流(浸漬)沈積浴においては、構成要
素の表面において、より責な金属(Au)が、構成要素
が金で覆われるまで、より責でない金属、特に銅または
ニッケルに置き換わり、ここで反応が停止する。この方
法により沈積する金の最大厚みは0.1−0.2 am
である。しかし、自触媒浴は理論上、より多量の金属を
同一の金属基材上に沈積させ、全ての操作パラメータが
その限界内にあるとすれば、無制限の厚さにまで所望の
金属を沈積させ続ける。
自触媒浴においては、還元剤の酸化により提供される電
子の作用で金属イオンが金属原子に還元される。還元剤
がホウ水素化カリウムである金の無電解沈積にあっては
、酸化は次の2段階、よりなる: (1)  BH,″+ H,O→ BH30H−+  
)(。
(2)  BH,OH−+  n、o  4 13o、
−+  H。
最適撹拌においては、すなわち反応が拡散律速でない場
合には、B H30H−の生成が律速段階である。K 
A u(cN )z、KCN%KOHおよびKBH,を
含有する浴中の、BH,OH−によるAu(cN)、−
の金属金への還元は、オキナカ(Y。
0kinaka) 、 ’“無電解金沈積反応の電気化
学的研究(An electrochemical 5
tudy of electroless g。
Id−deposition reaction) ”
 、電気化学会誌(J。
ElecLrochem、 Soc、、) 、 120
巻、第6号(1973年6月) 739−744ページ
(この文献の示唆は本件明細書中に引用して組み込まれ
ている)により調査されている。
無電解沈積系は、溶液からの金属イオンの金属粒子とし
ての急激な沈澱である自動分解(ある場合には“異常メ
ツキ”として知られている)を受けやすい。これを避け
る意図において、全ての商業的無電解浴はこれまで安定
剤、特にアルカリ金属シアン化物、たとえばKCN を
含有していた。
浴中の金属不純物もこの分解の原因となり得るので、い
かなるものであれ、溶解している金属と錯塩を形成させ
るためにキレート剤を添加する。沈積速度を増加させる
ために、しばしば促進剤を添加する。
無電解(自触媒)沈積を成功させるには、全ての操作パ
ラメータを厳密に制御することが重要であると考えられ
る。したがって、溶液を入れるのに使用する貯槽は適当
な材質を用いて妥当な形状に構成されたものでなければ
ならなず、清浄に保たなければならないと考えられる。
上記の溶液は連続的に濾過すべきである(1時間あたり
溶液10回転までが無電解ニッケル沈積に関して一般的
である)。温度は最適値のプラスマイナス5%以内に制
御しなければならず、撹拌は十分でなければならないが
余りに激し過ぎてはならない。
また、浴の負荷は最適レベルに維持すべきである。
無電解ニッケル系においては浴の低負荷および高負荷は
自動分解の原因となり得る。最適値は0.5ないしl 
da”/Qである。浴は頻繁に分析して、必要な薬品を
少量ずつ定常的に添加することにより、その最適値に保
たなければならない。この目的には自動供与針(aut
omatic dosing meter)がしばしば
使用される。したがって、自触媒(無電解)沈積系は細
心な熟練者を必要とする。
このような手段があるにも拘わらず、金の無電解沈積系
はこれまで、なお不安定性の問題、特に沈積速度の変わ
り易さ(典型的には1時間あたり0ないし3 urnの
範囲で変化する)および金が塊として急激に沈澱する傾
向という問題を抱えていた。さらに、この種の系は補充
することができず、したがって、通常は原料が無くなる
まで、または沈澱が起きるまで運転する。したがって、
この技術においては安定で補充可能な、高純度の金を許
容し得る速度で沈積させることのできる無電解系に対す
る要求が明らかに存在する。望ましくは、運転員の熟練
に関する要求を軽減するために、この種の系は電線結合
(wire bonding)に適しているべきであり
、また、既に利用可能になっている銅またはニッケルの
無電解系に近い強固さを有するべきである。
本発明は(a)アルカリ金属またはアンモニウムのフェ
ロシアニドとアルカリ金属またはアンモニウムのフェリ
シアニドとの混合物、(b)l−H−テトラゾール、(
