JPH02190751A - 半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置 - Google Patents
半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェーハの表裏の判定を含む結晶方位
の判定検査をＸ線を用いて自動的に行なう方位判定検査
装置に関する。
の判定検査をＸ線を用いて自動的に行なう方位判定検査
装置に関する。
（従来の技術）
例えば、シリコン単結晶の半導体ウェーハは。
デバイス製造における熱酸化工程等においてその表面に
結晶欠陥（面状欠陥）か生じないようにその切断面か（
！ ００）面から＜ １００＞方向に僅かの角度（オフ
アングル）だけ傾けられる（特公昭５０−１８２吟公報
参照）。
結晶欠陥（面状欠陥）か生じないようにその切断面か（
！ ００）面から＜ １００＞方向に僅かの角度（オフ
アングル）だけ傾けられる（特公昭５０−１８２吟公報
参照）。
従って、斯かる半導体ウェーハには表裏があり、これの
表面に対してのみ研磨加工等が施されるため、該半導体
ウェーハの表裏の判定が必要となるか、この判定は目視
検査では不可能である。
表面に対してのみ研磨加工等が施されるため、該半導体
ウェーハの表裏の判定が必要となるか、この判定は目視
検査では不可能である。
そこで、従来はシリコンの単結晶棒（インゴヅト）をス
ライスして得られる半導体ウェーハに。
ライスして得られる半導体ウェーハに。
その表裏を示す２つのオリエンテーション・フラット面
（以下、ＯＦと略称する）を付したり、ノツチ、レーザ
ーマーク等を付すことが行なわれている。
（以下、ＯＦと略称する）を付したり、ノツチ、レーザ
ーマーク等を付すことが行なわれている。
又、半導体ウェーハには前記オフアングルの方向及び絶
対値が所定の範囲（許容範囲）内にあることが要求され
るため、上記表裏の判定の他に結晶方位の判定か必要と
なる。
対値が所定の範囲（許容範囲）内にあることが要求され
るため、上記表裏の判定の他に結晶方位の判定か必要と
なる。
（発明か解決しようとする課題）
しかしながら、前記従来の表裏判定方法では半導体ウェ
ーハの加工を要したり、高価な装置を必要とするばかり
か、判定作業を全自動的に能率良く行なうことかできな
いという問題かあった。
ーハの加工を要したり、高価な装置を必要とするばかり
か、判定作業を全自動的に能率良く行なうことかできな
いという問題かあった。
又、主平面のオフアングルが所定の範囲にあるか否かの
判定検査は、単結晶棒（インゴ・Ｉト）の切断時になさ
れるのみで切断後は、抜取りで切断ロット（−単結晶棒
から切断される半導体ウェーハ）毎に検査されていたた
め、現実には無検査状態であった。
判定検査は、単結晶棒（インゴ・Ｉト）の切断時になさ
れるのみで切断後は、抜取りで切断ロット（−単結晶棒
から切断される半導体ウェーハ）毎に検査されていたた
め、現実には無検査状態であった。
以上のように、半導体ウェーハの判定検査は、該ウェー
ハの加工途中又は最終工程でなされており、全枚数のウ
ェーハについての判定検査を全自動て能率良く、且つ正
確に行なう装置は存在しなかった。
ハの加工途中又は最終工程でなされており、全枚数のウ
ェーハについての判定検査を全自動て能率良く、且つ正
確に行なう装置は存在しなかった。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので。
その目的とする処は、半導体ウェーハの表裏の判定を含
む結晶方位の判定検査を全自動で能率良く、且つ正確に
行なうことができる半導体ウェーハの方位自足検査装置
を提供するにある。
む結晶方位の判定検査を全自動で能率良く、且つ正確に
行なうことができる半導体ウェーハの方位自足検査装置
を提供するにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成すべく本発明は、インデックスされた複
数枚のウェーハの中から１枚の半導体ウェーハを取り出
してこれをＯＦステージヘセットするローダ一部と、こ
のＯＦステージにセットされた゛ト導体ウェーハのＯＦ
合わせを行なうＯＦ合わせ部と、ＯＦ合わせが終了した
半導体ウェーハをＯＦステージから取り出してこれを検
査ステージにセットする搬送部と、検査ステージにセッ
トされた半導体ウェーハの方位をＸ線法によって検査す
