JPH02183549A - バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、超薄型高密度Ｓ、積回路素子用半導体チップ
のワイヤレスボンディングに係り、フィルムキャリア側
にチップボンディング用のバンプを精密に形成するよう
にしたバンプ付きフィルムキャリア及びその製造方法に
関する。

［従来の技術］ 一般にＩＣやＬＳＩ等を製造する場合、半導体チップを
リードフレームのグイパッドに接着した後、該チップの
各電極とリードフレームの７ウタ一リード間を、極細の
純金線等ボンディング用のワイヤーにより１本づつボン
ディングするワイヤボンディングが周知である。

しかし乍ら、超高密度集積化されたＬＳＩ等の場合、ア
ウターリードに対応するビン数は数百に及ぶ為、各ビン
間距離が数十ミクロンの間隔で接近しており、上記ワイ
ヤーボンディングでは製造工程や品質上限界が出てくる
。

このようなことから昨今では、該半導体チップの各電極
を直接インナーリードに熱圧着するテープ・オートメイ
テッド・ボンディング（ＴＡＢ）方式が多用されている
。

在来のＴＡＢは、ポリイミド樹脂、ボエステル樹脂、ガ
ラスエポキシ樹脂等で成形された厚さ１２５μ程の長尺
のテープフィルムに、厚さ３５μ程の銅箔を積層形成し
てあって、これにフィルム送り用のスプロケットと噛合
するパーフォレーションやデイバイスホールを穿設し、
又、フォトレジスト及びエツチングにより所定の回路パ
ターンやインナーリード等を写真フィルムと同様に多数
の駒として連設状態で形成し、更に該各リード部分に無
電解銅メッキ成るいは電解金メッキ＋２！Ｌ理したフィ
ルムキャリアを使用するものである。

又、半導体チップは、拡散済みウェハのパッド部分に熱
圧着用の突起（バンプ）を形成するもので、該チップの
裏面に所定の金属でバリヤ屑（バリヤメタル）を形成し
且つその上に、金やｓＷの金属で所定サイズのバンプを
形成し、これを上記各リードに熱圧着してチップ電極と
外部回路とをワイヤレスボンディングで接続するもので
ある。

このＴＡＢ方式の在来例は、半導体チップ側にボンディ
ング用の突起（バンプ）を金や錫等で形成するものであ
るが、上記バリヤメタルやバンプを形成する為、拡散済
みウェハのに金属膜形成工程へフォトリソ工程〜ストラ
イク処理工程〜メ７キ工程〜レジスト除去工程〜フオト
リソ工程〜フォトリソ工程〜エッチング工程〜レジスト
除去工程〜アニール工程等を必要とし、且つこのように
して得られたバンプ付きウェハを１枚づつホストプレー
トにワックスで貼着〜ダイシング後チップ化した後、前
記ボンディングを行うものである。

従って、製造工程がかなり複雑であり、又、小片チップ
の各電極上に微小なバンプを多数精密にメッキ析出させ
ることが難しく、必然的に生産コストが嵩み特殊用途向
けにしかならない。

このようなことから、昨今ではフィルムキャリアのイン
ナーリード開に金等の金属で厚みが１０〜３０μのバン
グを形成する手段が汎用化されつつあり、以下の方法が
周知である。

まず第１例は、インナーリード端にフォトエツチング加
工し、そこに噴射メッキ処理でインナーリド表面より若
干盛り上がったメサ状のバンプを形成する方法である。

第２例は転写バンプ方式であって、ガラス基板にマスク
を使用して一旦所定数の金バンプのみをメッキで析出形
成し、次にこれを前記フィルムキャリアのインナーリー
ド側に熱圧着して該バンプをそこに転写する方法である
。

［発明が解決しようとする課題］ 而で、上記第１例は、従来の部分メッキ手段でによりイ
ンナーリード先端に微小メッキ部を形成する為、メサ状
のバンプとは言え実際にはメッキ析出層は薄く、シかも
形状が不整形なためメッキ厚みのバラツキが生じ、その
ままではチップとのボンディングに支障が出てくる。

