JPH02183486A - Ram制御回路 - Google Patents
Ram制御回路Info
- Publication number
- JPH02183486A JPH02183486A JP1001266A JP126689A JPH02183486A JP H02183486 A JPH02183486 A JP H02183486A JP 1001266 A JP1001266 A JP 1001266A JP 126689 A JP126689 A JP 126689A JP H02183486 A JPH02183486 A JP H02183486A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ram
- circuit
- selector
- output
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 102100031584 Cell division cycle-associated 7-like protein Human genes 0.000 description 2
- 101000777638 Homo sapiens Cell division cycle-associated 7-like protein Proteins 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はRAMを有するディジタル論理回路を使用する
通信機及びディジタルコンピュータ等に用いられるRA
M制御回路に関する。
通信機及びディジタルコンピュータ等に用いられるRA
M制御回路に関する。
まず、従来のRAM制御回路について第3図及び第4図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
セレクト信号入力端子3からセレクト信号が2−1セレ
クタ1及びRAM2に与えられる。
クタ1及びRAM2に与えられる。
こ・Q−セレクト信号により2−1セレクタ1は書き込
みアドレス入力端子41〜4nからの書き込みアドレス
を選択する。つまり、端子A1〜Anを選択して、RA
Mアドレス入力(a1〜an)として出力する。一方、
RAM2はRAM WE倍信号してのセレクト信号によ
り書き込み状態となる。つま5,2−1セレクタ1が書
き込みアドレスを選択した場合には、RAM2は書き込
み状態となり、データ入力端子からのデータをRAMア
ドレス入力(a1〜an)に応じて書き込む。同様に1
次のタイミングで、2−1セレクタ1はセレクト信号に
よって読み出しアドレス入力端子51〜5nからの読み
出しアドレスを選択して(つまり、端子A1〜Anを選
択する)、RAMアドレス入力(at〜an)として出
力する。この際、RAM2はセレクト信号により読み出
し状態となり、RAMアドレス入力(a1〜an)に応
じてRAMからデータがデータ出力端子9に出力される
。
みアドレス入力端子41〜4nからの書き込みアドレス
を選択する。つまり、端子A1〜Anを選択して、RA
Mアドレス入力(a1〜an)として出力する。一方、
RAM2はRAM WE倍信号してのセレクト信号によ
り書き込み状態となる。つま5,2−1セレクタ1が書
き込みアドレスを選択した場合には、RAM2は書き込
み状態となり、データ入力端子からのデータをRAMア
ドレス入力(a1〜an)に応じて書き込む。同様に1
次のタイミングで、2−1セレクタ1はセレクト信号に
よって読み出しアドレス入力端子51〜5nからの読み
出しアドレスを選択して(つまり、端子A1〜Anを選
択する)、RAMアドレス入力(at〜an)として出
力する。この際、RAM2はセレクト信号により読み出
し状態となり、RAMアドレス入力(a1〜an)に応
じてRAMからデータがデータ出力端子9に出力される
。
さらに、第5図及び第6図を参照して、従来のRAM書
き込み制御回路の他の例について説明する。
き込み制御回路の他の例について説明する。
この例では、セレクト信号入力端子6からセレクト信号
が2−1セレクタ1に与えられ。
が2−1セレクタ1に与えられ。
RAM 2にはセレクト信号とクロック・パルス入力端
子14からのクロ、り信号とに基づくRAM W18信
号が与えられている。即ち、セレクト信号及びクロック
信号はナンド(NAND)回路13に与えられ、NAN
D回路15からRAM Wl信号がRAM2に送られる
。
子14からのクロ、り信号とに基づくRAM W18信
号が与えられている。即ち、セレクト信号及びクロック
信号はナンド(NAND)回路13に与えられ、NAN
D回路15からRAM Wl信号がRAM2に送られる
。
