JP3223071B2 - 材料片供給方法および材料片の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、材料から材料片を切り
出して供給するための材料片供給方法および装置、なら
びに、それに付随する材料片切り出し方法、材料片の製
造方法、接続用材料供給体および材料片取り出し器に係
り、特に、半導体素子等の、多数で高密度の電極が配置
された電子回路装置に対して、その電極に接続用の材料
を供給する材料片供給方法およびその装置、ならびに、
それに付随する材料片切り出し方法、材料片の製造方
法、接続用材料供給体および材料片取り出し器に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の高密度化が進み、図８に示
したように、はんだ接続に供するはんだバンプ１をその
電極上に有するチップ状の半導体素子２が開発されてい
る。このような半導体素子２の接続方法として、図９に
示すように、半導体素子２を、配線基板３の表面の電極
４に対向させ、上記はんだバンプ１を介して接続する方
法がある。この方法は、高密度実装、歩留まりの高い一
括接続に適することから、その応用が拡大している。

【０００３】上記のような多ピン高密度化、狭ピッチ化
が進んだ半導体素子の電極にはんだバンプ材料を供給す
る方法として、特開平１−１９４４３９号公報に記載さ
れた技術がある。この技術は、電極上にはんだを供給す
る方法として、はんだをフォトレジスト膜を用いたリフ
トオフ技術を用いて形成する方法である。つまり、半導
体素子の電極上を含む全表面にフォトレジスト膜を塗布
し、ベーク後、現像によって電極上のフォトレジスト膜
を除去して開口部を形成する。次に、前記フォトレジス
ト膜上および開口部内の電極にはんだを蒸着した後、前
記フォトレジスト膜を剥離液で剥離除去し、開口部内の
はんだを残存させて、はんだの突起電極を形成すると共
に、フォトレジスト膜上のはんだを除去する。

【０００４】上記と類似の、電極上にはんだを供給する
方法として、メタルマスクを用いて蒸着されたはんだを
用いて、はんだの突起電極を形成する方法もある。

【０００５】電極上にはんだを供給する方法の他の例と
して、特開平３−２２５８３２号公報に記載された技術
がある。図１０は、その構造概略図である。この技術
は、電極上にはんだを供給する方法として、電極と同配
列ではんだボ−ル５が入るべき穴があいているガラス治
具６に、はんだボールを供給、整列させて供給を行う方
法および装置である。このガラス治具６は、ガラス基板
で構成され、このガラス基板は、その両面で径が異なる
多数の貫通穴を有し、この貫通穴の一方の面側の径は、
はんだボールを装着可能な径（大きい径）となってい
る。この方法は、はんだボ−ル５を収容しているストッ
カー７と、このストッカー７からガラス治具６の大きな
径の全穴にはんだボール５が入るために必要な数量分だ
けに、はんだボール５を分ける供給部８と、ガラス基板
の上部面に密着を可能にする機構、および、一定の容積
をもつホッパー９を有する振り込みヘッド部１０と、上
記ガラス基板の穴に入り余ったはんだボールを回収する
ために吸引手段と接続している容器を有する回収部１１
と、各部に使用される圧縮エア圧をコントロールする手
段と、各部の各動作を電気的にコントロールする制御系
で構成している。

【０００６】電極上に接続用材料を供給する方法の他の
例として、特開昭６３−３０１５３５号公報に記載され
た技術がある。図１１は、その方法を示す概略図であ
る。この技術は、電極上に合金材料を供給する方法とし
て、細い合金ワイヤー１２の先端を電気トーチ１３で加
熱してボール１４を形成し、そのボール１４を電極１５
の表面に接着させた状態で合金ワイヤーを引っ張ること
により、ボール１４を該電極１５に供給する方法であ
る。

【０００７】電極上に接続用材料を供給する方法の他の
例として、特開平５−２９１２６０号公報に記載の技術
がある。この技術では、ツールの内部に昇降可能なヒー
ターブロックを有するボンディングツールと、Ａｕ、Ａ
ｌ、はんだ等を厚さ１０μｍ〜５０μｍのリボン状にし
た金属薄膜とを用いる。すなわち、ヒーターブロックに
より加熱されたボンディングツールで、リボン状の金属
薄膜を、半導体集積回路のチップの電極パッドに加圧す
ることにより、金属薄膜を打ち抜き、電極パッド上にバ
ンプを形成する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体素子の高
密度化に伴って、その表面に形成された電極の高密度多
数化が進み、前記電極に接続用の材料を供給するための
簡便な材料片供給装置の開発が望まれている。そこで、
このような観点から、上記従来の技術について検討す
る。

【０００９】特開平１−１９４４３９号公報に開示され
る方法は、フォトレジスト膜の開口部に蒸着したはんだ
を残しながら剥離することにより、はんだを供給するた
めのフォトリソグラフ工程が必要である。すなわち、エ
ッチング、蒸着および剥離工程での高度なプロセス制御
が必要である。

【００１０】特開平３−２２５８３２号公報に開示され
る方法は、はんだボールに対して、治具の適当な動作条
件および形状を複雑に調整する必要があり、取り扱いが
難しい。今後、ますます微細化する半導体の電極ピッチ
に対して、直径０．２ｍｍ以下のはんだボールをエアー
の圧力のみで制御するのは、困難となるであろう。

【００１１】特開昭６３−３０１５３５号公報に開示さ
れる方法では、高密度多数の電極に対しては、材料片供
給のための時間がかかりすぎる。また供給時に押圧が必
要となり、電極下面の素子を損傷してしまうという問題
がある。

【００１２】特開平５−２９１２６０号公報に記載の技
術は、リボン状の金属薄膜であるはんだをヒーターブロ
ックで加熱しつつ、打ち抜く。ところで、半導体集積回
路等の半導体素子の電極に接続用材料を供給するには、
微細な構造の装置が必要である。しかし、この公報に
は、そのための構造が具体的に開示されていない。すな
わち、ヒータブロックを加熱するための熱源が必要とな
るが、それが示されていない。また、ヒータブロックの
外側にある型に熱が伝導して、扱いにくいと考えられる
が、その対策も示されていない。この従来の技術では、
接続用材料片供給のための微細な構造体を実現すること
は、困難と思われる。

【００１３】本発明の目的は、高度なプロセスあるいは
複雑な調整を要せずに稼動でき、しかも、材料から材料
片を切り出して、供給対象の必要な供給先のみに材料片
を供給することができる材料片供給方法および装置、な
らびに、それに付随する材料片切り出し方法、材料片の
製造方法、接続用材料供給体および材料片取り出し機構
を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ため、次に述べる本発明の各態様が提供される。