従って、後加工で該バンプ表面の整形処理を必要とし、
又、完全な整形ができない場合はボンディングエラーが
出やすく、品質や生産性及びコストの点で問題があった
。

一方、第２例の手段によれば、ガラス基板にバンプを形
成する時と、該バンプをフィルムキャリアに転写する時
の２回精密な位置合わせが必要であるため、実装工程で
の歩留まりが低く、特に超多ビン構造の半導体チップの
場合実装が難しいことらある。

特に、ガラス基板にバンプを形成すると、その時点では
先鋭メサ状のバンプとなるが、それをフィルムキャリア
側に熱転写した時には上下が反転した状態になる。

即ち、上記先鋭部分がインナーリードの表面に貼着し、
それより広い面積の底面が上向き（逆テーパー状）にな
って、バンプ頂部の直径が底部のそれより大となり且つ
インナーリードの幅員よりも大きくなり易い。

そのため、リード間隔をｆ！ｍ細化できず超多ピン構造
千ノブ用には不向きである。

又、バンプの頂部が広く且つフラットであるため、チッ
プとのボンディングに際して、該バンプの頂部表面が加
熱及び加圧力により変形しにくい状態となる。

更に、該バンプの頂部表面が押圧力によりくずれ乍らチ
ップ電極と接合する時、バンプ内部の新鮮な金属面（新
生面）が次々と露出してこない為接合能力が低下し、高
精度及び高品位のチップボンディングが困難であるとい
う問題があった。

叙上の他、在来のフィルムキャリアに形成されている各
駒（回路パターン）は、エンチング処理工程上、全駒の
各リードがコモンパターンで連結された状態であり、長
尺フィルムテープ上の各リードは全て電気的に接続され
た状態である。

この為、従来はチップをボンディングした後、別工程で
該コモンパターンを各駒毎にパンチングし、各リードを
分断独立させていた。

このなめ、パンチングエラーが生じると、チップ実装済
みのフィルムキャリアが全部損失となり易く、又、チッ
プボンディングエラーの電気的チエツクも、最終工程で
のチップ分断後でなければ行えず工程品質管理上に支障
があった。

以上の他、従来のバンプ付きフィルムキャリアは、イン
ナーリードのみにバンプが形成されており、インナーリ
ドボンディング（ＩＬＢ）でチップを接合した後、別工
程でアウターリードボンディング（ＯＬＢ）を行い外部
回路基板電極との接合をしていた。

このＯＬＢの場合は前記チップの接合と異なって、接合
部の表面処理材は錯等の金属を使用するもので、処理厚
みも前記バンプと比較して相当薄い（２〜３μ）もので
ある。

このように、ＩＬＢとＯＬＢとは全く別異の接合機能及
び処理工程が要求されるものであり、従来より両者は完
全に分離して処理されていた。

従って、段取りを含めてかなりの工数がかかるという問
題もあった。

更に、前記第１及び第２公知例ともバンプ形成に際して
、メッキ析出速度が１μ／数十秒にもなり、バンプを形
成するのにかなり時間ががかる。

しかし、チップに直接形成する場合は、多数のチップが
配置されているウェハー毎に処理するため、チップが多
数個に分断された時点では１個当りの工経費が比較的低
顎にし得る。

これに対して、フィルムキャリア側に在来手段でバンプ
を形成する場合、１駒づつ処理するため上記工経費がか
なり嵩むという問題があった。

［課題を解決するための手段］ 本発明は叙上の問題点に鑑み成されたものであり、半導
体チップ実装用のリードフレームやフィルムキャリアの
リード先端に直接バンプを形成する方法であって、該バ
ンプを精密な位置に形成し且つ高品位なものが得られる
ようにし、超多ビンの半導体チップも高効率で実装可能
としたバンプ形成方法の提供を目的とするものである。

