JPH04254380A - モノリシック集積光増幅器及び光検出器 - Google Patents
モノリシック集積光増幅器及び光検出器Info
- Publication number
- JPH04254380A JPH04254380A JP3190423A JP19042391A JPH04254380A JP H04254380 A JPH04254380 A JP H04254380A JP 3190423 A JP3190423 A JP 3190423A JP 19042391 A JP19042391 A JP 19042391A JP H04254380 A JPH04254380 A JP H04254380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- optical
- photodetector
- optical amplifier
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 130
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 23
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 14
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 2
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は半導体光増幅器、具体的にはモニ
ター用光検出器とともに基板上に集積化された光増幅器
に係る。
ター用光検出器とともに基板上に集積化された光増幅器
に係る。
【０００２】
【関連出願の相互引用】本出願は本件と同時に申請され
た米国特許出願番号第０７／５６３１６２（コレン（Ｋ
ｏｒｅｎ）−リオウ（Ｌｉｏｕ）１１−３）に関連して
いる。
た米国特許出願番号第０７／５６３１６２（コレン（Ｋ
ｏｒｅｎ）−リオウ（Ｌｉｏｕ）１１−３）に関連して
いる。
【０００３】
【本発明の背景】従来の長距離通信システムは、光及び
電子部品の両方から成る。たとえば、中継器は光を光電
子的に検知し、得られた電流を電子的に増幅し、次に増
幅された電流を半導体レーザを駆動するために使い、レ
ーザは電気信号を光信号に戻す。次に、光信号はシステ
ム中の次の中継器まで光ファイバに入れられ、そこで光
から電気への変換及び再度の光への戻しがくり返される
。
電子部品の両方から成る。たとえば、中継器は光を光電
子的に検知し、得られた電流を電子的に増幅し、次に増
幅された電流を半導体レーザを駆動するために使い、レ
ーザは電気信号を光信号に戻す。次に、光信号はシステ
ム中の次の中継器まで光ファイバに入れられ、そこで光
から電気への変換及び再度の光への戻しがくり返される
。
【０００４】全光通信システムにおいては、一度発生し
た光は光学的に伝送され、光学的検知により受けられ、
より重要なことは、光から電気へ及び光の形への戻しと
いった中間の変換がないように、光学的に増幅されるこ
とである。光学的増幅器は光信号を直接光学的に増幅し
、それにより電子的処理が除かれる。従って、光学的増
幅により光通信システムに、より広い帯域幅をもち、物
理的に小さく、設計が容易で、動作がより効率的で、生
産がより経済的な中継器を持たせることができる。
た光は光学的に伝送され、光学的検知により受けられ、
より重要なことは、光から電気へ及び光の形への戻しと
いった中間の変換がないように、光学的に増幅されるこ
とである。光学的増幅器は光信号を直接光学的に増幅し
、それにより電子的処理が除かれる。従って、光学的増
幅により光通信システムに、より広い帯域幅をもち、物
理的に小さく、設計が容易で、動作がより効率的で、生
産がより経済的な中継器を持たせることができる。
【０００５】更に、光増幅器の動作特性はデータビット
レートの変化や別の波長における余分のチャネルの存在
によって、比較的影響を受けないから、光増幅器は光波
伝送及びスイッチングシステムにおいて鍵を握る要素に
なりうる。不幸にも、光増幅器は光集積回路（ＰＩＣ）
中の他の光−電子デバイスと集積化できるが、出力パワ
ーを制御することは問題であった。その理由は、光増幅
器の利得は光源の波長や偏光の変化とともに、温度の変
動や増幅器の劣化といった環境的な要素によって影響を
受けるからである。従って、出力パワーをモニターする
ために、光増幅器とモニター用検出器を集積化すること
は、許容できないほど損失が多く、高価であるバルクの
検出器やカプラを用いる以外の、適切な解のようにみえ
る。
レートの変化や別の波長における余分のチャネルの存在
によって、比較的影響を受けないから、光増幅器は光波
伝送及びスイッチングシステムにおいて鍵を握る要素に
なりうる。不幸にも、光増幅器は光集積回路（ＰＩＣ）
中の他の光−電子デバイスと集積化できるが、出力パワ
ーを制御することは問題であった。その理由は、光増幅
器の利得は光源の波長や偏光の変化とともに、温度の変
動や増幅器の劣化といった環境的な要素によって影響を
受けるからである。従って、出力パワーをモニターする
ために、光増幅器とモニター用検出器を集積化すること
は、許容できないほど損失が多く、高価であるバルクの
検出器やカプラを用いる以外の、適切な解のようにみえ
る。
【０００６】検出器が裏面に置かれる半導体レーザの場
合と異なり、前面及び裏面の両方が光放射の入口及び出
口として使われるため、光増幅器の面は使えない。その
ため、増幅器をモニターする目的で、出力パワーの一部
を引くためには、Ｙ−連結導波路のような集積化された
分岐導波路を用いることが、唯一の可能性のある選択で
ある。光増幅器中に注入された光放射は、任意に偏光さ
せられるため、分岐導波路のパワー分割比は、集積化さ
れた検出器の光励起電流を帰還方式で用いるには、偏光
によって不変である必要がある。残留ファブリー−ペロ
ー共振から生じる利得スペクトル中のリップルを抑える
ため、４０ｄＢ以上の光分離を光増幅器が必要とするこ
とは不利である。別の言い方をすれば、Ｙ−連結導波路
の後方反射率は、光増幅器の端面上の反射防止被膜の残
留反射率より小さい必要がある。
合と異なり、前面及び裏面の両方が光放射の入口及び出
口として使われるため、光増幅器の面は使えない。その
ため、増幅器をモニターする目的で、出力パワーの一部
を引くためには、Ｙ−連結導波路のような集積化された
分岐導波路を用いることが、唯一の可能性のある選択で
ある。光増幅器中に注入された光放射は、任意に偏光さ
せられるため、分岐導波路のパワー分割比は、集積化さ
れた検出器の光励起電流を帰還方式で用いるには、偏光
によって不変である必要がある。残留ファブリー−ペロ
ー共振から生じる利得スペクトル中のリップルを抑える
ため、４０ｄＢ以上の光分離を光増幅器が必要とするこ
とは不利である。別の言い方をすれば、Ｙ−連結導波路
の後方反射率は、光増幅器の端面上の反射防止被膜の残
留反射率より小さい必要がある。
【０００７】製作上の限界により、実際のＹ−連結導波
路は、先の切られたくさび形先端をもつ。たとえば、サ
サキ（Ｓａｓａｋｉ）ら、エレクトロニクス・レターズ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第１７
巻、第３号、１３６−８頁（１９８９）を参照のこと。 すなわち、切れの悪いＹ−連結先端は光増幅器への光の
後方への反射を本質的な大きさにし、増幅器に対する有
害な効果のため、光分岐導波路を通して、結合された光
増幅器とモニター用光検出器をモノリシックに集積化さ
せることを妨げてきた。
路は、先の切られたくさび形先端をもつ。たとえば、サ
サキ（Ｓａｓａｋｉ）ら、エレクトロニクス・レターズ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第１７
巻、第３号、１３６−８頁（１９８９）を参照のこと。 すなわち、切れの悪いＹ−連結先端は光増幅器への光の
後方への反射を本質的な大きさにし、増幅器に対する有
害な効果のため、光分岐導波路を通して、結合された光
増幅器とモニター用光検出器をモノリシックに集積化さ
せることを妨げてきた。
【０００８】
【本発明の要旨】本発明において、光増幅器と光検出器
は同じ半導体基板上に集積化され、光検出器は低放射損
及び低後方反射率をもつ分岐導波路を通して、光増幅器
に光学的に結合される。重要なことは、後方反射率が低
いため、分岐導波路は光放射のわずかの部分を、光増幅
器の特性に有害な効果を与えずに、光増幅器から光検出
器に向けられるということである。具体的には、光増幅
器から入射する光放射がみる先の切られたくさび形先端
の光学的界面における実効屈折率の差を減少させるよう
に、実効屈折率が徐々に変化する連結領域を、導波路の
分岐間で用いることにより、分岐導波路が実現される。
は同じ半導体基板上に集積化され、光検出器は低放射損
及び低後方反射率をもつ分岐導波路を通して、光増幅器
に光学的に結合される。重要なことは、後方反射率が低
いため、分岐導波路は光放射のわずかの部分を、光増幅
器の特性に有害な効果を与えずに、光増幅器から光検出
器に向けられるということである。具体的には、光増幅