【００１５】本発明の第１の態様によれば、膜状材料か
ら材料片を切り出して供給するための材料片供給方法に
おいて、基板上に膜状材料を予め形成しておき、この膜
状材料に、型を押しつけて目的の形状に切れ目を設け
て、切り出すべき材料片を形成し、切れ目を形成された
材料片を基板から剥離して保持し、その材料片を供給す
べき対象の目的位置に相対移動させ、その目的位置にお
いて、材料片を対象に付着させることを特徴とする材料
片供給方法が提供される。

【００１６】上記材料片の形成は、筒状に形成された型
を用い、その先端を膜状材料に押しつけて切れ目を設け
ることによって行ない、上記材料片の剥離および保持
は、針状体を用い、これを、膜状材料の材料片となるべ
き位置に突き刺し、この状態で、針状体を基板から遠ざ
けることによって行なうことができる。上記針状体の材
料片への突き刺しは、例えば、材料片の形成前に行なう
ことができる。

【００１７】また、上記材料片の形成、剥離および保持
は、筒状に形成された型を用い、その先端を膜状材料に
押しつけて切れ目を設けて材料片を形成すると共に、型
先端部内に材料片を収容して保持した状態で、型を基板
から遠ざけることによっても行なうことができる。この
場合、材料片の対象への付着は、保持している材料片
を、型先端部内から材料片を押し出すと共に、対象に押
し当てることにより行なうことができる。

【００１８】上記材料は、例えば、物体の接続に用いら
れる接続用材料とすることができる。より具体的には、
接続用の金属であり、例えば、はんだとすることができ
る。

【００１９】本発明の第２の態様によれば、膜状材料か
ら材料片を切り出す方法において、針状体を用いて、こ
れを、予め基板上に形成された膜状材料の切り出し位置
に突き刺す工程と、この膜状材料に、型を押しつけて目
的の形状に切れ目を設けて、切り出すべき材料片を形成
する工程と、この状態で、針状体を基板から遠ざけて、
材料片を基板から剥離する工程とを有することを特徴と
する材料片切り出し方法が提供される。

【００２０】本発明の第３の態様よれば、基板上に、目
的の材料片を構成する材料の薄膜を成膜し、この膜状材
料に、型を押しつけて目的の形状に切れ目を設けて、切
り出すべき材料片を形成し、切れ目を形成された材料片
を基板から剥離することを特徴とする材料片の製造方法
が提供される。

【００２１】本発明の第４の態様によれば、物体の接続
に用いられる接続用材料を供給するための接続用材料供
給体において、基板と、この基板上に成膜された接続用
材料からなる膜状材料とを有することを特徴とする接続
用材料供給体が提供される。

【００２２】ここで、基板としては、供給すべき対象と
同じ基板、例えば、半導体基板を用いることができる。
また、上記膜状材料は、第１の層、および、これとは異
なる物質からなる第２の層の少なくとも２層を順次成膜
して形成することができる。第２の層の物質は、第１の
層の材料の酸化を防ぐものとすることができる。

【００２３】本発明の第５の態様によれば、基板上に膜
状に形成された膜状材料から材料片を取り出して供給す
るための材料片供給装置において、膜状材料の一部から
目的の輪郭形状を持つ材料片を切り出して保持するため
の材料片取り出し機構と、上記材料片取り出し機構を、
膜状材料の材料片切り出し位置と、切り出した材料片を
供給すべき対象の供給先位置との間で相対的に移動させ
る移動機構と、上記材料片取り出し機構を、材料片切り
出し位置および対象の供給先位置に対し、それぞれ当接
させ、および、それから離間させるための相対変位を行
なうための変位駆動機構とを備えることを特徴とする材
料片供給装置が提供される。

【００２４】ここで、上記材料片取り出し機構は、膜状
材料の一部に、目的の輪郭形状の切れ目を設けて材料片
を形成し、その材料片を基板から剥離して、保持するた
めの、少なくとも１の材料片取り出し器を有することが
できる。この材料片取り出し器は、膜状材料に圧接され
て、材料片の切り出し対象部分に、材料片の外周形状の
切れ目を形成する切り取り器と、上記切り取り器によっ
て形成された切れ目により囲まれる材料片を基板から剥
離して保持する材料保持器とを有する構成とすることが
できる。上記切り取り器は、例えば、筒状体で構成され
る。また、上記材料保持器は、例えば、筒状体内を出没
自在に収容され、尖端に、材料片を突き刺すための針部
を有する構成とすることができる。

【００２５】上記材料片取り出し器は、材料片の切り取
りおよび保持を行なう筒状体で構成されることができ
る。この場合、筒状体に保持される材料片を、筒状体か
ら押し出すための押出し器をさらに備えることができ
る。

【００２６】上記第５の態様は、上記移動機構と変位駆
動機構の動作を制御する制御装置をさらに備えることが
できる。

【００２７】本発明の第６の態様によれば、供給対象に
材料片を供給する材料片供給装置において、膜状材料を
その基板と共に、相対変位自在に支持する材料支持系
と、材料片供給対象を相対変位自在に支持する対象支持
系と、膜状材料の一部から目的の輪郭形状を持つ材料片
を切り出して保持するための複数の材料片取り出し器を
有する材料片取り出し機構と、上記複数の材料片取り出
し機構を保持すると共に、複数の材料片取り出し器を、
材料支持系と対象支持系との間を移動させる移動機構
と、上記材料支持系、対象支持系および移動機構の動作
を制御する制御系とを備え、各材料片取り出し器は、膜
状材料の一部に目的の輪郭形状の切れ目を設けて材料片
を形成し、その材料片を基板から剥離して、保持するこ
とを特徴とする材料片供給装置が提供される。

【００２８】本発明の第７の態様によれば、供給対象に
材料片を供給する材料片供給装置において、膜状材料を
その基板と共に、相対変位自在に支持する材料支持系
と、材料片供給対象を相対変位自在に支持する対象支持
系と、膜状材料の一部から目的の輪郭形状を持つ材料片
を切り出して保持するための材料片取り出し器を有する
材料片取り出し機構と、膜状材料の一部に、目的の輪郭
形状の切れ目を設けて材料片を形成し、その材料片を基
板から剥離して、保持するための材料片取り出し機構
と、上記材料片取り出し機構を保持すると共に、材料片
取り出し器を、材料支持系と対象支持系との間を移動さ
せる移動機構と、上記材料支持系、対象支持系および移
動機構の動作を制御する制御系とを備え、上記材料片取
り出し器は、膜状材料の一部に目的の輪郭形状の切れ目
を設けて材料片を形成し、その材料片を基板から剥離し
て、保持することを特徴とする材料片供給装置が提供さ
れる。

