JPH02181967A - カラー固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
カラー固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH02181967A JPH02181967A JP1002596A JP259689A JPH02181967A JP H02181967 A JPH02181967 A JP H02181967A JP 1002596 A JP1002596 A JP 1002596A JP 259689 A JP259689 A JP 259689A JP H02181967 A JPH02181967 A JP H02181967A
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Landscapes
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、カラーフィルターを半導体基板上に直接形成
したカラー固体撮像装置に関し、特に、オンチップカラ
ーフィルター形成前に該基板表面を平坦化したカラー固
体撮像装置に関するものである。
したカラー固体撮像装置に関し、特に、オンチップカラ
ーフィルター形成前に該基板表面を平坦化したカラー固
体撮像装置に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、固体撮像素子上にオンチップカラーフィルターを
形成する方法としては、次のような方法が知られている
。
形成する方法としては、次のような方法が知られている
。
すなわち、固体撮像素子の形成された半導体基板上に、
透明で、且つ非染色性を有するレジストを塗布して、該
基板を平滑化した後、フィルター部となる被染色性レジ
ストを塗布し、露光、現像を行なって所定の画素上に被
染色性レジストパターンを形成する。然る後、所望の分
光特性を有する染料で該パターンを染色し、カラーフィ
ルターパターンを得る。この工程を数回繰り返して、オ
ンチップカラーフィルターが形成される。
透明で、且つ非染色性を有するレジストを塗布して、該
基板を平滑化した後、フィルター部となる被染色性レジ
ストを塗布し、露光、現像を行なって所定の画素上に被
染色性レジストパターンを形成する。然る後、所望の分
光特性を有する染料で該パターンを染色し、カラーフィ
ルターパターンを得る。この工程を数回繰り返して、オ
ンチップカラーフィルターが形成される。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、この方法においては、前記非染色性レジ
ストおよび被染色性レジストをウェハー全面にスピンコ
ード法により塗布するため、基板表面の凹凸段差によっ
て、塗布膜厚に膜厚差が生じる。第２図は、膜厚差の生
じる様子を示したものであり、第３図は、第２図におけ
るＡ−Ａ’の断面形状である。第２図に於いて、１１は
基板であや、１２はレジストの膜厚むらを示している。
ストおよび被染色性レジストをウェハー全面にスピンコ
ード法により塗布するため、基板表面の凹凸段差によっ
て、塗布膜厚に膜厚差が生じる。第２図は、膜厚差の生
じる様子を示したものであり、第３図は、第２図におけ
るＡ−Ａ’の断面形状である。第２図に於いて、１１は
基板であや、１２はレジストの膜厚むらを示している。
また、第３図に於いて、１３はレジストである。
このように、同一素子内でレジストの膜厚差が生じるト
、各画素でのフィルター層に膜厚むらが発生し、それが
、カラー撮像した際の色むらとなり、画質を著しく低下
させる原因となる。
、各画素でのフィルター層に膜厚むらが発生し、それが
、カラー撮像した際の色むらとなり、画質を著しく低下
させる原因となる。
本発明は、以上述べた従来のオンチップカラーフィルタ
ーを形成する際に生じる色むらという問題点に鑑みてな
されたものであり、オンチップカラーフィルター形成前
に、固体撮像素子の画素領域外の凹凸段差を、あらかじ
め平坦化することによって、レジストの塗布むらを抑え
、色むらのない高画質のカラー固体撮像装置を提供する
ことを目的とするものである。
ーを形成する際に生じる色むらという問題点に鑑みてな
されたものであり、オンチップカラーフィルター形成前
に、固体撮像素子の画素領域外の凹凸段差を、あらかじ
め平坦化することによって、レジストの塗布むらを抑え
、色むらのない高画質のカラー固体撮像装置を提供する
ことを目的とするものである。
く課題を解決するだめの手段〉
本発明のカラー固体撮像装置は、複数個の固体撮像素子
が形成された半導体基板に於いて、該基板表面の凹部を
高分子材料で埋め込み、表面を平坦化した後、オンチッ
プカラーフィルりを上記固体撮像素子上に直接形成して
成ることを特徴とするものである。また、前記凹部が固
体撮像素子の画素領域外であることを特徴とするもので
ある。
が形成された半導体基板に於いて、該基板表面の凹部を
高分子材料で埋め込み、表面を平坦化した後、オンチッ
プカラーフィルりを上記固体撮像素子上に直接形成して
成ることを特徴とするものである。また、前記凹部が固
体撮像素子の画素領域外であることを特徴とするもので
ある。
さらに、前記高分子材料がポジ型あるいはネガ型の感光
性を有することを特徴とするものである。
性を有することを特徴とするものである。
〈実施例〉
以下、実施例により、本発明に関して、さらに詳しく説
明する。
明する。
第１図（至）に示す、複数個の固体撮像素子の形成され
た半導体基板１（２：画素領域、３：画素領域外、４：
ヌクライプライン）上に、ネガ型の感光性樹脂ｒＦＶＲ
−１０Ｊ（富士薬品（株）製ノを厚みが１．０ 、ａ
ｍとなるようにスピンコード法により塗布した（同図の
）。５：感光性樹脂）。これを乾燥した後、画素領域外
３の凹部に相当する部分にのみ選択的に紫外線照射の出
来るマスクを用いて露光を行なった。その後、専用の現
像液とリンス液を用いて未硬化の樹脂膜を除去し、平坦
化された基板を得た（同図Ｃ））。乾燥後、従来のオン
チップカラーフィルター形成技術を利用して、画素領域
上にカラーフィルターを形成することによって、色むら
のない高画質のカラー固体撮像装置を得ることが出来た
。
た半導体基板１（２：画素領域、３：画素領域外、４：
ヌクライプライン）上に、ネガ型の感光性樹脂ｒＦＶＲ
−１０Ｊ（富士薬品（株）製ノを厚みが１．０ 、ａ
ｍとなるようにスピンコード法により塗布した（同図の
）。５：感光性樹脂）。これを乾燥した後、画素領域外
３の凹部に相当する部分にのみ選択的に紫外線照射の出
来るマスクを用いて露光を行なった。その後、専用の現
像液とリンス液を用いて未硬化の樹脂膜を除去し、平坦
化された基板を得た（同図Ｃ））。乾燥後、従来のオン
チップカラーフィルター形成技術を利用して、画素領域
上にカラーフィルターを形成することによって、色むら
のない高画質のカラー固体撮像装置を得ることが出来た
。
尚、上記樹脂膜の埋め込みによる平坦化工程は、必要と
あらば、２度以上行なってもよく、また、その都度マス
クパターンを変更してもよい。
あらば、２度以上行なってもよく、また、その都度マス