器から入射する光放射がみる先の切られたくさび形先端
の光学的界面における実効屈折率の差を減少させるよう
に、実効屈折率が徐々に変化する連結領域を、導波路の
分岐間で用いることにより、分岐導波路が実現される。
【０００９】増幅器の端面上に堆積させた薄膜の厚さを
、その場モニターする手段が、光検出器及び光増幅器を
モノリシックに集積化できれば得られることは有利であ
る。すなわち、被膜の厚さは光検出器からの電流を最大
にすることにより、最適化できる。
、その場モニターする手段が、光検出器及び光増幅器を
モノリシックに集積化できれば得られることは有利であ
る。すなわち、被膜の厚さは光検出器からの電流を最大
にすることにより、最適化できる。
【００１０】光増幅器の利得は入射する光放射の偏光に
依存するから、デバイスは更に光増幅器に入射する光放
射の偏光状態を測定するのに用いてもよい。
依存するから、デバイスは更に光増幅器に入射する光放
射の偏光状態を測定するのに用いてもよい。
【００１１】
【詳細な記述】光増幅器は光ファイバを通して伝搬する
符号化された光放射により、伝達される情報が表わされ
る長距離光ファイバ通信システム中で用いてよい。誤差
のない伝送のためには、光放射の強度はあらかじめ決め
られた範囲に保たれていなければならず、それはモニタ
ー用光検出器へ光増幅器からある程度の光放射を分ける
ことにより、適切に実現される。従来技術において、光
増幅器及び光検出器は相互に分離され、別々で、バルク
の損失の多いファイバカプラにより、外部で結合された
。モニター用光検出器は光増幅器からの平均パワー出力
を測定し、光出力パワーを所望のあらかじめ決められた
範囲内に調整するため、帰還回路を制御する信号が、そ
れにより生成された。重要なことは、光増幅器の光出力
パワーの制御は、光源の波長及び偏光の変化、温度変動
及び増幅器劣化のような雰囲気の変動を補償するために
必要である。別々のモニター用の光検出器はほとんどの
用途に対して適切であるが、同じ半導体チップ上に光増
幅器とともに集積化された光検出器をもつことは、非常
に望ましい。
符号化された光放射により、伝達される情報が表わされ
る長距離光ファイバ通信システム中で用いてよい。誤差
のない伝送のためには、光放射の強度はあらかじめ決め
られた範囲に保たれていなければならず、それはモニタ
ー用光検出器へ光増幅器からある程度の光放射を分ける
ことにより、適切に実現される。従来技術において、光
増幅器及び光検出器は相互に分離され、別々で、バルク
の損失の多いファイバカプラにより、外部で結合された
。モニター用光検出器は光増幅器からの平均パワー出力
を測定し、光出力パワーを所望のあらかじめ決められた
範囲内に調整するため、帰還回路を制御する信号が、そ
れにより生成された。重要なことは、光増幅器の光出力
パワーの制御は、光源の波長及び偏光の変化、温度変動
及び増幅器劣化のような雰囲気の変動を補償するために
必要である。別々のモニター用の光検出器はほとんどの
用途に対して適切であるが、同じ半導体チップ上に光増
幅器とともに集積化された光検出器をもつことは、非常
に望ましい。
【００１２】本発明において、光増幅器及びモニター用
光検出器がモノリシックに集積され、光検出器は後方反
射率が無視できる分岐導波路を通して、光増幅器に光学
的に結合されている。重要なことは、低放射損とともに
低後方反射率を示す分岐導波路は、導波路の分岐間に、
光伝搬の方向に沿って実効屈折率が徐々に減少する連結
領域を用いることにより実現される。具体的にはこの方
式は先の切られたくさび形先端の光学的界面における屈
折率の差を減らすことにより、光増幅器からの入射光放
射がみるくさび形先端が切られた効果を最小にする。分
岐間の連結領域における実効屈折率は、分岐導波路のコ
ア屈折率から名目上のクラッド屈折率まで、空間的に変
化することに注意する必要がある。分岐導波路の低後方
反射率により得られる高光分離のため、先の切られたく
さび形先端からの低反射率により、光増幅器はモニター
用光検出器とモノリシックに集積化され、結合されるこ
とは有利である。
光検出器がモノリシックに集積され、光検出器は後方反
射率が無視できる分岐導波路を通して、光増幅器に光学
的に結合されている。重要なことは、低放射損とともに
低後方反射率を示す分岐導波路は、導波路の分岐間に、
光伝搬の方向に沿って実効屈折率が徐々に減少する連結
領域を用いることにより実現される。具体的にはこの方
式は先の切られたくさび形先端の光学的界面における屈
折率の差を減らすことにより、光増幅器からの入射光放
射がみるくさび形先端が切られた効果を最小にする。分
岐間の連結領域における実効屈折率は、分岐導波路のコ
ア屈折率から名目上のクラッド屈折率まで、空間的に変
化することに注意する必要がある。分岐導波路の低後方
反射率により得られる高光分離のため、先の切られたく
さび形先端からの低反射率により、光増幅器はモニター
用光検出器とモノリシックに集積化され、結合されるこ
とは有利である。
【００１３】図１を参照すると、本発明の原理に従う集
積化された光増幅器１００及びモニター用光検出器３０
０の透視図が示されている。増幅器１００に光学的に結
合された低損失、低反射非対称Ｙ−連結導波路２００は
、光増幅器１００からの光放射の一部を、無視し得る後
方反射でモニター用光検出器３００に向ける。光増幅器
１００と光検出器３００を集積化することは、光増幅器
１００からの光の一部を、先の切られたくさび形先端か
らの任意の放射が、本質的に光増幅器１００に戻らない
ように、光検出器３００に分割することに基づく。増幅
器１００、Ｙ−連結導波路２００及び光検出器３００の
典型的な長さは、それぞれ８５０μｍ、１６４０μｍ及
び１７０μｍである。
積化された光増幅器１００及びモニター用光検出器３０
０の透視図が示されている。増幅器１００に光学的に結
合された低損失、低反射非対称Ｙ−連結導波路２００は
、光増幅器１００からの光放射の一部を、無視し得る後
方反射でモニター用光検出器３００に向ける。光増幅器
１００と光検出器３００を集積化することは、光増幅器
１００からの光の一部を、先の切られたくさび形先端か
らの任意の放射が、本質的に光増幅器１００に戻らない
ように、光検出器３００に分割することに基づく。増幅
器１００、Ｙ−連結導波路２００及び光検出器３００の
典型的な長さは、それぞれ８５０μｍ、１６４０μｍ及
び１７０μｍである。
【００１４】光増幅器１００、光検出器３００及びＹ−
連結導波路２００はｎ−形ＩｎＰ基板１６０上に製作さ
れる。一般に、Ｙ−連結導波路２００を製作するために
は、導波路領域を囲む材料（クラッド）の実効屈折率は
、導波路領域（コア）の実効屈折率より小さく、全内部
反射により、構造は適当な波長の光放射を光検出器３０
０へ誘導できるようにすることが必要である。Ｙ−連結
導波路２００は直線光分岐２４０及びそれと３．５°曲
がった側部分岐２６０を含む。
連結導波路２００はｎ−形ＩｎＰ基板１６０上に製作さ
れる。一般に、Ｙ−連結導波路２００を製作するために
は、導波路領域を囲む材料（クラッド）の実効屈折率は
、導波路領域（コア）の実効屈折率より小さく、全内部
反射により、構造は適当な波長の光放射を光検出器３０
０へ誘導できるようにすることが必要である。Ｙ−連結
導波路２００は直線光分岐２４０及びそれと３．５°曲
がった側部分岐２６０を含む。
【００１５】集積化された光増幅器１００、光検出器３
００及びＹ−連結導波路２００は、ＩＩＩ−Ｖ 半導体
材料で作製される。しかし、適当な屈折率を有する他の
半導体材料を用いてもよい。有機金属化学気相堆積（Ｍ
ＯＣＶＤ）及び再成長、湿式化学エッチング及びフォト
リソグラフィといった標準的な作製技術が、その構造を
作製するために用いられる。これらの作製技術は当業者
にはよく知られており、ここで詳細には述べない。
００及びＹ−連結導波路２００は、ＩＩＩ−Ｖ 半導体
材料で作製される。しかし、適当な屈折率を有する他の
半導体材料を用いてもよい。有機金属化学気相堆積（Ｍ
ＯＣＶＤ）及び再成長、湿式化学エッチング及びフォト
リソグラフィといった標準的な作製技術が、その構造を
作製するために用いられる。これらの作製技術は当業者
にはよく知られており、ここで詳細には述べない。
【００１６】図１に示された実施例において、光増幅器
１００はＹ−連結導波路２００を通してｐ−ｉ−ｎ光検
出器３００に、光学的に結合されている。光増幅器１０
０の前面に入射する光放射は、能動ＩｎＧａＡｓＰ層１
３０（１．３μｍ禁制帯）により増幅される。更に、閉
じ込められた光放射は、図２にその断面が示されるよう
に、能動ＩｎＧａＡｓＰ層１３０からその下に延びる隣
接したＩｎＧａＡｓＰ受動直線分岐導波路２４０に結合
される。能動ＩｎＧａＡｓＰ層１３０は受動導波路領域
から除去されることは、注意する必要がある。直線分岐
導波路２４０は出力部として使われ、一方側部分岐導波
路２６０は能動ＩｎＧａＡｓＰ層３３０（１．３μｍ禁
制帯エネルギー）下に延び、入射光放射の約１０％を、
ｐ−ｉ−ｎ検出器３００に光学的に結合させる。能動増
幅部中の直線分岐導波路２４０の一部と同様、光検出部
の一部中の側部分岐導波路２６０は、、光放射を光検出
器３００に結合させるため、能動ＩｎＧａＡｓＰ層３３
０に隣接している。埋込みＹ−連結導波路２００、すな
