JPH02178963A - 半導体装置の構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の構造に係り、具体的にはＧａＡｓ
ＩＣにおいて容量を形成するための技術に関する。

〔背景技術とその問題点〕

ＧａＡｓＩＣにおける容量の構造としでは、ＩＤ型容量
やＭＩＭ型容量、ショットキータイオート型容量等があ
るが、このうちでもオーミック電極とショットキー電極
とによって構成されるショットキーダイオードの接合容
量を利用したショットキータイオート型容量がしはしは
用いられる。

第３図及び第４図に示すものは、ショットキーダイオー
ド型容量の構造であり、くし形をしたオーミック電極１
２とくし形をしたショットキー電極１４をキャリア活性
層１１の表面に形成し、オーミック電極１２のフィンガ
ー１６とショットキー電極１４のフィンカー１９を交互
に配置しである。ＧａＡｓＩＣでは、ショットキー電極
１４の下面に形成される空乏層１８の下のシリース抵抗
を小さくするため、画電極を交互に配置するくし形構造
が用いられるが、このようなくし形構造であるとショッ
トキーダイオードの接合面積が小さくなるので、得られ
る全容量か結果的に小さくなるという問題があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかして本発明は、くし層構造のショットキータ゛イオ
ート型容量において、単位面積あたりの容量を増大させ
、ＩＣチップに対する容量の占有面積を小さくすること
を目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

このため本発明の半導体装置の構造は、キャリア活性層
の上面にくし形をしたオーミック電極を形成し、このオ
ーミック電極の少なくともフィンカ一部分を絶縁膜によ
り被覆すると共にオーミック電極のフィンガー間の部分
では前記絶縁膜を除去してキャリア活性層を露出させ、
このフィンガー間で露出したキャリア活性層の上にショ
ットキー電極を設けてショッｌ−キータイオー１へ型容
量を形成し、絶縁膜を介してオーミック電極の上にショ
ッＩ〜キー電極を設けることによってＭＩＭ型容量を形
成したことを特徴としている。

〔作用〕 本発明にあっでは、くし形をしたオーミック電極のフィ
ンガー間で露出したキャリア活性層の表面に形成された
ショッ１へキー電極とオーミック電極とによりくし層構
造のショッ１〜キータイオード型容量か形成されている
。さらに、オーミック電極と絶縁膜とショットキー電極
との層構造によりＭ　丁Ｍ　（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌ
ａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）型の容量構造か形成されている
ので、ショットキータイオーＩ・型容量にＭＩＭ型容量
か付加された構造となっており、単位面積あたりの容量
を大幅に増加させることがてき、同じ容量を得るための
占有面積を小さくてきてＩＣの高集積化に寄与すること
かできる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を添付図に基ついて詳述する。

第２図に示すように、半絶縁性のＧａＡｓ基板５の上面
にはｎ−ＧａＡｓのキャリア活性層１が形成されている
。このキャリア活性層１の表面には、第１図に示すよう
なくし形をしたオーミック電極２が形成される。ついで
、オーミック電極２の上からキャリア活性層］の表面に
は、オーミック電極２のフィンカー６の部分及びその周
囲を覆うようにして薄い絶縁膜３か成膜される。この後
、絶縁膜３は、第１図に想像線で示すようにオーミック
電極２のフィンガー６間に位置する部分のみをエツチン
グによって除去されて四部７を形成され、凹部７におい
てキャリア活性層１を露出させる。もちるん、四部７の
部分を避けて初めからくし型に薄い絶縁膜３を形成して
もよい。この後、第１図に示ずように、凹部７側て絶縁
膜３からはみ出すようにして絶縁Ｍ３及びキャリア活性
層１の上にショットキー電極４を形成する。

この結果、ショットキー電極４のキャリア活性層］の表
面に直接接触した部分４ａの形状はくし形となり、ショ
ッＩ・キー電極４のこの部分４ａは下方に空乏層８か形
成されてシヨ・７１〜キーダイオ−１へとなる。しかし
て、ショッＩ〜キー電極４のキャリア活性層］、と接触
した部分４ａとオーミック電極２との間には、ショッｌ
〜キータイオード型容量か構成される。しかも、くし層
構造をしていてオーミック電＄ｉ２のフィンカー６とシ
ョットキ−電極４ａのフィンカー９とが交互に配置され
ているので、空乏層８の下のシリース抵抗を小さくする
ことができる。一方、ショットキー電極４の絶縁膜４ｂ
の上に積層された部分では、オーミック電極２と絶縁膜
３とショットキー電極４ｂか層構造となっているので、
ＭＩＭ型容量が得られる。しかも、このショッ１〜キー
タイオード型容量とＭＩＭ型容量とは並列に接続された
構造となっているので、全体としでは両容量を加えた大
きさの容量が得られ、ＧａΔＳ基板５上における占有面
積を大きくすることなく、大きな容量を得ることができ
るものである。

一例として、電子密度Ｎ　＝　：ｌＯＸ　１０”ｃｍ−
’のＧａＡｓ基板を用い、絶縁膜として膜厚５００人の
ＳｉＳｉ３Ｎ４比誘電率ε−７）をオーミック電極とシ
ョットキー電極との間に形成した場合、６．７ｐＦの容
量が得られた。これに対し、同じＧａＡｓ基板の上に同
し大きさのオーミック電極と、上記ショットキー電極の
うちキャリア活性層と接触している部分と同じ寸法のく
し形ショットキー電極とを形成した場合には、容量は３
．０ｐＦであった。しなかって、本発明に係る実施例で
は、２倍以上の容量か得られた。

〔発明の効果〕

本発明によれば、くし層構造のショットキーダイオード
型容量にＭＩＭ型容量を付加することがてき、ＩＣチッ
プ表面における単位面積あたりの容量を大幅に増加させ
ることができ、同し容量を得るためには占有面積を半分
に減らずことかでき、ＩＣチップの高集積化に寄与する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるオーミック電極と絶
縁膜とショットキー電極の配置を示す平面図、第２図は
同上の半導体装置の断面図、第３図は従来例におけるオ
ーミック電極とショットキー電極との配置を示す平面図
、第４図は同上のＧａＡｓＩＣの断面図である。 １・・・キャリア活性層　２・・・オーミック電極３・
・絶縁膜　　　　　４・　ショットキー電極・オーミッ
ク電極のフィンガー 特許出願人　株式会社　村田製作所 代理人　　弁理士　中　野　雅　房 別Ｑ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）キャリア活性層の上面にくし形をしたオーミック
   電極を形成し、このオーミック電極の少なくともフィン
   ガー部分を絶縁膜により被覆すると共にオーミック電極
   のフィンガー間の部分では前記絶縁膜を除去してキャリ
   ア活性層を露出させ、このフィンガー間で露出したキャ
   リア活性層の上にショットキー電極を設けてショットキ
   ーダイオード型容量を形成し、絶縁膜を介してオーミッ
   ク電極の上にショットキー電極を設けることによってＭ
   ＩＭ型容量を形成したことを特徴とする半導体装置の構
   造。