JPH02167239A - 3,7−ジメチルノナノールの製造方法及びその前駆中間体 - Google Patents
3,7−ジメチルノナノールの製造方法及びその前駆中間体Info
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Landscapes
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は3.7−ジメチルノナノールの製造方法及び
その前駆中間体に関し、その目的はコクヌストモドキの
集合フェロモン4.8−ジメチルデカナールの合成中間
体である3、7−ジメチルノナノールを極めて容易にか
つ高収率で合成することができ、しかも出発物質が汎用
的で入手が容易な、従って工程全体として工業的生産方
法に適した3、7−ジメチルノナノールの製造方法及び
その前駆中間体の提供にある。
その前駆中間体に関し、その目的はコクヌストモドキの
集合フェロモン4.8−ジメチルデカナールの合成中間
体である3、7−ジメチルノナノールを極めて容易にか
つ高収率で合成することができ、しかも出発物質が汎用
的で入手が容易な、従って工程全体として工業的生産方
法に適した3、7−ジメチルノナノールの製造方法及び
その前駆中間体の提供にある。
(従来の技術)
近年、米、とうもろこし、麦等の穀物類の過剰供給に伴
い、これらの貯蔵量は増大の一途である。
い、これらの貯蔵量は増大の一途である。
特にわが国においては、米の消費減退の中で作物制限や
他作物への作物転換等の減産対策にしかかわらず米の生
産が十分に抑制されずに、古米更には古々米と呼ばれる
品質の低下した米の過剰在庫が発生している。
他作物への作物転換等の減産対策にしかかわらず米の生
産が十分に抑制されずに、古米更には古々米と呼ばれる
品質の低下した米の過剰在庫が発生している。
これら穀物類を食べる害虫としてはコクヌストモドキ(
TriboLiu* castaneum )が著名で
あり、このコクヌストモドキは鞘翅目ゴミムシダマシ科
に属する小甲虫で全世界に分布する。
TriboLiu* castaneum )が著名で
あり、このコクヌストモドキは鞘翅目ゴミムシダマシ科
に属する小甲虫で全世界に分布する。
これら貯蔵中の穀物類を食べる害虫を駆除する手段とし
て殺虫剤が使用されていたが毒性が強く、特に長期間の
貯蔵が余儀なくされるこれら穀物類においては多量の殺
虫剤が使用され、その残留毒性の問題は深刻である。
て殺虫剤が使用されていたが毒性が強く、特に長期間の
貯蔵が余儀なくされるこれら穀物類においては多量の殺
虫剤が使用され、その残留毒性の問題は深刻である。
殺虫剤に代わる新しい手段としてフェロモンを用いる方
法が注目され、その開発研究が盛んに行われている。
法が注目され、その開発研究が盛んに行われている。
このコクヌストモドキの集合フェロモン4.8−ジメチ
ルデカナールの合成方法としては森らの方法(K、IA
ori et at、Tetrahedron、3jl
、2439(1983))等かあり、3,7−ジメチル
ノナノールより数工程を経て合成するのが一般的である
。
ルデカナールの合成方法としては森らの方法(K、IA
ori et at、Tetrahedron、3jl
、2439(1983))等かあり、3,7−ジメチル
ノナノールより数工程を経て合成するのが一般的である
。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、この3.7−ジメチルノナノールの合或
は困難であり、森らの方法においてもその工程は長くし
かも収率も低く、従って工程全体として工業的生産方法
には適さなかった。
は困難であり、森らの方法においてもその工程は長くし
かも収率も低く、従って工程全体として工業的生産方法
には適さなかった。
以下に森らの方法について説明する。
出発物質であるシトロネル酸(次式9)を還元してシト
ロネロール(次式10)とし、アルコール性水酸基の水
素原子をベンジル基と置換して、シトロネリルベンジル
エーテル(次式11)を得た。
ロネロール(次式10)とし、アルコール性水酸基の水
素原子をベンジル基と置換して、シトロネリルベンジル
エーテル(次式11)を得た。
このシトロネリルベンジルエーテル(式11)をシャー
プレスの製法により7−ヒドロフキー3.フーシメチル
ー5−オクテニルベンジルエーテル(次式12)に変換
した。
プレスの製法により7−ヒドロフキー3.フーシメチル
ー5−オクテニルベンジルエーテル(次式12)に変換
した。
この7−ヒドロフキー3.フーシメチルー5−オクテニ
ルベンジルエーテル(式12)をオゾン分解した後水素
化ホウ素ナトリウムにより還元して3−メチル−1,5
−ベンタンジオールモノベンジルエーテル(次式13)
とし、このアルコール性水酸基の水素原子をトシル基と
置換して、3−メチル−1,5−ベンタンジオールモノ
トシレートモノベンジルエーテル(次式14)とし、更
にこのトシル基をヨウ素に置換して5−ラウド−3−メ
チルペンチルベンジルエーテル(次式15)を得た。
ルベンジルエーテル(式12)をオゾン分解した後水素
化ホウ素ナトリウムにより還元して3−メチル−1,5
−ベンタンジオールモノベンジルエーテル(次式13)
とし、このアルコール性水酸基の水素原子をトシル基と
置換して、3−メチル−1,5−ベンタンジオールモノ
トシレートモノベンジルエーテル(次式14)とし、更
にこのトシル基をヨウ素に置換して5−ラウド−3−メ
チルペンチルベンジルエーテル(次式15)を得た。
一方、7−ヒドロキシ−3,7−シメチルー5−オクテ
ン酸メチル(次式16)をオゾン分解して3−メチル−
4−ホルミル−5−酪酸メチル(次式17)を得、これ
を水酸化カリウムを触媒とするファンミノロン法により
還元して3〜メチルペンタン酸(次式18)この3−メ
チルペンタン酸(式1B)をタングステンランプ照射下
、ヨウ素と酢酸第二鉛により処理してヨウ化−2−メチ
ルブチル(次式19)を得た。
ン酸メチル(次式16)をオゾン分解して3−メチル−
4−ホルミル−5−酪酸メチル(次式17)を得、これ
を水酸化カリウムを触媒とするファンミノロン法により
還元して3〜メチルペンタン酸(次式18)この3−メ
チルペンタン酸(式1B)をタングステンランプ照射下
、ヨウ素と酢酸第二鉛により処理してヨウ化−2−メチ
