JPH02187951A - 磁界変調オーバライト型光磁気ディスク装置 - Google Patents
磁界変調オーバライト型光磁気ディスク装置Info
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- JPH02187951A JPH02187951A JP817789A JP817789A JPH02187951A JP H02187951 A JPH02187951 A JP H02187951A JP 817789 A JP817789 A JP 817789A JP 817789 A JP817789 A JP 817789A JP H02187951 A JPH02187951 A JP H02187951A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁界変調オーバライト型光磁気ディスク装置に
関する。
関する。
書き換え可能な光磁気ディスク装置として、旧データ消
去→新データ記録という二段階に亘る書き換え方式であ
るリライタブル型に代わって旧データの上から新データ
を直接記録する磁界変調オーバライト方式の研究開発が
盛んである。
去→新データ記録という二段階に亘る書き換え方式であ
るリライタブル型に代わって旧データの上から新データ
を直接記録する磁界変調オーバライト方式の研究開発が
盛んである。
この装置では、再生時により良質の信号を再生できるこ
とが望まれている。
とが望まれている。
第8図は従来の一例の磁界変調A゛−パライト型光磁気
ディスク装置1を示す。
ディスク装置1を示す。
2は片面ディスクであり、上面側にTbFeC0又はG
d Fe Co等の記録g!3を有する。
d Fe Co等の記録g!3を有する。
4は電磁石であり、スライダ5の後部に設けてあり、記
録膜3に極く近接している。
録膜3に極く近接している。
オーバライトは、コイル6に記録すべき信号に対応した
電流を流し、電磁石4により磁界が印加されている部位
に、半導体レーザ7よりのレーザビーム8を照射するこ
とにより行う。
電流を流し、電磁石4により磁界が印加されている部位
に、半導体レーザ7よりのレーザビーム8を照射するこ
とにより行う。
再生は、外部磁界を印加しない状態でレーザビーム8を
照射し、記録膜3で反射して偏光面が回転された反射ビ
ーム9を、偏光ビームスプリッタ10により分岐し、各
受光素子11.12の出力を差動増幅器13を通して取
り出すことにより行われ、例えば第5図中破線で示す波
形の信号が再生される。
照射し、記録膜3で反射して偏光面が回転された反射ビ
ーム9を、偏光ビームスプリッタ10により分岐し、各
受光素子11.12の出力を差動増幅器13を通して取
り出すことにより行われ、例えば第5図中破線で示す波
形の信号が再生される。
第8図中、14は1/2波長板、15.16は集光レン
ズ、17はシリンドリカルレンズである。
ズ、17はシリンドリカルレンズである。
記録膜3の磁化の方向に応じて、磁気カー効果により第
9図(A>、(B)に示すように直線偏光のレーザビー
ムの偏光面20が基準の而21に対して反時計方向及び
時計方向に角度θに回転する。
9図(A>、(B)に示すように直線偏光のレーザビー
ムの偏光面20が基準の而21に対して反時計方向及び
時計方向に角度θに回転する。
ここで、符号20a、20bで示すベクt・ルが光の強
さを表わすものとすると、第9図(A)のときには、受
光素子11はベクトル20aのX成分であるベクトル2
2aに対応するレベルの信号を出力し、受光素子12は
ベクトル20aのX成分であるベクトル23aに対応す
るレベルの信号を出力し、再生信号のレベルは両者の差
となり、第5図中破線+で示す如くになる。
さを表わすものとすると、第9図(A)のときには、受
光素子11はベクトル20aのX成分であるベクトル2
2aに対応するレベルの信号を出力し、受光素子12は
ベクトル20aのX成分であるベクトル23aに対応す
るレベルの信号を出力し、再生信号のレベルは両者の差
となり、第5図中破線+で示す如くになる。
第9図(B)のときには、受光素子11はベクトル20
bのX成分であるベクトル22bに対応するレベルの信
号を出力し、受光素子12はベクトル20bのX成分で
あるベクトル22bに対応するレベルの信号を出力し、
再生信号のレベルは両者の差となり、第5図中−vlで
示す如くになる。
bのX成分であるベクトル22bに対応するレベルの信
号を出力し、受光素子12はベクトル20bのX成分で
あるベクトル22bに対応するレベルの信号を出力し、
再生信号のレベルは両者の差となり、第5図中−vlで
示す如くになる。
ここで、上記記録膜3のカー回転角θには0.3〜0.