第6図に示すように、2−1セレクタ1が読み出しアド
レスを選択した場合にはRAM 2は読み出し状態とな
り、2−1セレクタ1が書き込みアドレスを選択した場
合には、RAM2書き込み状態となる。
レスを選択した場合にはRAM 2は読み出し状態とな
り、2−1セレクタ1が書き込みアドレスを選択した場
合には、RAM2書き込み状態となる。
ところで、上述した従来のRAM制御回路の場合、第4
図に示すように2−1セレクタの出力の立ち遅れのため
に、RAMが書き込み状態となってもRAMアドレス入
力がしばらく読み出しアドレスのままとなっている。こ
のため。
図に示すように2−1セレクタの出力の立ち遅れのため
に、RAMが書き込み状態となってもRAMアドレス入
力がしばらく読み出しアドレスのままとなっている。こ
のため。
香き込み時間の短いRAMでは読み出しアドレスに入力
データを書き込んでしまい、正確なRAMの書き込み、
読み出し動作が困難となる。
データを書き込んでしまい、正確なRAMの書き込み、
読み出し動作が困難となる。
従って、書き込み時間の長いRAMを用いるか。
また上述の立ち遅れを回避する回路が必要となる問題点
がある。
がある。
一方、第6因に示すようにRAMの書き込み信号WEを
セレクト信号とクロックパルス孝によって生成させた場
合、セレクト信号よりも高い周波数のクロ、クバルスが
必要となるという問題点がある。
セレクト信号とクロックパルス孝によって生成させた場
合、セレクト信号よりも高い周波数のクロ、クバルスが
必要となるという問題点がある。
本発明によれば、2(n+1)個(nは正整数)の入力
端と(n+1)個の出力端とを備える2−1セレクタと
、RAMと、第1及び第2の107回路と、OR回路と
を有し、nビットの書き込みアドレスが前記2−1セレ
クタの第1から第nの入力端に入力され、前記2−1セ
レクタの第(n+1)の入力端はグランドに接続され、
nビットの読み出しアドレスが前記2−1セレクタの第
(n+2 )から第(zn+1)の入力端に接続さ・れ
、前記2−1セレクタの第2(n+t)の入力端に予め
定められた電圧が印加されており、さらに前記2−1セ
レクタの出力端が前記RAMのアドレスに接続され、セ
レクト信号が前記第1の107回路及び前記OR回路に
入力され、前記第1のNOT回路出力が前記第2の10
7回路に入力されて、前記第2の107回路の出力を前
記2−1セレクタ回路のセレクト信号として用い、前記
2−1セレクタの第(n+1)の出力端が前記OR回路
に接続され、前記OR回路の出力を前記RAMの選択信
号とするようにしたことを特徴とするRAM制御回路が
得られる。
端と(n+1)個の出力端とを備える2−1セレクタと
、RAMと、第1及び第2の107回路と、OR回路と
を有し、nビットの書き込みアドレスが前記2−1セレ
クタの第1から第nの入力端に入力され、前記2−1セ
レクタの第(n+1)の入力端はグランドに接続され、
nビットの読み出しアドレスが前記2−1セレクタの第
(n+2 )から第(zn+1)の入力端に接続さ・れ
、前記2−1セレクタの第2(n+t)の入力端に予め
定められた電圧が印加されており、さらに前記2−1セ
レクタの出力端が前記RAMのアドレスに接続され、セ
レクト信号が前記第1の107回路及び前記OR回路に
入力され、前記第1のNOT回路出力が前記第2の10
7回路に入力されて、前記第2の107回路の出力を前
記2−1セレクタ回路のセレクト信号として用い、前記
2−1セレクタの第(n+1)の出力端が前記OR回路
に接続され、前記OR回路の出力を前記RAMの選択信
号とするようにしたことを特徴とするRAM制御回路が
得られる。
次に本発明について実施例によって説明する。
第1図を参照して1本発明によるRAM制御回路は、
2(n−t−t)個(nは正整数)の入力端AT〜A
n+1及びB1〜Bn+1と(n+t)個の出力端Y1
〜Yn+1とを備える2−1セレクタ1゜RAM2.イ
ンバータ(107回路)10及び11及びオア回路(O
R回路)12を有している。
2(n−t−t)個(nは正整数)の入力端AT〜A
n+1及びB1〜Bn+1と(n+t)個の出力端Y1
〜Yn+1とを備える2−1セレクタ1゜RAM2.イ
ンバータ(107回路)10及び11及びオア回路(O
R回路)12を有している。
このRAM制御回路では、外部からのnビ。
トの書き込みアドレスが2−1セレクタ1のA1〜An
入力端に接続され、グランドrGJが2−1セレクタ1
のAn+1入力端に接続される。
入力端に接続され、グランドrGJが2−1セレクタ1
のAn+1入力端に接続される。
一方、外部からのnピット読み出しアドレスが2−1セ
レクタ1のB1〜Bn入力端に接続され。
