JPH02177210A - 回路基板用半田ペースト - Google Patents
回路基板用半田ペーストInfo
- Publication number
- JPH02177210A JPH02177210A JP32940188A JP32940188A JPH02177210A JP H02177210 A JPH02177210 A JP H02177210A JP 32940188 A JP32940188 A JP 32940188A JP 32940188 A JP32940188 A JP 32940188A JP H02177210 A JPH02177210 A JP H02177210A
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- Japan
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- paste
- solder
- soldering paste
- soldering
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
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- Conductive Materials (AREA)
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
(産業上の利用分野〕
本発明は回路基板の温度ヒユーズ回路において、ヒユー
ズ作動後の修復防止機能を有する半田ペース1−にIl
lする。 (従来の技術〕 温度ヒユーズの特性としては、目標とした温度で適確に
作動することが必須の茶杓どなっている。 従って温度ヒユーズは一度作動した後に、サービス関係
者や、一般ユーザーによって誤ったvi復をされると、
決められた作動特性とは異なり、極度な過胃温状態にな
っても作動せず、過熱によって周囲部品を破壊したり、
火災の危険が生じたりすることがある。 通常の半田ペーストは錫、鉛、銀、ビスマス簀の低融点
合金が使用されている。ヒユーズが作動した場合、回路
基板本体を交換4ることが正規の対策であるが、規格外
の〇−材を用いたり、導体ペーストを用いたりして再接
合をされてしまうことがある。この場合半田組成が不適
切であったり、半田以外の高融点の金属を用いられると
事故のちとになる。 〔発明が解決しようする課題〕 回路基板における4度ヒl−ズは、−度作動した後、誤
った修復がされるのを防止するため、半田ヒユーズを簡
単に
ズ作動後の修復防止機能を有する半田ペース1−にIl
lする。 (従来の技術〕 温度ヒユーズの特性としては、目標とした温度で適確に
作動することが必須の茶杓どなっている。 従って温度ヒユーズは一度作動した後に、サービス関係
者や、一般ユーザーによって誤ったvi復をされると、
決められた作動特性とは異なり、極度な過胃温状態にな
っても作動せず、過熱によって周囲部品を破壊したり、
火災の危険が生じたりすることがある。 通常の半田ペーストは錫、鉛、銀、ビスマス簀の低融点
合金が使用されている。ヒユーズが作動した場合、回路
基板本体を交換4ることが正規の対策であるが、規格外
の〇−材を用いたり、導体ペーストを用いたりして再接
合をされてしまうことがある。この場合半田組成が不適
切であったり、半田以外の高融点の金属を用いられると
事故のちとになる。 〔発明が解決しようする課題〕 回路基板における4度ヒl−ズは、−度作動した後、誤
った修復がされるのを防止するため、半田ヒユーズを簡
単に
【よ修復できないものとすることが望まれていた。
本発明の目的は、ヒユーズ作動後の修復防止(1能をh
する温度ヒユーズ回路用の′f′−[11ベーストを提
供することである。 〔課題を解決するための手段) 未発明古らは、前記の課題を解決するため鋭意研究を(
jなった。その結果、ヒ1−ズ用半田ベーストに所定頃
のセラミックス微粉末を配合することによって解決し得
ることを見いだし本発明を完成した。 づなわら本発明は半I11ペーストにセラミックス微粉
末を5〜50弔吊%含イ′rt!シめてなる回路基板用
事IBペーストて”ある。 セラミックス微粉末としては1例えば、ガラス微粉末、
酸化チタン微粉末、酸化カルシウム微粉末、耐化バリウ
11微粉末、アルミナy!1粉末等が挙げられる。 セラミックス微粉末の倦が半田ペーストの5重品%未満
であれば)1−ズr81gilUの半[1の表面がなお
ぬれる状態となっており、半田修復が可能となって本発
明の効果を奏しない。また50重M%超となれば最初か
らヒユーズが所定温度で作動しなくなり、好ましくない