上記目的を達成する手段として、バンプ形成用の部分メ
ッキ処理をする際に必要なカソード電位を得るため、予
めフィルムキャリア上に形成されたパターン全体電気的
に接続している部分をパンチングにより切断して、全イ
ンナーリードを電気的に独立させた後各インナーリード
にプローブを接触させ、該プローブと前記カソード間に
所定のメッキ電源を印加し、このメッキ電流〜メッキ時
間等を制御せしめることでインナーリードの先端に精密
なバンプを形成可能としである。

又、予め分断されたインナーリード先端に形成されたバ
ンプは、ボンディングに際してその表面から順次新生面
が露呈可能な形態とし、且つインナーリードの幅員より
小さいサイズとして、超多ビン構造の半導体チップ向け
としてあり、チップボンディング完了時点でも必要に応
じて電気的チエツクが可能としである。

更に、上記インナーリードの先端には半導体チップとの
ボンディング（ＩＬＢ）用の主バンブが形成され、且つ
アウターリードの所定部には外部回路電極とのボンディ
ング（ＯＬＢ）用の副バンプが形成され、ＩＬＢとＯＬ
Ｂの両方が連続的に処理可能としである。

［作用］ 上記の如く、メッキ処理する際に必要なカソード電位を
得るためインナーリードを予め分断し、該各インナーリ
ードと当接したプローブに抵抗を直列接続し、該抵抗と
並列に接続される掃引信号発生器部やＡ／Ｄ変換器及び
コンピュータを介して各インナーリードに流れるメッキ
電流値を計測し、このデータをアナログ−デジタル変換
してコンピュータで読み取り、且つ該電流値にサンプリ
ングインターバル時間を乗じてクーロン量に変換する。

又、析出金属の電気化学当量と、クーロン量から該サン
プリングインターバル間に析出した金属量が得られる一
方、各インナーリード先端のバング形成のメッキ面積は
予め設定されているから、析出金属の比重と、メッキ面
積で該析出金属量を除算すればメッキ析出厚みが得られ
る。

即ち、ｋ　ｉ　ｔ　＝　ｓ　ｈ　ｌ）　−（１）　　が
成り立つ。

但し、電気化学当量□に メッキ電流値□ｉ サンプリングインターバル時間−ｔ メッキ面’ｍ　　　　ｓ メッキ析出厚み−ｈ 析出金属比重−ρ　とすれば、上記 ０式より ｈ−ｋｉｔ／ｓρ　が得られる。

従って、析出厚さの累積値が所定の厚みに達した時点で
前記スイッチ部を切り、バンプ形成のメッキを終了させ
ることにより、全体が均一厚さのバンプがテープキャリ
アの先端に形成できる。

この場合、メッキ面積が変化しないようにするため、マ
スキングしたメッキ処理又は、インナーリード先端部に
メッキレジストを形成させておく必要がある。

例えば、−辺が１００ビン（即ち、全体で４゜Ｏピン）
のＴＡＢの場合、４ケのＡ／Ｄ変換素子の計測器を用い
て１秒間を計測周期とすれば、１００ビンを１ケのＡ／
Ｄ変撓素子に分担させることになり、ｌビン当つ１／１
００ｓｅｃ＝　１０ｍ５ｅｃが計測時間となる。

−ａに１２ビット逐次比較型のＡＩＤインバータの変換
速度は、ソフトウェアの時間を含めても数十μｓｅｃで
あるから、上記計測は充分可能である。

従って、累積メッキ厚みが所定の値に達したが歪かの判
定で１μ／ｓｅｃの析出速度程度であれば、１００ビン
間でのメッキ厚みのバラツキは１μ以内の値となり、同
バラツキの許容度は、メッキ電流密度に関連させること
ができる。

このようにして各インナーリード毎に独立してバンプを
形成し得るので、該バンプのサイズ、厚み、形状等を正
確に形成できるため、バンプをインナーリードの幅員よ
り小とすることや、ＩＬＢに際してバンプの接合面に新
生面が形成される形状とすることら容易であり、且つボ
ンディング結果を電気的に監視することも可能である。