る測定部と、検査が終了した半導体ウェーハを検査ステ
ージから取り出してこれを検査結果に応じて所定の場所
に所定の状態で格納するアンローダー部とを含んで半導
体ウェーハの方位判定検査装置を構成したことを特徴と
する。
数枚のウェーハの中から１枚の半導体ウェーハを取り出
してこれをＯＦステージヘセットするローダ一部と、こ
のＯＦステージにセットされた゛ト導体ウェーハのＯＦ
合わせを行なうＯＦ合わせ部と、ＯＦ合わせが終了した
半導体ウェーハをＯＦステージから取り出してこれを検
査ステージにセットする搬送部と、検査ステージにセッ
トされた半導体ウェーハの方位をＸ線法によって検査す
る測定部と、検査が終了した半導体ウェーハを検査ステ
ージから取り出してこれを検査結果に応じて所定の場所
に所定の状態で格納するアンローダー部とを含んで半導
体ウェーハの方位判定検査装置を構成したことを特徴と
する。
（作用）
被検査対象である半導体ウェーハはローダ一部において
１枚ずつＯＦ合わせ部のＯＦステージヘセットされ、こ
こでＯＦ合わせが行なわれ、該ウェーハに予め付された
ＯＦを基準としてその位置決めがなされる０位置決めさ
れた半導体ウェーハは搬送部によって測定部の検査ステ
ージに所定の状態でセットされ、測定部ではＸ線発生部
からウェーハ面に向けてＸ線が照射され、このＸ線はウ
ェーハ面で反射する。この測定部では１例えば、定めら
れた向き（ＯＦに対して４５°傾いた＜Ｚｏｏ）方向）
に４°±１０のオフアングルを有する半導体ウェーハ（
即ち、その表面に対して格子面（４００）が３ａ〜５°
の傾きを有する半導体ウェーハ）に対してＸ線の回折条
件か満了光学系とされ、そのときにウェーハ面で反射し
た前記Ｘ線かＸ線検出器て受けられて受光状態となり、
このＸｋＩＡ検出器の受光状態をもってＸ！ｌが照射さ
れた面か半導体ウェーハの表であって、且つ該半導体ウ
ェーハのオフアングルが所定の範囲（３ａ〜５″）内に
あるものと判定され、それ以外は尖又はオフアングルが
規定値から外れているものと判定される。
１枚ずつＯＦ合わせ部のＯＦステージヘセットされ、こ
こでＯＦ合わせが行なわれ、該ウェーハに予め付された
ＯＦを基準としてその位置決めがなされる０位置決めさ
れた半導体ウェーハは搬送部によって測定部の検査ステ
ージに所定の状態でセットされ、測定部ではＸ線発生部
からウェーハ面に向けてＸ線が照射され、このＸ線はウ
ェーハ面で反射する。この測定部では１例えば、定めら
れた向き（ＯＦに対して４５°傾いた＜Ｚｏｏ）方向）
に４°±１０のオフアングルを有する半導体ウェーハ（
即ち、その表面に対して格子面（４００）が３ａ〜５°
の傾きを有する半導体ウェーハ）に対してＸ線の回折条
件か満了光学系とされ、そのときにウェーハ面で反射し
た前記Ｘ線かＸ線検出器て受けられて受光状態となり、
このＸｋＩＡ検出器の受光状態をもってＸ！ｌが照射さ
れた面か半導体ウェーハの表であって、且つ該半導体ウ
ェーハのオフアングルが所定の範囲（３ａ〜５″）内に
あるものと判定され、それ以外は尖又はオフアングルが
規定値から外れているものと判定される。
上記のように測定部にてその表裏及び方位か検査された
半導体ウェーハは、アンローダー部にて検査ステージか
ら堆り出されてその測定結果に応じて所定の場所に所定
の状態で（例えば、表てあって、且つオフアングルが許
容値内にあると判定されればそのまま、裏又はオフアン
グルが許容値を超えていると判定されれば反転されて）
格納される。
半導体ウェーハは、アンローダー部にて検査ステージか
ら堆り出されてその測定結果に応じて所定の場所に所定
の状態で（例えば、表てあって、且つオフアングルが許
容値内にあると判定されればそのまま、裏又はオフアン
グルが許容値を超えていると判定されれば反転されて）
格納される。
而して、上記一連の判定検査作業は半導体ウェーハの全
枚数に対して連続的に行なわれるため、半導体ウェーハ
の表裏の判定を含む結晶方位の判定検査が全自動で能率
良く、且つ正確に行なわれる。
枚数に対して連続的に行なわれるため、半導体ウェーハ
の表裏の判定を含む結晶方位の判定検査が全自動で能率
良く、且つ正確に行なわれる。
尚、主平面にオフオリエンテーションがあるウェーハで
あって、且つその表裏が明確であるものについて、該ウ
ェーハに入射、反対するＸ線光学系か特定のＢｒａｇ！
反射角の関係を満足するＸ線検査部を複数個用意すれば
、オフオリエンテーションを判定することか可能となる
。