ルブチル(次式19)を得た。
このヨウ化−2−メチルブチル(式19)をフェニルチ
オナトリウムと反応させて2−メチルブチルフェニルス
ルフィド(次式20)を得た後、酸化して2−メチルブ
チルフェニルスルホン(次式21)を得た。
オナトリウムと反応させて2−メチルブチルフェニルス
ルフィド(次式20)を得た後、酸化して2−メチルブ
チルフェニルスルホン(次式21)を得た。
この2−メチルブチルフェニルスルホン(式21)にn
−ブチルリチウムを反応させた後、前記5−ラウド−3
−メチルペンチルベンジルエーテル(式15)と反応さ
せて3,7−ジメチル−6−ベンゼンスルホニルノニル
ベンジルエーテル(次式22)を得た。
−ブチルリチウムを反応させた後、前記5−ラウド−3
−メチルペンチルベンジルエーテル(式15)と反応さ
せて3,7−ジメチル−6−ベンゼンスルホニルノニル
ベンジルエーテル(次式22)を得た。
最後に、この3.7−ジメチル−6−ベンゼンスルホニ
ルノニルベンジルエーテル(式22)を還元して3.7
−ジメチルノナノール(次式5)を得た。
ルノニルベンジルエーテル(式22)を還元して3.7
−ジメチルノナノール(次式5)を得た。
以上の森らの製法により得られた3、7−ジメチルノナ
ノール(式5)の収率は約10%であった。
ノール(式5)の収率は約10%であった。
以下に以上の工程を図示する。
以上のような実情に鑑み、業界ではコクヌストモドキの
集合フェロモン4.8−ジメチルデカナールの合成中間
体である3、7−ジメチルノナノールを極めて容易にか
つ高収率で合成することができ、しかも出発物質が汎用
的で入手が容易な、従って工程全体として工業的生産方
法に適した3、7−ジメチルノナノールの製造方法の創
出が望まれていた。
集合フェロモン4.8−ジメチルデカナールの合成中間
体である3、7−ジメチルノナノールを極めて容易にか
つ高収率で合成することができ、しかも出発物質が汎用
的で入手が容易な、従って工程全体として工業的生産方
法に適した3、7−ジメチルノナノールの製造方法の創
出が望まれていた。
(問題点を解決するための手段)
そこでこの発明者らは第−及び第二の発明たる第一製造
方法として、1−0R−6−X−3−メチルヘキサン(
次式23)とトリフェニルホスフィン(次式3)とを反
応させ、次に塩基の存在下でエチルメチルケトン(次式
4)と置換反応させてオレフィンを得、得られたこのオ
レフィンを還元し、更にRがテトラヒドロピラニル基の
場合、つまり8−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロ
ピラニルエーテル(次式〇)である場合には脱保護する
ことを特徴とする3、7−ジメチルノナノール(次式5
)の製造方法、第三及び第四の発明たる第二製造方法と
して5ec−ブチルハライド(次式7)に銅、亜鉛、マ
グネシウムの中から選択される少なくとも一の金属を反
応させて得られた試薬と、l−0R−6−X−3−メチ
ルヘキサン(式23)とを反応させ、更にRがベンジル
基又はテトラヒドロピラニル基の場合、つまり6−X−
3−メチルヘキシルベンジルエーテル(次式2)又は6
−X−3〜メチルへキシルテトラヒドロピラニルエーテ
ル(式6)である場合には脱保護することを特徴とする
3、7−ジメチルノナノール(式5)の製造方法、及び
第五の発明たる新規中間体として3.7−ジメチルノナ
ノール(式5)の前駆中間体である3、7−ジメチルノ
ニルテトラヒドロピラニルエーテル(次式8)を提供す
ることによりコクヌストモドキの集合フェロモン4,8
−ジメチルデカナールの合成中間体である3、7−ジメ
チルノナノールを極めて容易にかつ高収率で合成するこ
とかでき、しかも出発物質が汎用的で入手が容易な、従
って工程全体として工業的生産方法に適した3、7−ジ
メチルノナノール(式5)の製造方法を得ることに成功
し、この発明の完成に至ったものである。
方法として、1−0R−6−X−3−メチルヘキサン(
次式23)とトリフェニルホスフィン(次式3)とを反
応させ、次に塩基の存在下でエチルメチルケトン(次式
4)と置換反応させてオレフィンを得、得られたこのオ
レフィンを還元し、更にRがテトラヒドロピラニル基の
場合、つまり8−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロ
ピラニルエーテル(次式〇)である場合には脱保護する
ことを特徴とする3、7−ジメチルノナノール(次式5
)の製造方法、第三及び第四の発明たる第二製造方法と
して5ec−ブチルハライド(次式7)に銅、亜鉛、マ
グネシウムの中から選択される少なくとも一の金属を反
応させて得られた試薬と、l−0R−6−X−3−メチ
ルヘキサン(式23)とを反応させ、更にRがベンジル
基又はテトラヒドロピラニル基の場合、つまり6−X−
3−メチルヘキシルベンジルエーテル(次式2)又は6
−X−3〜メチルへキシルテトラヒドロピラニルエーテ
ル(式6)である場合には脱保護することを特徴とする
3、7−ジメチルノナノール(式5)の製造方法、及び
第五の発明たる新規中間体として3.7−ジメチルノナ
ノール(式5)の前駆中間体である3、7−ジメチルノ
ニルテトラヒドロピラニルエーテル(次式8)を提供す
ることによりコクヌストモドキの集合フェロモン4,8
−ジメチルデカナールの合成中間体である3、7−ジメ
チルノナノールを極めて容易にかつ高収率で合成するこ
とかでき、しかも出発物質が汎用的で入手が容易な、従
って工程全体として工業的生産方法に適した3、7−ジ
メチルノナノール(式5)の製造方法を得ることに成功
し、この発明の完成に至ったものである。
×\にハ、、 (E23)
(但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味し、Rは水素原子、ベンジ
ル基又はテトラヒドロピラニルエーテル基のいずれかを
意味する。) PPh3 (式3) (ただし、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
かを意味する。) (ただし、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
かを意味する。) この発明に係わる第一乃至第四の発明である3゜7−ジ
メチルノナノールのそれぞれの製造方法について以下に