更には、アウターリードにも絹やハンダ等の金属でＯＬ
Ｂ用の第２バンブ（副バンブ）を形成して、外部回路電
極とのボンディングも連続的に自動処理することができ
る。

［実施例コ 次に本発明の実施例について図面に基づき説明する。

第１図に図示のフィルムキャリア１は、銅箔が積層され
たポリイミド樹脂フィルムを長尺テープ状に形成し、こ
れにフィルム送り用の角孔（パーフォレーション）２と
、デバイスホール３を穿設し、且つ外部回路基板（図示
せず）の電極と接続するアウターリード４と、その先端
に位置し半導体子／ブ５の電極に接続するインナーリー
ド６で構成される駒をエツチングで多数連設し、更に全
駒が接続されるコモンパターン７を同じく工／チング形
成した一般的なものである。

本実施例では、先ずフィルムキャリアの所定部分にフオ
トエ・／チング等によりメッキレジストを処理し、必要
個所のみ銅箔部分を露出させて後述のバンプ形成個所と
する。

次いで、パンチングにより前記コモンパターン７の所定
個所を穿設し、各アウターリード４をそれぞれ電気的に
分離状態とする。

該フィルムキャリア１にバンプを形成する手段としては
、第２図に図示のような構成の下で処理してあって、上
記状態のフィルムキャリア１のアウターリード４をカソ
ード電極に側としである。

又、アウターリード４毎にそれぞれ対応させて所定数の
プローブ９を配設し、該プローブ９にメッキ電流通電制
御用の開閉スイッチ１０及び抵抗１１を直列判続し、該
抵抗１１をカソード電極１２に接続してあり、これとア
ノード電極Ａ（メ／キ液噴射用ノズル等）との間に所定
のメッキ用電源１３とタイマー１４を接続しである。

又、タイマー１４により駆動制御され、且つ前記各抵抗
１１と開閉スイッチ１０の間に掃引信号発生器１５を設
け、各抵抗ｌｌ毎の電圧降下を順次計測可能とし、その
出力を次段のアナログデジタル変換器（Ａ／Ｄ変撓器）
１６に入力してデジタル信号に変１０　した陸制御用コ
ンピュータ（ＣＰＵ）１７に入力し、該ＣＰＵ１７のり
レージ−ケンス制御出力信号で前記開閉スイ／チ１０を
大切制御するようにしである。

尚、上記掃引信号発生器１５は、第３１１１に図示の如
く、ベース１８上に上記各プローブ１０と各々対応接続
した多数の近接センサー１９を円周状に配設し、且つ各
々をＣＰＵ１７に接続し、又、一定速度で回転するロー
タ２０を設けてこれが近接センサー１９に順次接触し、
何番目の近接センサー１つのところから信号が出力され
ているかが判るようにしである。

上記状態下に於て、各リードの先端にバンプを形成する
場合、先ずメッキ液を噴射する一方、タイマー１４を作
動させてアノードｆ！８とカソードｆ！１２間を閉成し
所定の直流電圧を印加することで、所定個所にバンプを
析出形成させることができる。

このバンプ用金属としては、金、錫、アルミニウム、銅
等である。

又、上記メッキ処理に際し、本発明では多数のメッキ個
所を一定周期間隔で順次スキャンニングし、当該部分の
メッキ電流を制御管理することで精密なメッキ金属の析
出量が得られるようにしである。

次に、上記作用について第４図のタイムチャート図に基
づき説明する。

先ず、タイマー１４がオン状態になると（イ）のように
メッキ電流が通電し、これと同時に掃引信号発生器１５
が駆動し、（ロ）で示される掃引信号が発生する。

即ち、前記ローラ２０が回転することで上記パルス状の
掃引信号が一定間隔で１〜ｎヶ発生するが、１巡を麦の
ｎ＋１〜ｎ＋ｎケ掃引信号が発生する時点から、メッキ
状態の計測が開始される。

このようにして、（ニ）で図示の如く一定の電流計測期
間には数次に亘りメッキ金属析出状態を間欠的に計測す
るが、所定値に達したメッキ部ではそこに接続されてい
る開閉スイッチ１０が開きメッキ電流の通電が停止する
。［（ホ）参照コ最後の開閉スイッチ１０が開くと、全
メッキの析出が完了する。［（へ）参照］ 即ち、電流計測期間中は、それに対応する回路の抵抗１
１の電圧降下値（メッキ電流値）がＡ／Ｄ変換器から得
られる。