【００２９】本発明の第８の態様によれば、膜状材料の
一部に、目的の輪郭形状の切れ目を設けて材料片を形成
し、その材料片を基板から剥離して、保持するための材
料片取り出し器において、膜状材料に圧接されて、材料
片の切り出し対象部分に、材料片の外周形状の切れ目を
形成する切り取り器と、上記切り取り器によって形成さ
れた切れ目により囲まれる材料片を基板から剥離して保
持する材料保持器とを有することを特徴とする材料片取
り出し機構が提供される。

【００３０】

【作用】本発明は、材料の供給に際し、膜状の材料を用
いる。そのために、基板上に膜状材料を予め形成してお
く。この膜状材料は、例えば、物体接続に用いる材料、
具体的には、例えば、はんだの膜を基板上に成膜する。
この膜状材料から、供給すべき材料片が形成される。材
料片は、膜状材料に、材料片取り出し器の切り取り器
（型）を押しつけて目的の形状に切れ目を設けて形成さ
れる。

【００３１】次に、材料片取り出し器の材料保持器によ
り、切れ目を形成された材料片を基板から剥離して保持
する。この剥離は、例えば、材料保持器により材料片を
突き刺して、この状態で材料保持器を基板から遠ざける
ことにより行なうことができる。この状態で、その材料
片を供給すべき対象の目的位置に相対移動させる。この
移動は、例えば、二次元平面内で行なわれ、材料片取り
出し器が材料片を保持して、移動機構により目的位置ま
で相対的移動することにより行なわれる。

【００３２】そして、対象の目的位置において、材料片
を対象に付着させる。材料片の付着は、材料片を対象に
押し当てることにより行なう。さらに、具体的には、例
えば、対象の目的位置に、予め粘着物質、例えば、フラ
ックス等を塗布しておくことにより、材料片の付着を容
易にすることができる。また、対象の目的位置で、材料
片を溶融させてもよい。

【００３３】このようにすることにより、材料片を膜状
材料から切り取り、対象の目的位置に付着させることが
できる。この際、材料片を形成する位置を指定すること
により、材料片を膜状材料から無駄を少なくして形成す
ることができる。

【００３４】また、膜状材料の層状構造を保持したま
ま、電極へ材料片（接続用材料片）の供給が可能であ
る。これは、例えば、接続用材料として高温はんだを用
いる場合に、酸化を極力防止するために好適である。す
なわち、鉛を蒸着した後、その表面に錫を蒸着すること
により、錫の緻密で薄い酸化錫膜により、酸化の進行を
防ぎ、かつ、錫と電極材料との直接反応を防ぐことがで
きる。

【００３５】また、本発明の材料片供給装置は、半導体
素子の電極に、はんだ等を供給する場合には、高い密度
で電極が構成されるので、ウエハ検査装置と同様の精度
が要求される。本発明では、材料片の切り出し、剥離お
よび保持を行なうための材料片取り出し機構を用いてい
るので、それを、ウエハ検査装置のプローバと置き換え
ることにより、ウエハ検査装置と同様の機構を用いて、
材料片供給装置を構成することができる。これにより、
ウエハ検査装置と同様の精度が可能となる。

【００３６】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００３７】図１、図２および図１２は、それぞれ本発
明に係る材料片供給装置の実施例を示し、それらの要部
を示す説明図である。図３ないし図７は、そのうちの材
料片取り出し機構を構成する材料片取り出し器（プロー
ブ）の詳細を示す。先ず、全体的な接続材料供給装置の
構成を、図１、図２および図１２を参照して、それぞれ
について説明する。なお、以下の各実施例では、材料と
して、半導体素子の電極の接続に用いるための接続用材
料の材料片を供給する例について説明する。具体的に
は、はんだを供給する場合を例として説明する。なお、
本発明は、これに限られないことはもちろんである。

【００３８】図１に示す材料片供給装置は、半導体装置
の製造におけるウエハプローバのプローバの基本構成と
同様の機構を用いて構成されている。すなわち、この装
置は、試料支持系１２０と、プローブ系１００と、駆動
制御系１５０とで構成される。試料支持系１２０は、例
えば、接続用材料として、半導体ウエハ４０上に鉛およ
び錫を、この順に蒸着して、第１層２４ａ、第２層２４
ｂを成膜した膜状材料２４を有する接続用材料供給体４
２を支持すると共に、複数の電極パッド２７が形成され
ている半導体ウエハ４１を支持する。プローブ系１００
は、接続用材料供給体４２の膜状材料２４に、後述する
材料片取り出し器（プローブ）２３を押し当てて、材料
片２５の形成、剥離および保持を行い、該プローブ２３
で切り取られて保持された材料片２５を、前記半導体ウ
エハ４１の電極パッド２７に押し当てて供給する。駆動
制御系１５０は、試料支持系１２０の動作を制御する。

【００３９】ここで、膜状材料２４において、第２層と
して錫を用いることにより、第１層の鉛の酸化を防ぐ効
果がある。この例では、２層構造としたが、これに限定
されないことはもちろんである。例えば、１層でも、ま
た、３層以上でもよい。

【００４０】試料支持系１２０は、半導体ウエハ４０お
よび４１が着脱自在に載置される、ほぼ水平に設けられ
た試料台１２２と、この試料台１２２を支持する、垂直
に配置される昇降軸１２４と、この昇降軸１２４を昇降
駆動する昇降駆動部１２５と、この昇降駆動部１２５を
支持するＸ−Ｙステージ１２６とで構成される。この試
料支持系１２０は、プローブ２３を材料片の切り出し位
置と供給先位置との間を相対移動させる移動機構と、プ
ローブ２３を半導体ウエハ４０および４１に近接させる
と共に、それから離間させるための相対変位を行なわせ
る変位駆動機構を構成する。

【００４１】Ｘ−Ｙステージ１２６は、筐体１２７の底
面上に固定される。昇降駆動部１２５は、例えば、ステ
ッピングモータなどからなる。Ｘ−Ｙステージ１２６の
水平面内における移動動作と、昇降駆動部１２５による
上下動などを組み合わせることにより、試料台１２２の
水平および垂直方向における位置決め動作が行われるも
のである。また、試料台１２２には、図示しない回動機
構が設けられており、水平面内における試料台１２２の
回動変位が可能にされている。

