JPH02170143A - 光増幅素子 - Google Patents
光増幅素子Info
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- JPH02170143A JPH02170143A JP32559788A JP32559788A JPH02170143A JP H02170143 A JPH02170143 A JP H02170143A JP 32559788 A JP32559788 A JP 32559788A JP 32559788 A JP32559788 A JP 32559788A JP H02170143 A JPH02170143 A JP H02170143A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信用及び光計測用に使用される広帯域の光
増幅機能をもつ進行波形光増幅素子に関するものである
。
増幅機能をもつ進行波形光増幅素子に関するものである
。
〔従来の技術・発明が解決しようとする課題〕進行波型
光増幅器は、ファブリペロ−型光増幅器の両端面反射率
を著しく抑圧することにより、端面間での共振特性のな
い半導体自信のバンド構造か有する広帯域な増幅特性を
有する。両端面の反射率を低下させる為には、−役向に
反射防止膜を形成することにより達成される。第６図（
ａ）〜（Ｃ）、第７図に従来の光増幅素子の構造例を示
す。
光増幅器は、ファブリペロ−型光増幅器の両端面反射率
を著しく抑圧することにより、端面間での共振特性のな
い半導体自信のバンド構造か有する広帯域な増幅特性を
有する。両端面の反射率を低下させる為には、−役向に
反射防止膜を形成することにより達成される。第６図（
ａ）〜（Ｃ）、第７図に従来の光増幅素子の構造例を示
す。
これらの図において、符号ｌはｎ形ＩｎＰ基板、２はｎ
形ＧａｒｎＡｓ光ガイド層、３はノンドープＧａ１ｎＡ
ｓＰ活性層、４はｐ形ＩｎＰクラ。
形ＧａｒｎＡｓ光ガイド層、３はノンドープＧａ１ｎＡ
ｓＰ活性層、４はｐ形ＩｎＰクラ。
ド層、５はｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層、６はｐ形ＩｎＰ
電流狭搾層、７はｎ形１ｎＰ電流狭搾層、８はｐ形オー
ミック電極、１２はｎ形オーミック電極、１３は入力端
ＡＲ膜、１４は出力側ＡＲ膜である。第６図に示す従来
素子構造においては、反射防止膜１３．１４の形成によ
り端面の反射率を０１％以下に制御する必要かある。こ
の条件を満足する反射防止膜の形成には、屈折率で±Ｏ
Ｏ６以内、膜厚て±４％以内の変動で設定値に制御する
必要がある。しかし最適屈折率か素子の活性層厚のバラ
ツキ等によって０゜０５程度変化するため、反射率を０
．１％以下に制御することは非常に困難であった。また
、第７図に示す素子構造においては、導波路と端面との
間に角度θをもたぜることによりファブリ・ペロモート
を抑圧することか可能となる。そのため反射防止膜１３
１４による反射率を５％程度以下に制御すれば良くなり
、反射防止膜形成の条件はかなり簡単となる。しかし端
面と導波路か０の角度をなしているため、ファイバとの
結合で高い結合効率を得ることは難しい。
電流狭搾層、７はｎ形１ｎＰ電流狭搾層、８はｐ形オー
ミック電極、１２はｎ形オーミック電極、１３は入力端
ＡＲ膜、１４は出力側ＡＲ膜である。第６図に示す従来
素子構造においては、反射防止膜１３．１４の形成によ
り端面の反射率を０１％以下に制御する必要かある。こ
の条件を満足する反射防止膜の形成には、屈折率で±Ｏ
Ｏ６以内、膜厚て±４％以内の変動で設定値に制御する
必要がある。しかし最適屈折率か素子の活性層厚のバラ
ツキ等によって０゜０５程度変化するため、反射率を０
．１％以下に制御することは非常に困難であった。また
、第７図に示す素子構造においては、導波路と端面との
間に角度θをもたぜることによりファブリ・ペロモート
を抑圧することか可能となる。そのため反射防止膜１３