4度と微小である。
4度と微小である。
このため、各受光素子11.12から出力される信号の
レベル差は小さく、再生信号はレベル+V+ 、−V+
が極く小さく微弱なものとなり、良質の再生信号を(q
ることが困難である。
レベル差は小さく、再生信号はレベル+V+ 、−V+
が極く小さく微弱なものとなり、良質の再生信号を(q
ることが困難である。
本発明は良質の再生信号を得ることを可能とした磁界変
調オーバライト型光磁気ディスク装置を提供することを
目的とする。
調オーバライト型光磁気ディスク装置を提供することを
目的とする。
第1図は本発明装置の原理図を示す。
30は片面ディスクであり、基板31の上面に光透過性
がありファラデー効果を有する記録膜32を備えた構成
である。記録膜32は厚さ方向に磁化される。
がありファラデー効果を有する記録膜32を備えた構成
である。記録膜32は厚さ方向に磁化される。
33は外部磁界印加手段であり、オーバライト時に上記
片面ディスク30の記録111232に記録すべき信号
に対応した外部磁界を印加して磁界変調を与える。
片面ディスク30の記録111232に記録すべき信号
に対応した外部磁界を印加して磁界変調を与える。
34はレーザビーム照射手段であり、オーバライト時及
び再生時に上記片面ディスク30の基板31側より上記
記録膜32に直線偏光のレーザビーム35を照射する。
び再生時に上記片面ディスク30の基板31側より上記
記録膜32に直線偏光のレーザビーム35を照射する。
36は再生時に上記記録膜32を透過したレ−ザビーム
であり、記録膜32の磁化方向に応じてファラデー効果
により偏光面が回転された状態にある。
であり、記録膜32の磁化方向に応じてファラデー効果
により偏光面が回転された状態にある。
37は偏波面保存光ファイバであり、レーザビーム36
が端面より導入され、導入されたレーザビームをその偏
波面を保ったまま導く。
が端面より導入され、導入されたレーザビームをその偏
波面を保ったまま導く。
38は再生信号検出手段であり、上記のファイバ37を
通して導かれたレーザビームから再生信号を検出する。
通して導かれたレーザビームから再生信号を検出する。
上記ファラデー効果による偏光面の回転角度αは第4図
に示すように、前記のカー回転角に比べて数倍大きい。
に示すように、前記のカー回転角に比べて数倍大きい。
これにより、再生信号のレベルも第5図に示すように従
来の数倍高くなり、良質の再生信号が得られる。
来の数倍高くなり、良質の再生信号が得られる。
第2図は本発明の一実施例の磁界変調オーバライト型光
磁気ディスク装置40を示す。
磁気ディスク装置40を示す。
41は片面ディスクであり、基鈑42の上面にGd−G
o系の記録膜43が厚さt=0.1μmで形成しである
。
o系の記録膜43が厚さt=0.1μmで形成しである
。
このGd−Go系記録1t!i!43は光透過性を有し
且つファラデー効果を有する。ファラデー回転係数は約
1.8x 105deQ /mである。厚さが0.1μ
mの場合、偏光角の変化は1,8度となる。
且つファラデー効果を有する。ファラデー回転係数は約
1.8x 105deQ /mである。厚さが0.1μ
mの場合、偏光角の変化は1,8度となる。
第3図中、45.46は記録g143を保護する保護膜
である。
である。
第2図中、47はセラミック製のスライダであり、片面
ディスク41の記録膜43側に配してあり、ディスク4
1の回転により生ずる空気流の作用で僅かに浮上してい
る。
ディスク41の記録膜43側に配してあり、ディスク4
1の回転により生ずる空気流の作用で僅かに浮上してい
る。
48は電磁石であり、棒状のコア49にコイル50を巻
回してなり、スライダ47の後端にガラス接着して固定
してあり、記録膜43に10μm以上まで極く近接して
いる。コイル50は第3図に示すようにコア49の下端
(記録膜43)に近い側に詰めである。
回してなり、スライダ47の後端にガラス接着して固定
してあり、記録膜43に10μm以上まで極く近接して
いる。コイル50は第3図に示すようにコア49の下端
(記録膜43)に近い側に詰めである。
これにより、電磁石48は、オーバライトに必要な約2
50〜300エルステツドの磁界の強さと、2〜5MH
z (ディスク回転数1800rpIIlで8インチデ
ィスクの場合)の磁界反転の高速性を有する。
50〜300エルステツドの磁界の強さと、2〜5MH
z (ディスク回転数1800rpIIlで8インチデ
ィスクの場合)の磁界反転の高速性を有する。