【００４２】プローブ系１００は、試料台１２２の上方
に配置され、筐体１２７の上面側に、取付台１０２を介
して取り付けられている。すなわち、当該試料台１２２
に平行に対向する姿勢で複数のプローブ２３を有する材
料片取り出し機構１０１が設けられる。この材料片取り
出し機構１０１には、プローブ２３と、チューブ位置決
め用穴あけ基板２９および緩衝層３１および上部押え板
３０とが一体的に設けられている。

【００４３】前記プローブ２３は、一端にストッパ２８
を設けたチューブ２０と、該チューブ内に摺動自在で、
ばね２１の弾性力にて常に先端部がチューブ内から外方
に突出する先端が尖ったプランジャー２２とを有する。
プランジャー２２は、その先端２２ａが尖った形態を有
する。すなわち、プランジャー２２は、針状体を構成す
る。そして、この先端２２ａで材料片２５を保持する。
なお、図３にも、同様のプローブ２３を示す。

【００４４】駆動制御系１５０は、試料支持系１２０の
各駆動部のアクチュエータに制御信号を送って、それら
を駆動させて、試料支持系１２０の動作を制御する。す
なわち、駆動制御系１５０は、内部にコンピュータを備
え、ケーブル１５１を介して、昇降駆動部１２５、Ｘ−
Ｙステージ１２６および回動機構のそれぞれについての
動作を制御する。また、駆動制御系１５０は、操作部１
５２を備え、駆動制御に関する各種指示の入力の受付、
例えば、手動操作の指示を受け付ける。

【００４５】以下、図１に示す材料片供給装置を用い
て、材料片を供給する方法について説明する。

【００４６】試料台１２２の上に、材料片の供給源とな
る接続用材料供給体４２の半導体ウエハ４０、および、
材料片が供給される対象である半導体ウエハ４１を固定
し、Ｘ−Ｙステージ１２６および回動機構を用いて、該
半導体ウエハ４０に形成された膜状材料２４を、材料片
取り出し機構１０１に形成されたプローブ２３の直下に
位置決めするため、調整する。その後、駆動制御系１５
０は、昇降駆動部１２５を作動させ、試料台１２２を所
定の高さまで上昇させることによって、複数のプローブ
２３の各々の先端２２ａを半導体ウエハ４０に形成され
た膜状材料２４に所定圧で接触させる。次に、駆動制御
系１５０は、昇降駆動部１２５を作動させ、試料台１２
２を所定の高さまで下降させる。このとき、複数のプロ
ーブ２３の各々の先端２２ａに突き刺さった状態で材料
片２５が剥離され、そのまま保持される。その後、Ｘ−
Ｙステージ１２６および回動機構を用いて、前記半導体
ウエハ４１に形成された電極パッド２７を、先端に材料
片２５を保持させた前記プローブ２３の直下に位置決め
するため、調整する。その後、駆動制御系１５０は、昇
降駆動部１２５を作動させ、試料台１２２を所定の高さ
まで上昇させることによって、複数のプローブ２３の各
々の先端に保持させた材料片２５を半導体ウエハ４１に
形成された複数の電極パッド２７に所定圧で接触させ
る。次に、駆動制御系１５０は、昇降駆動部１２５を作
動させ、試料台１２２を所定の高さまで下降させること
によって、複数の電極パッド２７の表面に材料片２５を
付着させる。

【００４７】ここまでは、操作部１５２からの操作指示
に従って、駆動制御系１５０により実行される。なお、
これらの位置決め等の調整を自動的に行なうようにして
もよい。例えば、半導体ウエハ４０および４１に基準位
置のマークを予め付しておき、これを読み取り装置で読
み取って、座標の原点をそれぞれ設定するようにして行
なうことができる。この場合、電極の位置は、予め設計
データを受け取ることにより、駆動制御部１５０におい
て既知となる。

【００４８】なお、材料片の形成、剥離、保持、およ
び、付着については後述する（図３参照）。

【００４９】図２は、本発明の材料片取り出し機構を用
いた他の一実施例である材料片供給装置の要部を示す説
明図である。

【００５０】本実施例において、材料片供給装置は、半
導体装置の製造におけるウエハプローバと同様の基本構
成を用いて構成されている。すなわち、この材料片供給
装置は、上記図１に示した試料支持系１２０が、接続用
材料供給体４２を支持するための材料支持系１２１ａ
と、複数の電極パッド２７が形成されている半導体ウエ
ハ４１を支持するための対象支持系１２１ｂとに二分さ
れ、それぞれが独立に制御される点、および、対象支持
系１２１ｂ側に、対象の半導体ウエハ４１の温度制御を
行うための温度制御系１７０がさらに加わった点におい
て、図１に示した材料片供給装置と異なる。その他の点
は、上記図１に示した装置と共通する。そこで、ここで
は、相違点を中心に説明する。

【００５１】材料支持系１２１ａは、半導体ウエハ４０
が着脱自在に載置されるほぼ水平に設けられた試料台１
２２ａと、この試料台１２２ａを支持する、垂直に配置
される昇降軸１２４ａと、この昇降軸１２４ａを昇降駆
動する昇降駆動部１２５ａと、この昇降駆動部１２５ａ
を支持するＸ−Ｙステージ１２６ａとで構成される。Ｘ
−Ｙステージ１２６ａは、筐体１２７の上に固定され
る。昇降駆動部１２５ａは、例えば、ステッピングモー
タなどからなる。Ｘ−Ｙステージ１２６ａの水平面内に
おける移動動作と、昇降駆動部１２５ａによる上下動な
どを組み合わせることにより、試料台１２２ａの水平お
よび垂直方向における位置決め動作が行われるものであ
る。また、試料台１２２ａには、図示しない回動機構が
設けられており、水平面内における試料台１２２ａの回
動変位が可能にされている。

【００５２】試料台１２２ａの上方には、プローブ系１
００が配置される。すなわち、当該試料台１２２ａに平
行に対向する姿勢で材料片取り出し機構１０１が設けら
れる。この材料片取り出し機構１０１には、材料片２５
を保持するプランジャー２２を有するプローブ２３と、
チューブ位置決め用穴あけ基板２９および緩衝層３１お
よび上部押え板３０が一体的に設けられている。

【００５３】対象支持系１２１ｂは、前記材料支持系１
２１ａと同様な構成であり、半導体ウエハ４１が着脱自
在に載置されるほぼ水平に設けられた試料台１２２ｂ
と、この試料台１２２ｂを支持する、垂直に配置される
昇降軸１２４ｂと、この昇降軸１２４ｂを昇降駆動する
昇降駆動部１２５ｂと、この昇降駆動部１２５ｂを支持
するＸ−Ｙステージ１２６ｂとで構成される。

