JPH02168690A - 可視光半導体レーザ装置及び化合物半導体結晶の成長方法 - Google Patents
可視光半導体レーザ装置及び化合物半導体結晶の成長方法Info
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- JPH02168690A JPH02168690A JP6878489A JP6878489A JPH02168690A JP H02168690 A JPH02168690 A JP H02168690A JP 6878489 A JP6878489 A JP 6878489A JP 6878489 A JP6878489 A JP 6878489A JP H02168690 A JPH02168690 A JP H02168690A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はＡｌ２Ｇａ Ｉ ｎＰ （アルミニウムーガリ
ウム−インジウム・燐）を主成分とする可視光半導体レ
ーザ装置に関する。
ウム−インジウム・燐）を主成分とする可視光半導体レ
ーザ装置に関する。
また本発明は、化合物半導体、特にＧａＩｎＰ結晶ある
いはＡＱＧａ Ｉ ｎＰ結晶を成長させる方法に関する
。
いはＡＱＧａ Ｉ ｎＰ結晶を成長させる方法に関する
。
（ロ）従来の技術
ＭＯＣＶＤ法〈有機金属化学気相成長法〉は、Ｇ ａ
ｒ ｎ Ｐ結晶成長のための一つの有効な方法である。
ｒ ｎ Ｐ結晶成長のための一つの有効な方法である。
しかし、この方法により成長したＧａＩｎＰ結晶には、
しばしば多くの結晶欠陥が１！５１察される。例えば、
（１００１面を表面とするＧ ａ Ａ ｓ （ガリウム
・砒素）基板上に、ＧａＩｎＰ結晶をＭＯＣＶＤ法によ
り成長させると、成長表面に、断面が楕円球状の隆起（
ヒロック）からなる結晶欠陥が１ｃｍ２当り６，０００
個程度発生ずる。
しばしば多くの結晶欠陥が１！５１察される。例えば、
（１００１面を表面とするＧ ａ Ａ ｓ （ガリウム
・砒素）基板上に、ＧａＩｎＰ結晶をＭＯＣＶＤ法によ
り成長させると、成長表面に、断面が楕円球状の隆起（
ヒロック）からなる結晶欠陥が１ｃｍ２当り６，０００
個程度発生ずる。
先行技術としてのＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ Ｇｒｏｗｔｈｌ ７ （１９７２１、１８９−２０
６には、ＣＶＤ法によりＧ ａ Ａ ｓ基板上にＧａＡ
ｓを成長させる際に、基板として、その面方位をｆｌｏ
ｏ＞面から［＋１０］方向に２°〜５゛傾けたものを用
いることにより、成長結晶表面における、不所望なビラ
ミ・ノド状ヒロックの発生を大きく減少し得ることが記
載されている。
ｌ Ｇｒｏｗｔｈｌ ７ （１９７２１、１８９−２０
６には、ＣＶＤ法によりＧ ａ Ａ ｓ基板上にＧａＡ
ｓを成長させる際に、基板として、その面方位をｆｌｏ
ｏ＞面から［＋１０］方向に２°〜５゛傾けたものを用
いることにより、成長結晶表面における、不所望なビラ
ミ・ノド状ヒロックの発生を大きく減少し得ることが記
載されている。
また、ＪｏＩＩｒｎａｌ ｏｆ （、ｒｙｓｔａｌ Ｇ
ｒｏｗｔｈ、 ６８ （１９８４）、４８３−４８９４
．：は、ＭＯＣＶＤ法を用イテ製造したＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザ装置が記載されている。第１１図にその
構造を示す。
ｒｏｗｔｈ、 ６８ （１９８４）、４８３−４８９４
．：は、ＭＯＣＶＤ法を用イテ製造したＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザ装置が記載されている。第１１図にその
構造を示す。
図において、（２１）はｎ型ＧａＡｓからなる基板で、
その−主面（２１ａ）には（１００）面から（１１０１
方向に２°傾斜した面が用いられている。
その−主面（２１ａ）には（１００）面から（１１０１
方向に２°傾斜した面が用いられている。