51は偏波面保存光ファイバであり、一端側をコア49
の中心孔52内に差し込んで端面51aを電磁石48の
!1極而53と一致させて固定しである。
の中心孔52内に差し込んで端面51aを電磁石48の
!1極而53と一致させて固定しである。
このファイバ51の他端側は結合レンズ54に対向して
いる。
いる。
55は1/2波長板、56は偏光ビームスプリッタ、5
7.58は受光素子、59は差動増幅器、60は出力端
子である。
7.58は受光素子、59は差動増幅器、60は出力端
子である。
61は半導体レーザ、62はコリメートレンズ、63は
対物レンズである。
対物レンズである。
次に再生時の動作について説明する。半導体レーザ61
からの直線偏光のレーザビーム65はレンズ62.63
を経て記録膜43上に集光される。
からの直線偏光のレーザビーム65はレンズ62.63
を経て記録膜43上に集光される。
レーザビーム65は記録g143を透過し、記録843
の磁化の方向に応じて、ファラデー効果により、第3図
(A)、(B)に示すように偏光面が符号66a、66
bで示すように基準の而67に対して回転する。
の磁化の方向に応じて、ファラデー効果により、第3図
(A)、(B)に示すように偏光面が符号66a、66
bで示すように基準の而67に対して回転する。
上記の記録膜43においては、偏光面66a。
66bの回転角度αは±1.8度となり、従来例の±0
.4度に比べて4倍以上となる。
.4度に比べて4倍以上となる。
記録膜43を透過したレーザビーム68は、第3図に示
すように上記の光ファイバ51の端面51aを照射する
。
すように上記の光ファイバ51の端面51aを照射する
。
端面51aの有効部の径d+は数10μmあり、集光点
の光スポットの径d2・・約1μmに比して十分大きく
、透過レーザど−ム68は光フアイバ51内に効率良く
導入される。
の光スポットの径d2・・約1μmに比して十分大きく
、透過レーザど−ム68は光フアイバ51内に効率良く
導入される。
光ファイバ51は偏波面を保存する機能を有するもので
あり、レーザビーム68は光フアイバ51内を偏光面の
変動なく伝播される。
あり、レーザビーム68は光フアイバ51内を偏光面の
変動なく伝播される。
レーザビーム68は光フフイバ51の他端より出射し、
結合レンズ54.1/2波長板55を通って偏光ビーム
スプリッタ56に入り、ここで分岐され、受光素子57
.58に向かう。各受光素子57.58は受光した光の
強さに対応したレベルの電圧を出力し、これが差動増幅
器59を通り、端子60より第4図中実線で示す再生信
号69が取り出される。
結合レンズ54.1/2波長板55を通って偏光ビーム
スプリッタ56に入り、ここで分岐され、受光素子57
.58に向かう。各受光素子57.58は受光した光の
強さに対応したレベルの電圧を出力し、これが差動増幅
器59を通り、端子60より第4図中実線で示す再生信
号69が取り出される。
ここで、符号66a、66bで示すベクトルが光の強さ
を表わすものとすると、第4図(A)のときには、ベク
トル66aのy成分であるベクトル70aに対応する強
さの光が偏光ビームスプリッタ56により反射されて受
光素子57を照射し、受光素子57はベクトル70aに
対応するレベルの信号を出力する。
を表わすものとすると、第4図(A)のときには、ベク
トル66aのy成分であるベクトル70aに対応する強
さの光が偏光ビームスプリッタ56により反射されて受
光素子57を照射し、受光素子57はベクトル70aに
対応するレベルの信号を出力する。
またベクトル66aのX成分であるベクトル71aに対
応する強さの光が偏光ビームスプリッタ56を透過して
受光素子58を照射し、受光素子5Bはベクトル71a
に対応するレベルの信号を出力する。
応する強さの光が偏光ビームスプリッタ56を透過して
受光素子58を照射し、受光素子5Bはベクトル71a
に対応するレベルの信号を出力する。
再生信号のレベルは両者の差となる。ここで、両者の差
は従来の場合より大きく、再生信号69のレベル+v2
は、従来の場合のレベル+■1を超えてこれより大とな
る。
は従来の場合より大きく、再生信号69のレベル+v2
は、従来の場合のレベル+■1を超えてこれより大とな
る。
第4図(8)のときには、ベクトル66bのy成分であ
るベクトル70bに対応する強さの光が偏光ビームスプ
リッタ56により反射されて受光素子57を照射し、受
光素F57はベクトル70bに対応するレベルの信号を
出力する。
るベクトル70bに対応する強さの光が偏光ビームスプ