【００５４】駆動制御系１５０は、材料支持系１２１ａ
および対象支持系１２１ｂの各駆動部のアクチュエータ
に制御信号を送って、その動作を制御する。すなわち、
駆動制御系１５０は、内部にコンピュータを備え、ケー
ブル１５１を介して、材料支持系１２１ａおよび対象支
持系１２１ｂの動作を制御する。また、駆動制御系１５
０は、操作部１５２を備え、駆動制御に関する各種指示
の入力の受付、例えば、手動操作の指示を受け付ける。

【００５５】温度制御系１７０は、試料台１２２ｂに装
着されたヒータ部１７１と、このヒータに通電すると共
に、通電量を制御して温度を管理する温度制御器１７２
と、図示しない温度センサとを有する。温度制御器１７
２は、温度センサからの温度情報と、設定温度とを比較
して、目的の温度となるよう、ヒータ部１７１の通電量
を制御する。

【００５６】本実施例の材料片供給装置の動作について
は、図１に示す試料支持系１２０が、本実施例である第
２図の材料支持系１２１ａおよび対象支持系１２１ｂと
して独立に動作すること以外は、図１に示す動作と同様
であるため、説明を省略する。なお、必要に応じて、対
象支持系１２１ｂの半導体ウエハ４１を、温度制御系１
７０により、適度に加熱して半導体ウエハ４１の表面に
形成された電極パッド２７に供給した材料片２５を溶着
してもよい。

【００５７】図１２は、本発明の他の実施例である材料
片供給装置の要部を示す説明図である。図１２に示す材
料片供給装置は、フラクスチャーレステスタ（ムービン
グプローブテスタ）と同様に、３次元の変位を行なうこ
とができるヘッドを、材料片取り出し機構として備え
る。この材料片供給装置は、ヘッドが自在に駆動して、
材料片の形成、剥離、保持および付着の各動作を行なう
構成としたものである。

【００５８】この装置は、試料支持系２２０と、プロー
ブ系２００と、駆動制御系２５０と、温度制御系１７０
とを備える。

【００５９】試料支持系２２０は、例えば、半導体ウエ
ハ４０上に、鉛および錫を蒸着して成膜された膜状材料
２４を形成した接続用材料供給体４２を支持すると共
に、複数の電極パッド２７が形成されている半導体ウエ
ハ４１を支持する。プローブ系２００は、接続用材料供
給体に後述する材料片取り出し機構の一例であるプロー
ブ２３を押し当てて膜状材料２４から材料片２５の形
成、剥離、保持および付着を行い、該プローブ先端に切
り取られて保持された材料片２５を、前記半導体ウエハ
４１の電極パッド２７に押し当てて供給する。駆動制御
系２５０は、プローブ系２００の動作を制御する。

【００６０】プローブ系２００は、材料片取り出し機構
（ヘッド）２０１と、このヘッドを３次元に変位させる
ヘッド駆動機構２０２とを有する。

【００６１】前記材料片取り出し機構２０１は、例え
ば、一端にストッパ２８を設けたチューブ２０と、該チ
ューブ２０内に摺動自在で、ばね２１の弾性力にて常に
先端部がチューブ内から外方に突出するプランジャー２
２からなるプローブ２３と、該プローブ２３を挿入して
保持するためのチューブ位置決め用穴あけ基板２９と、
上部押え板３０と、チューブ位置決め用穴あけ基板２９
と上部押え板３０との間に配置される緩衝層３１とを設
けて構成される。プランジャー２２には、針状の尖った
先端２２ａを有する。

【００６２】ヘッド駆動機構２０２は、上記上部押え板
３０を支持する、垂直に配置される昇降軸２２４と、こ
の昇降軸２２４を昇降駆動する昇降駆動部２２５と、こ
の昇降駆動部２２５を支持するＸ−Ｙステージ２２６と
で構成される。Ｘ−Ｙステージ２２６は、筐体１２７に
固定される。昇降駆動部２２５は、例えば、ステッピン
グモータなどからなる。Ｘ−Ｙステージ２２６の水平面
内における移動動作と、昇降駆動部２２５による上下動
などを組み合わせることにより、上部押え板３０を介し
て、プローブ２３の水平および垂直方向における位置決
め動作が行われるものである。すなわち、ヘッド駆動機
構２０２は、移動機構および変位駆動機構として機能す
る。

【００６３】試料支持系２２０は、プローブ２３の下方
の、プローブ走査範囲に配置される。試料支持系２２０
は、当該プローブ２３に対向して半導体ウエハ４０およ
び４１が着脱自在に配置される試料台１２２ａおよび１
２２ｂを有する。この試料台１２２ａおよび１２２ｂ
は、筐体１２７の底面に設置される。

【００６４】温度制御系１７０は、図２に示すものと同
様の構成を有し、同様に動作する。すなわち、温度制御
系１７０は、試料台１２２ｂに装着されたヒータ部１７
１と、このヒータに通電すると共に、通電量を制御して
温度を管理する温度制御器１７２と、図示しない温度セ
ンサとを有する。

【００６５】駆動制御系２５０は、プローブ系２００の
各駆動部のアクチュエータに制御信号を送って、その動
作を制御する。すなわち、駆動制御系２５０は、内部に
コンピュータを備え、ケーブル２５１を介して、試料支
持系２２０の動作を制御する。また、駆動制御系２５０
は、操作部２５２を備え、駆動制御に関する各種指示の
入力の受付、例えば、手動操作の指示を受け付ける。

【００６６】以下、本実施例の材料片供給装置の動作に
ついて説明する。試料台１２２ａおよび１２２ｂの上
に、半導体ウエハ４０および４１を固定し、Ｘ−Ｙステ
ージ２２６を用いて、プローブ２３を、該半導体ウエハ
４０に形成された膜状材料２４の直上に位置決めするた
め、調整する。その後、駆動制御系２５０は、昇降駆動
部２２５を作動させ、プローブ２３を所定の高さまで下
降させることによって、プローブ２３の先端を半導体ウ
エハ４０に形成された膜状材料２４に所定圧で接触させ
る。この時、材料片２５を形成する。さらに、駆動制御
系２５０は、昇降駆動部２２５を作動させ、プローブ２
３を所定の高さまで上昇させることによって、材料片２
５をプランジャー先端２２ａに突き刺した状態で剥離
し、これを保持する。