（２２）は基板（２１）の−主面（２１ａ）上に０．７
μｍ厚みで積層されたｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層
５（２３）は該バッファ層（２２）上に１．４μｍ厚み
で積層されたｎ型（Ａｇ３．３Ｇ ａｏ、７） ０．４
Ｉ ｎ。、Ｐからなるｎ型クラッド層、（２４）は該ｎ
型クラ・ノド層（２３）上に０，２３μｍＬｉ−みで積
層されたアンドープＧａｏ、５ｌｎｏ、ｓＰからなる活
性層、（２５）は該活性層（２４）上に１．４μｍ厚み
で積層されたｐ型（Ａ１２ｏ、３Ｇａｏ７） ｏ、ｓＩ
ｎｏ、ｑＰ からなるｐ型りラ・ノド層、（２６）
は該ｐ型りラッドＭ＋２５ｊ上に１゜０μｍ厚みで積層
されたｐ型Ｇ ａ Ａ Ｓからなるキャップ層である。
μｍ厚みで積層されたｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層
５（２３）は該バッファ層（２２）上に１．４μｍ厚み
で積層されたｎ型（Ａｇ３．３Ｇ ａｏ、７） ０．４
Ｉ ｎ。、Ｐからなるｎ型クラッド層、（２４）は該ｎ
型クラ・ノド層（２３）上に０，２３μｍＬｉ−みで積
層されたアンドープＧａｏ、５ｌｎｏ、ｓＰからなる活
性層、（２５）は該活性層（２４）上に１．４μｍ厚み
で積層されたｐ型（Ａ１２ｏ、３Ｇａｏ７） ｏ、ｓＩ
ｎｏ、ｑＰ からなるｐ型りラ・ノド層、（２６）
は該ｐ型りラッドＭ＋２５ｊ上に１゜０μｍ厚みで積層
されたｐ型Ｇ ａ Ａ Ｓからなるキャップ層である。
（２７）は上記キャップ層（２６）上に積層されたＳｉ
Ｏ□からなるブロック層で、キャップ層（２６）に達す
る幅２０〜２３μｍのストライプ講（２８）を有する。
Ｏ□からなるブロック層で、キャップ層（２６）に達す
る幅２０〜２３μｍのストライプ講（２８）を有する。
＋２９１は露出したキャップ＃ （２６）上及びブロ
ックＭ （２７＋上に、Ｚｎ膜、Ａ ｕ膜がこの順に被
着されたＡ ｕ ／ Ｚ ｎ電極からなるｐ型電極、（
３０）は上記基板（２１）の他主面＋２１ｂ＋上に、Ｎ
ｉ ｆＰＡ、Ｇ ｃ膜、Ａｕ膜がこの順に被着された
Ａ ｕ 、／’ Ｇ ｃ ／ Ｎｉ電極からなるｎ型電
極である。
ックＭ （２７＋上に、Ｚｎ膜、Ａ ｕ膜がこの順に被
着されたＡ ｕ ／ Ｚ ｎ電極からなるｐ型電極、（
３０）は上記基板（２１）の他主面＋２１ｂ＋上に、Ｎ
ｉ ｆＰＡ、Ｇ ｃ膜、Ａｕ膜がこの順に被着された
Ａ ｕ 、／’ Ｇ ｃ ／ Ｎｉ電極からなるｎ型電
極である。
（ハ）発明が解決しようとする課題
斯るＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗ
ｔｈ、６８ （１９８４）４８３−４８９に記載された
従来装置では、製造された各装置毎の発振しきい値電流
のばらつきが大きく、製造歩留りが悪いといった問題が
あった。
ｔｈ、６８ （１９８４）４８３−４８９に記載された
従来装置では、製造された各装置毎の発振しきい値電流
のばらつきが大きく、製造歩留りが悪いといった問題が
あった。
そこで本発明者らは斯る従来装置において各半導体を積
層した後、最上部のキャップ層表面を調べたところ、結
晶欠陥（ヒロック）が多く観察された。
層した後、最上部のキャップ層表面を調べたところ、結
晶欠陥（ヒロック）が多く観察された。
即ち、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏ
ｖｔｈｌ ７ （１９７２１，１８９−２０６に記載さ
れているＧａＡｓ基板の成長面として（＋００＞面から
［１１０］方向に２゛〜５゜傾斜面を用いることは、Ｃ
ＶＤ法によるＧａＡｓ結晶の成長において有効であり、
Ｍ ＯＣＶ Ｄ法によるＡＲＧａ Ｉ ｎＰ系半導体結
晶の成長にとっては有効ではない。
ｖｔｈｌ ７ （１９７２１，１８９−２０６に記載さ
れているＧａＡｓ基板の成長面として（＋００＞面から
［１１０］方向に２゛〜５゜傾斜面を用いることは、Ｃ
ＶＤ法によるＧａＡｓ結晶の成長において有効であり、
