JPH073462A - Ｃｖｄ装置用ガス噴出ノズル - Google Patents
Ｃｖｄ装置用ガス噴出ノズルInfo
- Publication number
- JPH073462A JPH073462A JP14638093A JP14638093A JPH073462A JP H073462 A JPH073462 A JP H073462A JP 14638093 A JP14638093 A JP 14638093A JP 14638093 A JP14638093 A JP 14638093A JP H073462 A JPH073462 A JP H073462A
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- JP
- Japan
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- nozzle
- substrate
- gas
- opening
- cvd device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上に均一な成膜を行うために、原料ガスを
安定にしかも均一に基板表面に供給するＣＶＤ装置用ガ
ス噴出ノズルを提供する。 【構成】筒状の導入部と、該導入部の先端に接合し導入
部に連続する開口を有するスカート状の基部と、該基部
の開口端に開口を塞いで接合した複数のガス噴出口を設
けた凸状の球面板とで構成したことを特徴とするもので
ある。
安定にしかも均一に基板表面に供給するＣＶＤ装置用ガ
ス噴出ノズルを提供する。 【構成】筒状の導入部と、該導入部の先端に接合し導入
部に連続する開口を有するスカート状の基部と、該基部
の開口端に開口を塞いで接合した複数のガス噴出口を設
けた凸状の球面板とで構成したことを特徴とするもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、機能性薄膜の成膜に用
いるＣＶＤ装置のガス噴出ノズルに関するものである。
いるＣＶＤ装置のガス噴出ノズルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように機能性薄膜の成膜を行うＣ
ＶＤ法は、揮発性の金属ハロゲン化物や金属の有機化合
物などを、熱した基板上での熱分解や酸化反応などによ
って、薄膜組成物を堆積させて薄膜を形成するものであ
る。この方法によれば、揮発性化合物のソース原料を気
化しＡｒ、Ｈ2 、Ｎ2 などのキャリアガスと混合した原
料ガスを、ＣＶＤ装置を構成する反応室の内部に送り込
み、ガス噴出ノズルから高温加熱した基板表面になるべ
く均一に供給し、基板表面で分解、還元、酸化、置換な
どの化学反応を起こさせ、基板上に均一な薄膜を形成す
ることができるものである。
ＶＤ法は、揮発性の金属ハロゲン化物や金属の有機化合
物などを、熱した基板上での熱分解や酸化反応などによ
って、薄膜組成物を堆積させて薄膜を形成するものであ
る。この方法によれば、揮発性化合物のソース原料を気
化しＡｒ、Ｈ2 、Ｎ2 などのキャリアガスと混合した原
料ガスを、ＣＶＤ装置を構成する反応室の内部に送り込
み、ガス噴出ノズルから高温加熱した基板表面になるべ
く均一に供給し、基板表面で分解、還元、酸化、置換な
どの化学反応を起こさせ、基板上に均一な薄膜を形成す
ることができるものである。
【０００３】そして、従来のＣＶＤ装置用ガス噴出ノズ
ルは図３で示すように、筒状の導入部１１の先端からロ
ート状に開口部１２を絞ったノズル１５や、図４に示す
ように、筒状の導入部２１の先端から開口を広げたスカ
ート状の開口部２２を有するノズル２５が使用されてい
る。
ルは図３で示すように、筒状の導入部１１の先端からロ
ート状に開口部１２を絞ったノズル１５や、図４に示す
ように、筒状の導入部２１の先端から開口を広げたスカ
ート状の開口部２２を有するノズル２５が使用されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来例
のＣＶＤ装置用ガス噴出ノズルにおいては、ノズルから
噴出した原料ガスの流れが基板の中央部に集中するた
め、基板上に成膜した薄膜の厚みが、中央部で厚く周辺
部になるにしたがい薄くなるというバラツキが生じ均一
な膜厚が形成できなかった。そのため、膜厚のコントロ
ールが困難で所望の特性を得にくかった。また、基板の
周辺部では、原料ガスの供給が不安定なため膜質が安定
しなかった。
のＣＶＤ装置用ガス噴出ノズルにおいては、ノズルから
噴出した原料ガスの流れが基板の中央部に集中するた
め、基板上に成膜した薄膜の厚みが、中央部で厚く周辺
部になるにしたがい薄くなるというバラツキが生じ均一
な膜厚が形成できなかった。そのため、膜厚のコントロ
ールが困難で所望の特性を得にくかった。また、基板の
周辺部では、原料ガスの供給が不安定なため膜質が安定
しなかった。
【０００５】本発明は、基板上に均一な成膜を行うため
に、原料ガスを安定にしかも均一に基板表面に供給する
ＣＶＤ装置用ガス噴出ノズルを提供することにある。
に、原料ガスを安定にしかも均一に基板表面に供給する
ＣＶＤ装置用ガス噴出ノズルを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、筒状の導入部と、該導入部の先
端に接合し導入部に連続する開口を有するスカート状の
基部と、該基部の開口端に開口を塞いで接合した複数の
ガス噴出口を設けた凸状の球面板とで構成したことを特
徴とするものである。
に、本発明においては、筒状の導入部と、該導入部の先