【００６７】次に、Ｘ−Ｙステージ２２６を用いて、先
端に材料片２５を保持させた前記プローブ２３を、前記
半導体ウエハ４１に形成された電極パッド２７の真上に
位置決めするため、調整する。その後、駆動制御系２５
０は、昇降駆動部２２５を作動させ、プローブ２３を所
定の高さまで下降させることによって、プローブ２３の
先端に保持させた材料片２５を半導体ウエハ４１に形成
された電極パッド２７に所定圧で接触させる。ついで、
駆動制御系２５０は、昇降駆動部２２５を作動させ、プ
ローブ２３を所定の高さまで上昇させることによって、
電極パッド２７の表面に材料片２５を付着させる。

【００６８】なお、必要に応じて、試料支持台１２２ｂ
の半導体ウエハ４１を、温度制御系１７０により、適度
に加熱して半導体ウエハ４１の表面に形成された電極パ
ッド２７に供給した材料片２５を溶着してもよい。

【００６９】上記で説明した実施例は、フラクスチャー
レステスタとして１個のプローブを用いた材料片供給装
置の例であるが、本発明は、これに限定されない。複数
のプローブを有するヘッドを自在に駆動して、材料片の
供給を行なうようにしてもよい。

【００７０】以上説明した実施例によれば、膜状の接続
用材料から材料片を切り取って、これを目的位置に移動
させて、その位置の電極に材料片を押し当てて、該電極
に接続用材料を一括あるいは個別に供給することができ
る。また、任意の箇所に容易に接続用材料の供給が可能
になり、材料の無駄を少なくできる。

【００７１】以下、本発明に関わる材料片供給装置で用
いられる材料片取り出し器の具体例について、図３−図
７を参照してさらに詳細に説明する。

【００７２】図３に示す例は、任意の電極パッド２７に
接続用の材料片２５を供給する例である。この例では、
一端を絞ったチューブ２０と、該チューブ内に摺動自在
で、ばね２１の弾性力にて常に先端部がチューブ内から
外方に突出する先端が尖ったプランジャー２２からなる
プローブ２３が用いられる。

【００７３】図３（ａ）では、プローブ２３を、半導体
ウエハ等の基板４０に、接続用材料を、第１層２４ａお
よび第２層２４ｂのように薄膜状に積層して形成した該
膜状材料２４に対向するように配置した第１の段階を示
す。例えば、接続用材料を薄膜状に形成するには、表面
が滑らかなシリコンウエハあるいはポリイミドなどを基
板４０として使用して、この基板４０の表面に、例え
ば、図１３に示すように、鉛（第１層２４ａ）および錫
（第２層２４ｂ）を成膜して、はんだ膜を形成する。こ
こで、鉛の上に錫を形成することにより、はんだ付けの
直前まで、錫が鉛の表面を覆って、錫表面の緻密な錫の
酸化膜により、鉛の酸化を防ぐことができる。

【００７４】図３（ｂ）は、前記プランジャー２２を、
前記膜状材料２４に所定圧で押し当てることにより、プ
ランジャー２２の先端２２ａが、針状体として膜状材料
２４に突き刺す、第２の段階を示す。この段階では、プ
ランジャー２２の先端２２ａが、膜状材料２４に挿入さ
れる。上記所定圧は、ばね２１の弾性力と、変位ストロ
ークによって定まる。

【００７５】図３（ｃ）は、前記プローブ２３を、さら
に押し当てることにより、チューブ２０の先端開口部２
０ａが膜状材料２４につき当たって、膜内に、先端開口
部２０ａが挿入される、第３の段階を示す。この段階で
は、先端開口部２０ａが型となって、膜状材料２４に、
材料片２５の外周となる切れ目を形成する。すなわち、
膜状材料２４から材料片２５が切り分けられたことにな
る。

【００７６】図３（ｄ）は、前記プローブ２３を引き上
げることにより、チューブ２０により円筒状に切り取ら
れた材料片２５が、基板４０から剥離されて、保持され
る、第４の段階を示す。この状態では、チューブ２０よ
り突出するプランジャー２２の先端２２ａに、材料片２
５が突き刺さった状態で保持される。

【００７７】図３（ｅ）は、前記プランジャー２２の先
端に材料片２５が保持されたプローブ２３を、半導体素
子２６に形成された任意の電極パッド２７に対向させ
る、第５の段階を示す。

【００７８】図３（ｆ）は、前記プランジャー２２の先
端に保持された材料片２５を、前記電極パッド２７に押
し当てる第６の段階を示す。これにより、材料片２５が
電極パッド２７に付着される。

【００７９】図３（ｇ）は、前記プローブ２３を引き上
げることにより、材料片２５を電極パッド２７上に残す
第７の段階を示す。

【００８０】図３（ｈ）は、前記材料片２５を電極パッ
ド２７上で適度に加熱することにより、材料片２５をは
んだバンプとして電極パッド２７に溶着した第８の段階
を示す。

【００８１】なお、図３（ｅ）に示す第５の段階で、必
要に応じて、例えば、図１４に示すように、前記電極パ
ッド２７表面にフラックス等の粘着性を有する材料２７
ａを塗布してもよい。

【００８２】次に、接続用材料を供給するための他の供
給方法について、図４を参照して説明する。なお、図３
に示す工程と同じ工程については、説明を省略する。

【００８３】図４（ｆ）は、前記の第１図（ａ）から
（ｆ）までの工程と同様の工程により、プランジャー２
２の先端に保持された材料片２５を、電極パッド２７に
押し当てる第６の段階を示す。

【００８４】図４（ｇ）は、前記電極パッド２７を形成
した半導体素子２６を加熱することにより、材料片２５
をはんだバンプとして電極パッド２７に溶着する第７の
段階を示す。

【００８５】図４（ｈ）は、半導体素子２６の加熱を続
けながら、前記プローブ２３を引き上げることにより、
供給した材料片２５を電極パッド２７に溶着した第８の
段階を示す。

【００８６】次に、材料片の突き刺しを行なう針状体と
して機能するプランジャー２２の先端２２ａの各種形状
の例について、図５を参照して説明する。図５は、プラ
ンジャー２２の先端形状の代表例を示す断面図である。

【００８７】先端２２ａは、膜状材料２４の薄膜を突き
刺しやすい形状として、例えば、図５において（ａ）−
（ｅ）に示すような形状とすることができる。また、電
極パッド２７に供給後に、材料片２５が離れやすくなる
ように、プランジャー２２の先端２２ａについて被覆等
の加工を行なうことができる。例えば、プランジャー２
２の、少なくとも先端２２ａの表面を、ロジウム、イリ
ジウムなどで被覆することができる。また、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリイミドなどで被覆してもよい。
また、プランジャー２２の少なくとも先端２２ａを、剥
離性のよい材料、例えば、プラスチック、セラミック、
ガラスなどにより形成してもよい。