Ｍ ＯＣＶ Ｄ法によるＡＲＧａ Ｉ ｎＰ系半導体結
晶の成長にとっては有効ではない。
したがって、本発明はＭＯＣＶＤ法を用いて、Ｇ ａ
Ａ ｓ基板上に結晶欠陥の少ないＡＱＧａ Ｉ ｎＰ系
半導体結晶を成長させる方法を提供すると共に、製造さ
れる装置毎の発振しきい値電流のばらつきが小さく、製
造歩留りの良いＡＱＧａ Ｉ ｎＰ系半導体レーザ装置
を提供するものである。
Ａ ｓ基板上に結晶欠陥の少ないＡＱＧａ Ｉ ｎＰ系
半導体結晶を成長させる方法を提供すると共に、製造さ
れる装置毎の発振しきい値電流のばらつきが小さく、製
造歩留りの良いＡＱＧａ Ｉ ｎＰ系半導体レーザ装置
を提供するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明装置は、ＧａＡｓ基板と、該Ｇ ａ Ａ ｓ基板
の一主面上に積層されたＧ ａ Ｉ ｎ Ｐバッファ層
と、該Ｇａ１ｎＰバッファ層上に積層された活性層を含
むＡ６Ｇａ ｒ ｎＰ系半導体層と、を備えた可視光半
導体レーザ装置であって、上記課題を解決するため、上
記ＧａＡｓ基板の一主面に＋１００＋面から［θ１１１
方向に５°以上傾斜した面を用いることを特徴とする。
の一主面上に積層されたＧ ａ Ｉ ｎ Ｐバッファ層
と、該Ｇａ１ｎＰバッファ層上に積層された活性層を含
むＡ６Ｇａ ｒ ｎＰ系半導体層と、を備えた可視光半
導体レーザ装置であって、上記課題を解決するため、上
記ＧａＡｓ基板の一主面に＋１００＋面から［θ１１１
方向に５°以上傾斜した面を用いることを特徴とする。
また、本発明は方法における特徴は、ＭＯＣＶＤ法にお
けるＧａ１ｎＰ結晶あるいはＡρＧ ａ ＩｎＰ結晶成
長用のＧａＡｓ基板として、その面方位を（１００１面
から［０１１Ｊ方向に５°以上傾けたものを用いること
を特徴とする。
けるＧａ１ｎＰ結晶あるいはＡρＧ ａ ＩｎＰ結晶成
長用のＧａＡｓ基板として、その面方位を（１００１面
から［０１１Ｊ方向に５°以上傾けたものを用いること
を特徴とする。
（ホ）作用
本発明方法によれば、ＧａＡｓ１Ｅ板上に成長したＩ
ｎＧａＰ結晶のヒロックは、ｌ ｃｍ ２ 当り１００
個程度に激減する。この理由は、特定方位に傾いた基板
結晶面の作用により、ＭＯＣＶＤ法の成長初期において
、ヒロックの原因となるＧ ａのドロップレットの発生
が大幅に低減するためと考えられる。
ｎＧａＰ結晶のヒロックは、ｌ ｃｍ ２ 当り１００
個程度に激減する。この理由は、特定方位に傾いた基板
結晶面の作用により、ＭＯＣＶＤ法の成長初期において
、ヒロックの原因となるＧ ａのドロップレットの発生
が大幅に低減するためと考えられる。
本発明方法は、Ａρを小量含むＩ ｎＧａＡρＰＧａ１
ｎＰ結晶適用され得る。
ｎＰ結晶適用され得る。
また本発明装置によれば、ＧａＡｓ基板上に積層される
Ｇａ１ｎＰからなるバッファ層は上述の如く、結晶欠陥
（ヒロック〉の少ない良質なものとなる。通常エピタキ
シャル成長における成長層の結晶性は下層の結晶性に大
きく影響される。したがって本発明装置においてバッフ
ァ層上に積層されるＡｐＧａｒｎＰ系の各半導体層は結
晶性良く形成される。
Ｇａ１ｎＰからなるバッファ層は上述の如く、結晶欠陥
（ヒロック〉の少ない良質なものとなる。通常エピタキ
シャル成長における成長層の結晶性は下層の結晶性に大
きく影響される。したがって本発明装置においてバッフ
ァ層上に積層されるＡｐＧａｒｎＰ系の各半導体層は結
晶性良く形成される。
（へ） 実施例
第１図に本発明の方法を実施するための装置のブロック
図を示す。この装置自体は周知であり、器 Ｇ ａ Ａ ｓ基板（１）は、反応界−：（２ｊ内にお
いて、サセプタ（３）上に固定される。サセプタ（３）
は成長時に８〜１０ｒｐｍの速度で回転駆動される。流
水路（４）が容器（２）の外壁に密着して容器（２）を
冷却し、一方、容器（２）を収り巻＜ＲＦコイル（５）
がサセプタ（３）の加熱を可能にする。容器（２）の排
気は、フィルタ（６）を介してロータリポンプ（７）の
作用で行われる。容器（２）に導入される反応ガス発生