１４による反射率を５％程度以下に制御すれば良くなり
、反射防止膜形成の条件はかなり簡単となる。しかし端
面と導波路か０の角度をなしているため、ファイバとの
結合で高い結合効率を得ることは難しい。
本発明は、これらの従来の光増幅器の欠点を解決するた
めになされたもので、反射防止膜の形成条件が緩和でき
、ファイバとの結合で高い結合効率を得ることのできる
光増幅素子を提供することを目的とする。
めになされたもので、反射防止膜の形成条件が緩和でき
、ファイバとの結合で高い結合効率を得ることのできる
光増幅素子を提供することを目的とする。
」１記の目的達成のために、本発明の光増幅素子では、
２つの端面のうち、例えば出力側の端面近傍の活性層の
幅をテーパ状に拡げて形成し、光を拡げて導波し、合わ
せて反射防止膜の形成によって導波路を進行する光の反
射率を低減することにヨリファプリ・ペロモートを抑圧
している。導波路端面から導波路に戻る反射光の割合か
少ない程端面の反射防止膜形成条件は簡単になる。以下
、本発明の原理について説明する。
２つの端面のうち、例えば出力側の端面近傍の活性層の
幅をテーパ状に拡げて形成し、光を拡げて導波し、合わ
せて反射防止膜の形成によって導波路を進行する光の反
射率を低減することにヨリファプリ・ペロモートを抑圧
している。導波路端面から導波路に戻る反射光の割合か
少ない程端面の反射防止膜形成条件は簡単になる。以下
、本発明の原理について説明する。
第３図の１次元導波路中を伝播するビームをカラスビー
ムとして定義すると、導波路端からの長さＺに応して電
界分布Ｅ（Ｚ）は （］） である。ここで と表される。
ムとして定義すると、導波路端からの長さＺに応して電
界分布Ｅ（Ｚ）は （］） である。ここで と表される。
そこで第４図の様にＺくＯて半導体導波路か構成されて
おり、Ｚ−０〜Ｑ／２までは導波路と同じ組成を持つ半
導体てＺ−Ｑ／２て空気と接する場合を考える。この場
合、Ｚ＝Ｃ／２に半導体端面か形成されていることによ
り反射率を有する。
おり、Ｚ−０〜Ｑ／２までは導波路と同じ組成を持つ半
導体てＺ−Ｑ／２て空気と接する場合を考える。この場
合、Ｚ＝Ｃ／２に半導体端面か形成されていることによ
り反射率を有する。
従って半導体導波路中（Ｚ＜０）を」１記（１）で示さ
れる様な電界か進行してきた場合、Ｚ−ρ／２の端面（
反射率γ）で反射された電界が再び導波路と結合される
割合は第３図でＺ−０て反射されて再び導波路と結合す
る割合（端面反射率γ）と比へて次式で定義されるηた
け変化する。
れる様な電界か進行してきた場合、Ｚ−ρ／２の端面（
反射率γ）で反射された電界が再び導波路と結合される
割合は第３図でＺ−０て反射されて再び導波路と結合す
る割合（端面反射率γ）と比へて次式で定義されるηた
け変化する。
（３）式の結果を第５図に示す。この結果より第４図の
様に半導体端面近くで導波路の拡がりを有する構造を持
たせることにより端面反射率を減少さぜることがてきる
。
様に半導体端面近くで導波路の拡がりを有する構造を持
たせることにより端面反射率を減少さぜることがてきる
。
第１図（ａ）〜（ｃ）と第２図とはそれぞれＴｎＰ／Ｇ
ａ１ｎＡｓＰ系材料による本発明の実施例を示ず図であ
る。これらの図において符号９は直線導波領域、１０は
出力側テーパ導波領域、１１は入力側テーパ導波領域で
ある。なお、これらの図において第６図と同一符号は同
一構成要素を示す。
ａ１ｎＡｓＰ系材料による本発明の実施例を示ず図であ
る。これらの図において符号９は直線導波領域、１０は
出力側テーパ導波領域、１１は入力側テーパ導波領域で
ある。なお、これらの図において第６図と同一符号は同
一構成要素を示す。
本発明の発光ダイオードを得るには、１回目の成長とｔ
、て液相成長法（Ｌ Ｐ Ｅ ）及び気相成長法（■Ｐ
Ｅ ＭＯ−ＣＶＤ）又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ
）法等により、ｎ形ＩｎＰ基板１」二にｎ形ＧａＴｎＡ