c)レドックス媒介物質および(d)これらのいずれか
の混合物より選択した還元安定剤をも含有する、金の原
料と還元剤を含んでなる金の無電解沈積系として使用す
るための水溶液を提供する。
本発明はまた、(a)アルカリ金属またはアンモニウム
のフェロシアニドとアルカリ金属またはアンモニウムの
フェリシアニドとの混合物、(b)LH−テトラゾール
、(c)レドックス媒介物質および(d)これらのいず
れかの混合物より選択した還元安定剤をも含有する、金
の原料と還元剤を含んでなる水溶液から基材表面への金
の無電解沈積方法をも提供する。
本発明はまた、この種の方法で金を沈積させた表面を少
なくとも一つ有する製品をも提供する。
好ましい具体例の記述 本発明記載の水溶液は、溶液中に金の原料を含有する。
原理的には、金の無電解沈積(メツキ)溶液に従来使用
されてきた、またはその使用を提案されてきた塩および
錯塩を含むいかなる金の化合物も考慮の対象となり、こ
れにはMがアンモニウムまたはアルカリ金属、特にカリ
ウムであるMAu(cN)z、M A u(cN )イ
M A uo *およびMAuOx;Mがアンモニウム
またはアルカリ金属、特にナトリウムであるM、Au(
S O3)! ;AuCN;ならびにアルカリ土属金イ
ミド、特にカリウム金スクシニミドまたはカリウム金7
タリミドのような化合物が含まれるが、アルカリ土属金
シアン化物、特定的には式K A u(cN )zで表
されるカリウム金シアン化物が特に好ましい。
上記の金化合物が工程内で形成され得ることは理解され
るであろう。たとえば、十分な(少なくとも化学量論的
な)量のシアン化物イオンを添加するならば、溶液中の
全ての金は実際上シアン錯イオンとして存在する。還元
剤の存在によっても、溶液中でA u ” ’はAu’
に転化する傾向を持つ。
本件水溶液は通常、10 glQ以内の金濃度(全単体
として表して)を有する。許容し得る沈積速度を達成す
るためには、全濃度は少なくとも0.25 g/Qの程
度が望ましいことが知られている。
3.5 g/dという高い金濃度で試験しても満足すべ
きものであったが、牽引(dragout)効果を最小
限に抑え、沈積の良好な均一性を保証するためには金濃
度は好ましくは0.8ないしl g/Qのレベルに保た
れる。
本発明記載の水溶液は溶液中に還元剤を含有する。先行
技術において、次亜塩素酸塩、ホルムアルデヒド、ヒド
ラジンならびにホウ素ベースの化合物、たとえばホウ水
素化物およびアミンポラン(たとえばイソプロピルアミ
ンポラン、ジーまたはトリエチルアミンポランおよびジ
ーまたはトリメチルアミンポラン)を含む種々の還元剤
が金の無電解メツキ溶液における使用に提案されている
が、アミンポランは使用に好ましくなく、かつ高価であ
ると言えるであろう。一方、アルカリ金属ホウ水素化物
、特にホウ水素化カリウムは好適であり、アルカリ土属
金シアン化物との組合わせにおいて特に有効である。
上記の還元剤は通常、■ないし25 gIQの、好まし
くは5ないし15 gIQの量で存在する。たとえばホ
ウ水素化カリウムは典型的には5ないし21.6 gI
Qのレベルで使用することができる。
本発明に従えば、上記の水溶液はまた還元安定剤、すな
わち、金を還元する反応を安定化して、極めて緩徐なも
のから極めて急激なもの、または自動沈澱にまで変化す
る、金の不規則な沈積への傾向を減少させる、または阻
止することを意図した化学剤をも含有する。還元安定剤
はその性質に応じて、一般には0.25ないし100 
gIQの、より一般的には1ないし10 g/4の量で
使用する。
この目的のために、ある好ましい具体例における水溶液
は、溶液中にアルカリ金属またはアンモニウムのフェロ
ンアニドおよびアルカリ金属またはアンモニウムのフェ
リシアニドを含有することもある:カリウム化合物に、
Fe”’(cN)、およびK aF e”(cN )a
が好ましい。好ましくは、アルカリ金属またはアンモニ
ウム7エロシアニド1重量部あたり0.25ないし3重
量部のアルカリ金属またはアンモニウムフェリシアニド
、より好ましくは0.4ないし2.5重量部のフェリシ
アニドを使用する。この比の対象であるたとえばフェロ
