JPH02177210A - 回路基板用半田ペースト - Google Patents
回路基板用半田ペーストInfo
- Publication number
- JPH02177210A JPH02177210A JP32940188A JP32940188A JPH02177210A JP H02177210 A JPH02177210 A JP H02177210A JP 32940188 A JP32940188 A JP 32940188A JP 32940188 A JP32940188 A JP 32940188A JP H02177210 A JPH02177210 A JP H02177210A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- solder
- soldering paste
- soldering
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業上の利用分野〕
本発明は回路基板の温度ヒユーズ回路において、ヒユー
ズ作動後の修復防止機能を有する半田ペース１−にＩｌ
ｌする。 （従来の技術〕 温度ヒユーズの特性としては、目標とした温度で適確に
作動することが必須の茶杓どなっている。 従って温度ヒユーズは一度作動した後に、サービス関係
者や、一般ユーザーによって誤ったｖｉ復をされると、
決められた作動特性とは異なり、極度な過胃温状態にな
っても作動せず、過熱によって周囲部品を破壊したり、
火災の危険が生じたりすることがある。 通常の半田ペーストは錫、鉛、銀、ビスマス簀の低融点
合金が使用されている。ヒユーズが作動した場合、回路
基板本体を交換４ることが正規の対策であるが、規格外
の〇−材を用いたり、導体ペーストを用いたりして再接
合をされてしまうことがある。この場合半田組成が不適
切であったり、半田以外の高融点の金属を用いられると
事故のちとになる。 〔発明が解決しようする課題〕 回路基板における４度ヒｌ−ズは、−度作動した後、誤
った修復がされるのを防止するため、半田ヒユーズを簡
単に
ズ作動後の修復防止機能を有する半田ペース１−にＩｌ
ｌする。 （従来の技術〕 温度ヒユーズの特性としては、目標とした温度で適確に
作動することが必須の茶杓どなっている。 従って温度ヒユーズは一度作動した後に、サービス関係
者や、一般ユーザーによって誤ったｖｉ復をされると、
決められた作動特性とは異なり、極度な過胃温状態にな
っても作動せず、過熱によって周囲部品を破壊したり、
火災の危険が生じたりすることがある。 通常の半田ペーストは錫、鉛、銀、ビスマス簀の低融点
合金が使用されている。ヒユーズが作動した場合、回路
基板本体を交換４ることが正規の対策であるが、規格外
の〇−材を用いたり、導体ペーストを用いたりして再接
合をされてしまうことがある。この場合半田組成が不適
切であったり、半田以外の高融点の金属を用いられると
事故のちとになる。 〔発明が解決しようする課題〕 回路基板における４度ヒｌ−ズは、−度作動した後、誤
った修復がされるのを防止するため、半田ヒユーズを簡
単に
【よ修復できないものとすることが望まれていた。
本発明の目的は、ヒユーズ作動後の修復防止（１能をｈ
する温度ヒユーズ回路用の′ｆ′−［１１ベーストを提
供することである。 〔課題を解決するための手段） 未発明古らは、前記の課題を解決するため鋭意研究を（
ｊなった。その結果、ヒ１−ズ用半田ベーストに所定頃
のセラミックス微粉末を配合することによって解決し得
ることを見いだし本発明を完成した。 づなわら本発明は半Ｉ１１ペーストにセラミックス微粉
末を５〜５０弔吊％含イ′ｒｔ！シめてなる回路基板用
事ＩＢペーストて”ある。 セラミックス微粉末としては１例えば、ガラス微粉末、
酸化チタン微粉末、酸化カルシウム微粉末、耐化バリウ
１１微粉末、アルミナｙ！１粉末等が挙げられる。 セラミックス微粉末の倦が半田ペーストの５重品％未満
であれば）１−ズｒ８１ｇｉｌＵの半［１の表面がなお
ぬれる状態となっており、半田修復が可能となって本発
明の効果を奏しない。また５０重Ｍ％超となれば最初か
らヒユーズが所定温度で作動しなくなり、好ましくない
。 一般に半＋１１ヒコーズが溶断した場合、これを新しい
半田で修理しようとすると、次の２つの手段が考えられ
る。 ■ 半田全体を再溶融し１、古い半田を全部取って、新