ｓ光ガイド層（λ： ］、３３μｍ２、ノンドープＧａ
ＴｎＡｓＰ活性層（λ：１．５μｍ組成）ｐ形１ｎＰク
ラット層４、ｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層（λ １１μｍ
組成）５を成長する。次に、ＲＦ２極スパッタ又はＣＶ
Ｄ法等によりＳｉｎ。
、て液相成長法（Ｌ Ｐ Ｅ ）及び気相成長法（■Ｐ
Ｅ ＭＯ−ＣＶＤ）又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ
）法等により、ｎ形ＩｎＰ基板１」二にｎ形ＧａＴｎＡ
ｓ光ガイド層（λ： ］、３３μｍ２、ノンドープＧａ
ＴｎＡｓＰ活性層（λ：１．５μｍ組成）ｐ形１ｎＰク
ラット層４、ｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層（λ １１μｍ
組成）５を成長する。次に、ＲＦ２極スパッタ又はＣＶ
Ｄ法等によりＳｉｎ。
もしくはＳｉＮ等の薄膜をｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層５
の全表面に形成する。
の全表面に形成する。
第１図（ａ）〜（ｃ）の素子は光入力側から直線状に＜
１１０＞方向に沿ってストライプｒｌｌ ４〜５１１ｍ
で長さ２８０μｍ、続いて長さ２０μｍを中１２〜１５
ｔｔ ｍになる様にテーパ状に拡げて形成した。
１１０＞方向に沿ってストライプｒｌｌ ４〜５１１ｍ
で長さ２８０μｍ、続いて長さ２０μｍを中１２〜１５
ｔｔ ｍになる様にテーパ状に拡げて形成した。
また第２図の素子は＜１１０＞方向に沿って先入カイ則
巾８〜１０μｍから巾か４〜５７．ｚｍになるまでテー
パ状に形成し、続いて直線状に４〜５μｍ［１１で２７
５μｍ、続いて長さ２０μｍを巾８〜１０μｍになる様
にテーパ状に拡げて形成した。その後、このＳ１０．ス
トライブ薄膜もしくはＳＩＮストライブ薄膜をマスクと
して利用し、ブロムメタノール４％溶液により５，４．
３．２の各層を基板１に達するまてエツチングして逆メ
サ状の積層体を形成する。次に、２回目の成長としてＬ
ＰＥにより、エツチングにより取り除いた部分に口形１
ｎ Ｐ層６、及びｎ形ＩｎＰ層７の電流狭搾用埋め込
み成長を行った。こうして得たウェハの−１−面にはＡ
ｕ−Ｚｕを蒸着してｐ形オーミック電極８を形成し、ま
た基板１側には全体の厚みか８０μｍ程度になるまで研
磨したのちＡｕ−ＧｅＮ１を蒸着し、ｎ形オーミック電
極１２を全面に形成した。こうして得た素子の各層の構
成は第１図、第２図の状態において、次の通りであり、
各結晶層はＴｎＰの格子定数に合致している。
巾８〜１０μｍから巾か４〜５７．ｚｍになるまでテー
パ状に形成し、続いて直線状に４〜５μｍ［１１で２７
５μｍ、続いて長さ２０μｍを巾８〜１０μｍになる様
にテーパ状に拡げて形成した。その後、このＳ１０．ス
トライブ薄膜もしくはＳＩＮストライブ薄膜をマスクと
して利用し、ブロムメタノール４％溶液により５，４．
３．２の各層を基板１に達するまてエツチングして逆メ
サ状の積層体を形成する。次に、２回目の成長としてＬ
ＰＥにより、エツチングにより取り除いた部分に口形１
ｎ Ｐ層６、及びｎ形ＩｎＰ層７の電流狭搾用埋め込
み成長を行った。こうして得たウェハの−１−面にはＡ
ｕ−Ｚｕを蒸着してｐ形オーミック電極８を形成し、ま
た基板１側には全体の厚みか８０μｍ程度になるまで研
磨したのちＡｕ−ＧｅＮ１を蒸着し、ｎ形オーミック電
極１２を全面に形成した。こうして得た素子の各層の構
成は第１図、第２図の状態において、次の通りであり、
各結晶層はＴｎＰの格子定数に合致している。
］ ： Ｓ ｎ ｔ’−プロ形１ｎＰ基板、厚み８０μ
ｍキャリア密度３ ｘ １０ ｌ ＯＧｍ −３ＥＰＤ
５ｘ ］ Ｑ”ｃｉ−’ ２ ｎ形Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガイド層 厚み０１μｍ、Ｓｎトープ キャリア密度５ Ｘ １０１７ｃｒｒｔ−３３ｎ形Ｇａ