は、ＴＭＧａ（ｈリメチルガリウム）液槽（８）やＴＭ
Ｉｎ（トリメチルインジウム）液１ｆ９＞に、夫々定流
量器（１０）を通じてＨ２（水素ガス）を流し込み、バ
ブリングすることにより達成される。その他の反応ガス
やキャリアガスとしてＰＨ，（フォスフイン）やＨ２が
夫々定流量器（１０）を通じて反応容器（２）に適宜導
入される。
図を示す。この装置自体は周知であり、器 Ｇ ａ Ａ ｓ基板（１）は、反応界−：（２ｊ内にお
いて、サセプタ（３）上に固定される。サセプタ（３）
は成長時に８〜１０ｒｐｍの速度で回転駆動される。流
水路（４）が容器（２）の外壁に密着して容器（２）を
冷却し、一方、容器（２）を収り巻＜ＲＦコイル（５）
がサセプタ（３）の加熱を可能にする。容器（２）の排
気は、フィルタ（６）を介してロータリポンプ（７）の
作用で行われる。容器（２）に導入される反応ガス発生
は、ＴＭＧａ（ｈリメチルガリウム）液槽（８）やＴＭ
Ｉｎ（トリメチルインジウム）液１ｆ９＞に、夫々定流
量器（１０）を通じてＨ２（水素ガス）を流し込み、バ
ブリングすることにより達成される。その他の反応ガス
やキャリアガスとしてＰＨ，（フォスフイン）やＨ２が
夫々定流量器（１０）を通じて反応容器（２）に適宜導
入される。
断る装置において、基板（１）の温度を６４０℃に保持
し、Ｐ Ｈ３ガス／（ＴＭＧａガス＋ＴＭＩｎガス）−
５００の流量比で各ガス容器（２）内に導入すると共に
、容器内圧力を７０Ｔｏｒｒに維持して減圧ＭＯＣＶＤ
法により、約１．２μの厚さのＩｎＧａＰ結晶成長を行
った。尚、成員開始前の基板加熱時に、周知の如く、ア
ルシンガスを流し４基板からのＡうの散逸を防止するの
が良い。
し、Ｐ Ｈ３ガス／（ＴＭＧａガス＋ＴＭＩｎガス）−
５００の流量比で各ガス容器（２）内に導入すると共に
、容器内圧力を７０Ｔｏｒｒに維持して減圧ＭＯＣＶＤ
法により、約１．２μの厚さのＩｎＧａＰ結晶成長を行
った。尚、成員開始前の基板加熱時に、周知の如く、ア
ルシンガスを流し４基板からのＡうの散逸を防止するの
が良い。
上記成長に際し、基板面方位を各種選択した場合の、成
長結晶に対する結晶欠陥（ヒロック）密度（ＩＣ２当り
のヒロック数）の測定結果、並びにアルゴンレーザ（波
長約５１４５人）励起によるフォトルミネッセンス測定
結果を下表に示す。
長結晶に対する結晶欠陥（ヒロック）密度（ＩＣ２当り
のヒロック数）の測定結果、並びにアルゴンレーザ（波
長約５１４５人）励起によるフォトルミネッセンス測定
結果を下表に示す。
この測定結果より、本実施例によれば、欠陥が非常に少
なく、結晶性の良好なＩｎＧａＰ結晶を得られることが
判る。
なく、結晶性の良好なＩｎＧａＰ結晶を得られることが
判る。
本実施例において、成長条件は適宜変更でき、例えば成
長温度は６２０°Ｃ〜６７０℃の範囲で適当である。し
かし、基板面方位の（１００）面から［０１１）方向へ
の傾斜角は５°以上、好ましくは５°〜７°の範囲に設
定されねばならず、さもなければ、結晶欠陥密度の減少
に対する十分な効果を得られない。
長温度は６２０°Ｃ〜６７０℃の範囲で適当である。し
かし、基板面方位の（１００）面から［０１１）方向へ
の傾斜角は５°以上、好ましくは５°〜７°の範囲に設
定されねばならず、さもなければ、結晶欠陥密度の減少
に対する十分な効果を得られない。
本発明方法は、ＩｎＧａｐ結晶の成員のみならず、ＡＲ
を少量含むＩｎＧａＡρＰ結晶の成長にも有効に適用さ
れ得る。
を少量含むＩｎＧａＡρＰ結晶の成長にも有効に適用さ
れ得る。
本発明方法によって、良質のＩ ｎ Ｇ ａ Ｐ結晶あ
るいはＩｎＧａＡＪＰ結晶を作成できるため、斯る結晶
を用いたダブルへテロ接合レーザダイオドを実現できる
。第２図にその一実施例を示す。
るいはＩｎＧａＡＪＰ結晶を作成できるため、斯る結晶
を用いたダブルへテロ接合レーザダイオドを実現できる
。第２図にその一実施例を示す。
図において、（１１）はキャリア濃度±−２Ｘ１０１１
ｊ ｃｍ −Ｊのｎ型ＧａＡｓからなる基板で、その−
