JPH02177424A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPH02177424A JPH02177424A JP33223988A JP33223988A JPH02177424A JP H02177424 A JPH02177424 A JP H02177424A JP 33223988 A JP33223988 A JP 33223988A JP 33223988 A JP33223988 A JP 33223988A JP H02177424 A JPH02177424 A JP H02177424A
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- JP
- Japan
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- gas
- gas ejection
- semiconductor wafer
- ejection head
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- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔ｒ楽土の利用分前〕
この発明は半導体製造において薄膜形成に用いられる化
学気相成長装置に関するものである。
学気相成長装置に関するものである。
第３図、第４図は従来の化学気相成長装置を示す図で、
第３図は装置全体の構成を示す側断面図。
第３図は装置全体の構成を示す側断面図。
ｍ４図はガス噴出ヘッドの形状と半導体ウエノ＼を載７
するステージの関係を示す斜視図である。
するステージの関係を示す斜視図である。
図において、（１）は半導体ウェハ、（２１は半導体ウ
ェハ（１）をｉ２ｔし加熱する加熱ステージ、（３１は
反応ガス供給口、（４）はガス噴出ヘッド、（５）はガ
ス噴出孔、（６）は反応室、（７）は反応室（６）内で
反応後のガスを排気する排気口である。
ェハ（１）をｉ２ｔし加熱する加熱ステージ、（３１は
反応ガス供給口、（４）はガス噴出ヘッド、（５）はガ
ス噴出孔、（６）は反応室、（７）は反応室（６）内で
反応後のガスを排気する排気口である。
次に動作について説明する。搬送装置（図示せず）によ
り、半導体ウェハ（１）を反応室１６）内に設けられた
加熱ステージ（２１に載置し真空引き囚により固定する
。次いで、反応ガスを供給口（３）からガス１’１３ヘ
ツド（４）に送り込み［Ｆ］）、ガス噴出ヘッド（４）
に設けられた複数個のガス噴出孔（５）から反応ガスを
噴き出しくＣ）、半導体ウェハ（１）の主面上に導入。
り、半導体ウェハ（１）を反応室１６）内に設けられた
加熱ステージ（２１に載置し真空引き囚により固定する
。次いで、反応ガスを供給口（３）からガス１’１３ヘ
ツド（４）に送り込み［Ｆ］）、ガス噴出ヘッド（４）
に設けられた複数個のガス噴出孔（５）から反応ガスを
噴き出しくＣ）、半導体ウェハ（１）の主面上に導入。
混合させて、熱化学反応により半導体ウェハ主表面に薄
膜を形成する。
膜を形成する。
従来の化学気相成長装置は以上のように構成されていた
ので、ガス噴出ヘッドから噴き出される反応ガスが半導
体ウェハ主表面上で混合ガス濃度が場所によって異なり
、半導体ウェハ主表面内での薄膜厚が不均一になるなど
の問題点があった。
ので、ガス噴出ヘッドから噴き出される反応ガスが半導
体ウェハ主表面上で混合ガス濃度が場所によって異なり
、半導体ウェハ主表面内での薄膜厚が不均一になるなど
の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ガス噴出ヘッドから噴き出す反応ガスの制御
を変えることなく、半導体ウェハ主表面内での薄膜厚の
不均一を抑えることができる化学気相成長装置を得るこ
とを目的とする。
たもので、ガス噴出ヘッドから噴き出す反応ガスの制御
を変えることなく、半導体ウェハ主表面内での薄膜厚の
不均一を抑えることができる化学気相成長装置を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る化学気相成長装置は反応ガスを噴出ヘッ
ドとは別に、不活性ガスを半導体ウェハの主表面に噴き
出すノズルを設ける、かもしくは。
ドとは別に、不活性ガスを半導体ウェハの主表面に噴き
出すノズルを設ける、かもしくは。
部分的に反応ガスを半導体ウェハの主表面に噴き出すノ
ズルを設けたものである。
ズルを設けたものである。
〔作用〕
この発明における化学気相成長装置はノズルから噴出さ
れる不活性ガスにより、ｆｆ１ｆｉ的に反応ガスの濃度
を薄めて半導体ウェハ主表面上での反応ガス濃度を均一
にするか、もしくは部分的に反応ガスの濃度を高めて半
導体ウェハ主表面上での反応ガス濃度を均一にする。
れる不活性ガスにより、ｆｆ１ｆｉ的に反応ガスの濃度
を薄めて半導体ウェハ主表面上での反応ガス濃度を均一
にするか、もしくは部分的に反応ガスの濃度を高めて半
導体ウェハ主表面上での反応ガス濃度を均一にする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は装置全体の構成を示す側断面図、第２図は半導体ウ
ェハの薄膜形成状態を示す各断面図である。才だ、第４
図は従来のものと同一で、ガス噴出ヘッドの孔状態と半
導体ウェハを載置するステージとの関係を示す斜視図で
ある。
図は装置全体の構成を示す側断面図、第２図は半導体ウ
ェハの薄膜形成状態を示す各断面図である。才だ、第４
図は従来のものと同一で、ガス噴出ヘッドの孔状態と半
導体ウェハを載置するステージとの関係を示す斜視図で
ある。
図において、符号（１）から（７）までは前記従来のも
のと同一である。（８）は不活性ガスまたは反応ガスを
噴き出すノズルである。
のと同一である。（８）は不活性ガスまたは反応ガスを
噴き出すノズルである。