あって、且つその表裏が明確であるものについて、該ウ
ェーハに入射、反対するＸ線光学系か特定のＢｒａｇ！
反射角の関係を満足するＸ線検査部を複数個用意すれば
、オフオリエンテーションを判定することか可能となる
。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る方位判定検査装置の平面図、第２
図は同装置の側面図、第３図は同装置による表裏及び方
位判定の作業手順を示すプロセスチャートである。
図は同装置の側面図、第３図は同装置による表裏及び方
位判定の作業手順を示すプロセスチャートである。
本発明に係る方位判定検査装置１は、第１図及び第２図
に示すように大別してローダ一部Ａ、 ＯＦ合わせ部Ｂ
、搬送部Ｃ１測定部り及びアンローダー部Ｅにて構成さ
れている。
に示すように大別してローダ一部Ａ、 ＯＦ合わせ部Ｂ
、搬送部Ｃ１測定部り及びアンローダー部Ｅにて構成さ
れている。
上記ローダ一部Ａは、ターンテーブル２とロボット３を
含んで構成され、ターンテーブル２はその中心軸周りに
水平旋回可能であって、これは不図示の駆動源によって
駆動され、その上面には５つのカセット４・・・が取り
付けられており、各カセット４には２５枚のシリコン単
結晶半導体ウェーハＷ−・・か上下方向に適当な間隔を
あけて径方向に差し込まれて収納されている。又、前記
ロボット３は、上下動、水平動及びその軸中心に回転可
能なアーム５を有し、該アーム５はその先部に前記ウェ
ーハＷを真空吸着すべき石英製の吸着部を有しており、
この吸着部は不図示のバキューム源に接続されている。
含んで構成され、ターンテーブル２はその中心軸周りに
水平旋回可能であって、これは不図示の駆動源によって
駆動され、その上面には５つのカセット４・・・が取り
付けられており、各カセット４には２５枚のシリコン単
結晶半導体ウェーハＷ−・・か上下方向に適当な間隔を
あけて径方向に差し込まれて収納されている。又、前記
ロボット３は、上下動、水平動及びその軸中心に回転可
能なアーム５を有し、該アーム５はその先部に前記ウェ
ーハＷを真空吸着すべき石英製の吸着部を有しており、
この吸着部は不図示のバキューム源に接続されている。
前記ＯＦ合わせ部Ｂは、前記各半導体ウェーハＷの外周
の一部に形成されたＯＦ（オリエンテーション・フラッ
ト）を基準として該ウェーハＷの位置決めを行なうもの
であって、これはウェーハＷを吸着してこれを水平旋回
せしめるＯＦステージと、ウェーハＷのＯＦを感知する
ＯＦセンサーを有しており、ＯＦステージも不図示のバ
キューム源に接続されている。尚、前記搬送部Ｃは、前
記ロボット３と同様のロボット６を含んで構成される。
の一部に形成されたＯＦ（オリエンテーション・フラッ
ト）を基準として該ウェーハＷの位置決めを行なうもの
であって、これはウェーハＷを吸着してこれを水平旋回
せしめるＯＦステージと、ウェーハＷのＯＦを感知する
ＯＦセンサーを有しており、ＯＦステージも不図示のバ
キューム源に接続されている。尚、前記搬送部Ｃは、前
記ロボット３と同様のロボット６を含んで構成される。
又、前記測定部りは、半導体ウェーハＷを吸着保持すべ
き検査ステージと、固定式の特殊光学系を有しており、
特殊光学系はＸ線発生器７、Ｘ線検出器８、ゴニオメー
タ−、シャッター検出装置等で構成され、これのト部は
Ｘ線漏洩防止カバー９にて被われている。尚、Ｘ線発生
器７とＸ線検出器８はウェーハＷの表面（検査面）に対
して所定角度をなして対峙している。又、検査ステージ
は不図示のバキューム源に接続されている。
き検査ステージと、固定式の特殊光学系を有しており、
特殊光学系はＸ線発生器７、Ｘ線検出器８、ゴニオメー
タ−、シャッター検出装置等で構成され、これのト部は
Ｘ線漏洩防止カバー９にて被われている。尚、Ｘ線発生
器７とＸ線検出器８はウェーハＷの表面（検査面）に対
して所定角度をなして対峙している。又、検査ステージ
は不図示のバキューム源に接続されている。
更に、前記アンローダー部Ｅは、前記ロボット３．６と
同様のロボットｌＯと、これの周囲に配された５つのカ
セット１１・・・を含んで構成され、カセット１１は前
記カセット４と同様のものであって、これには２５枚の
ウェーハＷ・・・が上下方向に格納可能であ、尚１図中
、１２はＸ線メータ１３はコントロールパネルである。
同様のロボットｌＯと、これの周囲に配された５つのカ
セット１１・・・を含んで構成され、カセット１１は前