シアン化カリウムおよびフェリシアン化カリウムは、典
型的にはそれぞれ1ないし50 gIQおよび0.5−
20 gIQのレベルで使用する。
他のある好ましい具体例においては、本件水溶液は還元
安定剤として1−H−テトラゾールを含有する。1−H
−テトラゾール−これは典型的には10 gIQのレベ
ルで使用することができる−はこの化学剤単独で使用す
ることもできるが、これをアルカリ金属フェリシアニド
、特に K 3 F e ’ ” ’ (cN ) aの存在下
に使用しても有用な結果が得られている。
他の還元安定剤は、レドックス媒介物質(酸化還元媒介
物質)として知られる種類の化合物から選択することが
できる。レドックス媒介物質は、生化学および細胞生物
学において酵素および組織の分析に必須な電子の交換を
促進する化学薬品として知られており、微生物中の豊富
な電子源を電極と結合させるので、最近、微生物燃料電
池の添加剤として提案されている(ベネット(J 、 
Bennetto) 、 ”微生物が電力になる(Mi
crobes come t。
power) ”ニューサイエンティスト(New 5
cienList) 、 1987年4月16日、 3
6−39ページを参照)。考慮されるレドックス媒介物
質は、たとえばチオエン(たとえばlないし5 gIQ
のレベルで)、レゾル−フィン(たとえばlないし5 
g/(1(7) L/ ヘルで)およヒ1.10−フェ
ナントロリン(りとえば0.25ないしl gIQのレ
ベルで)である。
メツキ工程に使用される熱アルカリ液と混和し得るレド
ックス媒介物質のみを使用し得ることは、もちろん理解
されるであろう。たとえば、テトラゾリウム紫、2−ヒ
ドロキシ−1,4−す7トキノンおよび2.3−エポキ
シ−2,3−ジヒドロ−1,4−ナフトキノンはメツキ
液から金を塊状で沈澱させる原因となることが見いださ
れている。
[F e(cN )l] ’−と[F e(cN )s
l’−との間の電子交換は極めて速いことが知られてお
り(シャープ(A、 G、 5harpe) 、遷移金
属のシアノ錯塩の化学(The Chemistry 
or Cyano Complexes of the
Transition Metals)、アカデミツク
唾グレス(Academic Press)  (19
76) 、 115−120ページを参照)、本件出願
人らはいかなる理論とも結び付けることを望んでいるわ
けではないが、7工ロシアニド/フエリシアニド混合物
が電子貯槽として作用し、自動分解する傾向を減少また
は消滅させ、ひいては、LH−テトラゾールと同様にし
て、レドックス媒介物質に対して金の還元(Au’ =
Au)工程を安定化するように作用し得ると考えられる
本件水溶液の[)Hは、沈積を適当に進行させるために
、適宜に調節することができる。還元剤としてアルカリ
金属ホウ水素化物を使用する場合には、上記の液のpH
は厳密なパラメータであるとは考えられていない:BH
30H−イオンを形成するのに十分な水酸化物イオンが
存在する限り、沈積反応は進行する。たとえば上記のよ
うなホウ水素化物を使用する場合には一般にアルカリ性
のpH%通常は少なくとも 11、幸便にはllないし
11.5を維持するが、これは他の還元剤を使用する場
合にも妥当である。本件溶液は、アルカリ性pHを達成
するためにアルカリ金属水酸化物、たとえば水酸化ナト
リウムまたは水酸化カリウム(たとえば後者は、典型的
には5ないし22.4 gIQのレベルで使用すること
ができる)を含有することができ、かつ/または緩衝塩
を使用することもできる。この緩衝塩は、たとえばアル
カリ金属(特にナトリウムまたはカリウム)のオルトリ
ン酸塩、ビロリン酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩、ホウ酸
塩およびメタホウ酸塩から選択する。
本発明記載の水溶液の金の無電解沈積浴としての性能を
向上させるためには、メツキ溶液中に不純物として存在
する金属イオンと錯体を形成して、または他の様式で結
合して、それらが沈積する、またはメツキされる工程に
よる妨害を防止する、有機キレート剤を添加するのが好
ましい。この種のキレート剤は一般には0.1ないし1