詳細に述べる。
、メシル基のいずれかを意味し、Rは水素原子、ベンジ
ル基又はテトラヒドロピラニルエーテル基のいずれかを
意味する。) PPh3 (式3) (ただし、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
かを意味する。) (ただし、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
かを意味する。) この発明に係わる第一乃至第四の発明である3゜7−ジ
メチルノナノールのそれぞれの製造方法について以下に
詳細に述べる。
[第一製造方法]
1−0R−6−X−3−メチルヘキサン(次式23)と
トリフェニルホスフィン(次式3)とを反応させ、ホス
ホニウム塩を得る。
トリフェニルホスフィン(次式3)とを反応させ、ホス
ホニウム塩を得る。
この際、溶媒を用いても良いし、用いずとも反応を進行
させることができる。
させることができる。
反応温度としては特に限定されないが、20°C乃至2
00℃好ましくは、溶媒を用いる場合は40°C乃至使
用する溶媒の沸点、溶媒を用いない場合は50℃乃至1
50℃の条件下で行なうのが良い。
00℃好ましくは、溶媒を用いる場合は40°C乃至使
用する溶媒の沸点、溶媒を用いない場合は50℃乃至1
50℃の条件下で行なうのが良い。
このようにして得られたホスホニウム塩は溶媒留去後攻
工程で用いても良いし、再結晶や洗浄等の精製を行なっ
た後に次工程で用いても良い。
工程で用いても良いし、再結晶や洗浄等の精製を行なっ
た後に次工程で用いても良い。
この発明方法の工程において、反応温度を20℃乃至2
00℃とする理由は反応温度が200°Cを越えた場合
は、原料及び生成物の分解が起こり、20’C未満の場
合は、反応が進行しなくなり、結局いずれの場合も好ま
しくないからである。
00℃とする理由は反応温度が200°Cを越えた場合
は、原料及び生成物の分解が起こり、20’C未満の場
合は、反応が進行しなくなり、結局いずれの場合も好ま
しくないからである。
この発明方法の工程において、溶媒を使用する場合には
、この反応の進行を妨げる溶媒以外なら全て好適に使用
することができ、特に好ましいものと(7て非プロトン
性熔媒が有るが、強いて例示すればテトラヒドロフラン
、ベンゼン、クロルベンゼン、ジメチルホルムアミド、
トルエン、四塩化炭素、クロロホルム、メタノール等が
挙げられる。
、この反応の進行を妨げる溶媒以外なら全て好適に使用
することができ、特に好ましいものと(7て非プロトン
性熔媒が有るが、強いて例示すればテトラヒドロフラン
、ベンゼン、クロルベンゼン、ジメチルホルムアミド、
トルエン、四塩化炭素、クロロホルム、メタノール等が
挙げられる。
(但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味し、Rは水素原子、ベンジ
ル基又はテトラヒドロピラニル基のいずれかを意味する
。) PPh、 (式3) 次に、以上の如くしで得られたホスホニウム塩(次式2
4)を乾燥溶媒中に溶解して、−40℃乃至室温、好ま
しくは一30℃乃至0℃の条件下で塩基を作用させて、
ホスホニウムイリドを調製する。
、メシル基のいずれかを意味し、Rは水素原子、ベンジ
ル基又はテトラヒドロピラニル基のいずれかを意味する
。) PPh、 (式3) 次に、以上の如くしで得られたホスホニウム塩(次式2
4)を乾燥溶媒中に溶解して、−40℃乃至室温、好ま
しくは一30℃乃至0℃の条件下で塩基を作用させて、
ホスホニウムイリドを調製する。
この調製されたホスホニウムイリドの反応系に、エチル
メチルケトン(次式4)を反応させる。
メチルケトン(次式4)を反応させる。
この反応液を水中に投入し、炭化水素系溶媒で抽出した
後、溶媒を留去し濃縮する。
後、溶媒を留去し濃縮する。
これにより得られた残留物を吸着クロマト(シリカゲル
を吸着剤とし、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)
により精製して、1−0R−3,7−ジメチル−6−ノ
ネン(次式25)を得る。
を吸着剤とし、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)
により精製して、1−0R−3,7−ジメチル−6−ノ
ネン(次式25)を得る。
この発明方法の工程において、塩基を作用させる際の反
応中の温度を一40℃乃至室温、好ましくは一30°C
乃至0℃とする理由は、−40℃未満では反応の進行が
遅く、室温より高温ではイリドの分解が起こるためであ
る。
応中の温度を一40℃乃至室温、好ましくは一30°C
乃至0℃とする理由は、−40℃未満では反応の進行が
遅く、室温より高温ではイリドの分解が起こるためであ
る。
尚、エチルメチルケトンを反応させる際の反応中の温度
は特に限定されず、−1oo°C乃至使用する溶媒の沸
点であれば良い。
は特に限定されず、−1oo°C乃至使用する溶媒の沸
点であれば良い。
また、上記工程中塩基を作用させる理由は、ホスホニウ
ム塩のα位の水素を引き抜きホスホニウムイリドを形成
させるためである。
ム塩のα位の水素を引き抜きホスホニウムイリドを形成
させるためである。
従って、この条件を満たす塩基であれば、特に限定する
ものではないが、強いて例示すればn−ブチルリチウム
、フェニルリチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ム、水素化リチウム、ナトリウムアミド、カリウムアミ
ド、リチウムアミド、カリウムメチラート、カリウムエ
チラート、カリウム−1−プロピラード、カリウム−1
−ブチラード、トリフェニルメタンナトリウム等が挙げ
られる。
ものではないが、強いて例示すればn−ブチルリチウム
、フェニルリチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ム、水素化リチウム、ナトリウムアミド、カリウムアミ
ド、リチウムアミド、カリウムメチラート、カリウムエ
チラート、カリウム−1−プロピラード、カリウム−1
−ブチラード、トリフェニルメタンナトリウム等が挙げ
られる。
尚、この工程において使用する溶媒は、反応の進行を妨
げる溶媒以外なら全て好適に使用することができ、特に
例示すれば、エーテル、ベンゼン、キシレン、テトラヒ