記カセット４と同様のものであって、これには２５枚の
ウェーハＷ・・・が上下方向に格納可能であ、尚１図中
、１２はＸ線メータ１３はコントロールパネルである。
ところで、本実施例においては、半導体ウェーハＷはＯ
Ｆに対して４５′傾いた（ｉｏｏ）方向に４＠のオフセ
ットアングルを有するものである。
Ｆに対して４５′傾いた（ｉｏｏ）方向に４＠のオフセ
ットアングルを有するものである。
次に、本方位判定検査装置ｌによる半導体ウェーハＷの
表裏及び方位の判定作業を第３図に示すプロセスチャー
トを参照しながら説明する。
表裏及び方位の判定作業を第３図に示すプロセスチャー
トを参照しながら説明する。
先ず、当該装ＭｌのパワーがＯＮされ（第３図のステッ
プｌ）、初期設定がなされる（ステップ２）、この初期
設定では、？を置本体の扉が全て閉まっているか否か、
カバー９が閉まっているか否かが判断され（ステップ３
．４）、全てが閉まっているときにはＸ線発生器７がＯ
Ｎされ（ステップ５）、少なくとも一方が開いていると
きにはＸ線発生器７はＯＦＦされる（ステップ６）０次
に、ターンテーブル２が水平旋回せしめられ、被検査対
象たるウェーハＷ・・・を収容したカセット４かロボッ
ト３の位置にインデックスされるまでターンテーブル２
が旋回せしめられる（ステップ７）。
プｌ）、初期設定がなされる（ステップ２）、この初期
設定では、？を置本体の扉が全て閉まっているか否か、
カバー９が閉まっているか否かが判断され（ステップ３
．４）、全てが閉まっているときにはＸ線発生器７がＯ
Ｎされ（ステップ５）、少なくとも一方が開いていると
きにはＸ線発生器７はＯＦＦされる（ステップ６）０次
に、ターンテーブル２が水平旋回せしめられ、被検査対
象たるウェーハＷ・・・を収容したカセット４かロボッ
ト３の位置にインデックスされるまでターンテーブル２
が旋回せしめられる（ステップ７）。
上記のようにカセット４がインデックスされると、ロボ
ット３はそのアーム５をカセット４内の最下段に差し込
み（ステップ８）、ウェーハＷを検知するまでアーム５
が上昇せしめられる（ステップ９．１０）、尚、ウェー
ハＷの検知はアーム５先部のバキューム圧を検出するこ
とによってなされる。
ット３はそのアーム５をカセット４内の最下段に差し込
み（ステップ８）、ウェーハＷを検知するまでアーム５
が上昇せしめられる（ステップ９．１０）、尚、ウェー
ハＷの検知はアーム５先部のバキューム圧を検出するこ
とによってなされる。
アーム５がカセット４内でウェーハＷを検知すると、こ
れのバキュームがＯＮされ（ステップ１１）、該アーム
５はその先部にウェーハＷを吸着してカセット４から引
き抜かれ（ステップ１２）、その後所定角度だけ旋回し
て（ステップ１３）ウェーハＷがＯＦ合わせ部ＢのＯＦ
ステージに位置すると旋回を停止する（ステップ１４）
０次に、ロボット３はアーム５を前進せしめてこれに吸
着保持されたウェーハＷをＯＦステージ上に位置せしめ
（ステップ１５）、その後ＯＦステージのバキュームが
ＯＮされ（ステップ１６）、ウェーハＷはＯＦステージ
ｔにセクトされて吸着される（ステップ１７）。
れのバキュームがＯＮされ（ステップ１１）、該アーム
５はその先部にウェーハＷを吸着してカセット４から引
き抜かれ（ステップ１２）、その後所定角度だけ旋回し
て（ステップ１３）ウェーハＷがＯＦ合わせ部ＢのＯＦ
ステージに位置すると旋回を停止する（ステップ１４）
０次に、ロボット３はアーム５を前進せしめてこれに吸
着保持されたウェーハＷをＯＦステージ上に位置せしめ
（ステップ１５）、その後ＯＦステージのバキュームが
ＯＮされ（ステップ１６）、ウェーハＷはＯＦステージ
ｔにセクトされて吸着される（ステップ１７）。
上記のようにウェーハＷのＯＦステージ上へのセットが
終了すると、ロボット３のバキュームがＯＦＦされてア
ーム５によるウェーハＷの吸着が解除され（ステップ１
８）、アーム５か後退せしめられ（ステ・ンブ１９）、
ＯＦ合わせ部ＢにてウェーハＷの位置決めが開始される
。即ち、ＯＦセンサーかウェーハＷのＯＦを検知するま
でＯＦスデーシが回転せしめられ（ステップ２０，２１
゜２２）、ウェーハＷはＯＦを基準として位置決めされ
る。
終了すると、ロボット３のバキュームがＯＦＦされてア
ーム５によるウェーハＷの吸着が解除され（ステップ１
８）、アーム５か後退せしめられ（ステ・ンブ１９）、
ＯＦ合わせ部ＢにてウェーハＷの位置決めが開始される