。 一般に半+11ヒコーズが溶断した場合、これを新しい
半田で修理しようとすると、次の2つの手段が考えられ
る。 ■ 半田全体を再溶融し1、古い半田を全部取って、新
しい半田を付1jる。 ■ そのままの状態で、上に半田を追加する。 実質的に、この中間の手段は不可能である。 ■を行なおうとすると、下地の導体と半田は既に反応し
ており、新しい半田を付けてし、下地の導体と接合しな
い。 ■は半田の表面がぬれる状態であれば再半田は「11能
である。以上の事実にかんがみて、修復を不可能にする
には、破断時の表面が半田がぬれない状態となる半田ペ
ーストを開発すればよいことになる。 そこで前記セラミックス微粉末、例えばガラス微粉を半
田に混練しておくと、ヒユーズ溶断時に、残存ヒユーズ
の表面はガラス層となり半田は全く付1)ることができ
なかった。 (実施例〕 以下に実施例によって、本発明を更に具体的に説明づ−
るが、本発明は、この実施例によって伺等限定されるも
のではない。 (実施例1) 共晶f田粉末< E S l−社¥)J3701(商標
)半田ペースト、P b /S n = 63 / 3
7 、 # 325メツシ】以下)に重合ロジンをイj
ll溶媒で溶解し【、f−キソ剤を混練し、これを仝千
示%とじて、これの30市間%となるように325メツ
シユ以Fの微粉末のガラスを混練し、ペーストとした。 ホウロウ基板1−に厚躾導体ペーストを中欄し、焼成し
て形成した分;I;11状態の抵抗回路導体間を該ヒ1
−ズベースト′c電気的に接続し、温度ヒ」、−ズとし
た。 これに過電圧を印加し、加熱し、半1flを溶解、ヒユ
ーズを所線ざぜた。この半11の表面に再度下[rJを
付けようと試みたが、表面はガラス層となっており、全
く半田を付けることはできなかった。 (実施例2) 実施例1のガラスの代りに酸化チタンの微粉末(#20
0メッシ1以下)を30Φ吊%配合した他は、実施例1
と同様に半IBベース1〜の作成を行った。再半田付の
実験を行ったが、表面の醇化チタン層のため、全く半田
を付けることはできなかった。 〔発明の効果〕 本発明の回路基扱用半1[]ベース1へを使用すれば■
ヒユーズ破断後の半IBに、半ITIを再接合しよう
としても、半田表面にセラミックス層が浮上しており、
再接合は不可能である。 ■ 本発明のヒユーズ修復防止半田ペーストによれば、
半田ペーストにセラミックス微粉末をただ混練しておけ
ばよいので、その他のヒユーズ修復防止策のようにヒコ
、−ズ上にコーティングやカバーを行う余分の工程を必
要としない利点がある。 ■ 従って従来通りの1程数で回路基板のヒユーズ回路
を製造できる。 実用的に極めて、優れた発明である。
する温度ヒユーズ回路用の′f′−[11ベーストを提
供することである。 〔課題を解決するための手段) 未発明古らは、前記の課題を解決するため鋭意研究を(
jなった。その結果、ヒ1−ズ用半田ベーストに所定頃
のセラミックス微粉末を配合することによって解決し得
ることを見いだし本発明を完成した。 づなわら本発明は半I11ペーストにセラミックス微粉
末を5〜50弔吊%含イ′rt!シめてなる回路基板用
事IBペーストて”ある。 セラミックス微粉末としては1例えば、ガラス微粉末、
酸化チタン微粉末、酸化カルシウム微粉末、耐化バリウ
11微粉末、アルミナy!1粉末等が挙げられる。 セラミックス微粉末の倦が半田ペーストの5重品%未満
であれば)1−ズr81gilUの半[1の表面がなお
ぬれる状態となっており、半田修復が可能となって本発
明の効果を奏しない。また50重M%超となれば最初か
らヒユーズが所定温度で作動しなくなり、好ましくない
。 一般に半+11ヒコーズが溶断した場合、これを新しい
半田で修理しようとすると、次の2つの手段が考えられ
る。 ■ 半田全体を再溶融し1、古い半田を全部取って、新
しい半田を付1jる。 ■ そのままの状態で、上に半田を追加する。 実質的に、この中間の手段は不可能である。 ■を行なおうとすると、下地の導体と半田は既に反応し
ており、新しい半田を付けてし、下地の導体と接合しな
い。 ■は半田の表面がぬれる状態であれば再半田は「11能
である。以上の事実にかんがみて、修復を不可能にする
には、破断時の表面が半田がぬれない状態となる半田ペ
ーストを開発すればよいことになる。 そこで前記セラミックス微粉末、例えばガラス微粉を半
田に混練しておくと、ヒユーズ溶断時に、残存ヒユーズ
の表面はガラス層となり半田は全く付1)ることができ
なかった。 (実施例〕 以下に実施例によって、本発明を更に具体的に説明づ−
るが、本発明は、この実施例によって伺等限定されるも
のではない。 (実施例1) 共晶f田粉末< E S l−社¥)J3701(商標