１ｎＡｓＰ活性層 厚みＯ，１〜０２μｍ、ノンドープ ４ ｐ形１ｎＰ結晶層、厚み１． ５μｍＺｎドープ、
キャリア密度５ ｘ １０１７ ｃ ＩＮ−３５：ｐ形
Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層、厚み０．７μｍＺｎトープ、キ
ャリア密度５ Ｘ １０ ”ａｍ−３６ｐ形ｒｎＰ電流
狭搾層、厚みと１．５μｍＺｎドープ、キャリア密度１
×１０ドｌ ｃ ｍ −３７＝ｎ形１ｎＰ電流狭搾層２
厚みユ１５μｍＳｎドープ キャリア密度ｌＸ１０１７
ＣｒＩ−３その後、この素子を全長３００μｍ２幅は４
００μｍ 一定のベレットに分割して、ＡｕＳｎノ＼ン
タによりヒートシンク上にマウントし、１５５μｍの波
長の光に対して反射率か以下に示す値となる様なＳｉｎ
、とＴ ｉ Ｏ２の多層膜からなる反射防止膜１３．１
４を施した。
ｍキャリア密度３ ｘ １０ ｌ ＯＧｍ −３ＥＰＤ
５ｘ ］ Ｑ”ｃｉ−’ ２ ｎ形Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガイド層 厚み０１μｍ、Ｓｎトープ キャリア密度５ Ｘ １０１７ｃｒｒｔ−３３ｎ形Ｇａ
１ｎＡｓＰ活性層 厚みＯ，１〜０２μｍ、ノンドープ ４ ｐ形１ｎＰ結晶層、厚み１． ５μｍＺｎドープ、
キャリア密度５ ｘ １０１７ ｃ ＩＮ−３５：ｐ形
Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層、厚み０．７μｍＺｎトープ、キ
ャリア密度５ Ｘ １０ ”ａｍ−３６ｐ形ｒｎＰ電流
狭搾層、厚みと１．５μｍＺｎドープ、キャリア密度１
×１０ドｌ ｃ ｍ −３７＝ｎ形１ｎＰ電流狭搾層２
厚みユ１５μｍＳｎドープ キャリア密度ｌＸ１０１７
ＣｒＩ−３その後、この素子を全長３００μｍ２幅は４
００μｍ 一定のベレットに分割して、ＡｕＳｎノ＼ン
タによりヒートシンク上にマウントし、１５５μｍの波
長の光に対して反射率か以下に示す値となる様なＳｉｎ
、とＴ ｉ Ｏ２の多層膜からなる反射防止膜１３．１
４を施した。
第１図（ａ）〜（ｃ）の素子は活性域の幅は直線状の導
波路で１５〜２μｍ、テーパ状に拡がった導波路出力端
で６〜７μｍであった。この時閾値電流が３０ｍＡであ
り、同一 ウェハ上でテーパ状に拡がりを持たない同一
キャビティ長を有するＬ Ｄの閾値電流１８ｍ八と比へ
て闇値」−昇か見られた。これは出射端面側の反射率か
低減したことに起因する。
波路で１５〜２μｍ、テーパ状に拡がった導波路出力端
で６〜７μｍであった。この時閾値電流が３０ｍＡであ
り、同一 ウェハ上でテーパ状に拡がりを持たない同一
キャビティ長を有するＬ Ｄの閾値電流１８ｍ八と比へ
て闇値」−昇か見られた。これは出射端面側の反射率か
低減したことに起因する。
更に両端面に反射率が０５％になる条件で反射防止膜を
蒸着することにより、バイアス電流５０ｍＡで素子利得
約２０ｄＢが得られた。
蒸着することにより、バイアス電流５０ｍＡで素子利得
約２０ｄＢが得られた。
尚、上記の実施例ではｎ形１ｎＰ基板を用いた例につい
て説明したがｐ形ＩｎＰ基板を使用しても効果は同して
あり、その場合は各構造において口形領域と口形領域を
入れ替えれば良い。また、実施例ではＢ Ｈタイプ、埋
め込み形発光タイオートについて述べたかＤＣＰＢＨも
しくはＶＳＢ等のタイプでも同様の効果を得ることか出
来る。
て説明したがｐ形ＩｎＰ基板を使用しても効果は同して
あり、その場合は各構造において口形領域と口形領域を
入れ替えれば良い。また、実施例ではＢ Ｈタイプ、埋
め込み形発光タイオートについて述べたかＤＣＰＢＨも
しくはＶＳＢ等のタイプでも同様の効果を得ることか出
来る。
また、実施例では波長１５５μｍのＩｎＰ−ＧａｌｎＡ
ｓ系の半導体について説明したか、他の波長域及びこの
例とは異なる半導体を用いたインコヒーレン］・発光素
子についても（ＧａＡｓ−Ｇａ ａＡＱＡｓ系等）、本発明が応用できることは明らかで
ある。