この値は、ＣＰＵ１７内の予め定めらノｔたメモリ一番
地に順次加算する状態で書き込む。

この加算結果は、 Ａ＝ΣｉＪ　　　であるから、 ｊ＝０ 今、計測周期をＴとすると、全電荷はＱ＝ＡＴとなる。

例えば、１ｇｉの金の電気化学当量をｍ、金の比重をρ
、メッキ面積をＳ、メ・Ｉキ厚さをｈとすると、ｍＱ＝
ｍＡＴ＝ｓｈｐが成り立つ。

故に、ｈ＝ｍＡＴ／５ｐ＝Ａ　−ｍＴ／ｓｐとなるが、
上式のｍ　Ｔ　／　ｓρは、予め設定されている定数で
あるから、ｈ＝Ａ・Ｃ（Ｃは定数）で表せる。

ここで、ｈは必要とするメッキ厚さであるからｈを設定
値とすれば、Ａ＝ｈ／Ｃも定数となる。

従って、プローブ９を介して得られる計測値Ｘが、Ｘ＜
Ａの状態の時はメッキをそのまま続行させ、Ｘ≧Ａの時
はメッキを終了させれば良い。

このメッキ終了は、前記ＣＰＵ１７からの停止命令信号
により、当該開閉スイッチ１０のみを開放して通電を停
止させれば、特定のインナーリード６のみメッキ処理が
停止する。

勿論、この時も他のインナーリード６には各々メッキ電
流が通電しているが、それらも所定のメッキ厚さに到達
すると順次同様に停止するから、多数のインナーリード
を個別に、且つ精密なメッキ処理制御が可能である。

又、このようなメッキ制御手段により、インナーリード
端にメッキ金属を徐々に盛り上げる状態で析出させるこ
とができるから、ボンディングにｌ＆適な厚さや形状及
びサイズのバンブを形成することが可能であり、第５図
に図示のように、インナーリード６の幅員Ｗより小径の
バンブ２２が得られ、又、その断面形状も第６図に図示
の如く切頭円錐台形状のものが得られた。

このバンブ２２の形状であれば、チップ５とのボンディ
ングに際して、第７図に図示のように加熱押圧力でその
頭部が押し潰されながら接合するため、該接合部分には
バンブの内部から次々と析出金属の新生面が露出し、強
固なボンディングができる。

次に、該バンブを得る手段の他の実施例について説明す
る。

これは、特許第１２６１２６６号「微小面積のメッキ方
法及びその装置」等に係る手段を用いて直接各インナー
リード６に微小部分メ・／キを行いバンブを形成するも
のである。

即ち、第８図に図示のようにフィルムキャリアのインナ
ーリード６に被メッキ域設定用のマスク２３を当接する
と共に、該マスク２３に所定の密閉空間を形成する外套
管２４を連結し、且つこの外套管２４内を一定の負圧状
態に保持しである。

又、外套管２４の中にはメッキ液噴射用のノズル２５を
上記ワークと接近した状態で配置してあって、これをア
ノード極Ａに接続する一方上記インナーリード６をカソ
ード極Ｋに接続しである。

尚、該プローブ９に接続される電気制御系は前記実施例
と同一である為、説明を省略する。

この状態下に於て金等の貴金属メッキ処理を行うが、前
記のように電極間距離を接近させであるため高電流密度
でのメッキ処理が行われ、且つ外套管２４内が負圧状店
であるから、ノズル近辺に滞留するメッキ液を強制的に
吸引排除し、常に新鮮なメッキ液を供給できるので極め
て精密な微小部分メッキができる上、その処理時間は極
めて短時間で済む。

このようにして得られたメッキ金属析出物（バンブ２２
）は、ボンディングに十分な厚み（３０μ）で且つその
断面形状は台形となり、メッキ部の輪郭もマスク形状に
応じた精密なバンプ２２が得られる。