ドロフラン(以下THFと略す)、ヘキサメチルホスホ
リックトリアミド(以下f(M P Aと略す)、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げれら
れる。
げる溶媒以外なら全て好適に使用することができ、特に
例示すれば、エーテル、ベンゼン、キシレン、テトラヒ
ドロフラン(以下THFと略す)、ヘキサメチルホスホ
リックトリアミド(以下f(M P Aと略す)、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げれら
れる。
次に、以上の如くして得られた1−0R−3,7・ジメ
チル−6−ノネン(式25)を溶媒中に溶解し、還元反
応を行なう。
チル−6−ノネン(式25)を溶媒中に溶解し、還元反
応を行なう。
尚、この際に保護基であるベンジル基も同時に脱保護さ
れる。
れる。
還元反応については、常法の全ての手段が好適に採用さ
れ、不均一系触媒や均一系触媒存在下水素ガス雰囲気中
、常圧、中圧(2〜40気圧)又は高圧(50〜300
気圧)下において水素添加を行なう接触還元や、金属、
金属塩又は金属水素化物を利用する還元等がある。
れ、不均一系触媒や均一系触媒存在下水素ガス雰囲気中
、常圧、中圧(2〜40気圧)又は高圧(50〜300
気圧)下において水素添加を行なう接触還元や、金属、
金属塩又は金属水素化物を利用する還元等がある。
各還元方法に使用される触媒として特に例示すれば、不
均一系触媒としては、ニッケル、白金、パラジウム、ロ
ジウム、ルテニウム、二酸化白金及びこれらを活性炭等
に担持させたもの等が挙げられ、均一系触媒としては、
ウィルキンソン錯体と呼ばれるトリス〔トリフェニルホ
スフィン〕クロロロジウム、カルボニル〔トリフェニル
ホスフィン〕ロジウムハイドライド、ロジウムアセテ−
1・等か挙げられ、金属、金属塩又は金属水素化物とし
ては、ナトリウム、アルミニウム又はスズと水銀との混
合物、塩化第一スズ、塩化第一鉄、水素化アルミニウム
リチウム、水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。
均一系触媒としては、ニッケル、白金、パラジウム、ロ
ジウム、ルテニウム、二酸化白金及びこれらを活性炭等
に担持させたもの等が挙げられ、均一系触媒としては、
ウィルキンソン錯体と呼ばれるトリス〔トリフェニルホ
スフィン〕クロロロジウム、カルボニル〔トリフェニル
ホスフィン〕ロジウムハイドライド、ロジウムアセテ−
1・等か挙げられ、金属、金属塩又は金属水素化物とし
ては、ナトリウム、アルミニウム又はスズと水銀との混
合物、塩化第一スズ、塩化第一鉄、水素化アルミニウム
リチウム、水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。
尚、この工程において使用する溶媒は特に限定されず全
て好適に使用され、強いて例示すればペンタン、ヘキサ
ン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール等のア
ルコール系溶媒が挙げられる。
て好適に使用され、強いて例示すればペンタン、ヘキサ
ン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール等のア
ルコール系溶媒が挙げられる。
還元反応が終了した反応液を濾過し、水冷した塩酸、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液、水及び飽和食塩水で順次
洗浄する。
和炭酸水素ナトリウム水溶液、水及び飽和食塩水で順次
洗浄する。
これを濾過し、濃縮した後に残留物を得る。
この残留物を蒸留操作又は吸着クロマト(シリカゲルを
吸着剤、ヘキサンとエーテルを展開溶媒とする)により
精製して、1−0R−3,7−シメチルノナン(次式2
6)を得る。
吸着剤、ヘキサンとエーテルを展開溶媒とする)により
精製して、1−0R−3,7−シメチルノナン(次式2
6)を得る。
上記の発明方法に於いて出発物質である1−OR・=6
X−3−メチルヘキサン(式23)のRが水素原子又は
ベンジル基である場合、つまり6−X−3−メチルヘキ
サノール(式1)又は6−X−3−メチルヘキシルベン
ジルエーテル(式2)より、標的化合物である3、7−
ジメチルノナノール(式5)が得られる。
X−3−メチルヘキサン(式23)のRが水素原子又は
ベンジル基である場合、つまり6−X−3−メチルヘキ
サノール(式1)又は6−X−3−メチルヘキシルベン
ジルエーテル(式2)より、標的化合物である3、7−
ジメチルノナノール(式5)が得られる。
出発物質である1−0R−6−X−3−メチルヘキサン
(式23)のRがテトラヒドロピラニル基である場合、
つまり64−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニル
エーテル(式6)である場合には、更にテトラヒドロピ
ラニル基を脱保護して、アルコールとする工程が必要で
ある。
(式23)のRがテトラヒドロピラニル基である場合、
つまり64−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニル
エーテル(式6)である場合には、更にテトラヒドロピ
ラニル基を脱保護して、アルコールとする工程が必要で
ある。
この脱保護の工程は常法通りで良く、例えばT。
W、 Greenの本に記載された方法(Protec
tiveGroups in Organic 5yn
thests、John Wiley & 5ons。
tiveGroups in Organic 5yn
thests、John Wiley & 5ons。
New York、 1981)を採用することが可能
である。
である。
この発明方法の工程においては、前記工程により得られ
た8−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニルエ
ーテル(式6)を溶媒に溶解し、酸触媒の存在下で撹拌
し、脱保護を行なう。
た8−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニルエ
ーテル(式6)を溶媒に溶解し、酸触媒の存在下で撹拌
し、脱保護を行なう。
この反応液にエーテルを加えて水及び飽和食塩水で順次