。即ち、ＯＦセンサーかウェーハＷのＯＦを検知するま
でＯＦスデーシが回転せしめられ（ステップ２０，２１
゜２２）、ウェーハＷはＯＦを基準として位置決めされ
る。
上記ウェーハＷの位置決めが終了すると、搬送部Ｃのロ
ボット６のアーム１４が前進しくステップ２３）、該ロ
ボット６のバキュームがＯＮされる（ステップ２４）と
共にＯＦステージのバキュームかＯＦＦされ（ステップ
２５）、ウェーハＷかアーム１４に吸着保持される。そ
の後、アーム１４は後退して旋回しくステップ２６．２
７）。
ボット６のアーム１４が前進しくステップ２３）、該ロ
ボット６のバキュームがＯＮされる（ステップ２４）と
共にＯＦステージのバキュームかＯＦＦされ（ステップ
２５）、ウェーハＷかアーム１４に吸着保持される。そ
の後、アーム１４は後退して旋回しくステップ２６．２
７）。
ウェーハＷか測定部りの検査ステージに位置した時点て
旋回を停止する（ステップ２８）。
旋回を停止する（ステップ２８）。
次に、ロボ・ント６はそのアーム１４を前進せしめてウ
ェーハＷを検査ステージにセットしくステップ２９）、
検査ステージのバキュームがＯＮされ（ステップ３０）
、ロボット６のバキュームがＯＦＦされて（ステップ３
１）アーム１４は後退しくステップ３２）、ウェーハＷ
は検査ステージ上に吸着保持される。
ェーハＷを検査ステージにセットしくステップ２９）、
検査ステージのバキュームがＯＮされ（ステップ３０）
、ロボット６のバキュームがＯＦＦされて（ステップ３
１）アーム１４は後退しくステップ３２）、ウェーハＷ
は検査ステージ上に吸着保持される。
測定部りにおいては、Ｘ線発生器７のシャッターが開か
れ（ステップ３３）、検査ステージ上のウェーハＷの表
裏及び方位の測定が開始される（ステップ３４）、即ち
、Ｘ線発生部７からはＸ線かウェーハＷの被測定面に向
けて照射され、このＸ線はウェーハＷの被測定面で反射
する０本測定部りにおいては、ＯＦに対して４５＃傾い
た＜ｉｏｏ＞方向に４＠±１＠のオフセットアングルを
有する半導体ウェーハ（つまり、その表面に対して格子
面（４００）が３°〜５″の傾きを有する半導体ウェー
ハ）に対してＸ線の回折条件が満ｒ光学系とされ、この
ときにウェーハＷの被測定面で反射したＸ線がＸ線受光
器８で受けられて受光状態となり、このＸ線受光器８の
受光状態をもってＸ線か照射された被測定面がウェーハ
Ｗの表であって、且つ該ウェーハＷのオフアンタルか許
容値の範囲（３”〜５′）にあるものと判断され、それ
以外は裏又はオフアンクルか許容値の範囲から外れてい
るものと判定される。尚、測定中においては、受光、Ｉ
ｔ４定データの取り込みか行なわれる（ステップ３５）
。
れ（ステップ３３）、検査ステージ上のウェーハＷの表
裏及び方位の測定が開始される（ステップ３４）、即ち
、Ｘ線発生部７からはＸ線かウェーハＷの被測定面に向
けて照射され、このＸ線はウェーハＷの被測定面で反射
する０本測定部りにおいては、ＯＦに対して４５＃傾い
た＜ｉｏｏ＞方向に４＠±１＠のオフセットアングルを
有する半導体ウェーハ（つまり、その表面に対して格子
面（４００）が３°〜５″の傾きを有する半導体ウェー
ハ）に対してＸ線の回折条件が満ｒ光学系とされ、この
ときにウェーハＷの被測定面で反射したＸ線がＸ線受光
器８で受けられて受光状態となり、このＸ線受光器８の
受光状態をもってＸ線か照射された被測定面がウェーハ
Ｗの表であって、且つ該ウェーハＷのオフアンタルか許
容値の範囲（３”〜５′）にあるものと判断され、それ
以外は裏又はオフアンクルか許容値の範囲から外れてい
るものと判定される。尚、測定中においては、受光、Ｉ
ｔ４定データの取り込みか行なわれる（ステップ３５）
。
上記の測定か終了すると（ステップ３６）、Ｘ線発生器
７のシャッターが閉じられ（ステップ３７）、アンロー
ダー部ＥのロボットｌＯのバキュームかＯＮされる（ス
テップ３８）。次に、ロボット１０のアーム１５か前進
せしめられ（ステップ３９）、検査ステージのバキュー
ムかＯＦＦされて（ステ・ンブ４０）ウェーハＷかアー
ム１５に吸着保持せしめられると、アーム１５は後退し
て（ステップ４１）回転を開始しくステップ４２）、デ
ータ処理部から測定結果（ＯＫ（表）又はＮＧ （’Ｊ
Ｘ） ） 、該ウェーハＷは何枚口のものであるか、該
ウェーハＷの格納番地指定等のデータを受は取って所定
の位置で回転を停止する（ステップ４３）。尚、測定ア
ーム１５は測定結果か０にの場合にはそのまま停止し、