端に接合し導入部に連続する開口を有するスカート状の
基部と、該基部の開口端に開口を塞いで接合した複数の
ガス噴出口を設けた凸状の球面板とで構成したことを特
徴とするものである。
【０００７】
【作用】上記の構成によれば、ガス噴出ノズルの球面板
に設けられた複数のガス噴出口の開口寸法、配置および
数を適宜選択することにより、ノズルの導入部を通過し
基部で拡散した原料ガスを、基板表面に対して均一に供
給することができる。
に設けられた複数のガス噴出口の開口寸法、配置および
数を適宜選択することにより、ノズルの導入部を通過し
基部で拡散した原料ガスを、基板表面に対して均一に供
給することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明によるＣＶＤ装置用ガス噴出ノ
ズルの一実施例を図面を用いて説明する。ＣＶＤ法によ
る機能性薄膜の成膜において、基板上に均一な膜を得る
ためには、原料ガスを安定にしかも均一に基板表面に供
給する必要がある。そのため本発明のノズル５は図１に
示すように、ガス供給管（図示しない）と結合する筒状
の導入部１と、導入部１の先端に接合し側面に傾斜を付
けて導入部１に連続する開口を有するスカート状の基部
２と、基部２の開口端２ａに、基部２の開口を塞いで接
合した複数のガス噴出口３を設けた凸状の球面板４とで
構成している。球面板４のガス噴出口３の開口寸法、位
置および数は、基板に対して原料ガスが均一に供給され
るように適宜選択される。また、ノズル５の材質は耐熱
製、耐薬品性および防錆等からステンレスを用いてい
る。
ズルの一実施例を図面を用いて説明する。ＣＶＤ法によ
る機能性薄膜の成膜において、基板上に均一な膜を得る
ためには、原料ガスを安定にしかも均一に基板表面に供
給する必要がある。そのため本発明のノズル５は図１に
示すように、ガス供給管（図示しない）と結合する筒状
の導入部１と、導入部１の先端に接合し側面に傾斜を付
けて導入部１に連続する開口を有するスカート状の基部
２と、基部２の開口端２ａに、基部２の開口を塞いで接
合した複数のガス噴出口３を設けた凸状の球面板４とで
構成している。球面板４のガス噴出口３の開口寸法、位
置および数は、基板に対して原料ガスが均一に供給され
るように適宜選択される。また、ノズル５の材質は耐熱
製、耐薬品性および防錆等からステンレスを用いてい
る。
【０００９】そして、図２に示すように、ノズル５は、
反応室６内部のヒーター７上にサセプター８を介して取
り付けられた基板９の上部に、一定の間隔を設けて設置
され、ヒーター７により高温に熱せられた基板９の表面
に対して、球面板４のガス噴出口３からソース原料とキ
ャリアガスを混合してなる原料ガスを供給し、基板９の
表面で化学反応を起こさせることにより薄膜を形成す
る。
反応室６内部のヒーター７上にサセプター８を介して取
り付けられた基板９の上部に、一定の間隔を設けて設置
され、ヒーター７により高温に熱せられた基板９の表面
に対して、球面板４のガス噴出口３からソース原料とキ
ャリアガスを混合してなる原料ガスを供給し、基板９の
表面で化学反応を起こさせることにより薄膜を形成す
る。
【００１０】具体的には、ソース原料として金属アルコ
キシド原料を用い、キャリアガスとしてアルゴンガスを
用い、ソース原料をバブリングし気化した原料ガスを、
本発明のノズル５を用いて、上記の方法にて直径２イン
チのシリコン単結晶の基板表面に供給した結果、従来の
装置で作成した膜の膜厚のバラツキが±１０％以上であ
ったのに対し、±１％の範囲内で均一な金属酸化膜を形
成することができた。
キシド原料を用い、キャリアガスとしてアルゴンガスを
用い、ソース原料をバブリングし気化した原料ガスを、
本発明のノズル５を用いて、上記の方法にて直径２イン
チのシリコン単結晶の基板表面に供給した結果、従来の
装置で作成した膜の膜厚のバラツキが±１０％以上であ
ったのに対し、±１％の範囲内で均一な金属酸化膜を形
成することができた。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるＣ
ＶＤ装置用ガス噴出ノズルによれば、ノズル先端の球面
板に設けられた複数のガス噴出口の開口寸法、配置およ
び数を適宜選択することにより、基板表面に対して原料
ガスを均一に供給することができるため、基板上に均一
な膜厚と安定した膜質の薄膜が形成できる。また、各種
成膜条件を調整することで膜厚のコントロールが容易と
なり、所望の特性を持った基板を得ることができる。
ＶＤ装置用ガス噴出ノズルによれば、ノズル先端の球面
板に設けられた複数のガス噴出口の開口寸法、配置およ
び数を適宜選択することにより、基板表面に対して原料
ガスを均一に供給することができるため、基板上に均一
な膜厚と安定した膜質の薄膜が形成できる。また、各種
成膜条件を調整することで膜厚のコントロールが容易と
なり、所望の特性を持った基板を得ることができる。
【図１】本発明の実施例によるＣＶＤ装置用ガス噴出ノ
ズルの正面図である。
ズルの正面図である。
【図２】本発明のＣＶＤ装置用ガス噴出ノズルを使用し
たＣＶＤ装置による薄膜形成方法を示す概念図である。
たＣＶＤ装置による薄膜形成方法を示す概念図である。
【図３】第一の従来例のＣＶＤ装置用ガス噴出ノズルの
正面図である。
正面図である。
【図４】第二の従来例のＣＶＤ装置用ガス噴出ノズルの
正面図である。
正面図である。
１ 導入部 ２ 基部 ２ａ 開口端 ３ ガス噴出口 ４ 球面板 ５ ノズル ６ 反応室 ７ ヒーター ８ サセプター ９ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伴野 国三郎 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】筒状の導入部と、該導入部の先端に接合し