しい半田を付１ｊる。 ■ そのままの状態で、上に半田を追加する。 実質的に、この中間の手段は不可能である。 ■を行なおうとすると、下地の導体と半田は既に反応し
ており、新しい半田を付けてし、下地の導体と接合しな
い。 ■は半田の表面がぬれる状態であれば再半田は「１１能
である。以上の事実にかんがみて、修復を不可能にする
には、破断時の表面が半田がぬれない状態となる半田ペ
ーストを開発すればよいことになる。 そこで前記セラミックス微粉末、例えばガラス微粉を半
田に混練しておくと、ヒユーズ溶断時に、残存ヒユーズ
の表面はガラス層となり半田は全く付１）ることができ
なかった。 （実施例〕 以下に実施例によって、本発明を更に具体的に説明づ−
るが、本発明は、この実施例によって伺等限定されるも
のではない。 （実施例１） 共晶ｆ田粉末＜ Ｅ Ｓ ｌ−社￥）Ｊ３７０１（商標
）半田ペースト、Ｐ ｂ ／Ｓ ｎ ＝ ６３ ／ ３
７ 、 ＃ ３２５メツシ】以下）に重合ロジンをイｊ
ｌｌ溶媒で溶解し【、ｆ−キソ剤を混練し、これを仝千
示％とじて、これの３０市間％となるように３２５メツ
シユ以Ｆの微粉末のガラスを混練し、ペーストとした。 ホウロウ基板１−に厚躾導体ペーストを中欄し、焼成し
て形成した分；Ｉ；１１状態の抵抗回路導体間を該ヒ１
−ズベースト′ｃ電気的に接続し、温度ヒ」、−ズとし
た。 これに過電圧を印加し、加熱し、半１ｆｌを溶解、ヒユ
ーズを所線ざぜた。この半１１の表面に再度下［ｒＪを
付けようと試みたが、表面はガラス層となっており、全
く半田を付けることはできなかった。 （実施例２） 実施例１のガラスの代りに酸化チタンの微粉末（＃２０
０メッシ１以下）を３０Φ吊％配合した他は、実施例１
と同様に半ＩＢベース１〜の作成を行った。再半田付の
実験を行ったが、表面の醇化チタン層のため、全く半田
を付けることはできなかった。 〔発明の効果〕 本発明の回路基扱用半１［］ベース１へを使用すれば■
ヒユーズ破断後の半ＩＢに、半ＩＴＩを再接合しよう
としても、半田表面にセラミックス層が浮上しており、
再接合は不可能である。 ■ 本発明のヒユーズ修復防止半田ペーストによれば、
半田ペーストにセラミックス微粉末をただ混練しておけ
ばよいので、その他のヒユーズ修復防止策のようにヒコ
、−ズ上にコーティングやカバーを行う余分の工程を必
要としない利点がある。 ■ 従って従来通りの１程数で回路基板のヒユーズ回路
を製造できる。 実用的に極めて、優れた発明である。
する温度ヒユーズ回路用の′ｆ′−［１１ベーストを提
供することである。 〔課題を解決するための手段） 未発明古らは、前記の課題を解決するため鋭意研究を（
ｊなった。その結果、ヒ１−ズ用半田ベーストに所定頃
のセラミックス微粉末を配合することによって解決し得
ることを見いだし本発明を完成した。 づなわら本発明は半Ｉ１１ペーストにセラミックス微粉
末を５〜５０弔吊％含イ′ｒｔ！シめてなる回路基板用
事ＩＢペーストて”ある。 セラミックス微粉末としては１例えば、ガラス微粉末、
酸化チタン微粉末、酸化カルシウム微粉末、耐化バリウ
１１微粉末、アルミナｙ！１粉末等が挙げられる。 セラミックス微粉末の倦が半田ペーストの５重品％未満
であれば）１−ズｒ８１ｇｉｌＵの半［１の表面がなお
ぬれる状態となっており、半田修復が可能となって本発
明の効果を奏しない。また５０重Ｍ％超となれば最初か
らヒユーズが所定温度で作動しなくなり、好ましくない
。 一般に半＋１１ヒコーズが溶断した場合、これを新しい
半田で修理しようとすると、次の２つの手段が考えられ
る。 ■ 半田全体を再溶融し１、古い半田を全部取って、新
しい半田を付１ｊる。 ■ そのままの状態で、上に半田を追加する。 実質的に、この中間の手段は不可能である。 ■を行なおうとすると、下地の導体と半田は既に反応し
ており、新しい半田を付けてし、下地の導体と接合しな
い。 ■は半田の表面がぬれる状態であれば再半田は「１１能
である。以上の事実にかんがみて、修復を不可能にする
には、破断時の表面が半田がぬれない状態となる半田ペ
ーストを開発すればよいことになる。 そこで前記セラミックス微粉末、例えばガラス微粉を半
田に混練しておくと、ヒユーズ溶断時に、残存ヒユーズ
の表面はガラス層となり半田は全く付１）ることができ
なかった。 （実施例〕 以下に実施例によって、本発明を更に具体的に説明づ−
るが、本発明は、この実施例によって伺等限定されるも
のではない。 （実施例１） 共晶ｆ田粉末＜ Ｅ Ｓ ｌ−社￥）Ｊ３７０１（商標
）半田ペースト、Ｐ ｂ ／Ｓ ｎ ＝ ６３ ／ ３