リッタ56により反射されて受光素子57を照射し、受
光素F57はベクトル70bに対応するレベルの信号を
出力する。
またベクトル66bのX成分であるベクトル71bに対
応する強さの光が偏光ビームスプリッタ56を透過して
受光素子58を照射し、受光素子58はベクトル71b
に対応するレベルの信号を出力する。
応する強さの光が偏光ビームスプリッタ56を透過して
受光素子58を照射し、受光素子58はベクトル71b
に対応するレベルの信号を出力する。
再生信号のレベルは両者の差となる。この場合にも、両
者の差は従来の場合より大きく、再生信号69のレベル
−V2は、従来の場合のレベル−V+を超えてこれより
大となる。
者の差は従来の場合より大きく、再生信号69のレベル
−V2は、従来の場合のレベル−V+を超えてこれより
大となる。
従って、従来に比べてレベルが高い良質の再生信号69
が得られる。
が得られる。
このため、信号検出系及び信号処理系の回路は、部品の
実装、シールド及び部品自体等について従来のもの程の
厳格性を要求されず、実際の製造が容易となり、コスト
的にも安価となる。
実装、シールド及び部品自体等について従来のもの程の
厳格性を要求されず、実際の製造が容易となり、コスト
的にも安価となる。
なお、フォーカシング信号及びトラッキング信号は、従
来通り反射光から得る。
来通り反射光から得る。
第6図は本発明の別実施例の磁界変調オーバライト型光
磁気ディスク装置80を示す。
磁気ディスク装置80を示す。
この装置80は、第7図に併せて示すように、第2図中
の結合レンズ54.1/2波長板55゜偏光ビームスプ
リッタ56.受光素子57.58を共に小型にし一体化
したものを、スライダ47A上に固定された偏波面保存
光ファイバ51の他端に対向させて、スライダ47A上
に固定した構成である。
の結合レンズ54.1/2波長板55゜偏光ビームスプ
リッタ56.受光素子57.58を共に小型にし一体化
したものを、スライダ47A上に固定された偏波面保存
光ファイバ51の他端に対向させて、スライダ47A上
に固定した構成である。
第6図及び第7図中、第2図に示す構成部分と対応する
部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
上記構成の装置80は、第2図に示す装置40に比べて
小型である。
小型である。
なお、前記の記録g143はGd−Go系のものに限ら
ず、例えばTb−Fe膜、Gd Tb Fe膜でもよい
。
ず、例えばTb−Fe膜、Gd Tb Fe膜でもよい
。
以上説明したように、本発明によれば、従来に比べてレ
ベルの高い良質の再生信号を得ることが出来、磁界変調
オーバライト型であって理想的な光磁気ディスク装置を
実現することが出来る。
ベルの高い良質の再生信号を得ることが出来、磁界変調
オーバライト型であって理想的な光磁気ディスク装置を
実現することが出来る。
第1図は本発明の原理図、
第2図は本発明の一実施例の磁界変調オーバライト型光
磁気ディスク装置を示す図、 第3図は第2図中の一部を拡大して示す図、第4図はフ
ァラデー効果による偏光面の回転及びx、y方向の偏光
成分を示す図、 第5図は再生信号を示す図、 第6図は本発明の別の実施例の磁界変調A−−パライト
型光磁気ディスク装置を示す図、第7図は第6図中スラ
イダの平面図、 第8図は従来の磁界変調オーバライト型光磁気ディスク
装置を示す図、 第9図はカー効果による偏光面の回転を丞す図である。 図において、 30は片面ディスク、 31は基板、 32は記録膜、 33は外部磁界印加手段、 34はレーザビーム照射手段、 35は直線偏光のレーザビーム、 36は透過したレーザビーム、 37.51は偏波面保存光ファイバ、 38は再生信号検出手段、 40.80は磁界変調オーバライト型光磁気ディスク装
置、 41は片面ディスク、 43はGd−Go系の記録膜、 48は電磁石、 56は偏光ビームスプリッタ、 57.58は受光素子、 59は差動増幅器、 60は出力端子、 61は半導体レーザ、 66a、66t)1.を偏光面、 69は再生信号、 70a、70bは偏光のX方向成分、 71a、71bは偏光のX方向成分 を示す。
磁気ディスク装置を示す図、 第3図は第2図中の一部を拡大して示す図、第4図はフ
ァラデー効果による偏光面の回転及びx、y方向の偏光
成分を示す図、 第5図は再生信号を示す図、 第6図は本発明の別の実施例の磁界変調A−−パライト
型光磁気ディスク装置を示す図、第7図は第6図中スラ