わち直線及び側部分岐導波路２６０及び２４０の位置は
、点線により最上部表面上に投影して示されていること
に、注意する必要がある。
１００はＹ−連結導波路２００を通してｐ−ｉ−ｎ光検
出器３００に、光学的に結合されている。光増幅器１０
０の前面に入射する光放射は、能動ＩｎＧａＡｓＰ層１
３０（１．３μｍ禁制帯）により増幅される。更に、閉
じ込められた光放射は、図２にその断面が示されるよう
に、能動ＩｎＧａＡｓＰ層１３０からその下に延びる隣
接したＩｎＧａＡｓＰ受動直線分岐導波路２４０に結合
される。能動ＩｎＧａＡｓＰ層１３０は受動導波路領域
から除去されることは、注意する必要がある。直線分岐
導波路２４０は出力部として使われ、一方側部分岐導波
路２６０は能動ＩｎＧａＡｓＰ層３３０（１．３μｍ禁
制帯エネルギー）下に延び、入射光放射の約１０％を、
ｐ−ｉ−ｎ検出器３００に光学的に結合させる。能動増
幅部中の直線分岐導波路２４０の一部と同様、光検出部
の一部中の側部分岐導波路２６０は、、光放射を光検出
器３００に結合させるため、能動ＩｎＧａＡｓＰ層３３
０に隣接している。埋込みＹ−連結導波路２００、すな
わち直線及び側部分岐導波路２６０及び２４０の位置は
、点線により最上部表面上に投影して示されていること
に、注意する必要がある。
【００１７】側部及び直線分岐導波路２６０及び２４０
の両方が、半絶縁性ＩｎＰ領域１２０により埋込まれた
受動ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ禁制帯）導波路メサで
ある。異なる所望のパワー分割比に対しては、３．５°
以外の分岐間の角度を用いてもよい。一般に、パワー分
割比はそれぞれ直線分岐導波路２４０及び側部分岐導波
路２６０の幅Ｗ１及びＷ２、及び分岐間の角Ｑにより制
御される。側部分岐導波路２６０より直線分岐導波路２
４０により高い光パワーを伝搬させる場合は、幅Ｗ２は
幅Ｗ１より狭くすべきである。更に、角度は所望のパワ
ー分割に従って選ばれ、一般に製作上の制約及び曲げ損
の考察から、数度に制限される。
の両方が、半絶縁性ＩｎＰ領域１２０により埋込まれた
受動ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ禁制帯）導波路メサで
ある。異なる所望のパワー分割比に対しては、３．５°
以外の分岐間の角度を用いてもよい。一般に、パワー分
割比はそれぞれ直線分岐導波路２４０及び側部分岐導波
路２６０の幅Ｗ１及びＷ２、及び分岐間の角Ｑにより制
御される。側部分岐導波路２６０より直線分岐導波路２
４０により高い光パワーを伝搬させる場合は、幅Ｗ２は
幅Ｗ１より狭くすべきである。更に、角度は所望のパワ
ー分割に従って選ばれ、一般に製作上の制約及び曲げ損
の考察から、数度に制限される。
【００１８】重要なことは、側部分岐２６０と直線分岐
２４０間の連結領域２８０中のＺ−軸に沿った実効屈折
率を徐々に変化させることは、光増幅器１００から出た
光放射がみるくさび形の先が切られた効果を減らすため
に用いられる。典型的な場合、連結領域２８０の実効屈
折率は、Ｚ−軸に沿って直線的な傾斜分布をもち、直線
及び側部分岐導波路２４０及び２６０のそれぞれのコア
屈折率からクラッド屈折率まで変化する。しかし、放物
線、指数関数又は階段関数分布のような、他の分布を用
いてもよい。好ましい実施例において、側部及び直線分
岐導波路の両方は、シングルモード導波路である。
２４０間の連結領域２８０中のＺ−軸に沿った実効屈折
率を徐々に変化させることは、光増幅器１００から出た
光放射がみるくさび形の先が切られた効果を減らすため
に用いられる。典型的な場合、連結領域２８０の実効屈
折率は、Ｚ−軸に沿って直線的な傾斜分布をもち、直線
及び側部分岐導波路２４０及び２６０のそれぞれのコア
屈折率からクラッド屈折率まで変化する。しかし、放物
線、指数関数又は階段関数分布のような、他の分布を用
いてもよい。好ましい実施例において、側部及び直線分
岐導波路の両方は、シングルモード導波路である。
【００１９】能動ＩｎＧａＡｓＰ層（１．３μｍ禁制帯
エネルギー）構造を有する半絶縁性阻止埋込みヘテロ構
造（ＳＩＰＢＨ）が、光増幅器１００及びｐ−ｉ−ｎフ
ォトダイオード３００の両方に用いられる。Ｆｅドープ
半絶縁性ＩｎＰ領域１２０は、光増幅器１００及び光検
出器３００中の電流阻止及び横方向光閉じ込めの両方に
使われる。能動層は受動Ｙ−連結導波路２００用には除
去され、従って光増幅器１００及び光検出器３００は、
各能動ＩｎＧａＡｓＰ層への電極形成を容易にする能動
ＩｎＧａＡｓＰ層１３０、３３０及びｐ伝導形層１５０
、３５０を除いて、Ｙ−連結導波路２００に似ているこ
とに注意する必要がある。
エネルギー）構造を有する半絶縁性阻止埋込みヘテロ構
造（ＳＩＰＢＨ）が、光増幅器１００及びｐ−ｉ−ｎフ
ォトダイオード３００の両方に用いられる。Ｆｅドープ
半絶縁性ＩｎＰ領域１２０は、光増幅器１００及び光検
出器３００中の電流阻止及び横方向光閉じ込めの両方に
使われる。能動層は受動Ｙ−連結導波路２００用には除
去され、従って光増幅器１００及び光検出器３００は、
各能動ＩｎＧａＡｓＰ層への電極形成を容易にする能動
ＩｎＧａＡｓＰ層１３０、３３０及びｐ伝導形層１５０
、３５０を除いて、Ｙ−連結導波路２００に似ているこ
とに注意する必要がある。
【００２０】重要なことは、Ｙ−連結の分岐間の連結領
域２８０は、光増幅器１００から伝搬する光モードがみ
るくさび形の先端が切られる効果を減らすため、上で述
べたように、Ｚ−軸に沿った実効屈折率が徐々に変化し
ていることである。このことは、この場合のように、Ｉ
ｎＰ領域１２０下のＹ−連結領域２８０中のＩｎＧａＡ
ｓＰ領域の厚さを、Ｚ−軸に沿って徐々に減少させるこ
とにより、実現される。半絶縁性ＩｎＰ領域１２０はま
た、それがｐ伝導形層１５０、３５０より小さな吸収係
数をもつため、最上部受動クラッド導波路領域として使
用できる。一例として、受動ＩｎＧａＡｓＰ直線及び側
部導波路２４０及び２６０と能動ＩｎＧａＡｓＰ層１３
０、３３０はそれぞれ０．３５μｍと０．９μｍの厚さ
をもつ。更に、Ｙ−連結領域２９０の外側の能動及び側
部導波路の両方の幅は、２．５μｍである。
域２８０は、光増幅器１００から伝搬する光モードがみ
るくさび形の先端が切られる効果を減らすため、上で述
べたように、Ｚ−軸に沿った実効屈折率が徐々に変化し
ていることである。このことは、この場合のように、Ｉ
ｎＰ領域１２０下のＹ−連結領域２８０中のＩｎＧａＡ
ｓＰ領域の厚さを、Ｚ−軸に沿って徐々に減少させるこ
とにより、実現される。半絶縁性ＩｎＰ領域１２０はま
た、それがｐ伝導形層１５０、３５０より小さな吸収係
数をもつため、最上部受動クラッド導波路領域として使
用できる。一例として、受動ＩｎＧａＡｓＰ直線及び側
部導波路２４０及び２６０と能動ＩｎＧａＡｓＰ層１３
０、３３０はそれぞれ０．３５μｍと０．９μｍの厚さ
をもつ。更に、Ｙ−連結領域２９０の外側の能動及び側
部導波路の両方の幅は、２．５μｍである。
【００２１】図３には、Ｙ−連結導波路２００の上面図
が描かれている。説明の便宜上、直線導波路２４０から
側部導波路２６０の方向はＺ−軸にとり、図面に垂直な
方向をＹ−軸にとり、図３に示されるように、Ｘ−Ｙ−
Ｚ軸系を規定する。２．５μｍ幅の直線分岐導波路２４
０は、Ｙ−連結領域２９０中への断熱モード伝搬のため
、８０μｍの傾斜長に渡り、勾配をもっている。Ｙ−連
結におけるモード変換によってパワー分割が起こり、先
の切られたくさび形先端２１０における急峻な遷移によ
り、モードの振舞は支配される。連結先端２１０におけ
る導波路の幅は、側部分岐導波路２６０および直線分岐
導波路２４０のそれぞれが、２．２μｍ及び３．３μｍ
である。更に、先の切られたくさび形先端２１０の幅は
、０．８μｍである。この構造の例において、両方の導
波路の幅は図３に示されるように、Ｙ−連結先端の約１
００μｍ外部における２．５μｍの幅まで勾配をもって
戻る。
が描かれている。説明の便宜上、直線導波路２４０から
側部導波路２６０の方向はＺ−軸にとり、図面に垂直な
方向をＹ−軸にとり、図３に示されるように、Ｘ−Ｙ−
Ｚ軸系を規定する。２．５μｍ幅の直線分岐導波路２４
０は、Ｙ−連結領域２９０中への断熱モード伝搬のため
、８０μｍの傾斜長に渡り、勾配をもっている。Ｙ−連
結におけるモード変換によってパワー分割が起こり、先
の切られたくさび形先端２１０における急峻な遷移によ
り、モードの振舞は支配される。連結先端２１０におけ
る導波路の幅は、側部分岐導波路２６０および直線分岐
導波路２４０のそれぞれが、２．２μｍ及び３．３μｍ
である。更に、先の切られたくさび形先端２１０の幅は
、０．８μｍである。この構造の例において、両方の導
波路の幅は図３に示されるように、Ｙ−連結先端の約１
００μｍ外部における２．５μｍの幅まで勾配をもって
戻る。
【００２２】光増幅器１００、ｐ−ｉ−ｎ光検出器３０
０及びｙ−連結導波路２００の集積構造は、３エピタキ
シャル工程、通常のフォトリソグラフィ及び湿式化学エ
ッチングにより実現される。すなわち、ＩｎＧａＡｓＰ
能動層１３０、３３０及びＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層