洗浄した後、エーテルを留去する。
洗浄した後、エーテルを留去する。
これにより得られた残留物を蒸留操作又は吸着クロマト
(シリカゲルを吸着剤、ヘキサンとエーテルを展開溶媒
とする)により精製して、標的化合物である3、7−ジ
メチルノナノール(式5)を得ることができる。
(シリカゲルを吸着剤、ヘキサンとエーテルを展開溶媒
とする)により精製して、標的化合物である3、7−ジ
メチルノナノール(式5)を得ることができる。
この工程において使用する酸触媒としては特に限定する
ものではないが、強いて例示すれば硫酸、塩酸、臭化水
素等の鉱酸、塩化アルミニウム、三弗化ホウ素、塩化亜
鉛等のLevis酸、p−hルエンスルホン酸、p−ト
ルエンスルホン酸ピリジニウム塩、メタンスルホン酸、
ベンゼンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロル酢
酸、p−ニトロ安息香酸、p−ニトロ酢酸等が挙げられ
る。
ものではないが、強いて例示すれば硫酸、塩酸、臭化水
素等の鉱酸、塩化アルミニウム、三弗化ホウ素、塩化亜
鉛等のLevis酸、p−hルエンスルホン酸、p−ト
ルエンスルホン酸ピリジニウム塩、メタンスルホン酸、
ベンゼンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロル酢
酸、p−ニトロ安息香酸、p−ニトロ酢酸等が挙げられ
る。
以下に第一製造方法の全工程を図示する。
3.7−ジメチルノナノールの第一製造方法は上記の通
りであるが、次に第二製造方法について以下に述べる。
りであるが、次に第二製造方法について以下に述べる。
[第一製造方法]
5ee−ブチルハライド(式7)と銅、亜鉛、マグネシ
ウムの中から選択される少なくとも一の金属を溶媒に溶
解した溶液に、1−0R−6−X−3−メチルヘキサン
(式23)を添加して反応d度が一100°C乃至使用
する溶媒の沸点、好ましくは−70乃至60°Cの条件
下で置換反応を行なう。
ウムの中から選択される少なくとも一の金属を溶媒に溶
解した溶液に、1−0R−6−X−3−メチルヘキサン
(式23)を添加して反応d度が一100°C乃至使用
する溶媒の沸点、好ましくは−70乃至60°Cの条件
下で置換反応を行なう。
この反応液を塩化アンモニウム水溶液に投入し、エーテ
ルにて抽出操作を行なう。
ルにて抽出操作を行なう。
この有機層を飽和食塩水で洗浄した後、濾過して濃縮す
ることにより残留物が得られる。
ることにより残留物が得られる。
この残留物を蒸留操作又は吸着クロマト(シリカゲルを
吸着剤、ヘキサンとエーテルを展開溶媒とする)により
精製して、1−0R−3,7−シメチルノナン(式26
)を得る。
吸着剤、ヘキサンとエーテルを展開溶媒とする)により
精製して、1−0R−3,7−シメチルノナン(式26
)を得る。
この工程に於いて、l−0R−6−X−3−メチルヘキ
サン(式23)の添加量は特に限定されないが、使用す
る5ec−ブチルハライド(式7)を1当量とした場合
0.l乃至10当量、好ましくは0.2乃至2当量とす
るのが望ましい。
サン(式23)の添加量は特に限定されないが、使用す
る5ec−ブチルハライド(式7)を1当量とした場合
0.l乃至10当量、好ましくは0.2乃至2当量とす
るのが望ましい。
尚、この工程に於いて触媒を用いても良く、触媒として
は塩化第一銅、臭化第一銅、ヨウ化第−銅、ジクロロ銅
(1)酸リチウム、テトラクロロ銅(n)酸リチウム、
ジブロモ銅(I)酸リチウム、テトラブロモ銅(II)
酸リチウム、ショート銅(I)酸リチウム等が好適に使
用される。
は塩化第一銅、臭化第一銅、ヨウ化第−銅、ジクロロ銅
(1)酸リチウム、テトラクロロ銅(n)酸リチウム、
ジブロモ銅(I)酸リチウム、テトラブロモ銅(II)
酸リチウム、ショート銅(I)酸リチウム等が好適に使
用される。
これら触媒の使用量は特に限定されないが、使用する5
ee−ブチルハライド(式7)を1molとした場合0
.001乃至0.2mo l、好ましくは0.Ol乃至
0.2molとするのが望ましい。
ee−ブチルハライド(式7)を1molとした場合0
.001乃至0.2mo l、好ましくは0.Ol乃至
0.2molとするのが望ましい。
この工程に於いて乾燥した窒素等の不活性ガス雰囲気中
で反応を行なうことが望ましく、その理由は、5ee−
ブチルハライド(式7)と銅、亜鉛、マグネシウムの中
から選択される少なくとも一の金属が反応して得られた
試薬が空気中の水蒸気、酸素、二酸化炭素等と反応して
しまうためであるが、大気中に於いても反応を進行させ
ることが可能であり、必ずしも乾燥不活性ガス雰囲気中
で反応を行なう必要はない。
で反応を行なうことが望ましく、その理由は、5ee−
ブチルハライド(式7)と銅、亜鉛、マグネシウムの中
から選択される少なくとも一の金属が反応して得られた
試薬が空気中の水蒸気、酸素、二酸化炭素等と反応して
しまうためであるが、大気中に於いても反応を進行させ
ることが可能であり、必ずしも乾燥不活性ガス雰囲気中
で反応を行なう必要はない。
この工程に於いて使用する溶媒としては、この反応を阻
害する溶媒以外は全て好適に使用され、特に限定するも
のではないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル
等のエーテル類溶媒が例示される。
害する溶媒以外は全て好適に使用され、特に限定するも
のではないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル
等のエーテル類溶媒が例示される。
この工程に於いて反応温度を一100°C乃至使用する
溶媒の沸点の条件下で置換反応を行なう理由は、副反応
の進行を排除するためである。
溶媒の沸点の条件下で置換反応を行なう理由は、副反応
の進行を排除するためである。
上記の発明方法に於いて出発物質であるl−0R−6−
X−3−メチルヘキサン(式23)のRが水素原子であ
る場合、つまり6−X−3−メチルヘキサノール(式1
)より、標的化合物である3、7−ジメチルノナノール
(式5)が得られる。
X−3−メチルヘキサン(式23)のRが水素原子であ
る場合、つまり6−X−3−メチルヘキサノール(式1
)より、標的化合物である3、7−ジメチルノナノール
(式5)が得られる。
出発物質である1−OR〜6−X−3−メチルヘキサン