ＮＧである場合には反転してウェーハＷを裏返してから
停止する。
７のシャッターが閉じられ（ステップ３７）、アンロー
ダー部ＥのロボットｌＯのバキュームかＯＮされる（ス
テップ３８）。次に、ロボット１０のアーム１５か前進
せしめられ（ステップ３９）、検査ステージのバキュー
ムかＯＦＦされて（ステ・ンブ４０）ウェーハＷかアー
ム１５に吸着保持せしめられると、アーム１５は後退し
て（ステップ４１）回転を開始しくステップ４２）、デ
ータ処理部から測定結果（ＯＫ（表）又はＮＧ （’Ｊ
Ｘ） ） 、該ウェーハＷは何枚口のものであるか、該
ウェーハＷの格納番地指定等のデータを受は取って所定
の位置で回転を停止する（ステップ４３）。尚、測定ア
ーム１５は測定結果か０にの場合にはそのまま停止し、
ＮＧである場合には反転してウェーハＷを裏返してから
停止する。
その後、ロボット１０はそのアーム１５を指定されたカ
セット１１に差し込んで（ステップ４４）これに吸着保
持されたウェーハＷをカセットｌｌ内の指定された場所
に格納し、ロボット１０のバキュームがＯＦＦされると
、アーム１５をカセット１１から引き抜き（ステップ４
６）。
セット１１に差し込んで（ステップ４４）これに吸着保
持されたウェーハＷをカセットｌｌ内の指定された場所
に格納し、ロボット１０のバキュームがＯＦＦされると
、アーム１５をカセット１１から引き抜き（ステップ４
６）。
斯くてウェーハＷに対する一連の表裏及び方位の判定作
業が終了する（ステップ４７）。
業が終了する（ステップ４７）。
而して１本実施例においては、上記一連の判定作業がタ
ーンテーブル２上のカセット４・・・内に収納された半
導体ウェーハＷ・・・の全枚数（１２５枚）に対して連
続的に行なわれるため、半導体ウェーハＷ・・・の表裏
及び方位の判定検査が全自動で能率良く、且つ正確にな
される。
ーンテーブル２上のカセット４・・・内に収納された半
導体ウェーハＷ・・・の全枚数（１２５枚）に対して連
続的に行なわれるため、半導体ウェーハＷ・・・の表裏
及び方位の判定検査が全自動で能率良く、且つ正確にな
される。
ところで１以上の実施例に係る方位判定装置ｌはウェー
ハ製造工程において使用されるものであるが、検査工程
において使用される装置の例を第４図に基づいて説明す
る。尚、第４図は本発明の別実施例を示す第１図と同様
の図てあり、同図においては第１図に示したと同一要素
には同一符号を付している。
ハ製造工程において使用されるものであるが、検査工程
において使用される装置の例を第４図に基づいて説明す
る。尚、第４図は本発明の別実施例を示す第１図と同様
の図てあり、同図においては第１図に示したと同一要素
には同一符号を付している。
本装置においては、アンローダー部Ｅがロボッ）−１０
と、ターンテーブル１６．該ターンテーブル１６上に設
けられた６つのカセット（表に研磨加工が施された０に
ウェーハのみを格納すべきカセット）１７・・・と２つ
のカセット（裏に研磨加工が施されたＮＧウェー八へ格
納すべきカセ・ント）１８．１８を含んで構成されてい
る。
と、ターンテーブル１６．該ターンテーブル１６上に設
けられた６つのカセット（表に研磨加工が施された０に
ウェーハのみを格納すべきカセット）１７・・・と２つ
のカセット（裏に研磨加工が施されたＮＧウェー八へ格
納すべきカセ・ント）１８．１８を含んで構成されてい
る。
而して、研磨加工済のウェーハＷのローターから計測ま
での作業は前記実施例と同様になされるか、本実施例に
おいてはＯＫウェー八へＮＧウェーハか選別され、ＯＫ
ウェーハは指定された前記カセット１７に格納され、Ｎ
Ｇウェーハは前記カセット１８に格納される。
での作業は前記実施例と同様になされるか、本実施例に
おいてはＯＫウェー八へＮＧウェーハか選別され、ＯＫ
ウェーハは指定された前記カセット１７に格納され、Ｎ
Ｇウェーハは前記カセット１８に格納される。
（発明の効果）
以上の説明て明らかな如く本発明によれば、インデック
スされた複数枚のウェーハの中から１枚の半導体ウェー
ハを取り出してこれをＯＦステージへセットするローダ
一部と、このＯＦステージにセットされた半導体ウェー
ハのＯＦ合わせな行なうＯＦ合わせ部と、ＯＦ合わせか
終ｒした半導体ウェーハをＯＦステージから取り出して
これを検査ステージにセットする搬送部と、検査ステー
ジにセットされた半導体ウェーハの方位をＸ線法によっ
て検査する測定部と、検査が終了した半導体ウェーハを