２４０、２６０のプレーナ有機金属化学気相堆積（ＭＯ
ＣＶＤ）成長とそれに続く阻止層１２０及びキャップ層
１５０、３５０の２回のＭＯＣＶＤ再成長である。能動
層１３０、３３０及び受動導波路層２４０、２６０をｎ
形ＩｎＰ基板１６０上に成長させた後、能動領域１３０
及び３３０、直線分岐領域２４０及び側部導波路２６０
を形成するため、ＳｉＯ２ マスクを用いて、２−３μ
ｍ幅のメサをエッチした。具体的には、［０１１］方向
に平行に直線部分をして、ＳｉＯ２ マスクを用いて、
Ｙ−連結導波路メサ及び能動導波路メサをエッチした。 受動Ｙ−連結導波路２００は能動層１３０、３３０及び
キャップ層１５０、３５０を除いて、能動部分すなわち
光増幅器１００及び光検出器３００と類似であることに
注意する必要がある。典型的な場合、能動導波路メサの
全高は１．５−２μｍで、Ｙ−連結メサの高さは１μｍ
より小さい。次に、半絶縁性阻止ＩｎＰ領域１２０を形
成するため、ＭＯＣＶＤ再成長を行う。能動導波路は半
絶縁性ＩｎＰ領域１２０で完全に平坦化され、一方受動
Ｙ−分岐はそれにより被覆される。ＳｉＯ２マスクを除
去し、光増幅器１００及び光検出器３００の能動領域１
３０及び３３０上に、ＭＯＣＶＤによりキャップ層１５
０、３５０を成長させる。キャップ層１５０、３５０は
１．５μｍｐ−ＩｎＰ層とそれに続く０．５μｍｐ＋Ｉ
ｎＧａＡｓ層から成る。
０及びｙ−連結導波路２００の集積構造は、３エピタキ
シャル工程、通常のフォトリソグラフィ及び湿式化学エ
ッチングにより実現される。すなわち、ＩｎＧａＡｓＰ
能動層１３０、３３０及びＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層
２４０、２６０のプレーナ有機金属化学気相堆積（ＭＯ
ＣＶＤ）成長とそれに続く阻止層１２０及びキャップ層
１５０、３５０の２回のＭＯＣＶＤ再成長である。能動
層１３０、３３０及び受動導波路層２４０、２６０をｎ
形ＩｎＰ基板１６０上に成長させた後、能動領域１３０
及び３３０、直線分岐領域２４０及び側部導波路２６０
を形成するため、ＳｉＯ２ マスクを用いて、２−３μ
ｍ幅のメサをエッチした。具体的には、［０１１］方向
に平行に直線部分をして、ＳｉＯ２ マスクを用いて、
Ｙ−連結導波路メサ及び能動導波路メサをエッチした。 受動Ｙ−連結導波路２００は能動層１３０、３３０及び
キャップ層１５０、３５０を除いて、能動部分すなわち
光増幅器１００及び光検出器３００と類似であることに
注意する必要がある。典型的な場合、能動導波路メサの
全高は１．５−２μｍで、Ｙ−連結メサの高さは１μｍ
より小さい。次に、半絶縁性阻止ＩｎＰ領域１２０を形
成するため、ＭＯＣＶＤ再成長を行う。能動導波路は半
絶縁性ＩｎＰ領域１２０で完全に平坦化され、一方受動
Ｙ−分岐はそれにより被覆される。ＳｉＯ２マスクを除
去し、光増幅器１００及び光検出器３００の能動領域１
３０及び３３０上に、ＭＯＣＶＤによりキャップ層１５
０、３５０を成長させる。キャップ層１５０、３５０は
１．５μｍｐ−ＩｎＰ層とそれに続く０．５μｍｐ＋Ｉ
ｎＧａＡｓ層から成る。
【００２３】図４ないし図８に示されるように、Ｙ−連
結導波路の各種位置に沿った実効屈折率分布を得るため
には、プロセス工程は従来のフォトリソグラフ工程とは
異なる。側部分岐導波路２６０及び直線分岐導波路２４
０間の受動ＩｎＧａＡｓＰは、上で述べたように、導波
路メサ２４０及び２６０を規定する時、浅いエッチング
により、部分的にのみ除かれる。二酸化シリコンマスク
とフォトレジストにより被覆された浅くエッチされたＹ
−連結領域によって規定された側部及び直線分岐導波路
を用いて、第２の深いエッチングを行い、受動ＩｎＧａ
ＡｓＰ導波路メサを生成させる。２つの分岐間に残った
浅くエッチングされたＩｎＧａＡｓＰ層の厚さは０．２
μｍで、Ｙ−連結先端２１０から１００μｍの長さに渡
り、ゼロまで傾斜する。ＩｎＧａＡｓＰ層上に半絶縁性
ＩｎＰ領域１２０の再成長により、受動導波路が埋込ま
れ、図４ないし８に示された実効屈折率が得られる。し
かし、能動層１３０、３３０は上で述べたように、その
後ｐ−ＩｎＰ及びｐ−ＩｎＧａＡｓ電極層の第３のＭＯ
ＣＶＤ成長により、被覆される。受動導波路及びＹ−連
結領域中のこれらの層は、化学エッチングにより、その
後除去される。上のすべてのエッチング工程は、ＩｎＰ
の場合の２：１のＨＣｌ：Ｈ３ＰＯ４混合液、ＩｎＧａ
ＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓの場合の３：１：１のＨ２ＳＯ
４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ２の混合液のような標準的な選択
エッチング液を用いて行われる。
結導波路の各種位置に沿った実効屈折率分布を得るため
には、プロセス工程は従来のフォトリソグラフ工程とは
異なる。側部分岐導波路２６０及び直線分岐導波路２４
０間の受動ＩｎＧａＡｓＰは、上で述べたように、導波
路メサ２４０及び２６０を規定する時、浅いエッチング
により、部分的にのみ除かれる。二酸化シリコンマスク
とフォトレジストにより被覆された浅くエッチされたＹ
−連結領域によって規定された側部及び直線分岐導波路
を用いて、第２の深いエッチングを行い、受動ＩｎＧａ
ＡｓＰ導波路メサを生成させる。２つの分岐間に残った
浅くエッチングされたＩｎＧａＡｓＰ層の厚さは０．２
μｍで、Ｙ−連結先端２１０から１００μｍの長さに渡
り、ゼロまで傾斜する。ＩｎＧａＡｓＰ層上に半絶縁性
ＩｎＰ領域１２０の再成長により、受動導波路が埋込ま
れ、図４ないし８に示された実効屈折率が得られる。し
かし、能動層１３０、３３０は上で述べたように、その
後ｐ−ＩｎＰ及びｐ−ＩｎＧａＡｓ電極層の第３のＭＯ
ＣＶＤ成長により、被覆される。受動導波路及びＹ−連
結領域中のこれらの層は、化学エッチングにより、その
後除去される。上のすべてのエッチング工程は、ＩｎＰ
の場合の２：１のＨＣｌ：Ｈ３ＰＯ４混合液、ＩｎＧａ
ＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓの場合の３：１：１のＨ２ＳＯ
４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ２の混合液のような標準的な選択
エッチング液を用いて行われる。
【００２４】当業者は光増幅器１００が端面に反射防止
被膜を堆積させることにより形成されることに、容易に
気がつくであろう。しかし、分布帰還を得るために回折
格子を集積化するか、もし十分高い反射率が得られるな
ら、端面からのファブリー−ペロー共振を用いることに
より、光増幅器１００はレーザ中に作ってもよいことが
、更に考えられる。たとえば、ケイ・ワイ・リオウ（Ｋ
． Ｙ．Ｌｉｏｕ）ら、アプライド・フィジックス・レ
ターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．），第５
４巻，第２号，１１４−６頁（１９８９）を参照のこと
。
被膜を堆積させることにより形成されることに、容易に
気がつくであろう。しかし、分布帰還を得るために回折
格子を集積化するか、もし十分高い反射率が得られるな
ら、端面からのファブリー−ペロー共振を用いることに
より、光増幅器１００はレーザ中に作ってもよいことが
、更に考えられる。たとえば、ケイ・ワイ・リオウ（Ｋ
． Ｙ．Ｌｉｏｕ）ら、アプライド・フィジックス・レ
ターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．），第５
４巻，第２号，１１４−６頁（１９８９）を参照のこと
。
【００２５】動作中、光検出器３００の電流は光増幅器
出力パワーの跡を追う。図９は出力パワーを入力パワー
レベル及び偏光の特定の範囲に渡り、自動的に一定に保
つため、集積構造１０につけ加えられた外部帰還回路の
概略を示す。帰還回路５００は光検出器３００からの電
流を、光増幅器１００へのバイアス電流を調整する差動
増幅器５１０における基準値と比較する。図１０には帰
還回路５００により安定化された増幅器出力パワーの記
録された跡が示されている。変化することが許された入
力パワー（＞３０μＷ）と約±２５°回転することが許
された入力偏光に対し、３．５ｍＷの一定出力パワーが
示されていることに注意すべきである。あるいは、集積
Ｙ−連結導波路２００は偏光には依存せず、一方光増幅
器１００は偏光に依存するから、ファイバ偏光制御器５
２０は光検出器３００からの電流を最大にすることによ
って、光利得を最適化するために用いてもよい。すなわ
ち、偏光制御器５２０はピーク光電流が最大増幅利得を
自動的に保つために使えるように、帰還回路５００を通
して電気的に動作させることができる。
出力パワーの跡を追う。図９は出力パワーを入力パワー
レベル及び偏光の特定の範囲に渡り、自動的に一定に保
つため、集積構造１０につけ加えられた外部帰還回路の
概略を示す。帰還回路５００は光検出器３００からの電
流を、光増幅器１００へのバイアス電流を調整する差動
増幅器５１０における基準値と比較する。図１０には帰
還回路５００により安定化された増幅器出力パワーの記
録された跡が示されている。変化することが許された入
力パワー（＞３０μＷ）と約±２５°回転することが許