【００８８】次に、本発明の材料片取り出し機構のプロ
ーブ部分の他の実施例について、図６を参照して説明す
る。図６は、本発明の材料片取り出し機構のプローブ部
分の他の実施例の要部を示す断面図である。なお、図６
では、チューブ２０の一端側のみを示すが、プローブと
しての基本構成は、例えば、図１、図３に示すものと同
様の構造を有する。従って、ここでは、特徴部分のみ説
明する。

【００８９】図６（ａ）に示す例は、チューブ２０の一
端にストッパ２８を設け、チューブ位置決め用穴あけ基
板２９と、上部押え板３０との間に緩衝層３１を設けた
材料片取り出し器である。緩衝層３１として、例えば、
シリコンゴムを使用する。

【００９０】図６（ｂ）に示す例は、チューブ位置決め
用穴あけ基板２９と、上部押え板３０との間に緩衝層３
１を設け、チューブ２０の一端に、固定プランジャー３
３を設けてある例である。すなわち、この固定プランジ
ャー３３は、平坦部３３ａと、挿入部３３ｂとで構成さ
れる。平坦部３３ａは、チューブ２０の挿入用に絶縁基
板に形成されたスルーホール３２の径よりも、若干大き
な外径を有する。挿入部３３ｂは、チューブ２０に挿入
されたとき、チューブ２０の一部を外側から加圧して、
チューブ２０の一部が食い込んだ状態で圧着される。前
記固定プランジャー３３のチューブ２０への接続は、レ
ーザ溶接、スポット溶接あるいは、はんだ接続などによ
ってもよい。

【００９１】図６（ｃ）または図６（ｄ）に示す例は、
一端を絞ったチューブ２０を挿入したチューブ位置決め
用穴あけ基板２９と上部押え板３０との間に、緩衝材３
７を注入して、チューブ２０を固定した構造を持つ。

【００９２】上記のように、必要に応じて、膜状材料に
対向する面と反対側に、シリコンゴムあるいはスポンジ
などで、緩衝層３１あるいは緩衝材３７を設けることに
より、プローブ２３のチューブ２０の先端位置の差によ
る個々のチューブ２０の突出量の差を吸収することがで
きる。これにより、過度の力が、プローブ２３および薄
膜を形成した基板４０および半導体素子２６に加わらな
いような構造とすることができる。

【００９３】なお、これまで述べた例では、材料片取り
出し器（プローブ）を形成するための構成として、ばね
２１によりプランジャー２２を付勢する構造のスプリン
グプローブを用いている。しかし、本発明は、これに限
定されない。他の構造とすることもできる。例えば、膜
状材料を型抜きするための筒状の型材と、該型材の内部
から型抜きした材料を押し出すことができる機構とを有
する構成とすることもできる。

【００９４】次に、接続用材料を供給するために用いら
れる材料片取り出し器の他の実施例について、図７を参
照して説明する。図７は、材料片取り出し器の他の実施
例の要部を示す断面図である。

【００９５】図７に示す材料片取り出し器（プローブ）
は、筒状の型材としてチューブ３４を用い、該チューブ
３４の内部に、相対変位可能に設けられる押し出し棒３
５とで構成される。なお、図７の例では、チューブ３４
が、押し出し棒３５に沿って変位できるようになってい
る。

【００９６】図７（ａ）は、チューブ３４と、該チュー
ブ３４内に摺動自在に挿入された押し出し棒３５とから
なる材料片取り出し器３６を、基板４０に、接続用材料
を薄膜状に形成した該膜状材料２４に対向するように配
置した第１の段階を示す。

【００９７】図７（ｂ）は、前記チューブ３４を、前記
膜状材料２４の薄膜に押し当てることにより、チューブ
３４の先端３４ａが、薄膜に挿入される第２の段階を示
す。ここでは、チューブ３４の先端３４ａが、その先端
３４ａを型として、膜状材料２４に切れ目を形成して、
材料片２５を切り分けている。

【００９８】図７（ｃ）は、前記チューブ３４を引き上
げることにより、チューブ３４の先端３４ａにより円板
状に切り取られた材料片２５が、チューブ３４の先端３
４ａ内で保持されて、基板４０から剥離されている第３
の段階を示す。この段階では、剥離された材料片２５
が、この状態で保持されつつ、供給対象の目的位置に移
動される。

【００９９】図７（ｄ）は、前記チューブ３４内の先端
３４ａ内で材料片２５を保持している材料片取り出し器
３６を、半導体素子２６上に形成された任意の電極パッ
ド２７に対向させる第４の段階を示す。

【０１００】図７（ｅ）は、前記押し出し棒３５を、前
記チューブ３４内の先端部に保持された材料片２５に押
し当て、材料片２５を前記チューブ３４内から押し出す
ことにより、材料片２５を前記電極パッド２７に押し当
てる第５の段階を示す。

【０１０１】図７（ｆ）は、材料片取り出し器３６を引
き上げることにより、材料片２５を電極パッド２７上に
残す第６の段階を示す。

【０１０２】なお、図７（ｄ）に示す第４の段階で、図
１４で示すように、前記電極パッド２７の表面に、フラ
ックス等の粘着性を有する材料２７ａを塗布するか、あ
るいは、図７（ｅ）に示す第５の段階で、電極パッド２
７を形成した半導体素子２６を加熱することにより、供
給した材料片２５を電極パッド２７に溶着してもよい。

【０１０３】

【発明の効果】本発明によれば、膜状材料から材料片を
切り取り、これを保持して供給対象の目的位置に押し当
てて、当該材料片をその位置に付着させることができ
る。これにより、目的の箇所のみに、材料片の供給が可
能になり、材料の無駄を少なくできる。

【０１０４】ウエハ検査の技術分野で用いられるウエハ
プローバの機構と同様の機構とすることができるので、
検査装置と同等の精度で、材料片の供給が行なえる。

【０１０５】また、必要に応じて接続用材料の層状構造
を保持したまま、電極へ接続用材料の供給が可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の材料片取り出し機構を用いた材料片供
給装置の一実施例の要部を示す説明図である。