00 gIQの、好ましくは1ないし20 g/11の
量で使用する。これにはエチレンジアミン四酢酸(ED
TA)およびそのアルカリ金属塩、ジエチレントリアミ
ン五酢酸およびそのアルカリ金属塩、ニトリロ三酢酸お
よびそのアルカリ金属塩、エタノールアミンならびにト
リエタノールアミンが含まれる。EDTAは溶液中のニ
ッケルと錯塩を形成するのに特に有効であることが知ら
れており、典型的には1ないし10 g/(2のレベル
で使用し得る。エタノールアミンおよびトリエタノール
アミンは、典型的にはそれぞれ25−75 mQ/Qお
よび5−50 mQ/αのレベルで使用し得る。
本発明記載の水溶液は通常、金の原料の安定性を改良す
るために、特に金ンアン化物錯体を使用する場合にはア
ルカリ金属シアン化物、たとえばシアン化ナトリウム、
シアン化カリウムまたはシアン化リチウムを含有するで
あろう。この種のシアン化物は一般に0.1ないし50
 g/12の、好ましくは1ないし25 gIQの量で
使用する。この種の副次的な安定剤の中では、シアン化
カリウムが特に好ましく、典型的には5ないし22 g
IQのレベルで使用し得る。
他の副次的な安定剤を1種または2種以上含有すること
も可能である。α−ヒドロキシニトリルが無電解沈積浴
の安定剤として提案されている( U S −A−3,
589,916を参照)が、本発明の目的にはグリシン
の使用が有利であることが見いだされている。グリシン
は上記の水溶液中でキレート剤として作用することが可
能であり、これは典型的には1ないし10 gIQのレ
ベルで使用し得る。
本発明記載の水溶液はまた、沈積速度を改良するために
促進剤を含有することもできる。US−A−4,307
,136に示唆されているように、周期表のIIIB、
 IVB およびVB 族の半金属および金属(特に第
4、第5および第6周期の元素)、たとえばタリウム、
鉛またはヒ素の水溶性塩もこの目的に使用し得るが、あ
る具体例においては、この種の促進剤の存在はニッケル
汚染物の存在に対する浴の敏感性を増加させている。
促進剤の濃度(単体金属または単体半金属として表した
)は一般には0.001ないし500 mg/Q。
より一般的にはo、ooiないし100 mg/Qであ
ろう。好ましい促進剤は、典型的には0.001ないし
7 mg/Q (単体タリウムとして計算して)のレベ
ルで使用し得るタリウム(たとえば硫酸タリウムとして
の)および、典型的には2ないし50mgIQ (単体
船として計算して)のレベルで使用し得る鉛(たとえば
硫酸鉛としての)である。
特定成分(金の原料、還元剤、還元安定剤、キレート剤
、副次的な安定剤、および促進剤)のいずれもが、2種
または3種以上の適当な種類の化合物の混合物により構
成されていてもよいことは、もちろん理解されるであろ
う。上に可能な成分としてアルカリ金属化合物を記載し
たところでは、対応するアンモニウム化合物も考慮に入
れることができるが、通常はカリウム化合物が最も経費
がかからず、最も容易に高純度で入手し得る。
本発明記載の水溶液は通常の手法で金の無電解沈積浴と
して使用することができる。メツキすべき基材をこの浴
に、所望の厚さの金の沈積を達成するに十分な時間浸漬
する。
金の無電解沈積は自触媒的工程であるので、基材は触媒
的に活性な表面、特に金属、たとえばニッケル、コバル
ト、鉄、鋼、パラジウム、白金、銅、真ちゅう、マンガ
ン、クロミウム、モリブデン、タングステン、チタニウ
ム、スズ、銀、コバールまたはパーマロイの表面を提供
すべきであるが、特に基材またはベース金属の溶解によ
る浴の汚染が全沈積物の純度およびメツキ浴の安定性に
逆効果を与える場合には、たとえば、金の直流沈積法た
とえば“アトメックス(Atomex)法(US−A−
3,230,098に記載されたような)を用いて、基
材表面に金を薄く沈積させるために予備メツキ段階を実
施することも可能であろう。
ニッケルの下塗りが必要と考えられるならば、ニッケル
ーホウ素型(ENi−B)無電解ニッケル沈積物を下塗
りとして用いることが、ニッケルーリン型(ENi−P
)無電解ニッケル沈積物以上に推奨される(本発明記載
の配合剤が後者の上には金を沈積させないので)。E 