(式23)のRがベンジル基又はテトラヒド口ビラニル
基である場合、つまり6−X−3−メチルヘキシルベン
ジルエーテル(式2)又は6−X−3−メチルヘキシル
テトラヒドロピラニルエーテル(式6)である場合には
、更にベンジル基又はテトラヒドロピラニル基を脱保護
して、アルコールとする工程が必要である。
(式23)のRがベンジル基又はテトラヒド口ビラニル
基である場合、つまり6−X−3−メチルヘキシルベン
ジルエーテル(式2)又は6−X−3−メチルヘキシル
テトラヒドロピラニルエーテル(式6)である場合には
、更にベンジル基又はテトラヒドロピラニル基を脱保護
して、アルコールとする工程が必要である。
この脱保護の工程は、前記第一製造方法に於いて詳述し
た方法を行えば良い。
た方法を行えば良い。
尚、ベンジル基を脱保護する工程として、前記第一製造
方法に於いて詳述した還元反応の工程を採用しても良い
。
方法に於いて詳述した還元反応の工程を採用しても良い
。
以上の工程を経た後、前記と同様に精製して3゜7−ジ
メチルノナノール(式5)を得る。
メチルノナノール(式5)を得る。
尚、この第二製造方法に於いて、特に1位の絶対配置が
R配置である(R)−sec−ブチルハライド(次式7
a)及び3位の絶対配置がR配置である6−X−3(R
)−メチルヘキシルベンジルエーテル(次式2a)又は
64−3(R)−メチルヘキシルテトラヒドロピラニル
エーテル(次式6a)を用いて上述と同様の操作を行な
うことにより、3位と7位の絶対配置がR配置である(
3R,7R)−ジメチルノナノール(次式5a)を得る
ことができる。
R配置である(R)−sec−ブチルハライド(次式7
a)及び3位の絶対配置がR配置である6−X−3(R
)−メチルヘキシルベンジルエーテル(次式2a)又は
64−3(R)−メチルヘキシルテトラヒドロピラニル
エーテル(次式6a)を用いて上述と同様の操作を行な
うことにより、3位と7位の絶対配置がR配置である(
3R,7R)−ジメチルノナノール(次式5a)を得る
ことができる。
ソkX
(式7a)
(ただし、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
かを意味する。) 8ゝ−−1ゝ/へ\ocロ、ph (式2a) (但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味する。)(但し、式中Xは
塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基、メシル基のいず
れかを意味する。)N人/ソ飄ハ幻H (式5a) 以下に第二製造方法の全工程を図示する。
かを意味する。) 8ゝ−−1ゝ/へ\ocロ、ph (式2a) (但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味する。)(但し、式中Xは
塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基、メシル基のいず
れかを意味する。)N人/ソ飄ハ幻H (式5a) 以下に第二製造方法の全工程を図示する。
以下にその合成方法を説明する。
マス、シトロネロール(テルピルン形)(式10)の溶
媒溶液中に酸触媒を添加し、2.3−ジヒドロビランを
加えて氷温以下で反応させた後、更に室温乃至40℃の
温度条件下で置換反応させる。
媒溶液中に酸触媒を添加し、2.3−ジヒドロビランを
加えて氷温以下で反応させた後、更に室温乃至40℃の
温度条件下で置換反応させる。
この反応液を水中に投入し、有機溶媒で抽出操作を行な
った後、溶媒を留去してシトロネリルテトラヒドロビラ
ニルエーテル(次式27)を得る。
った後、溶媒を留去してシトロネリルテトラヒドロビラ
ニルエーテル(次式27)を得る。
以上、この発明方法である3、7−ジメチルノナノール
の製造方法として第−製造方法及び第一製造方法につい
て詳述したが、最後に第五の発明たる新規中間体3.7
−ジメチルノニルテトラヒドロピラニルエーテル(次式
8)について以下に述べる。
の製造方法として第−製造方法及び第一製造方法につい
て詳述したが、最後に第五の発明たる新規中間体3.7
−ジメチルノニルテトラヒドロピラニルエーテル(次式
8)について以下に述べる。
3.7−ジメチルノニルテトラヒドロピラニルエーテル
(式8)は、天然物として容易に入手できるシトロネロ
ール(17−ルピルン形)(次式′LO)より公知の合
成方法で容易に調製することができる。
(式8)は、天然物として容易に入手できるシトロネロ
ール(17−ルピルン形)(次式′LO)より公知の合
成方法で容易に調製することができる。
この工程において、氷温以下で反応させた後、更に室温
乃至40℃の温度条件下で反応させる理由は、反応の進
行を促進し、反応を完結させるためである。
乃至40℃の温度条件下で反応させる理由は、反応の進
行を促進し、反応を完結させるためである。
この工程において酸触媒を使用するのは、2.3−ジヒ
ドロピランの不飽和結合にシトロネロールのアルコール
性水酸基を反応させてエーテルを形成させるためであり
、使用する酸触媒としては特に限定するものではないが
、強いて例示すれば硫酸、塩酸、臭化水素等の鉱酸、塩
化アルミニウム、三弗化ホウ素、塩化亜鉛等のLewi
s酸、I)−)ルエンスルホン酸、p−トルエンスルホ
ン酸ピリジニウム塩、メタンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロル酢酸、p−ニト
ロ安息香酸、p−ニトロ酢酸等が挙げられる。
ドロピランの不飽和結合にシトロネロールのアルコール
性水酸基を反応させてエーテルを形成させるためであり
、使用する酸触媒としては特に限定するものではないが
、強いて例示すれば硫酸、塩酸、臭化水素等の鉱酸、塩
化アルミニウム、三弗化ホウ素、塩化亜鉛等のLewi
s酸、I)−)ルエンスルホン酸、p−トルエンスルホ
ン酸ピリジニウム塩、メタンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロル酢酸、p−ニト
ロ安息香酸、p−ニトロ酢酸等が挙げられる。
以上の工程により得られたシトロネリルテトラヒドロビ
ラニルエーテル(式27)を溶媒に溶解し、−100℃
乃至0℃、好ましくは一80℃乃至−20℃の温度条件