【図２】本発明の材料片取り出し機構を用いた材料片供
給装置の他の実施例の要部を示す説明図である。

【図３】（ａ）−（ｈ）は、本発明で用いられる接続片
取り出し器の一例の構成および動作を示す断面図であ
る。

【図４】（ｆ）−（ｈ）は、本発明で用いられる接続片
取り出し器の構成および動作の他の例を示す断面図であ
る。

【図５】本発明で用いられる接続片取り出し器のプラン
ジャーの先端形状の各種形状例を示す断面図である。

【図６】本発明で用いられる材料片取り出し機構のチュ
ーブ取付部分の各種構造の例を示す断面図である。

【図７】本発明の材料片取り出し器の他の実施例の構造
の要部およびその動作を示す断面図である。

【図８】従来のはんだバンプを電極上に有する半導体素
子を示す斜視図である。

【図９】従来のはんだ溶融接続をした半導体素子の実装
状態を示す斜視図である。

【図１０】従来のはんだボール装着装置の概要を示す系
統図である。

【図１１】従来のワイヤーボンダを用いて合金ワイヤー
からボールを供給する装置の要部を示す断面図である。

【図１２】本発明の材料片取り出し機構を用いた材料片
供給装置の他の実施例の要部を示す説明図である。

【図１３】本発明において、材料を供給するために用い
られる材料供給体の一例を模式的に示す断面図である。

【図１４】本発明において、材料片を目的位置に付着さ
せる際に、粘着材を用いる例を模式的に示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１…はんだバンプ、２…半導体素子、３…配線基板、４
…電極、５…はんだボール、６…ガラス治具、７…スト
ッカー、８…供給部、９…ホッパー、１０…振り込みヘ
ッド部、１１…回収部、１２…合金ワイヤー、１３…電
気トーチ、１４…ボール、１５…電極、２０…チュー
ブ、２０ａ…先端開口部、２１…ばね、２２…プランジ
ャー、２２ａ…先端、２３…プローブ、２４…膜状材
料、２４ａ…第１層、２４ｂ…第２層、２５…材料片、
２６…半導体素子、２７…電極パッド、２７ａ…粘着性
を有する材料、２８…ストッパ、２９…チューブ位置決
め用穴あけ基板、３０…上部押え板、３１…緩衝層、３
２…スルーホール、３３…固定プランジャー、３３ａ…
平坦部、３３ｂ…挿入部、３４…チューブ、３４ａ…先
端、３５…押し出し棒、３６…材料片取り出し器、３７
…緩衝材、４０…半導体ウエハ（基板）、４１…半導体
ウエハ、４２…接続用材料供給体、１００…プローブ
系、１０１…材料片取り出し機構、１０２…取付台、１
２０…試料支持系、１２１ａ…材料支持系、１２１ｂ…
対象支持系、１２２、１２２ａ、１２２ｂ…試料台、１
２４、１２４ａ、１２４ｂ…昇降軸、１２５、１２５
ａ、１２５ｂ…昇降駆動部、１２６、１２６ａ、１２６
ｂ…Ｘ−Ｙステージ、１２７…筐体、１５０…駆動制御
系、１５１…ケーブル、１５２…操作部、１７０…温度
制御系、１７１…ヒータ部、１７２…温度制御器、２０
０…プローブ系、２０１…材料片取り出し機構、２０２
…ヘッド駆動機構、２２０…試料支持系、２２４…昇降
軸、２２５…昇降駆動部、２２６…Ｘ−Ｙステージ、２
５０…駆動制御系、２５１…ケーブル、２５２…操作
部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｚ (56)参考文献 特開 平７−99217（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291260（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−67618（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−104264（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B21D 28/00 B23K 3/06 B23P 19/00 H01L 21/60 H05K 3/34

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】膜状材料から材料片を切り出して供給する
   ための材料片供給方法において、 基板上に膜状材料を予め形成しておき、 この膜状材料に、型を押しつけて目的の形状に切れ目を
   設けて、切り出すべき材料片を形成し、 切れ目を形成された材料片を基板から剥離して保持し、 その材料片を供給すべき対象の目的位置に相対移動さ
   せ、 その目的位置において、材料片を対象に付着させること
   を特徴とする材料片供給方法。
2. 【請求項２】請求項１において、 上記材料片の形成は、筒状に形成された型を用い、その
   先端を膜状材料に押しつけて切れ目を設けることによっ
   て行ない、 上記材料片の剥離および保持は、針状体を用い、これ
   を、膜状材料の材料片となるべき位置に突き刺し、この
   状態で、針状体を基板から遠ざけることによって行なう
   ことを特徴とする材料片供給方法。
3. 【請求項３】請求項２において、上記針状体の材料片へ
   の突き刺しは、材料片の形成前に行なうことを特徴とす
   る材料片供給方法。
4. 【請求項４】請求項１において、 上記材料片の形成、剥離および保持は、筒状に形成され
   た型を用い、その先端を膜状材料に押しつけて切れ目を
   設けて材料片を形成すると共に、型先端部内に材料片を
   収容して保持した状態で、型を基板から遠ざけることに
   よって行ない、 材料片の対象への付着は、保持している材料片を、型先
   端部内から材料片を押し出すと共に、対象に押し当てる
   ことにより行なうことを特徴とする材料片供給方法。
5. 【請求項５】請求項２、３または４において、材料片の
   対象への付着は、保持している材料片を、対象に押し当
   てることにより行なうことを特徴とする材料片供給方
   法。
6. 【請求項６】請求項２、３または４において、材料片の
   対象への付着は、材料片を対象に押し当てると共に、溶
   融させることにより行なうことを特徴とする材料片供給
   方法。
7. 【請求項７】請求項２、３、４、５または６において、
   対象の、材料片を付着させる目的位置に、粘着性のある
   物質を塗布しておくことを特徴とする材料片供給方法。
8. 【請求項８】膜状材料から材料片を切り出す方法におい
   て、 針状体を用いて、これを、予め基板上に形成された膜状
   材料の切り出し位置に突き刺す工程と、 この膜状材料に、型を押しつけて目的の形状に切れ目を
   設けて、切り出すべき材料片を形成する工程と、 この状態で、針状体を基板から遠ざけて、材料片を基板
   から剥離する工程とを有することを特徴とする材料片切
   り出し方法。
9. 【請求項９】基板上に、目的の材料片を構成する材料の
   薄膜を成膜し、 この膜状材料に、型を押しつけて目的の形状に切れ目を
   設けて、切り出すべき材料片を形成し、 切れ目を形成された材料片を基板から剥離することを特
   徴とする材料片の製造方法。
10. 【請求項１０】請求項９において、 材料として、物体の接続に用いる接続用材料を用い、 基板として、接続すべき対象の一方と同じ物質で構成さ
    れる基板を用いることを特徴とする材料片の製造方法。
11. 【請求項１１】請求項９または１０において、上記膜状
    材料は、第１の層、および、これとは異なる物質からな
    る第２の層の少なくとも２層を、順次成膜して形成され
    ることを特徴とする材料片の製造方法。