JPH0216771A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0216771A JPH0216771A JP16752788A JP16752788A JPH0216771A JP H0216771 A JPH0216771 A JP H0216771A JP 16752788 A JP16752788 A JP 16752788A JP 16752788 A JP16752788 A JP 16752788A JP H0216771 A JPH0216771 A JP H0216771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- epitaxial layer
- semiconductor device
- schottky
- buried layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特にビームリード型ショ
ットキーダイオードチップを含む半導体装置に関する。
ットキーダイオードチップを含む半導体装置に関する。
従来、ビームリード型ショットキーダイオードチップは
、所定のショットバリアを形成する高抵抗のエピタキシ
ャル層上にアノードとカソードを横方向に配置する構造
となっていた。
、所定のショットバリアを形成する高抵抗のエピタキシ
ャル層上にアノードとカソードを横方向に配置する構造
となっていた。
従来、ビームリード型ショットキーダイオードチップは
、所定の要求特性から、エピタキシャル層の厚さが０．
５〜１．Ｏｔｔｍ程度必要になるため、上述した従来の
構造では、アノードとカソード間隔が少なくとも２〜３
μｍ程度必要であり、チップの実質的な厚さが厚くなり
、このため実効的な電流パスが長くなり抵抗値の低減が
難かしいという欠点があった。
、所定の要求特性から、エピタキシャル層の厚さが０．
５〜１．Ｏｔｔｍ程度必要になるため、上述した従来の
構造では、アノードとカソード間隔が少なくとも２〜３
μｍ程度必要であり、チップの実質的な厚さが厚くなり
、このため実効的な電流パスが長くなり抵抗値の低減が
難かしいという欠点があった。
本発明の目的は、実効的な電流パスを短くし、素子部の
抵抗値を低減することが可能な半導体装置を提供するこ
とにある。
抵抗値を低減することが可能な半導体装置を提供するこ
とにある。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に設けられた埋込
層と、前記埋込層上の所定の領域に設けられたエピタキ
シャル層と、前記エビタキシャル層上に設けられたショ
ットキー電極と、前記埋込層上に前記ショットキー電極
とほぼ同一平面上に設けられたオーミック電極とを含ん
で構成される。
層と、前記埋込層上の所定の領域に設けられたエピタキ
シャル層と、前記エビタキシャル層上に設けられたショ
ットキー電極と、前記埋込層上に前記ショットキー電極
とほぼ同一平面上に設けられたオーミック電極とを含ん
で構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の半導体装置の第１の実施例を説明する
ための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ線断面図である
。同図に示すように、ＧａＡｓセミインシュレータ基板
６−ヒに高濃度ｎ“埋込層７を形成し、その上に例えば
、約１０１７ａｔｏｍｓ／ｍｌの濃度のエピタキシャル
層８を形成する。更に、ショットキー接合部の周辺を残
してエツチングし、エピタキシャル層を除去した後、パ
ッシベーションとしての５ｉ０２膜５を形成する。次に
、５ｉ０２膜５にオーミック電極４及びショットキー電
極２用の開口部を形成し、メタライズして電極を形成す
ることにより、ショットキー電極とほぼ同一平面上にオ
ーミック電極が設けられた半導体装置を形成することが
できる。
ための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ線断面図である
。同図に示すように、ＧａＡｓセミインシュレータ基板
６−ヒに高濃度ｎ“埋込層７を形成し、その上に例えば
、約１０１７ａｔｏｍｓ／ｍｌの濃度のエピタキシャル
層８を形成する。更に、ショットキー接合部の周辺を残
してエツチングし、エピタキシャル層を除去した後、パ
ッシベーションとしての５ｉ０２膜５を形成する。次に
、５ｉ０２膜５にオーミック電極４及びショットキー電
極２用の開口部を形成し、メタライズして電極を形成す
ることにより、ショットキー電極とほぼ同一平面上にオ
ーミック電極が設けられた半導体装置を形成することが
できる。
第２図は本発明の半導体装置の第２の実施例を説明する
ための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ線断面図である
。同図に示すように、本実施例では、第１の実施例の構
造に、更にビームリード１２下の浮遊容量を低減させる
ため、Ｓｉ○２膜５と、カソードビームリード１及びア
ノードビームリード３との間に低誘導率の絶縁膜１０、
例えば、ポリイミド膜等を形成する。これにより、端子
間の浮遊容量を大幅に低減することが可能になる。
ための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ線断面図である
。同図に示すように、本実施例では、第１の実施例の構
造に、更にビームリード１２下の浮遊容量を低減させる
ため、Ｓｉ○２膜５と、カソードビームリード１及びア
ノードビームリード３との間に低誘導率の絶縁膜１０、
例えば、ポリイミド膜等を形成する。これにより、端子
間の浮遊容量を大幅に低減することが可能になる。
以上説明したように、本発明は、オーミック電極を埋込
層上に、ショットキー電極をエピタキシャル層上に形成
することにより、実効的な電流パスがエピタキシャル層
の縦方向（厚さ０．５〜１μｍ程度）となるため、素子
部の抵抗を低減することが可能となる効果を有する。
層上に、ショットキー電極をエピタキシャル層上に形成
することにより、実効的な電流パスがエピタキシャル層
の縦方向（厚さ０．５〜１μｍ程度）となるため、素子
部の抵抗を低減することが可能となる効果を有する。
第１図は本発明の半導体装置の第１の実施例を説明する
ための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ線断面図、第２
図は本発明の半導体装置の第２の実施例を説明するため
の半導体チップの平面図及びＡ−Ａ線断面図である。 １・・・カソードビームリード、２・・・ショットキー
電極、３・・・アノードビームリード、４・・・オーミ
ック電極、５・・・Ｓ ｉ ０２膜、６・・・セミイン
シュレータＧａＡｓ基板、７・・・埋込ｎ＋層、８・・
・エピタキシャル層、１０・・・絶縁膜。
ための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ線断面図、第２
図は本発明の半導体装置の第２の実施例を説明するため
の半導体チップの平面図及びＡ−Ａ線断面図である。 １・・・カソードビームリード、２・・・ショットキー
電極、３・・・アノードビームリード、４・・・オーミ
ック電極、５・・・Ｓ ｉ ０２膜、６・・・セミイン
シュレータＧａＡｓ基板、７・・・埋込ｎ＋層、８・・
・エピタキシャル層、１０・・・絶縁膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に設けられた埋込層と、前記埋込層上の所
定の領域に設けられたエピタキシャル層と、前記エピタ
キシャル層上に設けられたショットキー電極と、前記埋
込層上にあって前記ショットキー電極とほぼ同一平面上
に設けられたオーミック電極とを含んで形成されること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16752788A JPH0216771A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16752788A JPH0216771A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0216771A true JPH0216771A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15851348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16752788A Pending JPH0216771A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0216771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1599346B2 (de) † | 2003-02-27 | 2018-02-21 | Landqart AG | Mehrschichtlaminat |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP16752788A patent/JPH0216771A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1599346B2 (de) † | 2003-02-27 | 2018-02-21 | Landqart AG | Mehrschichtlaminat |
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