クパターンを変更してもよい。
さらに、上記感光性樹脂としては、前記実施例のものに
限らず、その他のアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、イソ
ンアネート樹脂等を主成分とする高分子材料を用いるこ
とが出来る。
限らず、その他のアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、イソ
ンアネート樹脂等を主成分とする高分子材料を用いるこ
とが出来る。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体基
板表面の凹凸段差を高分子材料で埋め込み平坦化した後
、オンチップカラーフィルターを形成することによって
、フィルターの膜厚差により生じる色むらのない高画質
のカラー固体撮像装置を得ることが出来る。
板表面の凹凸段差を高分子材料で埋め込み平坦化した後
、オンチップカラーフィルターを形成することによって
、フィルターの膜厚差により生じる色むらのない高画質
のカラー固体撮像装置を得ることが出来る。
第１図（至）乃至Ｃ）は、本発明による基板の平坦化方
法の一例を示す図、第２図は、従来のオンチップカラー
フィルター形成時に生じるレジストの膜厚むらを示す図
、第３図は、第２図に於けるＡ−Ａ′断面形状を示す図
である。 符号の説明 ｌ：半導体基板、 ２：画素領域、 領域外、 ４ニスクライブライン、 樹脂。 ３：画素 ５：感光性
法の一例を示す図、第２図は、従来のオンチップカラー
フィルター形成時に生じるレジストの膜厚むらを示す図
、第３図は、第２図に於けるＡ−Ａ′断面形状を示す図
である。 符号の説明 ｌ：半導体基板、 ２：画素領域、 領域外、 ４ニスクライブライン、 樹脂。 ３：画素 ５：感光性
Claims (1)
- １、複数個の固体撮像素子が形成された半導体基板にお
いて、該基板表面の凹部を高分子材料で埋め込み、表面
を平坦化した後、オンチップカラーフィルターを上記固
体撮像素子上に直接形成してなることを特徴とするカラ
ー固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002596A JP2786647B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | カラー固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002596A JP2786647B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | カラー固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181967A true JPH02181967A (ja) | 1990-07-16 |
| JP2786647B2 JP2786647B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=11533767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002596A Expired - Lifetime JP2786647B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | カラー固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2786647B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219077A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-30 | Sharp Corp | 半導体ウエハ基板および電子素子モジュール、電子情報機器 |
| WO2017043308A1 (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 |
| US9893110B2 (en) | 2015-04-06 | 2018-02-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing solid-state image sensor, solid-state image sensor, and camera |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299070A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置の製造方法 |
| JPS6384153A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
| JPS63188103A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | 直付形カラ−フイルタおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP1002596A patent/JP2786647B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299070A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置の製造方法 |
| JPS6384153A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
| JPS63188103A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | 直付形カラ−フイルタおよびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219077A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-30 | Sharp Corp | 半導体ウエハ基板および電子素子モジュール、電子情報機器 |
| US9893110B2 (en) | 2015-04-06 | 2018-02-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing solid-state image sensor, solid-state image sensor, and camera |
| WO2017043308A1 (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 |
| US11041980B2 (en) | 2015-09-07 | 2021-06-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2786647B2 (ja) | 1998-08-13 |
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