検査ステージから取り出してこれを検査結果に応じて所
定の場所に所定の状態で格納するアンローダー部とを含
んで半導体ウェーハの方位判定検査装置を構成したため
、半導体ウェーハの表裏及び結晶方位の判定を全自動で
能率良く、且つ正確に行なうことかできるという効果か
得られる。
スされた複数枚のウェーハの中から１枚の半導体ウェー
ハを取り出してこれをＯＦステージへセットするローダ
一部と、このＯＦステージにセットされた半導体ウェー
ハのＯＦ合わせな行なうＯＦ合わせ部と、ＯＦ合わせか
終ｒした半導体ウェーハをＯＦステージから取り出して
これを検査ステージにセットする搬送部と、検査ステー
ジにセットされた半導体ウェーハの方位をＸ線法によっ
て検査する測定部と、検査が終了した半導体ウェーハを
検査ステージから取り出してこれを検査結果に応じて所
定の場所に所定の状態で格納するアンローダー部とを含
んで半導体ウェーハの方位判定検査装置を構成したため
、半導体ウェーハの表裏及び結晶方位の判定を全自動で
能率良く、且つ正確に行なうことかできるという効果か
得られる。
第１図は本発明に係る方位判定検査装置の平面図、第２
図は同装置の側面図、第３図は同装置による表裏及び方
位判定の作業手順を示すプロセスチャート、第４図は本
発明の別実施例に係る方位判定検査装置の平面図である
。 Ａ・・・ローダ一部、Ｂ・・・ＯＦ合わせ部、Ｃ・・・
搬送部、Ｄ・・・測定部、Ｅ・・・アンロータ一部、Ｗ
・・・半導体ウェーハ、ｌ・・・方位判定検査装置、２
，１６・・・ターンテーブル、３，６．１０・・・ロボ
ット、４．１１，１７．１８・・・カセット、７・・・
Ｘ線発生器、８・・・Ｘ線検出器。 特許出願人 信越半導体株式会社
図は同装置の側面図、第３図は同装置による表裏及び方
位判定の作業手順を示すプロセスチャート、第４図は本
発明の別実施例に係る方位判定検査装置の平面図である
。 Ａ・・・ローダ一部、Ｂ・・・ＯＦ合わせ部、Ｃ・・・
搬送部、Ｄ・・・測定部、Ｅ・・・アンロータ一部、Ｗ
・・・半導体ウェーハ、ｌ・・・方位判定検査装置、２
，１６・・・ターンテーブル、３，６．１０・・・ロボ
ット、４．１１，１７．１８・・・カセット、７・・・
Ｘ線発生器、８・・・Ｘ線検出器。 特許出願人 信越半導体株式会社
Claims (2)
- （１）インデックスされた複数枚のウェーハの中から１
枚の半導体ウェーハを取り出してこれをＯＦステージヘ
セットするローダー部と、このＯＦステージにセットさ
れた半導体ウェーハのＯＦ合わせを行なうＯＦ合わせ部
と、ＯＦ合わせか終了した半導体ウェーハをＯＦステー
ジから取り出してこれを検査ステージにセットする搬送
部と、検査ステージにセットされた半導体ウェーハの方
位をＸ線法によって検査する測定部と、検査が終了した
半導体ウェーハを検査ステージから取り出してこれを検
査結果に応じて所定の場所に所定の状態で格納するアン
ローダー部とを含んで構成されることを特徴とする半導
体ウェーハの方位判定検査装置。 - （２）前記測定部は、主平面がオフオリエンテーション
を有する半導体ウェーハの表裏を検査するものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの方位判
定検査装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009997A JP2683933B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置 |
| US07/466,184 US4995063A (en) | 1989-01-20 | 1990-01-17 | Single crystal orientation identifying and determining apparatus for semiconductor wafer and its operation method |
| EP19900300567 EP0379381A3 (en) | 1989-01-20 | 1990-01-19 | Single crystal orientation identifying and determining apparatus for semiconductor wafer and its operation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009997A JP2683933B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02190751A true JPH02190751A (ja) | 1990-07-26 |