主面（Ｉｌａ）を研摩により（＋００）面から［０１１
］方向に５゛以−ヒ、例えば５゛傾斜したものである。
ｊ ｃｍ −Ｊのｎ型ＧａＡｓからなる基板で、その−
主面（Ｉｌａ）を研摩により（＋００）面から［０１１
］方向に５゛以−ヒ、例えば５゛傾斜したものである。
（１２）はバッファ層、（１３）はｎ型クラッド層、（
１４）は活性層、（１５）はｐ型クラッド層、（１６）
はキャップ層で、これらの層は成長温度６２０〜６７０
℃例えば６７０℃１反応室内圧カフ０Ｔｏｒｒの減圧Ｍ
ＯＣＶＤ法を用いて、基板ｍ）の−主面（ｌｌａ）上に
順次積層される。下表にこれらの層の他の形成条件を示
す。
１４）は活性層、（１５）はｐ型クラッド層、（１６）
はキャップ層で、これらの層は成長温度６２０〜６７０
℃例えば６７０℃１反応室内圧カフ０Ｔｏｒｒの減圧Ｍ
ＯＣＶＤ法を用いて、基板ｍ）の−主面（ｌｌａ）上に
順次積層される。下表にこれらの層の他の形成条件を示
す。
（１７）はキャップ層（１６）上にスパッタ法を用いて
Ｍ層されたＳｉＯｘからなるブロック層で、キャップ層
（１６）に達する幅６μｍのストライプ渭（１８）がエ
ツチング形成されている。
Ｍ層されたＳｉＯｘからなるブロック層で、キャップ層
（１６）に達する幅６μｍのストライプ渭（１８）がエ
ツチング形成されている。
（１９）は露出したキャップ層（１６）上及びブロック
層（１７）上にＣｒ１ｉ、ＡｕＦＭがこの順に真空蒸着
されたＡ ｕ ／ Ｃｒ電極からなるｎ型電極、（２Ｑ
）は基板（１１）の他主面＋１ｌｂ）上にＣｒＭ、 Ｓ
ｎＪＩ５ｔ、 Ａ ｕ膜がこの順に真空蒸着されたＡ
ｕ ／ Ｓ ｎ ／ （： ｒ電極からなるｎ型電極
である。これらの電極は４゜ＯｏＣの熱処理によって、
キャップ層（１６）あるいは基板（１１）とオーミック
接触する。
層（１７）上にＣｒ１ｉ、ＡｕＦＭがこの順に真空蒸着
されたＡ ｕ ／ Ｃｒ電極からなるｎ型電極、（２Ｑ
）は基板（１１）の他主面＋１ｌｂ）上にＣｒＭ、 Ｓ
ｎＪＩ５ｔ、 Ａ ｕ膜がこの順に真空蒸着されたＡ
ｕ ／ Ｓ ｎ ／ （： ｒ電極からなるｎ型電極
である。これらの電極は４゜ＯｏＣの熱処理によって、
キャップ層（１６）あるいは基板（１１）とオーミック
接触する。
また、装置の動作電圧の増加を抑える目的で、ｐ型クラ
ッド層（１５）とキャップ層（１６）の間にＣ＋ ａｏ
、５ｌｎｏ、ｓＰからなる周知の中間層を設けてらよい
。
ッド層（１５）とキャップ層（１６）の間にＣ＋ ａｏ
、５ｌｎｏ、ｓＰからなる周知の中間層を設けてらよい
。
以上の構造を有する本実施例装置を２５個作製し、室温
、パルス駆動で動作させた時の発振しきい値電流を測定
した。その結果を第３図（ａｌに示す、また比較例とし
て、基板（１１）の−主面（Ｉ Ｉａ）を（１０Ｇ）面
から［１１０１方向に２゛傾斜した面とし、バッファ層
（１２）をＧａＡｓとし、他は本実施例装置と同じ構造
の比較装置を２５個作製し、同様な測定を行った。その
結果を第３図（ｂ）に示す。
、パルス駆動で動作させた時の発振しきい値電流を測定
した。その結果を第３図（ａｌに示す、また比較例とし
て、基板（１１）の−主面（Ｉ Ｉａ）を（１０Ｇ）面
から［１１０１方向に２゛傾斜した面とし、バッファ層
（１２）をＧａＡｓとし、他は本実施例装置と同じ構造
の比較装置を２５個作製し、同様な測定を行った。その
結果を第３図（ｂ）に示す。
第３図（ａｌ及び（ｂ）から、本実施例装置では、比較
装置に比べて、発振しきい値電流のばらつきが少ないこ
とがわかる。また５本実施例装置と比較装置でＭＯＣＶ
Ｄ法による各半導体層の形成の後、各キャップ層表面を
ａ京したところ、比較装置で１００ＣＩ−１００００ｆ
［！！Ｉ／ｃｎ”発生していたヒロックが本実施例装置
では１００個／ｃＩ１１２以下であった。これより本実
施例装置の発振しきい値？ｌｆ流にばらつきが少ないの
は、このヒロックが少なくなったこと、即ち形成される
半導体層の結晶性が向上したことによるものと考えられ
る。
装置に比べて、発振しきい値電流のばらつきが少ないこ