された入力偏光に対し、３．５ｍＷの一定出力パワーが
示されていることに注意すべきである。あるいは、集積
Ｙ−連結導波路２００は偏光には依存せず、一方光増幅
器１００は偏光に依存するから、ファイバ偏光制御器５
２０は光検出器３００からの電流を最大にすることによ
って、光利得を最適化するために用いてもよい。すなわ
ち、偏光制御器５２０はピーク光電流が最大増幅利得を
自動的に保つために使えるように、帰還回路５００を通
して電気的に動作させることができる。
【００２６】図１の構造の端面を反射防止被覆する前に
、光増幅器１００は２２℃において約８０ｍＡの閾値電
流をもつ合成空胴レーザとして動作する。図１１は集積
構造１０の出力面を反射防止被覆する前及び後における
増幅器バイアス電流の関数として、バイアスされない光
検出器３００により生じる典型的な光電流を示す。両面
を被覆することにより、進行波増幅器が形成される。 光増幅器１００中に１３０ｍＡの電流を注入すると、残
留ファブリー−ペロー共振により、０．９オングストロ
ームのモード間隔をもつ〜０．４ｄＢのリップルを、自
然放射スペクトルが示す。このことは、２つの面から残
留反射のみが起り、より重要なことはＹ−連結において
は無視しうる反射が起ることを、明らかに示している。 能動ＩｎＧａＡｓＰ層１３０中に光放射（１．３μｍ波
長）を注入して、注入電流対光信号利得を、ＴＥ及びＴ
Ｍの両方の場合について測定した。これらの測定はＴＥ
偏光の場合、約２０ｄＢの利得を、ＴＭ偏光の場合には
数ｄＢ低い信号利得を示す。
、光増幅器１００は２２℃において約８０ｍＡの閾値電
流をもつ合成空胴レーザとして動作する。図１１は集積
構造１０の出力面を反射防止被覆する前及び後における
増幅器バイアス電流の関数として、バイアスされない光
検出器３００により生じる典型的な光電流を示す。両面
を被覆することにより、進行波増幅器が形成される。 光増幅器１００中に１３０ｍＡの電流を注入すると、残
留ファブリー−ペロー共振により、０．９オングストロ
ームのモード間隔をもつ〜０．４ｄＢのリップルを、自
然放射スペクトルが示す。このことは、２つの面から残
留反射のみが起り、より重要なことはＹ−連結において
は無視しうる反射が起ることを、明らかに示している。 能動ＩｎＧａＡｓＰ層１３０中に光放射（１．３μｍ波
長）を注入して、注入電流対光信号利得を、ＴＥ及びＴ
Ｍの両方の場合について測定した。これらの測定はＴＥ
偏光の場合、約２０ｄＢの利得を、ＴＭ偏光の場合には
数ｄＢ低い信号利得を示す。
【００２７】上で述べた本発明は光増幅器には限られず
、他のデバイスにも使用できることを理解すべきである
。具体的なデバイスの使用にかかわらず、デバイスの出
力パワーをモニター及び制御できることは重要である。 同じチップ上に光増幅器として検出器を導入するかそれ
と同様のデバイスは、そのような集積デバイスがコンパ
クトであること、信頼性、低価格及び高特性といった集
積化から生じる十分な利点を生み出すため重要であるこ
とは明らかである。
、他のデバイスにも使用できることを理解すべきである
。具体的なデバイスの使用にかかわらず、デバイスの出
力パワーをモニター及び制御できることは重要である。 同じチップ上に光増幅器として検出器を導入するかそれ
と同様のデバイスは、そのような集積デバイスがコンパ
クトであること、信頼性、低価格及び高特性といった集
積化から生じる十分な利点を生み出すため重要であるこ
とは明らかである。
【００２８】光増幅器中に作るべき構造については、デ
バイスの端面は反射防止被覆しなければならないことを
、認識することが重要である。そうでないと、もし構造
の端面が部分的に反射的であるなら、電流注入から生じ
る自然放射は各通路の前後に共振し、レーザ発振を起す
。ファブリー−ペロー共振の結果、残留反射により利得
スペクトルにリップルが生じるから、光増幅器の残留反
射に対する依存性は厳密さを必要とする。現在、従来技
術の光増幅器の端面は、薄膜堆積により反射防止被覆さ
れる。この方法の基本的に不利な点は、最適動作に対す
る被膜の厚さが、外部光検出器では正確にモニターでき
ないことである。
バイスの端面は反射防止被覆しなければならないことを
、認識することが重要である。そうでないと、もし構造
の端面が部分的に反射的であるなら、電流注入から生じ
る自然放射は各通路の前後に共振し、レーザ発振を起す
。ファブリー−ペロー共振の結果、残留反射により利得
スペクトルにリップルが生じるから、光増幅器の残留反
射に対する依存性は厳密さを必要とする。現在、従来技
術の光増幅器の端面は、薄膜堆積により反射防止被覆さ
れる。この方法の基本的に不利な点は、最適動作に対す
る被膜の厚さが、外部光検出器では正確にモニターでき
ないことである。
【００２９】光検出器を光増幅器とモノリシックに集積
化できることにより、その場観察反射防止被覆技術が得
られる。被覆材料は増幅器をバイアスしたまま、露出し
た面上に形成してもよい。操作中、最適反射防止被膜の
厚さは、図１１中に示されたグラフに従い、具体的なバ
イアス電流に対して、モニター用検出器３００からの光
生成電流が、最小になった時決められる。レーザ発振の
ように、もし高反射被覆が必要なら、被覆の厚さは光検
出器３００からの光電流を最大にすることにより、最適
化してもよい。
化できることにより、その場観察反射防止被覆技術が得
られる。被覆材料は増幅器をバイアスしたまま、露出し
た面上に形成してもよい。操作中、最適反射防止被膜の
厚さは、図１１中に示されたグラフに従い、具体的なバ
イアス電流に対して、モニター用検出器３００からの光
生成電流が、最小になった時決められる。レーザ発振の
ように、もし高反射被覆が必要なら、被覆の厚さは光検
出器３００からの光電流を最大にすることにより、最適
化してもよい。
【００３０】図１２には、入力偏光の回転に伴う増幅さ
れた出力パワーの変化が示されている。光電流により、
帰還構成中の偏光器を電気的に制御すると、光電流が最
大になった時、最大増幅器利得を保つために、自動的に
動作する偏光帰還ループが実現される。加えて、図１２
に示されるように、発生した光電流は、入射光放射の極
性に大きく依存する。従って、図１２に対して光電流と
偏光状態の相関をとれば、偏光の程度を測定することが
可能である。すなわち、偏光検出器は図１のデバイスを
使い、生成した光電流を測定することにより実現される
。もちろん、このことは測定した電流は規格化されてい
ると仮定している。
れた出力パワーの変化が示されている。光電流により、
帰還構成中の偏光器を電気的に制御すると、光電流が最
大になった時、最大増幅器利得を保つために、自動的に
動作する偏光帰還ループが実現される。加えて、図１２
に示されるように、発生した光電流は、入射光放射の極
性に大きく依存する。従って、図１２に対して光電流と
偏光状態の相関をとれば、偏光の程度を測定することが
可能である。すなわち、偏光検出器は図１のデバイスを
使い、生成した光電流を測定することにより実現される
。もちろん、このことは測定した電流は規格化されてい
ると仮定している。
【図１】本発明に従う集積化された光増幅器、Ｙ−連結
導波路及び光検出器の透視図である。
導波路及び光検出器の透視図である。
【図２】図１に示された光増幅器、光検出器及びＹ−連
結導波路の縦方向断面図である。
結導波路の縦方向断面図である。
【図３】図１に示されたＹ−連結導波路の上面図である
。
。
【図４，５，６，７及び８】Ｚ−軸に沿った様々な面に
おける図３のＹ−連結導波路の実効屈折率分布（Ｘ−軸
）を示す図である。
おける図３のＹ−連結導波路の実効屈折率分布（Ｘ−軸
）を示す図である。
【図９】光増幅器の光パワーを制御するため、外部帰還
ループと帰還構成にした図１の集積構造の概略ダイヤグ
ラムを示す図である。
ループと帰還構成にした図１の集積構造の概略ダイヤグ
ラムを示す図である。
【図１０】図９に示された帰還構成の安定化された出力
パワー対時間の分布を示す図である。
パワー対時間の分布を示す図である。
【図１１】端面を反射防止被覆する前及び後の図１の集
積化構造の光対電流分布を示す図である。
積化構造の光対電流分布を示す図である。
【図１２】図１の集積化構造の出力パワー対入力偏光分
布を示す図である。
布を示す図である。
１０ 集積構造
１００ 光増幅器、増幅器
１２０ 半絶縁性ＩｎＰ領域
１３０ 能動ＩｎＧａＡｓＰ層、能動層、能動領
域１５０ ｐ伝導形層、キャップ層１６０
ＩｎＰ基板 ２００ Ｙ−連結導波路 ２１０ くさび形先端 ２４０ 直線分岐導波路、直線導波路、受動導波
路層２６０ 側部分岐導波路 ２８０ 連結領域 ２９０ Ｙ−連結領域 ３００ モニター用光検出器、光検出器３３０
能動ＩｎＧａＡｓＰ層、能動層、能動領域３５０
キャップ層 ５００ 帰還回路 ５１０ 差動増幅器 ５２０ ファイバ偏光制御器
域１５０ ｐ伝導形層、キャップ層１６０
ＩｎＰ基板 ２００ Ｙ−連結導波路 ２１０ くさび形先端 ２４０ 直線分岐導波路、直線導波路、受動導波
路層２６０ 側部分岐導波路 ２８０ 連結領域 ２９０ Ｙ−連結領域 ３００ モニター用光検出器、光検出器３３０
能動ＩｎＧａＡｓＰ層、能動層、能動領域３５０
キャップ層 ５００ 帰還回路 ５１０ 差動増幅器 ５２０ ファイバ偏光制御器