N i−P 下塗りを用いる必要があるならば、金の無
電解沈積に先立って E N i−B  を吹き付ける
( f 1ash)べきである。
ホウ水素化カリウムと水酸化カリウムと(典型的にはい
ずれも5 g/(2)を含有する予備浸漬液(pre−
d ip)が、金浴を汚染から保護しながら、また、大
量成分の脱熱効果(heat−sink eflect
)を減少させながら、金の沈積の開始を促進するのに有
用であることが実証されている。基材を上記の予備浸漬
液に80℃で1分間浸漬するのが適当であることが見い
だされている。
本発明記載の金メツキ用の非金属基材は、たとえばU 
S −A−3,589,916に記載された方法により
、まずその表面を接触的に活性化して製造することがで
きる。
基材がメツキする必要のない表面をも含む製品であるな
らば、この面を公知の手法で遮蔽(mask)し、メツ
キ段階ののちに遮蔽物質を除去することも可能である。
本発明に従って金メツキまたは金張り(go+amet
allised) L/得る製品には、電子工学的要素
、特に電気的に孤立した島を有するもの、パッド(pa
d)およびトラック(track) 、たとえばマイク
ロ波要素、チップ担体(chip carrier) 
、印刷回路板、集積回路およびトランジスターヘッダー
が含まれる。
本件金沈積浴は通常は80°C±5℃の温度で操作する
。85°Cを超える温度では自動分解の有意の危険性が
あり得、一方、75°C以下では金の沈積速度の有意の
減少があり得る。操作中には、浴はたとえば磁気撹拌器
により撹拌すべきである。
撹拌速度は好ましくは200ないし600 rpmであ
る;より高い撹拌速度は自動分解の原因となり得、一方
、より低い撹拌速度は基材への金の沈積速度を減少させ
る。
0.5 dm”/<1という低い表面付加および10 
dm”/Qという高い表面付加も、試験の結果、満足す
べきものであった;先行技術の自触媒系はこのような高
い付加では自動分解を受けると考えられていたであろう
から、10 d+n”#lという高い付加に対する許容
性は驚くべきものである。しかし、実際的な応用に推奨
される表面付加は、浴の体積に応じてlないし3dが/
Qである。
沈積まt:はメツキ反応が進行するに伴って、浴液中の
各成分を適宜に補充する。たとえば金の原料は、金の濃
度を所要レベルに維持するために補充することが必要で
ある。原理的には、補充のために添加する金化合物は、
初期の溶液を調製するのに使用した金化合物と同一であ
る必要はない。
ホウ水素化カリウムは80°Cで迅速に分解する。
したがって、この還元剤を使用する場合には、操作中、
30分ごとに浴を分析して適宜にホウ水素化カリウムを
補充することが望ましい(この濃度は、浴が操作温度に
あれば、典型的には30分ごとに30%減少する)。促
進剤を使用するならば、通常は、これをしばしば補充す
ることも必要である。フェロシアニドおよびフェリシア
ニドを使用するならば、これをしばしば補充する必要が
あることも見いだされている。
実施例 本発明は以下の実施例中で、およびそれにより説明され
る。
上記の水溶液は活性炭処理した脱イオン水(活姓炭処理
はイオン交換樹脂よりのコロイド状重合体を全て除去す
るために行う)を入れた新しい、または少なくとも引っ
掻き傷のないビーカー中で調製した。これに替えて蒸留
水を使用することもできる。既に還元安定剤、キレート
剤および副次的な安定剤を含有する水溶液に促進剤(使
用するならば)の溶液、還元剤および全原料の溶液をこ
の順序で、撹拌しながら添加した。この溶液を80℃に
加熱し、粒状物質がそこに見えるならば全て濾過した。
例示した配合剤は、2.5μmの純金を電気メツキした
銅パネルの形で与えられた(、−れと異なる言及のない
限り)基材に関する寿命試験を用いて、このような低い
付加では試験中の系のあらゆる脆弱性(weaknes
s)が急速に現れるので、0.5 dm”/aの表面付
加で、無電界金沈積浴として調査した。
これらの試験において、浴はPTFE  で被覆した撹
拌器を用いて400 rpmで磁気撹拌しながら、80
°C±4°Cの温度で操作した。
還元剤の濃度は30分ごとに分析し、最少量の活性炭処