| JP2683933B2 JP2683933B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=11735488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1009997A Expired - Lifetime JP2683933B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4995063A (ja) |
| EP (1) | EP0379381A3 (ja) |
| JP (1) | JP2683933B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02218945A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-08-31 | Rigaku Corp | Ｘ線回折による単結晶板の表裏判定方法 |
| WO2017038034A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ウェーハの表裏判定方法 |
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| JP2751975B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1998-05-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体処理装置のロードロック室 |
| US5498118A (en) * | 1992-02-07 | 1996-03-12 | Nikon Corporation | Apparatus for and method of carrying a substrate |
| US6473157B2 (en) * | 1992-02-07 | 2002-10-29 | Nikon Corporation | Method of manufacturing exposure apparatus and method for exposing a pattern on a mask onto a substrate |
| NL9200446A (nl) * | 1992-03-10 | 1993-10-01 | Tempress B V | Inrichting voor het behandelen van microschakeling-schijven (wafers). |
| US5516732A (en) * | 1992-12-04 | 1996-05-14 | Sony Corporation | Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus |
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1989
- 1989-01-20 JP JP1009997A patent/JP2683933B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-17 US US07/466,184 patent/US4995063A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-19 EP EP19900300567 patent/EP0379381A3/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0379381A2 (en) | 1990-07-25 |
| US4995063A (en) | 1991-02-19 |
| EP0379381A3 (en) | 1991-07-10 |
| JP2683933B2 (ja) | 1997-12-03 |
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