イダの平面図、 第8図は従来の磁界変調オーバライト型光磁気ディスク
装置を示す図、 第9図はカー効果による偏光面の回転を丞す図である。 図において、 30は片面ディスク、 31は基板、 32は記録膜、 33は外部磁界印加手段、 34はレーザビーム照射手段、 35は直線偏光のレーザビーム、 36は透過したレーザビーム、 37.51は偏波面保存光ファイバ、 38は再生信号検出手段、 40.80は磁界変調オーバライト型光磁気ディスク装
置、 41は片面ディスク、 43はGd−Go系の記録膜、 48は電磁石、 56は偏光ビームスプリッタ、 57.58は受光素子、 59は差動増幅器、 60は出力端子、 61は半導体レーザ、 66a、66t)1.を偏光面、 69は再生信号、 70a、70bは偏光のX方向成分、 71a、71bは偏光のX方向成分 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板(31)上に光透過性を有し且つファラデー効果
を有する記録膜(32)を備えた片面ディスク(30)
と、 オーバライト時に上記片面ディスクの上記記録膜側から
該記録膜に外部磁界を印加する外部磁界印加手段(33
)と、 オーバライト時及び再生時に上記片面ディスクの上記基
板側から上記記録膜にレーザビームを照射する手段(3
4)と、 上記記録膜を透過して偏光面が回転されたレーザビーム
をその偏波面を保ったまま導く偏波面保存光ファイバ(
37)と、 該偏波面保存光ファイバを通して導かれたレーザビーム
から再生信号を検出する再生信号検出手段(38)とよ
りなることを特徴とする磁界変調オーバライト型光磁気
ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1008177A JP2716988B2 (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 磁界変調オーバライト型光磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1008177A JP2716988B2 (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 磁界変調オーバライト型光磁気ディスク装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02187951A true JPH02187951A (ja) | 1990-07-24 |
JP2716988B2 JP2716988B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=11686035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1008177A Expired - Lifetime JP2716988B2 (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 磁界変調オーバライト型光磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2716988B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222455A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-09-30 | Seiko Epson Corp | 光学式情報記録再生装置 |
JPS63237243A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録方法 |
-
1989
- 1989-01-17 JP JP1008177A patent/JP2716988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222455A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-09-30 | Seiko Epson Corp | 光学式情報記録再生装置 |
JPS63237243A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2716988B2 (ja) | 1998-02-18 |
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