ｓ系の半導体について説明したか、他の波長域及びこの
例とは異なる半導体を用いたインコヒーレン］・発光素
子についても（ＧａＡｓ−Ｇａ ａＡＱＡｓ系等）、本発明が応用できることは明らかで
ある。
更に埋め込み構造としては、■−■族単結晶エピタキシ
ャル層で埋め込む構造だけでなく、活性部を含むメサ構
造をポリイミド等の有機物質や低融点ガラス等で埋め込
む構造も有用である。
ャル層で埋め込む構造だけでなく、活性部を含むメサ構
造をポリイミド等の有機物質や低融点ガラス等で埋め込
む構造も有用である。
以上述へたごとく、本発明によれば、光増幅素子の例え
ば光出力側端面近傍の活性層幅をテーパ状に拡げ、更に
反射防止膜を形成することにより、端面から活性部への
光の戻りを防止し、ファブリ・ペローモードを抑圧した
光増幅素子か得られるという利点かある。本発明によれ
ば、ファブリ・ペローモードの抑圧を端面近傍の処理で
補強したので、反射防止膜形成条件を緩和することかで
きる。
ば光出力側端面近傍の活性層幅をテーパ状に拡げ、更に
反射防止膜を形成することにより、端面から活性部への
光の戻りを防止し、ファブリ・ペローモードを抑圧した
光増幅素子か得られるという利点かある。本発明によれ
ば、ファブリ・ペローモードの抑圧を端面近傍の処理で
補強したので、反射防止膜形成条件を緩和することかで
きる。
このため、素子の製作歩留りか向」ニし、生産性も向上
するという利点かある。また、本発明によれば、光入出
力端面を先導波路と垂直な端面に形成できるので、ファ
イバとのれ１□合の際に輔すれかなく、効率良く光結合
入力か得られる。
するという利点かある。また、本発明によれば、光入出
力端面を先導波路と垂直な端面に形成できるので、ファ
イバとのれ１□合の際に輔すれかなく、効率良く光結合
入力か得られる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を示す図であ
って、第１図（ａ）は光増幅素子の平面図、第１図（ｂ
）は第１図（ａ）のＡ、−Ａ線断面図、第１図（ｃ）は
第１図（ａ）の１３−Ｂ線断面図である。第２図は本発
明の別の実施例を示す平面図である。第３図、第４図、
第５図は本発明の詳細な説明するだめの図であって、第
３図はＺ−＝０で端面を有している通常の半導体導波路
の構成図、第４図は端面かＺ−１２／２に存在し、Ｚ＜
Ｑで通常の半導体導波路構造を有し、０≦２≦Ｑ／２で
導波路の拡がりを示している半導体導波路の構成図、第
５図は第４図に示す様な導波路構造に拡がりを有した場
合において反射率の変化する割合を夕の距離に対して調
べた結果を示す図である。第６図（ａ）〜（ｃ）は従来
の光増幅素子の構造例を示す図であって、第６図（ａ）
は光増幅素子の平面図、第６図（ｂ）は第６図（ａ）の
Ａ−Ａ線断面図、第６図（ｃ）は第６図（ａ）のＢ−Ｂ
線断面図である。第７図は別の従来の光増幅素子の構造
例を示す平面図である。 １− ｎ形１ｎＰ基板、２− ｎ形Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガ
イド層、３・・・ノンドープＧａＴｎＡｓＰ活性層、４
ｐ形１ｎＰクラッド層、５ ・ｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電
極層、６・・・ｐ形１ｎＰ電流狭搾層、７ｎ形ＩｎＰ電
流狭搾層、８・ｐ形オーミック電極、９・・・直線導波
領域、１ｏ・出力側テーパ導波領域、１１ 入力端テー
パ導波領域、１２・・ｎ形オーミック電極、１３・・・
入力側ＡＲ膜、１／Ｉ 出力側ΔＲ膜。
って、第１図（ａ）は光増幅素子の平面図、第１図（ｂ
）は第１図（ａ）のＡ、−Ａ線断面図、第１図（ｃ）は
第１図（ａ）の１３−Ｂ線断面図である。第２図は本発
明の別の実施例を示す平面図である。第３図、第４図、
第５図は本発明の詳細な説明するだめの図であって、第
３図はＺ−＝０で端面を有している通常の半導体導波路
の構成図、第４図は端面かＺ−１２／２に存在し、Ｚ＜