７ 、 ＃ ３２５メツシ】以下）に重合ロジンをイｊ
ｌｌ溶媒で溶解し【、ｆ−キソ剤を混練し、これを仝千
示％とじて、これの３０市間％となるように３２５メツ
シユ以Ｆの微粉末のガラスを混練し、ペーストとした。 ホウロウ基板１−に厚躾導体ペーストを中欄し、焼成し
て形成した分；Ｉ；１１状態の抵抗回路導体間を該ヒ１
−ズベースト′ｃ電気的に接続し、温度ヒ」、−ズとし
た。 これに過電圧を印加し、加熱し、半１ｆｌを溶解、ヒユ
ーズを所線ざぜた。この半１１の表面に再度下［ｒＪを
付けようと試みたが、表面はガラス層となっており、全
く半田を付けることはできなかった。 （実施例２） 実施例１のガラスの代りに酸化チタンの微粉末（＃２０
０メッシ１以下）を３０Φ吊％配合した他は、実施例１
と同様に半ＩＢベース１〜の作成を行った。再半田付の
実験を行ったが、表面の醇化チタン層のため、全く半田
を付けることはできなかった。 〔発明の効果〕 本発明の回路基扱用半１［］ベース１へを使用すれば■
ヒユーズ破断後の半ＩＢに、半ＩＴＩを再接合しよう
としても、半田表面にセラミックス層が浮上しており、
再接合は不可能である。 ■ 本発明のヒユーズ修復防止半田ペーストによれば、
半田ペーストにセラミックス微粉末をただ混練しておけ
ばよいので、その他のヒユーズ修復防止策のようにヒコ
、−ズ上にコーティングやカバーを行う余分の工程を必
要としない利点がある。 ■ 従って従来通りの１程数で回路基板のヒユーズ回路
を製造できる。 実用的に極めて、優れた発明である。
Claims (1)
- 半田ペーストにセラミックス微粉末を５〜５０重量％含
有せしめてなる回路基板用半田ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32940188A JPH02177210A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 回路基板用半田ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32940188A JPH02177210A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 回路基板用半田ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177210A true JPH02177210A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18221017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32940188A Pending JPH02177210A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 回路基板用半田ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014073356A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 保護素子用フラックス、保護素子用ヒューズ素子、および回路保護素子 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP32940188A patent/JPH02177210A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014073356A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 保護素子用フラックス、保護素子用ヒューズ素子、および回路保護素子 |
| JP2014091162A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Nec Schott Components Corp | 保護素子用フラックス組成物およびそれを利用した回路保護素子 |
| KR20150082254A (ko) * | 2012-11-07 | 2015-07-15 | 엔이씨 쇼트 컴포넌츠 가부시키가이샤 | 보호 소자용 플럭스, 보호 소자용 퓨즈 소자, 및 회로 보호 소자 |
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