導入部に連続する開口を有するスカート状の基部と、該
基部の開口端に開口を塞いで接合した複数のガス噴出口
を設けた凸状の球面板とで構成したことを特徴とするＣ
ＶＤ装置用ガス噴出ノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14638093A JPH073462A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | Ｃｖｄ装置用ガス噴出ノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14638093A JPH073462A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | Ｃｖｄ装置用ガス噴出ノズル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH073462A true JPH073462A (ja) | 1995-01-06 |
Family
ID=15406405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14638093A Pending JPH073462A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | Ｃｖｄ装置用ガス噴出ノズル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073462A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436047B1 (ko) * | 2001-11-29 | 2004-06-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 소스공급장치를 구비한 단원자층증착장치 및 그를 이용한단원자층 증착방법 |
| KR100578136B1 (ko) * | 2004-01-27 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마로 강화된 반도체 증착 장비 |
| KR100854995B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2008-08-28 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
| JP2009224775A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置、成膜装置及び成膜方法 |
| KR101139821B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2012-04-30 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 분배 효율이 향상된 가스분사노즐 및 이를 구비한 플라즈마 반응기 |
| FR3016640A1 (fr) * | 2014-01-23 | 2015-07-24 | Aton Ind | Chambre a vide pourvue d'une cloison inclinee |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP14638093A patent/JPH073462A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436047B1 (ko) * | 2001-11-29 | 2004-06-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 소스공급장치를 구비한 단원자층증착장치 및 그를 이용한단원자층 증착방법 |
| KR100578136B1 (ko) * | 2004-01-27 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마로 강화된 반도체 증착 장비 |
| KR100854995B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2008-08-28 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
| JP2009224775A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置、成膜装置及び成膜方法 |
| KR101139821B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2012-04-30 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 분배 효율이 향상된 가스분사노즐 및 이를 구비한 플라즈마 반응기 |
| FR3016640A1 (fr) * | 2014-01-23 | 2015-07-24 | Aton Ind | Chambre a vide pourvue d'une cloison inclinee |
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