Claims (19)
- 【請求項１】 モノリシックに集積化された光検出器
、光増幅器及び分岐導波路を組合わせて有し、前記光検
出器は前記分岐導波路により前記光増幅器に光学的に結
合され、前記分岐導波路は： 第１の導波路； 前記第１の導波路と交差し、光学的に結合され、先の切
れたくさび形先端を有するＹ−連結を形成し、前記Ｙ−
連結は前記第１及び第２の導波路間に配置された連結領
域を有する第２の導波路を含むデバイスにおいて、前記
分岐導波路は、前記連結領域が前記先の切れたくさび形
先端に入射する前記光増幅器からの光放射の後方反射を
減らすための手段を含むことを特徴とするデバイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載のデバイスにおいて、
後方反射を減らすための前記手段は、前記先の切られた
くさび形先端の光学的界面における実効屈折率差を減ら
すように、前記連結領域中に、前記第１の導波路の光伝
搬軸に沿って、実効屈折率が勾配をもつデバイス。 - 【請求項３】 請求項２に記載のデバイスにおいて、
実効屈折率の前記勾配は、前記第１の導波路のコア屈折
率からクラッド屈折率まで変化するデバイス。 - 【請求項４】 請求項３に記載のデバイスにおいて、
実効屈折率の前記勾配は更に、厚さが徐々に変化する第
１の半導体材料及び前記第１の半導体材料上に配置され
た第２の半導体材料を含み、前記第１の半導体材料は前
記第２の半導体材料の屈折率より高い屈折率を有するデ
バイス。 - 【請求項５】 請求項４に記載のデバイスにおいて、
前記光増幅器、分岐導波路及び光検出器はＩｎＰ基板上
に集積化されたデバイス。 - 【請求項６】 請求項５に記載のデバイスにおいて、
前記第１及び第２の導波路は、１．１μｍの波長に対応
する禁制帯エネルギーを有する受動ＩｎＧａＡｓＰを含
むデバイス。 - 【請求項７】 請求項６に記載のデバイスにおいて、
前記光増幅器は更に、１．３μｍの波長に対応する禁制
帯エネルギーを有する能動ＩｎＧａＡｓＰを含むデバイ
ス。 - 【請求項８】 請求項７に記載のデバイスにおいて、
前記第１及び第２の半導体材料は、それぞれＩｎＧａＡ
ｓＰ及びＩｎＰから成るデバイス。 - 【請求項９】 請求項８に記載のデバイスにおいて、
前記ＩｎＰ材料は半絶縁性であるデバイス。 - 【請求項１０】 請求項９に記載のデバイスにおいて
、前記第１の導波路は５°より小さな角度で前記第２の
導波路と交差するデバイス。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載のデバイスにおい
て、前記第１及び第２の導波路は、シングルモード導波
路であるデバイス。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載のデバイスにおい
て、前記第１及び第２の導波路は、前記先の切れたくさ
び形先端から離れた領域において、断熱モードで伝搬さ
せるため、勾配をもつデバイス。 - 【請求項１３】 請求項１に記載のデバイスにおいて
、前記光増幅器の光出力パワーを制御するため、前記光
検出器及び前記光増幅器に連結して結合された帰還手段
を更に含むデバイス。 - 【請求項１４】 モノリシックに集積化された光検出
器、レーザ及び分岐導波路を組合わせて有し、前記光検
出器は前記分岐導波路により前記レーザに光学的に結合
され、前記分岐導波路は： 第１の導波路； 前記第１の導波路と交差し、光学的に結合され、先の切
れたくさび形先端を有するＹ−連結を形成し、前記Ｙ−
連結は前記第１及び第２の導波路間に配置された連結領
域を有する第２の導波路を含むデバイスにおいて、前記
分岐導波路は、前記連結領域が前記先の切れたくさび形
先端に入射する前記レーザからの光放射の後方反射を減
らすための手段を含むことを特徴とするデバイス。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載のデバイスにおい
て、前記レーザの光出力パワーを制御するため、前記光
検出器及び前記レーザに連結して結合された帰還手段を
更に含むデバイス。 - 【請求項１６】 請求項１４に記載のデバイスにおい
て、前記レーザの空胴内の光共振が最大になるよう、前
記レーザの裏面上に堆積させた反射被膜の厚さを制御す
るため、前記光検出器及び前記レーザに連結して結合さ
れた帰還手段を更に含むデバイス。 - 【請求項１７】 請求項１に記載のデバイスにおいて
、前記光増幅器に入射した光放射の偏光を調整するため
の偏光制御器及び前記光増幅器の光出力パワーを制御す
るため、前記光検出器及び前記光増幅器に連結して結合
された帰還手段を更に含むデバイス。 - 【請求項１８】 請求項１に記載のデバイスにおいて
、前記光増幅器に入射した光放射の偏光を調整するため
の偏光制御器及び最大増幅利得を保つため、前記光検出
器及び前記光増幅器に連結して結合された帰還手段を更
に含むデバイス。 - 【請求項１９】 請求項１に記載のデバイスにおいて
、前記端面に付随したファブリー−ペロー共振が最小に
なるように、前記光増幅器の端面上に堆積させる反射防
止被膜の厚さを制御するため、前記光検出器及び前記光
増幅器に連結して結合された帰還手段を更に含むデバイ
ス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US563164 | 1990-08-03 | ||
| US07/563,164 US5134671A (en) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | Monolithic integrated optical amplifier and photodetector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254380A true JPH04254380A (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=24249359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3190423A Pending JPH04254380A (ja) | 1990-08-03 | 1991-07-31 | モノリシック集積光増幅器及び光検出器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5134671A (ja) |
| EP (1) | EP0469793A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04254380A (ja) |
| CA (1) | CA2041706C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0980244A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分岐合流光導波路 |
| JP2013540351A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-31 | アルカテル−ルーセント | 埋め込みヘテロ構造半導体光増幅器および光検出器を備えるモノリシック集積構造 |
| JP6414365B1 (ja) * | 2017-10-03 | 2018-10-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE468267B (sv) * | 1991-04-10 | 1992-11-30 | Ericsson Telefon Ab L M | Terminal foer ett frekvensdelat, optiskt kommunikationssystem |
| US5523879A (en) * | 1991-04-26 | 1996-06-04 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical link amplifier and a wavelength multiplex laser oscillator |
| JPH04372907A (ja) * | 1991-06-21 | 1992-12-25 | Canon Inc | 導波型分岐、結合素子 |
| US5253314A (en) * | 1992-01-31 | 1993-10-12 | At&T Bell Laboratories | Tunable optical waveguide coupler |
| FR2694099B1 (fr) * | 1992-07-21 | 1994-12-09 | Louis Menigaux | Procédé pour former une structure à guide de lumière et miroir intégrés, et structure ainsi réalisée. |
| US5228103A (en) * | 1992-08-17 | 1993-07-13 | University Of Maryland | Monolithically integrated wavelength division multiplexing laser array |