下で、オゾン分解させ、更に水素化ホウ素ナトリウム等
により還元反応を行なう。
ラニルエーテル(式27)を溶媒に溶解し、−100℃
乃至0℃、好ましくは一80℃乃至−20℃の温度条件
下で、オゾン分解させ、更に水素化ホウ素ナトリウム等
により還元反応を行なう。
尚この際に、添加剤として炭酸水素ナトリウム等を添加
しても良い。
しても良い。
この反応液を水中に投入し、有機溶媒で抽出操作を行な
った後、溶媒を留去して3−メチル−6−オールへキシ
ルテトラヒドロピラニルエーテル(次式28)を得る。
った後、溶媒を留去して3−メチル−6−オールへキシ
ルテトラヒドロピラニルエーテル(次式28)を得る。
この工程に於いて使用する溶媒は、反応の進行を妨げる
溶媒以外なら全て好適に使用することができ、特に好ま
しくは、メタノール、エタノール等の低級脂肪族アルコ
ール又はこれらアルコールを含む混合溶媒が使用される
。
溶媒以外なら全て好適に使用することができ、特に好ま
しくは、メタノール、エタノール等の低級脂肪族アルコ
ール又はこれらアルコールを含む混合溶媒が使用される
。
この工程に於いて一100℃乃至0℃の温度条件下で反
応させる理由は、オゾンが分解する可能性を排除すると
ともにオゾンが溶媒に溶解するのを容易にし、更に還元
反応の際に異性体が生成される可能性を排除するためで
ある。
応させる理由は、オゾンが分解する可能性を排除すると
ともにオゾンが溶媒に溶解するのを容易にし、更に還元
反応の際に異性体が生成される可能性を排除するためで
ある。
尚、この工程に於いて使用される水素化ホウ素ナトリウ
ム等の還元剤の使用量は特に限定されないが、シトロネ
リルテトラヒドロビラニルエーテルを1当量とした場合
0.5乃至5当量、好ましくは0.9乃至2.2当量と
するのが望ましい。
ム等の還元剤の使用量は特に限定されないが、シトロネ
リルテトラヒドロビラニルエーテルを1当量とした場合
0.5乃至5当量、好ましくは0.9乃至2.2当量と
するのが望ましい。
次に、以上の工程により得られた3−メチル−6−ヒト
ロキシヘキシルテトラヒドロビラニルエーテル (式2
8)にピリジンの存在下、反応温度を氷温以下としてp
−hルエンスルホニルクロライド(トシルクロライド)
を滴下してトシル化させる。
ロキシヘキシルテトラヒドロビラニルエーテル (式2
8)にピリジンの存在下、反応温度を氷温以下としてp
−hルエンスルホニルクロライド(トシルクロライド)
を滴下してトシル化させる。
この反応液を水中に投入し、有機溶媒にて抽出操作を行
なった後、溶媒を留去してトシルエステルを得る。
なった後、溶媒を留去してトシルエステルを得る。
この工程に於いて、反応温度を氷温以下とする理由は、
氷温より高温ではトシル化した後、反応系中に含まれる
塩素アニオンによって反応生成物の塩素化が進行する恐
れがあるためである。
氷温より高温ではトシル化した後、反応系中に含まれる
塩素アニオンによって反応生成物の塩素化が進行する恐
れがあるためである。
この工程に於いて、ピリジンの存在下で反応を行なう理
由は、反応の進行とともに生じる系中の塩化水素を中和
し、反応の進行を促進するためである。
由は、反応の進行とともに生じる系中の塩化水素を中和
し、反応の進行を促進するためである。
従って、塩基であれば上述の如くピリジンにのみ限定す
るものではない。
るものではない。
尚、この工程に於いてアルコール性水酸基をトシル化す
るのは、次工程に於いてハロゲン化するためであるから
、pl−ルエンスルホニルクロライド(トシルクロライ
ド)にのみ限定されず、メタンスルホニルクロライド(
メシルクロライド)を用いて、メシル化としても良い。
るのは、次工程に於いてハロゲン化するためであるから
、pl−ルエンスルホニルクロライド(トシルクロライ
ド)にのみ限定されず、メタンスルホニルクロライド(
メシルクロライド)を用いて、メシル化としても良い。
次に、以上の工程により得られたトシルエステルに炭酸
水素ナトリウムとハライドリチウム(次式29)を添加
して置換反応させる。
水素ナトリウムとハライドリチウム(次式29)を添加
して置換反応させる。
この反応液を水中に投入し、有機溶媒にて抽出操作を行
なった後、溶媒を留去して3−メチル−6−ハロゲンへ
キシルテトラヒドロピラニルエーテル(次式30)を得
る。
なった後、溶媒を留去して3−メチル−6−ハロゲンへ
キシルテトラヒドロピラニルエーテル(次式30)を得
る。
LiX (式29)
(但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれか
を意味する。) (但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれか
を意味する。) この工程でハライドリチウム(式29)を添加するのは
、トシル基をハロゲンに置換させるためであり、必ずし
も置換剤としてはハライドリチウムに限定されるもので
はなく、ハライドアニオンを得られる試薬であれば全て
好適に使用される。
を意味する。) (但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれか
を意味する。) この工程でハライドリチウム(式29)を添加するのは
、トシル基をハロゲンに置換させるためであり、必ずし
も置換剤としてはハライドリチウムに限定されるもので
はなく、ハライドアニオンを得られる試薬であれば全て
好適に使用される。
この工程に於いて、炭酸水素ナトリウムを添加して反応
系を弱アルカリ性に保つのは、反応系が酸性になるとテ
トラヒドロピラニル基が脱離する可能性が高くなるため
である。
系を弱アルカリ性に保つのは、反応系が酸性になるとテ
トラヒドロピラニル基が脱離する可能性が高くなるため
である。
以上の工程により得られた3−メチル−6−ハロゲンへ
キシルテトラヒドロピラニルエーテル(式30)に、5
ee−ブチルハライド(次式7)に銅、亜鉛、マグネシ
ウムの中から選択される少なくとも一の金属を反応させ
て得られた試薬を反応させた後に精製操作を経て、3.
7−ジメチルノニルテトラヒドロピラニルエーテル(次
式8)が得られる。
キシルテトラヒドロピラニルエーテル(式30)に、5
ee−ブチルハライド(次式7)に銅、亜鉛、マグネシ
ウムの中から選択される少なくとも一の金属を反応させ
て得られた試薬を反応させた後に精製操作を経て、3.