とがわかる。また５本実施例装置と比較装置でＭＯＣＶ
Ｄ法による各半導体層の形成の後、各キャップ層表面を
ａ京したところ、比較装置で１００ＣＩ−１００００ｆ
［！！Ｉ／ｃｎ”発生していたヒロックが本実施例装置
では１００個／ｃＩ１１２以下であった。これより本実
施例装置の発振しきい値？ｌｆ流にばらつきが少ないの
は、このヒロックが少なくなったこと、即ち形成される
半導体層の結晶性が向上したことによるものと考えられ
る。
本実施例装置では基板（１１）の−主面（ｌｌａ）に。
（１００）面から［０１１１方向に５゛傾斜した面を用
いたが、斯る傾斜角は５°以上であればよく、好Ｊしく
は５〜７゛である。即ち、傾斜角が５°以下では形成さ
れる半導体層の結晶性の向上に十分な効果が得られず、
７°以上では傾斜面の形成に時間がかかり、製造上実用
的でないからである。
いたが、斯る傾斜角は５°以上であればよく、好Ｊしく
は５〜７゛である。即ち、傾斜角が５°以下では形成さ
れる半導体層の結晶性の向上に十分な効果が得られず、
７°以上では傾斜面の形成に時間がかかり、製造上実用
的でないからである。
また、本発明はブロック層にＳｉＯ□を用いるオキサイ
ドストライプ型のレーザに限らず、各種構造の半導体レ
ーザ装置に適用できることは勿論である。
ドストライプ型のレーザに限らず、各種構造の半導体レ
ーザ装置に適用できることは勿論である。
（ト）発明の効果
本発明によれば、ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＰ結晶結晶
をＭＯＣＶＤ法により成長させる方法において、結晶欠
陥の非電に少ない、結晶性に優れた結晶成長を行うこと
ができる。
をＭＯＣＶＤ法により成長させる方法において、結晶欠
陥の非電に少ない、結晶性に優れた結晶成長を行うこと
ができる。
また、これを利用して、ＧａＡｓ基板の上に先ずＧａ
Ｉ ｎＰからなるバッファ層を形成し、この上にＡ Ｑ
Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ系からなる各半導体層を形成する
ことによって、各半導体層の結晶性が向上する。したが
って本発明により製造されたＡ （！ ＧａＩｎＰ系半
導体レーザ装置では、発振しきい値電流のばらつきが小
さくなり、装置の製造歩留りが向上する。
Ｉ ｎＰからなるバッファ層を形成し、この上にＡ Ｑ
Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ系からなる各半導体層を形成する
ことによって、各半導体層の結晶性が向上する。したが
って本発明により製造されたＡ （！ ＧａＩｎＰ系半
導体レーザ装置では、発振しきい値電流のばらつきが小
さくなり、装置の製造歩留りが向上する。
第１図は本発明の方法を実施するための装置のブロック
図、第２図は本発明装置の一実施例を示す断面図、第３
図（ａ）及び同図（ｂｌは本発明の実施例装置及び比較
装置の発振しきい値電流を夫々測定した特性図、 第４図は従来装置を示す断面図 である。 第１図
図、第２図は本発明装置の一実施例を示す断面図、第３
図（ａ）及び同図（ｂｌは本発明の実施例装置及び比較
装置の発振しきい値電流を夫々測定した特性図、 第４図は従来装置を示す断面図 である。 第１図
Claims (2)
- （１）ＧａＡｓ基板と、該ＧａＡｓ基板の一主面上に積
層されたＧａＩｎＰバッファ屑と、該ＧａＩｎＰバッフ
ァ層上に積層された活性層を含むＡｌＧａＩｎＰ系半導
体層と、を備え、上記ＧａＡｓ基板の一主面に（１００
）面から［０１１］方向に５°以上傾斜した面を用いる
ことを特徴とする可視光半導体レーザ装置。 - （２）ＭＯＣＶＤ法によりＧａＡｓ基板上にＧａＩｎＰ
結晶あるいはＡｌＧａＩｎＰ結晶を成長させる際に、前
記基板として、その面方位を（１００）面から［０１１
］方向に、５°以上傾けたものを用いることを特徴とす