しかも、前記した如く、メッキ厚さを補償する制御を具
備しているため、各インナーリード６間にはバンブ２２
の厚みにバラツキが無く、メッキ厚み公差上１．０μの
精度が十分保持できる。

又、本実施例に係る手段を用いると、メッキ精度は勿論
、メッキ処理時間や工程歩留まりがレジストを利用した
部分メッキ手段より遥かに良好であるから、生産コスト
を極めて廉価に抑制できるという実用性がある。

次に池の実施例について第９［２１ｉ！：参照し乍ら説
明する。

まず、処理工程を複数段としてあって、前記第１実施例
と同様のメッキ処理構成に係る第１バンプ形成工程と、
同構成の第２バンブ形成工程を連設しである。

この第１バンプ形成工程は、ＩＬＢに適した金等の金属
メッキを処理するようにしであるが、第２バンブ形成工
程は、ＯＬＢに適した錫等の金属メッキを処理するよう
にしてあり、且つ各ＣＰＵ１７内の制御用閾値を変えて
あって、メッキ厚みをそれぞれに適するメッキ処理がで
きるようにしである。

而て、インナーリード６とアウターリード４のそれぞれ
所定部分にメッキレジストをフォトエツチング％ＦｉＬ
、メッキ処理個所を設定する。

その後、パンチングにより各リードを電気的に分能して
から、第１バンプ形成工程で先ずインナーリード６に第
１実施例と同様の方式により金等で主バンプ２６を形成
する。

この主パン１２６は冒頭で説明したようなチップとのボ
ンディングに適した材質、厚み１寸法、形状としである
。

その陵、次段の第２バンブ形成工程で第１実施例と同様
の方式により、今度はアウターリード４に錫等で副バン
プ２７を形成する。

この副バンプ２７は外部回路素子の電極とのボンディン
グに適した材質、厚み、寸法、形状としてあって、前記
メッキ処理制御系の設定値を調整することで容易に実現
できる。

上記連続工程により得られたフィルムキャリア１には、
用途の異なる複数のバンブが同時に加工されているので
、インナーリードボンディングとアウターリードボンデ
ィングの両方が簡単に処理可能となった。。

勿論、この複数バンプの形成手段に前記の負圧密閉空間
内に於ける微小部分メッキ方法が利用できるし、この方
が生産性や品質上有利である。

尚、第１０図に図示のように、フィルムキャリア１のデ
イバイスホール３内に突設したインナーリード６の先端
位置を保持するため、フィルムキャリア本体にブリッジ
２８で連結した枠体２９をインナーリード６とアウター
リード４との間に介在させたものにも、本発明に係る手
段でもって単数又は複数のバンブを形成することができ
る。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、次のような効果が
ある。

■、インナーリードの幅員より小径サイズのバンブが形
成可能であり、且つ形成位置を正確にし得るから、極＠
細ビ／チのリードを有する超多ビン用のフィルムキャリ
アに最適である。

■、バンブの厚みｌＱ％めて精密にコントロールできる
ので、チップボンディングに際して真に必要なバンプが
形成可能であり、接合工程における歩留まりを向上でき
る。

■、バンプの形状を切頭円錐白状にすることができるの
で、ボンディングに際し、チップとの接合面に順次新生
面が露呈してくるから、高品位のボンディングができる
。

■、各リードが予め電気的に分断されているので、チッ
プボンディング後にこの分断処理工程を要せずに済み、
リード分断工程に於ける歩留まりが向上し、且つボンデ
ィングエラーの有無を容易にチエツクし得る。

■、アウターリードとインナーリードのそれぞれに、用
途に対応した複数種のバンプを各々に形成できるので、
アウターリードボンディングとインナーリードボンディ
ングの両方を連続的に処理可能となり、生産性分類る向
上できる。