Ｑで通常の半導体導波路構造を有し、０≦２≦Ｑ／２で
導波路の拡がりを示している半導体導波路の構成図、第
５図は第４図に示す様な導波路構造に拡がりを有した場
合において反射率の変化する割合を夕の距離に対して調
べた結果を示す図である。第６図（ａ）〜（ｃ）は従来
の光増幅素子の構造例を示す図であって、第６図（ａ）
は光増幅素子の平面図、第６図（ｂ）は第６図（ａ）の
Ａ−Ａ線断面図、第６図（ｃ）は第６図（ａ）のＢ−Ｂ
線断面図である。第７図は別の従来の光増幅素子の構造
例を示す平面図である。 １− ｎ形１ｎＰ基板、２− ｎ形Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガ
イド層、３・・・ノンドープＧａＴｎＡｓＰ活性層、４
ｐ形１ｎＰクラッド層、５ ・ｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電
極層、６・・・ｐ形１ｎＰ電流狭搾層、７ｎ形ＩｎＰ電
流狭搾層、８・ｐ形オーミック電極、９・・・直線導波
領域、１ｏ・出力側テーパ導波領域、１１ 入力端テー
パ導波領域、１２・・ｎ形オーミック電極、１３・・・
入力側ＡＲ膜、１／Ｉ 出力側ΔＲ膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された入射光に対して増幅特性を有
する導波路型半導体光増幅素子において、２つの端面の
うち片方もしくは両端面の近傍において活性層幅をテー
パ状に拡げ、その両端面に反射防止膜が形成されている
ことを特徴とする光増幅素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32559788A JPH02170143A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 光増幅素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32559788A JPH02170143A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 光増幅素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170143A true JPH02170143A (ja) | 1990-06-29 |
Family
ID=18178657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32559788A Pending JPH02170143A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 光増幅素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024665A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Ricoh Printing Systems Ltd | アレイ型半導体レーザ装置 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32559788A patent/JPH02170143A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024665A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Ricoh Printing Systems Ltd | アレイ型半導体レーザ装置 |
| JP4704703B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2011-06-22 | 株式会社リコー | アレイ型半導体レーザ装置 |
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