JPH0217623A - 電解コンデンサ用陰極箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用陰極箔の製造方法Info
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- JPH0217623A JPH0217623A JP16831788A JP16831788A JPH0217623A JP H0217623 A JPH0217623 A JP H0217623A JP 16831788 A JP16831788 A JP 16831788A JP 16831788 A JP16831788 A JP 16831788A JP H0217623 A JPH0217623 A JP H0217623A
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電解コンデンサ用陰極箔の製造方法に関する
ものである。
ものである。
電解コンデンサは、陽極箔と陰極箔とをセパレータを挾
んで巻回してなるコンデンサ素子を備え。
んで巻回してなるコンデンサ素子を備え。
その静電容量の大きさは主として陽極箔に依存するが、
陰極箔の静電容量にも左右される。
陰極箔の静電容量にも左右される。
この陰極箔の静電容量を増大させるため、従来では例え
ばエツチング処理されたアルミニウム基村上にチタン（
Ｔｉ）を蒸着して高倍率化するようにしている。
ばエツチング処理されたアルミニウム基村上にチタン（
Ｔｉ）を蒸着して高倍率化するようにしている。
Ｔｉを蒸着することは高倍率化として有効であルカ、蒸
着後の１゛ｉ皮膜は不安定であるため、大気中では箔容
量の低下をおこすという問題がある。
着後の１゛ｉ皮膜は不安定であるため、大気中では箔容
量の低下をおこすという問題がある。
また、極性有機溶媒と電解質とからなる１例えばエチレ
ングリコール系やγ−ブチロラクトン系のペースト中で
は、陰極腐食が進行し、そればかりかそれに伴ってガス
発生をおこすという欠点を抱えている。
ングリコール系やγ−ブチロラクトン系のペースト中で
は、陰極腐食が進行し、そればかりかそれに伴ってガス
発生をおこすという欠点を抱えている。
この発明は上記した従来の事情に鑑みなされたもので、
その目的は、優れた耐腐食性を有する電解コンデンサ用
陰Ｗ４箔を得ることにある。
その目的は、優れた耐腐食性を有する電解コンデンサ用
陰Ｗ４箔を得ることにある。
上記目的を達成するため、この発明においては、アルミ
ニウムからなる基材の表面に、酸化物状態でアルミニウ
ムよりも高いＭ電率を示す金属皮膜を蒸着したのち、所
定の温度で熱処理を行なうことを特徴としている。
ニウムからなる基材の表面に、酸化物状態でアルミニウ
ムよりも高いＭ電率を示す金属皮膜を蒸着したのち、所
定の温度で熱処理を行なうことを特徴としている。
使用する基材としては、エツチング処理したものが好ま
しいが、未エツチングの基材であってもよい。
しいが、未エツチングの基材であってもよい。
金属皮膜としては１゛ｉもしくはＣｒが用いられ、場合
によっては例えば最初に酸化物状態において誘電率の低
い方のＣｒを蒸着し、その上に同じく酸化物状態におい
て誘電率の高い方のＴｉを蒸着してもよい。
によっては例えば最初に酸化物状態において誘電率の低
い方のＣｒを蒸着し、その上に同じく酸化物状態におい
て誘電率の高い方のＴｉを蒸着してもよい。
熱処理は加熱雰囲気中で行ない、その温度は約４００℃
〜５７０℃である。
〜５７０℃である。
上記のように、金属蒸着後に熱処理を行い積極的にその
酸化皮膜を形成させるようにしたことにより、大気中お
よびペースト中での容量低下が防止される。また、ペー
スト中でのガス発生も防止される。
酸化皮膜を形成させるようにしたことにより、大気中お
よびペースト中での容量低下が防止される。また、ペー
スト中でのガス発生も防止される。
以下、この発明の実施例を従来例との比較において説明
する。
する。
（従来例）エツチング処理された厚さ４０μｍのアルミ
ニウム箔の表面に、１０−’ Ｔｏｒｒのアルゴンガス
雰囲気中においてＣｒ、１゛ｉをそれぞれ単独で厚さ１
０００人まで蒸着したものについて、その初期容量、大
気中放置後の容量およびγ−ブチロラクトン、エチレン
グリコール、Ｏ−フタル酸テトラメチルアンモニウムか
らなるペースト、１０５℃中貯蔵後の容量を測定した結
果を表１に示す。
ニウム箔の表面に、１０−’ Ｔｏｒｒのアルゴンガス
雰囲気中においてＣｒ、１゛ｉをそれぞれ単独で厚さ１
０００人まで蒸着したものについて、その初期容量、大
気中放置後の容量およびγ−ブチロラクトン、エチレン
グリコール、Ｏ−フタル酸テトラメチルアンモニウムか
らなるペースト、１０５℃中貯蔵後の容量を測定した結
果を表１に示す。
表１
（単位はμＦ／−）
（実施例）エツチング処理された厚さ４０μｍのアルミ
ニウム箔の表面に、 １０”−’Ｔｏｒｒのアルゴンガ
ス雰囲気中においてＣｒ、Ｔｉをそれぞれ単独で厚さ１
０００人まで蒸着し、その後加熱雰囲気４００℃で２分
間熱処理をおこなったものについて、その初期容量、大
気中放置後の容量および上述のペースト、１０５℃中貯
蔵後の容量を測定した結果を表２に示す。
ニウム箔の表面に、 １０”−’Ｔｏｒｒのアルゴンガ
ス雰囲気中においてＣｒ、Ｔｉをそれぞれ単独で厚さ１
０００人まで蒸着し、その後加熱雰囲気４００℃で２分
間熱処理をおこなったものについて、その初期容量、大
気中放置後の容量および上述のペースト、１０５℃中貯
蔵後の容量を測定した結果を表２に示す。
表２
（単位はμＦ／ｃｄ）
これらの表から明らかなように、この発明によれば、容
量低下は無視できる程度の数値でしかなし亀 。
量低下は無視できる程度の数値でしかなし亀 。
Claims (3)
- （１）アルミニウムからなる基材の表面に、酸化物状態
でアルミニウムよりも高い誘電率を示す金属皮膜を蒸着
したのち、所定の温度で熱処理を行なうことを特徴とす
る電解コンデンサ用陰極箔の製造方法。 - （２）上記金属皮膜はＴｉもしくはＣｒである請求項１
記載の電解コンデンサ用陰極箔の製造方法。 - （３）上記熱処理は４００℃〜５７０℃の加熱雰囲気中
で行なう請求項１記載の電解コンデンサ用陰極箔の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16831788A JPH0217623A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 電解コンデンサ用陰極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16831788A JPH0217623A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 電解コンデンサ用陰極箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217623A true JPH0217623A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15865791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16831788A Pending JPH0217623A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 電解コンデンサ用陰極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0217623A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065472A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-14 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ用電極材料およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP16831788A patent/JPH0217623A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065472A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-14 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ用電極材料およびその製造方法 |
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