理した脱鉱物質水に溶解させた必要量を用いて補充を行
った。金および他の成分は、0.25gの金が溶液から
取り出されるごとに補充した。
金の粒子がビーカーの底に現れたときに、または、溶液
(最初は橙/黄色であったものが、加熱により極めて淡
い黄色に変化する)が淡い褐色に変化したときに、2個
のガラス繊維濾紙を通ずる真空濾過を行った。
実施例 l 以下の配合を有する水溶液を調製した:金(KAu(c
N)zとして存在)   l   g712オルトリン
酸カリウム、 K s P O+  12   g/ 
Qシアン化カリウム、KCN     11   g/
Qホウ水素化カリウム、 KBHa   10.8  
g/Qモノエタノールアミン      50  mQ
/aフェロシアン化カリウム     5   g/Q
7エリシアン化カリウム      2   g/Qタ
リウム(硫酸塩として存在)    2  mg/Qこ
の溶液を金の無電解沈積浴として試験したが、溶液中へ
の金の沈澱(異常メツキ)が生ずることなく、許容し得
る沈積速度(2,5−3,0μm/時)を達成し得るこ
とが見いだされた。
実施例 2 以下の配合を有する水溶液を調製した:金(K A u
(cN )zとして存在)   1   gIQシアン
化カジカリウム      11.0  g/Q水酸化
カリウム         11.2  g/QEDT
A             5.Og/Qホウ水素化
カリウム       10.8  gIQフェロシア
ン化カリウム      5.0  g/Qフェリシア
ン化カジカリウム    2.0  g/(1モノエタ
ノールアミン      50.OryrQ/Q試験の
結果、この溶液がニッケルの汚染に対して抵抗性を示す
強固な(robust)浴を提供することが見いだされ
た。沈積速度は一般に、約1μm/時であった。この試
験において、ニッケル上への沈積の開始は一般に5ない
し15分で起きることが認められた。ニッケル表面との
接触は溶液の自動分解の原因とはならなかった。
実施例 3 以下の配合を有する水溶液を調製した:金(KAu(c
N)zとして存在)   l   gIQシアン化カジ
カリウム       11.0  g/(2水酸化カ
リウム         11.2  g/QEDTA
             5.0  g/Qホウ水素
化カリウム       10.8  g/4フェロシ
アン化カリウム      5.0  g/Qフェリシ
アン化カジカリウム    2.0  gIQトリエタ
ノールアミン      10.OraQ/Qグリシン
             4.5  g/Q試験の結
果、この溶液は強固な浴であって、ニッケルの汚染に対
して抵抗性を示した。平均沈積速度2.5μrs/時で
金の回転率は150ないし200%であった。この試験
において、ニッケル上への沈積の開始は直後であった。
ニッケル表面との接触は溶液の自動分解の原因とはなら
なかった。
実施例 4 以下の配合を有する水溶液を調製した:金(KAu(c
N)zとして存在)   l   g/Qシアン化カジ
カリウム      11   gIQ水酸化カリウム
         11.2  g/Qホウ水素化カリ
ウム       10.8  gIQモノエタノール
アミン      50.OraQ/QEDTA   
           5.OgIQフェロシアン化カ
ジカリウム   5.0  g/Q7エリシアン化カリ
ウム      2.0  g/(1タリウム(硫酸塩
として存在)    2.0 mg/Q試験の結果、こ
の水溶液は強固な汎用の浴であって、銅および銅合金の
上に金を沈積させるのに特に適していた。この浴は通常
は0.5 dm2/(2の低負荷で、平均沈積速度2−
2.5μm/時、金の回転率200−250%で操作す
ることができ、金はK A u(cN )2を追加して
補充することができた。
この補充は遊離のシアン化物の濃度に対して逆効果を及
ぼさないことが見いだされた。
フェロシアン化カリウム、フェリシアン化カリウム、タ
リウムおよびモノエタノールアミンは、浴を使用しなが
ら、沈積による金の取り出し0.25 gあたりそれぞ
れ1.25 gs O,5L o、s mgおよび2.