レクタ1のB1〜Bn入力端に接続され。
電源「+5vJが2−1セレクタ1のBn+1人力に接
続される。2−1セレクタ1のY1〜Yn出力端はRA
M2のアドレス端子に接続される。
続される。2−1セレクタ1のY1〜Yn出力端はRA
M2のアドレス端子に接続される。
セレクト入力信号端子3はNOT回路10の入力とOR
回路12の入力とに接続され、NOT回路10の出力は
NOT回路11の入力に接続される。また、NOT回路
11の出力がセレクタ回路1のセレクト入力(S端子)
に接続され。
回路12の入力とに接続され、NOT回路10の出力は
NOT回路11の入力に接続される。また、NOT回路
11の出力がセレクタ回路1のセレクト入力(S端子)
に接続され。
2−1セレクタ1のYn+1出力がOR回路12の入力
に接続される。さらに、OR回路12の出力はRAM
2の選択端子WE(端子)に接続されている。
に接続される。さらに、OR回路12の出力はRAM
2の選択端子WE(端子)に接続されている。
第2図も参照して、いまセレクト信号入力端子3からの
セレクト信号がロウとなると、 OR回路12の入力
の一方はロウとなる。また、このセレクト信号はNOT
回路10及び11を介して2−1セレクタ1にセレクト
信号として入力され、この結果、2−1セレクタ1はA
側を選択する。入力端のA側選択によってRAM 2の
アドレス・バスa1〜anには書き込みアドレスが出力
され、同時に2−1セレクタ1のYn+1出力すにはグ
ランドrGJすなわちOvが出力される。この結果、O
R回路12の入力の他方がロウとなる。これによって、
OR回路12からロウレベルが出力され、RAM2は書
き込み状態となり、データ入力端子8からのデータが書
き込みアドレスで示すアドレスに書き込まれる。
セレクト信号がロウとなると、 OR回路12の入力
の一方はロウとなる。また、このセレクト信号はNOT
回路10及び11を介して2−1セレクタ1にセレクト
信号として入力され、この結果、2−1セレクタ1はA
側を選択する。入力端のA側選択によってRAM 2の
アドレス・バスa1〜anには書き込みアドレスが出力
され、同時に2−1セレクタ1のYn+1出力すにはグ
ランドrGJすなわちOvが出力される。この結果、O
R回路12の入力の他方がロウとなる。これによって、
OR回路12からロウレベルが出力され、RAM2は書
き込み状態となり、データ入力端子8からのデータが書
き込みアドレスで示すアドレスに書き込まれる。
ここで、セレクト信号入力端子3からのセレクト信号が
ハイになると、OR回路12の出力はハイとなり、RA
M2は読み出し状態となる。
ハイになると、OR回路12の出力はハイとなり、RA
M2は読み出し状態となる。
さらに、NOT回路10及び11を介して2−1セレク
タ1にセレクト信号が入力され、これによって2−1セ
レクタ1は入力端のB側を選択する。この結果、RAM
2のアドレス・バスa1〜anには読み出しアドレスが
出力され、読み出しアドレスで示されるアドレスからデ
ータが読み出され、データ出力端子9に出力される。
タ1にセレクト信号が入力され、これによって2−1セ
レクタ1は入力端のB側を選択する。この結果、RAM
2のアドレス・バスa1〜anには読み出しアドレスが
出力され、読み出しアドレスで示されるアドレスからデ
ータが読み出され、データ出力端子9に出力される。
このようにして、RAM2に対して書き込みアドレスが
出力されているときはRAM2を書き込み状態に、読み
出しアドレスが出力されているときはRAM 2を読み
出し状態にすることができる。
出力されているときはRAM2を書き込み状態に、読み
出しアドレスが出力されているときはRAM 2を読み
出し状態にすることができる。
以上説明したように本発明では、1つの制御信号を用い
て、書き込み、読み出しアドレスに対して確実にRAM
を書き込み、読み出し状態とできる。従って、特に、ク
ロック信号を用いずにRAMの書き込み信号を制御する
場合に有効である。
て、書き込み、読み出しアドレスに対して確実にRAM
を書き込み、読み出し状態とできる。従って、特に、ク
ロック信号を用いずにRAMの書き込み信号を制御する
場合に有効である。
第1図は本発明によるRAM制御回路の一実施例を示す
図、第2図は第1図に示すRAM制御回路の動作を説明
するためのタイムチャート。 第5図は従来のRAM制御回路の一例を示す図。 第4図は従来のRAM制御回路の他の例を示す図、第5
図は第3図に示すRAM制御回路の動作を説明するため
のタイムチャー)、第61@は第4図に示すRAM制御
回路の動作を説明するためのタイムチャートである。 1・・・2−1セレクタ、2・・・RAMe 3・・
・セレクト信号入力端子、41〜4n・・・書き込みア