)半田ペースト、P b /S n = 63 / 3
7 、 # 325メツシ】以下)に重合ロジンをイj
ll溶媒で溶解し【、f−キソ剤を混練し、これを仝千
示%とじて、これの30市間%となるように325メツ
シユ以Fの微粉末のガラスを混練し、ペーストとした。 ホウロウ基板1−に厚躾導体ペーストを中欄し、焼成し
て形成した分;I;11状態の抵抗回路導体間を該ヒ1
−ズベースト′c電気的に接続し、温度ヒ」、−ズとし
た。 これに過電圧を印加し、加熱し、半1flを溶解、ヒユ
ーズを所線ざぜた。この半11の表面に再度下[rJを
付けようと試みたが、表面はガラス層となっており、全
く半田を付けることはできなかった。 (実施例2) 実施例1のガラスの代りに酸化チタンの微粉末(#20
0メッシ1以下)を30Φ吊%配合した他は、実施例1
と同様に半IBベース1〜の作成を行った。再半田付の
実験を行ったが、表面の醇化チタン層のため、全く半田
を付けることはできなかった。 〔発明の効果〕 本発明の回路基扱用半1[]ベース1へを使用すれば■
ヒユーズ破断後の半IBに、半ITIを再接合しよう
としても、半田表面にセラミックス層が浮上しており、
再接合は不可能である。 ■ 本発明のヒユーズ修復防止半田ペーストによれば、
半田ペーストにセラミックス微粉末をただ混練しておけ
ばよいので、その他のヒユーズ修復防止策のようにヒコ
、−ズ上にコーティングやカバーを行う余分の工程を必
要としない利点がある。 ■ 従って従来通りの1程数で回路基板のヒユーズ回路
を製造できる。 実用的に極めて、優れた発明である。
Claims (1)
- 半田ペーストにセラミックス微粉末を5〜50重量%含
有せしめてなる回路基板用半田ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32940188A JPH02177210A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 回路基板用半田ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32940188A JPH02177210A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 回路基板用半田ペースト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02177210A true JPH02177210A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18221017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32940188A Pending JPH02177210A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 回路基板用半田ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02177210A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014073356A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 保護素子用フラックス、保護素子用ヒューズ素子、および回路保護素子 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP32940188A patent/JPH02177210A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014073356A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 保護素子用フラックス、保護素子用ヒューズ素子、および回路保護素子 |
JP2014091162A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Nec Schott Components Corp | 保護素子用フラックス組成物およびそれを利用した回路保護素子 |
KR20150082254A (ko) * | 2012-11-07 | 2015-07-15 | 엔이씨 쇼트 컴포넌츠 가부시키가이샤 | 보호 소자용 플럭스, 보호 소자용 퓨즈 소자, 및 회로 보호 소자 |
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