| EP0593237B1 (en) * | 1992-10-13 | 1997-12-29 | Nec Corporation | Optical semiconductor amplifier |
| DE4304993A1 (de) * | 1993-02-18 | 1994-08-25 | Sel Alcatel Ag | Verfahren zur Herstellung eines kaskadierten optischen Raumschalters und nach diesem Verfahren hergestellter kaskadierter optischer Raumschalter |
| SE503905C2 (sv) * | 1994-03-16 | 1996-09-30 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande för framställning av en optokomponent samt optokomponent |
| NL9400993A (nl) * | 1994-06-17 | 1996-02-01 | Nederland Ptt | Polarisatie- en golflengte-onafhankelijk optisch vermogen splitsend circuit. |
| US5457569A (en) * | 1994-06-30 | 1995-10-10 | At&T Ipm Corp. | Semiconductor amplifier or laser having integrated lens |
| US5577138A (en) * | 1995-08-17 | 1996-11-19 | Lucent Technologies Inc. | Integrated-circuit optical network unit |
| US5577139A (en) * | 1995-08-17 | 1996-11-19 | Lucent Technologies Inc. | Integrated-circuit optical network unit |
| US6078707A (en) * | 1995-09-22 | 2000-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Waveguide-photodetector, method for producing the same, waveguide usable in the waveguide-photodetector, and method for producing the same |
| US5812582A (en) * | 1995-10-03 | 1998-09-22 | Methode Electronics, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser feedback system and method |
| JPH09153638A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Nec Corp | 導波路型半導体受光装置およびその製造方法 |
| DE19605794A1 (de) * | 1996-02-16 | 1997-08-21 | Sel Alcatel Ag | Monolithisch integriertes optisches oder optoelektronisches Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren |
| US5863809A (en) * | 1997-03-28 | 1999-01-26 | Lucent Technologies Inc. | Manufacture of planar photonic integrated circuits |
| NL1008206C2 (nl) * | 1998-02-05 | 1999-08-06 | Koninkl Kpn Nv | Optisch circuit voor het verkrijgen van een monitorsignaal voor het bewaken van een optische schakelaar. |
| US6275317B1 (en) | 1998-03-10 | 2001-08-14 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Hybrid integration of a wavelength selectable laser source and optical amplifier/modulator |
| EP1115012B1 (en) * | 2000-01-06 | 2003-03-26 | Corning Incorporated | Waveguide with tap recess for optical monitoring in photonic devices |
| EP1130718A3 (en) * | 2000-01-20 | 2003-07-02 | Cyoptics (Israel) Ltd. | Tunable frequency stabilized fiber grating laser |
| US6417528B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-07-09 | Agere Systems Guardian Corp. | High speed semiconductor photodetector |
| US6453105B1 (en) | 2000-10-04 | 2002-09-17 | Agere Systems Guardian Corp | Optoelectronic device with power monitoring tap |
| US7295783B2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-11-13 | Infinera Corporation | Digital optical network architecture |
| US20030133663A1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-07-17 | Jds Uniphase Corporation | Integrated optical splitter |
| GB2387481B (en) * | 2002-04-10 | 2005-08-31 | Intense Photonics Ltd | Integrated active photonic device and photodetector |
| KR100617693B1 (ko) * | 2003-08-20 | 2006-08-28 | 삼성전자주식회사 | 광검출기를 구비하는 반도체 광증폭 장치 및 그 제조방법 |
| US7272273B2 (en) * | 2005-01-21 | 2007-09-18 | Neophotonics Corporation | Photodetector coupled to a planar waveguide |
| JP4632841B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-02-16 | 富士通株式会社 | 半導体デバイス |
| US7343061B2 (en) * | 2005-11-15 | 2008-03-11 | The Trustees Of Princeton University | Integrated photonic amplifier and detector |
| US7826693B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-11-02 | The Trustees Of Princeton University | Monolithically integrated reconfigurable optical add-drop multiplexer |
| KR20120070836A (ko) * | 2010-12-22 | 2012-07-02 | 한국전자통신연구원 | 다파장 광 발생 장치 |
| JP5742344B2 (ja) | 2011-03-20 | 2015-07-01 | 富士通株式会社 | 受光素子、光受信器及び光受信モジュール |
| KR102351574B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-01-14 | 한국전자통신연구원 | 포토 다이오드 |