■、フィルムキャリアへのバンブ形成工程が在来、公知
手段と比較すると大幅に合理化され、且つ遥かに精密に
形成できる上、歩留まりが数段と向上できるので、゛高
品位製品が極めて［価に提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は一般的なフィルムキャリアの１駒分の平面説明
図、第２図以下は本発明の実施例に係るものであって、
第２図は上記フィルムキャリアにバンプを形成する工程
の説明図、第３図は同工程に使用される掃引信号発生器
の構造を示す説明斜視図、第４図は同工程のタイムチャ
ート図、第５図はインナーリードに形成されたバンプを
示す部分平面図、第６図は同上部分断面図、第７図はチ
ップボンディングの状態を示す説明断面図、第８図はバ
ンプ形成手段の他の実施例に係るもので、負圧利用の部
分メッキ処理装置の概略構成断面図であり、第９図は複
数種のバンブをインナーリード及びアウターリードの各
々に形成した実施例に係る同主要部の部分斜視図、第１
０図はインナーリードの保護枠が形成されているフィル
ムキャリアに上記複数種のバンブを形成した例に係る主
要部の部分斜視図である。 １　　　フィルムキャリア ４　　　アウターリード ６　　　インナーリード ７　　　コモンパターン ８　　　アノード極 ９　　１０−ブ １０□開閉スイツチ １３□メッキ用電源 １４□タイマー １５□掃引信号発生器 １６−Ａ　／　Ｄ変１ｇＬ器 １７−ＣＰ　Ｕ ２２□バンプ ２６　　主バンプ 舅４図 （へ） 舅９回

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、合成樹脂製フィルムキャリア本体のインナーリード
   各先端の表面及び／又は裏面に、半導体チップをボンデ
   ィングするのに適した材質でボンディング部（頂部）面
   積が底部面積より狭く且つインナーリード表面から所定
   厚みだけ盛り上がった形状の主バンプを形成し、且つア
   ウターリードの表面及び／又は裏面の所定部に、外部回
   路基板電極をボンディングするのに適した材質で上記主
   バンプと同様形態の副バンプを形成し、インナーリード
   ボンディングとアウターリードボンディングの両方を処
   理可能としたことを特徴とするバンプ付きフィルムキャ
   リア。 ２、合成樹脂製フィルムキャリア本体のインナーリード
   を各回路に応じて各々独立的に分離せしめたことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載のバンプ付きフィルム
   キャリア。 ３、合成樹脂製フィルムキャリア本体と前記インナーリ
   ードとの間に、該フィルムキャリア本体とブリッジで連
   結した構造の枠体を介在し、上記主バンプと副バンプの
   位置を保持したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   乃至第２項に記載したバンプ付きフィルムキャリア。 ４、フィルムキャリア本体の各インナーリードを電気的
   に分離し、且つ該分離インナーリード毎に各々当接した
   所定数のプローブを介してこれをカソード電極とし、イ
   ンナーリードの所定部位にメッキ液を噴射するノズル側
   をアノード電極とし且つ両電極間に所定のメッキ電源を
   接続せしめ、インナーリード部にメッキ液を噴射し乍ら
   、該プローブを介してメッキ電流を計測すると同時に該
   電流値を制御してメッキ析出量及びメッキ形状を各イン
   ナーリード毎に個別制御するようにしたバンプ付きフィ
   ルムキャリアの製造方法。 ５、フィルムキャリア本体のインナーリード及び／又は
   アウターリードの表面所定部位にレジスト処理してメッ
   キ処理部を設定し、且つ上記部分メッキを処理し前記バ
   ンプを析出形成するようにしたことを特徴とする特許請
   求の範囲第４項記載のバンプ付きフィルムキャリアの製
   造方法。 ６、フィルムキャリア本体のインナーリード及び／又は
   アウターリードの表面の所定部位にマスクを密着してメ
   ッキ部位を設定し、該マスクに外套管を連結して密閉空
   間を形成すると共に負圧状態とし、且つこの外套管内に
   配設したノズルよりメッキ液を噴射し乍ら上記プローブ
   を介して通電し前記バンプを形成するようにしたとを特
   徴とする特許請求の範囲第４項記載のバンプ付きフィル
   ムキャリアの製造方法。