る化合物半導体結晶の成長方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068784A JPH0682887B2 (ja) | 1988-09-29 | 1989-03-20 | 可視光半導体レーザ装置及び化合物半導体結晶の成長方法 |
| US07/412,786 US5016252A (en) | 1988-09-29 | 1989-09-26 | Semiconductor laser device |
| US07/664,866 US5146466A (en) | 1988-09-29 | 1991-04-11 | Semiconductor laser device |
| US07/896,386 US5264389A (en) | 1988-09-29 | 1992-06-10 | Method of manufacturing a semiconductor laser device |
| US08/134,293 US5411915A (en) | 1988-09-29 | 1993-10-08 | Method of manufacturing a single crystal layers |
| US08/372,147 US5619519A (en) | 1988-09-29 | 1995-01-13 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24514888 | 1988-09-29 | ||
| JP63-245148 | 1988-09-29 | ||
| JP1068784A JPH0682887B2 (ja) | 1988-09-29 | 1989-03-20 | 可視光半導体レーザ装置及び化合物半導体結晶の成長方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6057149A Division JP2804714B2 (ja) | 1988-09-29 | 1994-03-28 | 可視光半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168690A true JPH02168690A (ja) | 1990-06-28 |
| JPH0682887B2 JPH0682887B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=26409972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068784A Expired - Fee Related JPH0682887B2 (ja) | 1988-09-29 | 1989-03-20 | 可視光半導体レーザ装置及び化合物半導体結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682887B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518159B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63178574A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1068784A patent/JPH0682887B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63178574A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518159B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682887B2 (ja) | 1994-10-19 |
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Legal Events
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