5 mQの速度で補充した。
この浴溶液は(ある種の先行技術の配合液とは異なり)
ニッケル表面に触れても自動分解はしなかった。ニッケ
ル上への沈積の開始は直後であった。しかし、この浴溶
液は可溶性のニッケル汚染に対しては敏感であって、1
0 mgIQのニッケル濃度が自動分解の原因となり得
ることが見いだされた。この敏感性は溶液からタリウム
を除くことにより克服することできた。
実施例2.3および4の浴から得られた沈積物は、19
.3 g/cm3の密度と90ないし95HVの硬度と
を有する純度99.9%の金(0,1%はK)であった
。厚さ30μ寵以内の沈積物はつやがなく (matt
) 、色はレモンイエロー(実施例2および4)または
橙黄色(実施例3)であった。
実施例 5 以下の配合を有する水溶液を調製した:金(K A u
(cN )zとして存在)   1.0  g/Qシア
ン化カジカリウム       11.0  gIQ水
酸化カリウム         11.2  g/αE
DTA              5.Og/αホウ
水素化カリウム       10.8  gIQモノ
エタノールアミン      50.0 Illα/Q
タリウム(硫酸塩として存在)    2.0 mg/
Q!−H−テトラゾール        1.0  g
/(1この溶液を金メツキ浴として試験したが、2.0
7μm/時の平均沈積速度で188%の金の回転率に達
した。この金の沈積は性質において上記の各実施例のも
のと同等であった。
実施例 6 以下の配合を有する水溶液を調製した:金(KAu(c
N)!として存在)   1.0  gBシアン化カリ
ウム        11.0  gIQ水酸化カリウ
ム         11.2  g/QEDTA  
                 5.Og/Qホウ
水素化カリウム       10.8  g/(2モ
ノエタノールアミン      50.0 m+2/I
2フエリシアン化カリウム      2.0  g/
(1タリ、ラム(硫酸塩として存在)    2.0 
mgIQ1−H−テトラゾール         1.
0  g/Qこの溶液を金メツキ浴として試験したが、
2.05Jtm/時の平均沈積速度で225%の金の回
転率に達した。この金の沈積は性質において上記の各実
施例のものと同等であった。
比較例 A 以下の配合を有する水溶液を調製した:金(KAu(c
N)zとして存在)   1.0  g/Qシアン化カ
ジカリウム       11.0  gIQ水酸化カ
リウム         11.2  g/Qホウ水素
化カリウム       10.8  g/Q上記の溶
液を試験すると約lμva/時の沈積速度を与え、特に
ニッケルと接触した場合に自動分解し易いことがわかっ
た。
本発明に従えば、補充可能な、安定な(特に沈澱に対し
て抵抗性を有する)、かつ、金の沈積の許容し得る合理
的な一定速度と良好な分布とを与える、金の無電解沈積
浴用の水溶液の配合が可能であることは、上の記述より
見られるであろう。
本発明はこれまで純粋に例示として記述されたのであっ
て、詳細の変更が本発明の範囲内においてなされ得るこ
とはもちろん理解されるであろう。
本発明の主なる特徴および態様は以下のとおりである。
1、(a)アルカリ金属またはアンモニウムの7エロシ
アニドとアルカリ金属またはアンモニウムのフェリシア
ニドとの混合物、(b)l−H−テトラゾール、(c)
レドックス媒介物質および(d)これらのいずれかの混
合物より選択した還元安定剤をも含有することを特徴と
する、金の原料および還元剤を含んでなる金の無電解沈
積浴として使用するための水溶液。
2、フェロシアン化カリウムとフェリシアン化カリウム
とを含有することを特徴とする上記の第1項記載の溶液
3、上記の全原料がアルカリ土属金シアン化物であるこ
とを特徴とする上記の第1または第2項記載の溶液。
4、上記の還元剤がホウ水素化物であることを特徴とす
る上記の第11第2または第3項記載の溶液。
5、キレート剤をも含有することを特徴とする上記の第
1ないし第4項のいずれかに記載された溶液。
6、上記のキレート剤がEDTA  もしくはその塩、
モノエタノールアミン、トリエタノールアミンまたはそ
れらのいずれかの混合物であることを特徴とする上記の
第5項記載の溶液。
7、副次的な安定剤としてグリシン、アルカリ金属シア
ン化物、またはその混合物をも含有することを特徴とす
る上記の第1ないし第6項のいずれかに記載された溶液
8、副次的な安定剤としてシアン化カリウムを含有する
ことを特徴とする上記の第7項記載の溶液。
9、タリウムおよび/または鉛を含有することを特徴と
する上記の第1ないし第8項のいずれかに記載された溶