次に動作について説明する。搬送袋Ｍ＜図示せず）によ
り、半導体ウェハ（１）を反応室（６１内に設けられた
加熱ステージ（２）に載置し真空引きハ）により固定す
る。次いで、反応ガスを供給口（３）からガス噴出ヘッ
ド（４）に送り込み（Ｂ）、ガス噴出ヘッド（４）に設
けられた複数個のガス噴出孔（５）から反応ガスを噴き
出しくＱ、更に半導体ウェハ（１）主面上の薄膜の状態
を任意の方法によりモニタし、薄膜厚の厚い部分にノズ
ル（８）から不活性ガスを供給する（Ｆ′）。また、他
の実施例においては薄膜厚の薄い部分にノズル（８）か
ら反応ガスを供給するＣＦ）。
り、半導体ウェハ（１）を反応室（６１内に設けられた
加熱ステージ（２）に載置し真空引きハ）により固定す
る。次いで、反応ガスを供給口（３）からガス噴出ヘッ
ド（４）に送り込み（Ｂ）、ガス噴出ヘッド（４）に設
けられた複数個のガス噴出孔（５）から反応ガスを噴き
出しくＱ、更に半導体ウェハ（１）主面上の薄膜の状態
を任意の方法によりモニタし、薄膜厚の厚い部分にノズ
ル（８）から不活性ガスを供給する（Ｆ′）。また、他
の実施例においては薄膜厚の薄い部分にノズル（８）か
ら反応ガスを供給するＣＦ）。
以上のようにこの発明によれば、半導体ウェハ主表面上
での反応ガス濃度をノズルからの不活性ガスまたは反応
ガスの供給により制御するようにしたので、半導体ウェ
ハ主表面内での薄膜厚の均一性品質および歩留りが向上
するという効果がある。
での反応ガス濃度をノズルからの不活性ガスまたは反応
ガスの供給により制御するようにしたので、半導体ウェ
ハ主表面内での薄膜厚の均一性品質および歩留りが向上
するという効果がある。
ｆｊ！４１図はこの発明の一実施例による化学気相成長
装置の構成を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は薄膜
形成状態を示す各断面図、第３図は従来の化学気相成長
装置の構成を示す断面図、第４図はガス噴出ヘッドのガ
ス噴出孔部と半導体ウニ１１をｅＩＩするステージの関
係を示す斜視図である。 図において、（１）は半導体ウェハ、（２１は半導体ウ
ェハの載置ステージ、（３）は反応ガス供給口、（４］
はガス噴出へ・ンド、（６）は反応室、（７）は排気口
、（８）はガス噴出ノズルを示す。 なお５図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
装置の構成を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は薄膜
形成状態を示す各断面図、第３図は従来の化学気相成長
装置の構成を示す断面図、第４図はガス噴出ヘッドのガ
ス噴出孔部と半導体ウニ１１をｅＩＩするステージの関
係を示す斜視図である。 図において、（１）は半導体ウェハ、（２１は半導体ウ
ェハの載置ステージ、（３）は反応ガス供給口、（４］
はガス噴出へ・ンド、（６）は反応室、（７）は排気口
、（８）はガス噴出ノズルを示す。 なお５図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 複数個のガス噴出孔をもつガス噴出ヘッドより反応ガス
を反応室内に前記ガス噴出ヘッドのガス噴出孔に対向し
たステージ上に載置された半導体ウェハの主面上に導入
、混合し前記半導体ウェハ主面に薄膜を形成する化学気
相成長装置において、前記ガス噴出ヘッドとは異なる前
記半導体ウェハの主面上に不活性ガスを噴き付けるガス
噴出ノズルを複数個備えたことを特徴とする化学気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33223988A JPH02177424A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33223988A JPH02177424A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177424A true JPH02177424A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18252733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33223988A Pending JPH02177424A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976260A (en) * | 1992-09-07 | 1999-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus, and wafer vacuum chucking device, gas cleaning method and nitride film forming method in semiconductor producing apparatus |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP33223988A patent/JPH02177424A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976260A (en) * | 1992-09-07 | 1999-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus, and wafer vacuum chucking device, gas cleaning method and nitride film forming method in semiconductor producing apparatus |
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