| US10718898B1 (en) * | 2019-01-23 | 2020-07-21 | Nexus Photonics Llc | Integrated active devices with improved optical coupling to dielectric waveguides |
| CN114361749B (zh) * | 2022-01-26 | 2022-08-30 | 清华大学 | 一种具有片上集成偏置器的毫米波光电混频器件 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4674827A (en) * | 1982-05-20 | 1987-06-23 | Masayuki Izutsu | Slab-type optical device |
| EP0226868B1 (de) * | 1985-12-10 | 1992-11-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Integriert-optischer Multiplex-Demultiplex-Modul für die optische Nachrichtenübertragung |
| US4846540A (en) * | 1988-01-25 | 1989-07-11 | Bell Communications Research, Inc. | Optical wavegide junction |
| US4878727A (en) * | 1988-06-30 | 1989-11-07 | Battelle Memorial Institute | Multimode channel waveguide optical coupling devices and methods |
-
1990
- 1990-08-03 US US07/563,164 patent/US5134671A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-05-02 CA CA002041706A patent/CA2041706C/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-25 EP EP19910306814 patent/EP0469793A3/en not_active Withdrawn
- 1991-07-31 JP JP3190423A patent/JPH04254380A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0980244A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分岐合流光導波路 |
| JP2013540351A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-31 | アルカテル−ルーセント | 埋め込みヘテロ構造半導体光増幅器および光検出器を備えるモノリシック集積構造 |
| US8995804B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-03-31 | Alcatel Lucent | Monolithic integrated structure comprising a buried heterostructure semiconductor optical amplifier and a photodetector |
| JP6414365B1 (ja) * | 2017-10-03 | 2018-10-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
| WO2019069359A1 (ja) * | 2017-10-03 | 2019-04-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
| CN111164475A (zh) * | 2017-10-03 | 2020-05-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体光集成元件 |
| US11211768B2 (en) | 2017-10-03 | 2021-12-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor optical integrated device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5134671A (en) | 1992-07-28 |
| CA2041706A1 (en) | 1992-02-04 |
| EP0469793A2 (en) | 1992-02-05 |
| CA2041706C (en) | 1998-07-07 |
| EP0469793A3 (en) | 1992-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5134671A (en) | Monolithic integrated optical amplifier and photodetector | |
| EP1297369B1 (en) | Photonic integrated detector having a plurality of asymmetric waveguides | |
| US10680410B2 (en) | External cavity laser | |
| US5127081A (en) | Optical branching waveguide | |
| US5815615A (en) | Integrated optical control element and a method for fabricating the same and optical integrated circuit element and optical integrated circuit device using the same | |
| US8155161B2 (en) | Semiconductor laser | |
| US5103455A (en) | Monolithically integrated semiconductor optical preamplifier | |
| JP4117854B2 (ja) | 導波路型光集積回路素子及びその製造方法 | |
| JP2870632B2 (ja) | 半導体光集積回路およびその製造方法 | |
| JP4634010B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| US5029297A (en) | Optical amplifier-photodetector device | |
| CA2165711C (en) | Semiconductor light source having a spectrally broad, high power optical output | |
| US5396365A (en) | Polarization-independent optical device and method for polarization-independent processing of a signal | |
| JPH0365621A (ja) | レーザー光検出器の組み合せ | |
| US6363093B1 (en) | Method and apparatus for a single-frequency laser | |
| JP2669335B2 (ja) | 半導体光源及びその製造方法 | |
| Oberg et al. | InGaAsP-InP laser amplifier with integrated passive waveguides | |
| EP0468387A2 (en) | Monolithically integrated ridge waveguide semiconductor optical preamplifier | |
| JP2770848B2 (ja) | 半導体レーザと光変調器との集積化光源およびその製造方法 | |
| KR100433298B1 (ko) | 스폿 사이즈 변환기가 집적된 반도체 광 증폭기의 제조 방법 | |
| JP5374196B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| US7286588B2 (en) | Semiconductor laser with grating structure for stabilizing the wavelength of optical radiation | |
| EP1024564A2 (en) | Optical transmission system an optical transmitter | |
| WO1991003760A1 (en) | Optically coupled waveguides | |
| JP2013070105A (ja) | 半導体光素子 |