液。
10、上記の溶液を還元剤の酸化が行われるpuに維持
するだめのアルカリ金属水酸化物および/または緩衝剤
を含有することを特徴とする、上記の第1ないし第9項
のいずれかに記載された溶液。
11、実質的に上記の実施例1ないし6のいずれかに記
載されたものと同様である、金の無電解沈積浴として使
用するための水溶液。
12、金の原料および還元剤を含んでなる水溶液が(a
)アルカリ金属またはアンモニウムのフェロシアニドと
アルカリ金属またはアンモニウムのフェリシアニドとの
混合物、(b)l−H−テトラゾール、(c)レドック
ス媒介物質および(d)これらのいずれかの混合物より
選択した還元安定剤をも含有することを特徴とする、上
記の水溶液より基材表面への金の無電解沈積方法。
13、上記の水溶液が上記の第2ないし第11項のいず
れかに記載されたものであることを特徴とする上記の第
12項記載の方法。
14、上記の第12または第13項記載の方法により金
を沈積させた表面を有する基材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a)アルカリ金属またはアンモニウムのフェロシ
    アニドとアルカリ金属またはアンモニウムのフェリシア
    ニドとの混合物、 (b)I−H−テトラゾール、 (c)レドックス媒介物質および (d)これらのいずれかの混合物より選択した還元安定
    剤をも含有することを特徴とする、金の原料と還元剤を
    含んでなる金の無電解沈積浴として使用するための水溶
    液。 2、金の原料および還元剤を含んでなる水溶液が (a)アルカリ金属またはアンモニウムのフェロシアニ
    ドとアルカリ金属またはアンモニウムのフェリシアニド
    との混合物、 (b)I−H−テトラゾール、 (c)レドックス媒介物質および (d)これらのいずれかの混合物より選択した還元安定
    剤をも含有することを特徴とする、上記の水溶液より基
    材表面への金の無電解沈積方法。 3、特許請求の範囲第2項記載の方法により金を沈積さ
    せた表面を有する基材。
JP1126824A 1988-05-25 1989-05-22 無電解金沈積 Pending JPH0219473A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2016174780A1 (ja) * 2015-04-30 2016-11-03 日本高純度化学株式会社 無電解金めっき液、アルデヒド-アミン付加体補給液及びそれらを用いて形成した金皮膜

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2866676B2 (ja) * 1989-09-18 1999-03-08 株式会社日立製作所 無電解金めっき液及びそれを用いた金めっき方法
US5338343A (en) * 1993-07-23 1994-08-16 Technic Incorporated Catalytic electroless gold plating baths
US5635253A (en) * 1994-08-30 1997-06-03 International Business Machines Corporation Method of replenishing electroless gold plating baths
JP2023097848A (ja) * 2021-12-28 2023-07-10 上村工業株式会社 金めっき液の再生処理方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3485643A (en) * 1966-05-06 1969-12-23 Photocircuits Corp Electroless copper plating

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016174780A1 (ja) * 2015-04-30 2016-11-03 日本高純度化学株式会社 無電解金めっき液、アルデヒド-アミン付加体補給液及びそれらを用いて形成した金皮膜

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GB8812329D0 (en) 1988-06-29
EP0343816A1 (en) 1989-11-29
KR890017391A (ko) 1989-12-16

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