ドレス入力端子、51〜5n・・・読み出しアドレス入
力端子、6・・・グランド(Ov)入力端子、7・・・
+SV入力端子、8・・・データ入力端子、9・・・デ
ータ出力端子、10.11・・・NO’r回路、12・
・・OR回路、13・・・NAND回路、14・・・ク
ロ。 り・パルス入力端子。 以下余白 第1図 第2図 第3図 第4図 セレクト信j! (3)
図、第2図は第1図に示すRAM制御回路の動作を説明
するためのタイムチャート。 第5図は従来のRAM制御回路の一例を示す図。 第4図は従来のRAM制御回路の他の例を示す図、第5
図は第3図に示すRAM制御回路の動作を説明するため
のタイムチャー)、第61@は第4図に示すRAM制御
回路の動作を説明するためのタイムチャートである。 1・・・2−1セレクタ、2・・・RAMe 3・・
・セレクト信号入力端子、41〜4n・・・書き込みア
ドレス入力端子、51〜5n・・・読み出しアドレス入
力端子、6・・・グランド(Ov)入力端子、7・・・
+SV入力端子、8・・・データ入力端子、9・・・デ
ータ出力端子、10.11・・・NO’r回路、12・
・・OR回路、13・・・NAND回路、14・・・ク
ロ。 り・パルス入力端子。 以下余白 第1図 第2図 第3図 第4図 セレクト信j! (3)
Claims (1)
- 1、2(n+1)個(nは正整数)の入力端と(n+1
)個の出力端とを備える2−1セレクタと、RAMと、
第1及び第2のNOT回路と、OR回路とを有し、nビ
ットの書き込みアドレスが前記2−1セレクタの第1か
ら第nの入力端に入力され、前記2−1セレクタの第(
n+1)の入力端はグランドに接続され、nビットの読
み出しアドレスが前記2−1セレクタの第(n+2)か
ら第(2n+1)の入力端に接続され、前記2−1セレ
クタの第2(n+1)の入力端に予め定められた電圧が
印加されており、さらに前記2−1セレクタの出力端が
前記RAMのアドレスに接続され、セレクト信号が前記
第1のNOT回路及び前記OR回路に入力され、前前第
1のNOT回路出力が前記第2のNOT回路に入力され
て、前記第2のNOT回路の出力を前記2−1セレクタ
回路のセレクト信号として用い、前記2−1セレクタの
第(n+1)の出力端が前記OR回路に接続され、前記
OR回路の出力を前記RAMの選択信号とするようにし
たことを特徴とするRAM制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1001266A JPH02183486A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | Ram制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1001266A JPH02183486A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | Ram制御回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02183486A true JPH02183486A (ja) | 1990-07-18 |
Family
ID=11496654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1001266A Pending JPH02183486A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | Ram制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02183486A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04315234A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Mitsubishi Electric Corp | メモリシステム |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP1001266A patent/JPH02183486A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04315234A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Mitsubishi Electric Corp | メモリシステム |
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