7−ジメチルノニルテトラヒドロピラニルエーテル(次
式8)が得られる。
この工程は前記第二製造方法に於いて詳述した操作を採
用すれば良い。
用すれば良い。
以上、第三の発明である発明物質3,7−ジメチルノニ
ルテトラヒドロピラニルエーテル(式8)の製造方法は
上記の通りであるが、この3,7−ジメチルノニルテト
ラヒドロピラニルエーテル(式8)より3.7−ジメチ
ルノナノール(式5)への変換は、前記第−製造方法及
び第二製造方法に於いて詳述した脱保護の工程を採用す
れば良い。
ルテトラヒドロピラニルエーテル(式8)の製造方法は
上記の通りであるが、この3,7−ジメチルノニルテト
ラヒドロピラニルエーテル(式8)より3.7−ジメチ
ルノナノール(式5)への変換は、前記第−製造方法及
び第二製造方法に於いて詳述した脱保護の工程を採用す
れば良い。
以下に以上の工程を図示する。
(但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれか
を意味する。) 尚、前記第−製造方法及び第二製造方法に於ける出発物
質である1−0R−6−X−3−メチルヘキサン(式2
3)を調製するには、上記3.7−ジメチルノニルテト
ラヒドロピラニルエーテルの製造方法を適宜採用すれば
良い。
を意味する。) 尚、前記第−製造方法及び第二製造方法に於ける出発物
質である1−0R−6−X−3−メチルヘキサン(式2
3)を調製するには、上記3.7−ジメチルノニルテト
ラヒドロピラニルエーテルの製造方法を適宜採用すれば
良い。
各出発物質について述べると、Rがテトラヒドロピラニ
ル基である場合つまり6−X−3−メチルヘキシルテト
ラヒドロピラニルエーテル(式6)である場合には、3
−メチル−6−ヒドロキシへキシルテトラヒドロピラニ
ルエーテル(式28)を導入する工程又は、更にトシル
化、メシル化する工程を採用すれば良く、Rがベンジル
基である場合っまり6−X−3−メチルヘキシルベンジ
ルエーテル(式2)の場合には、最初の工程で反応させ
る2、3−ジヒドロビランを塩化ベンジルに変更してエ
ーテル化した後、同様の操作を行なう。
ル基である場合つまり6−X−3−メチルヘキシルテト
ラヒドロピラニルエーテル(式6)である場合には、3
−メチル−6−ヒドロキシへキシルテトラヒドロピラニ
ルエーテル(式28)を導入する工程又は、更にトシル
化、メシル化する工程を採用すれば良く、Rがベンジル
基である場合っまり6−X−3−メチルヘキシルベンジ
ルエーテル(式2)の場合には、最初の工程で反応させ
る2、3−ジヒドロビランを塩化ベンジルに変更してエ
ーテル化した後、同様の操作を行なう。
尚、Rが水素原子の場合っまり6−X−3−メチルヘキ
サノール(式l)の場合には、6−X−3−メチルヘキ
シルテトラヒドロピラニルエーテル又は6−X−3−メ
チルヘキシルベンジルエーテルを前記の方法により脱保
護するか、シトロネロール(テルピルン形)(式10)
をオゾン分解した後、水素化ホウ素ナトリウム等により
還元することにより導入することができる。
サノール(式l)の場合には、6−X−3−メチルヘキ
シルテトラヒドロピラニルエーテル又は6−X−3−メ
チルヘキシルベンジルエーテルを前記の方法により脱保
護するか、シトロネロール(テルピルン形)(式10)
をオゾン分解した後、水素化ホウ素ナトリウム等により
還元することにより導入することができる。
更ニ、3位の絶対配、iiがR配置であル6−X−3(
R)−メチルヘキシルベンジルエーテル(式2a)又は
6−X−3(R)−メチルヘキシルテトラヒドロピラニ
ルエーテル(式6a)を調製するには、3位の絶対配装
置がR配置である(R)−シトロネロール(テルピルン
形)(次式10a)を用いて前述の操作を行えば良い。
R)−メチルヘキシルベンジルエーテル(式2a)又は
6−X−3(R)−メチルヘキシルテトラヒドロピラニ
ルエーテル(式6a)を調製するには、3位の絶対配装
置がR配置である(R)−シトロネロール(テルピルン
形)(次式10a)を用いて前述の操作を行えば良い。
以上、この発明に係わる3、7−ジメチルノナノールの
製造方法及びその前駆中間体について詳述したが、この
発明方法等により得られた3、7−ジメチルノナノール
(式5)よりコクヌストモドキ集合フェロモンである4
、8−ジメチルデカナール(式31)の合成方法の一例
を以下に述べる。
製造方法及びその前駆中間体について詳述したが、この
発明方法等により得られた3、7−ジメチルノナノール
(式5)よりコクヌストモドキ集合フェロモンである4
、8−ジメチルデカナール(式31)の合成方法の一例
を以下に述べる。
この合成方法としては、森らの方法を採用することが可
能であり、以下にその合成方法を述べる。
能であり、以下にその合成方法を述べる。
まず、3.7−ジメチルノナノールにトシルクロライド
を反応させ3,7−シメチルノニルトシレート(式32
)とした後、シアン化ナトリウムと反応させ、3.7−
シメチルデカノニトリル(式33)を得る。
を反応させ3,7−シメチルノニルトシレート(式32
)とした後、シアン化ナトリウムと反応させ、3.7−
シメチルデカノニトリル(式33)を得る。
得られたこの3.7−シメチルデカノニトリル(式33
)を窒素雰囲気中で水素化ジイソブチルアルミニウム(
以下DIRAHと略す)の存在下で撹拌して還元させた
後、加水分解することによりアルデヒドとし、4.8−
ジメチルデカナール(式31)を得ることができる。
)を窒素雰囲気中で水素化ジイソブチルアルミニウム(
以下DIRAHと略す)の存在下で撹拌して還元させた
後、加水分解することによりアルデヒドとし、4.8−
ジメチルデカナール(式31)を得ることができる。
尚、3位と7位の絶対配置がR配置である(3R17R
)−ジメチルノナノール(式5a)を用いて上記と同様
の操作を行なうことにより、4位と8位の絶対配置がR
配置である(4R,8R)−ジメチルデカナール(次式
31a)を得ることができる。
)−ジメチルノナノール(式5a)を用いて上記と同様
の操作を行なうことにより、4位と8位の絶対配置がR
配置である(4R,8R)−ジメチルデカナール(次式
31a)を得ることができる。
\/(/\)く/\cHO(式3ta)以下に4,8−
ジメチルデカナール(式31)の全工程を図示する。
ジメチルデカナール(式31)の全工程を図示する。
この発明に係わる3、7−ジメチルノナノール(式5)
の製造方法は、極めて高い選択性を持った製造方法であ
るから、副生成物として光学異性体を生−成する可能性
が極めて低い。
の製造方法は、極めて高い選択性を持った製造方法であ
るから、副生成物として光学異性体を生−成する可能性
が極めて低い。
従って、出発物質の絶対配置を適宜選択することにより
所望の絶対配置を保持する3、7−ジメチルノナノール
(式5)を得ることができ、更にほこの絶対配置が保持
された3、7−ジメチルノナノール(式5)を用いるこ
とにより、所望の絶対配置を持つ4,8−ジメチルデカ
ナール(式31)を得ることができる。
所望の絶対配置を保持する3、7−ジメチルノナノール
(式5)を得ることができ、更にほこの絶対配置が保持
された3、7−ジメチルノナノール(式5)を用いるこ
とにより、所望の絶対配置を持つ4,8−ジメチルデカ
ナール(式31)を得ることができる。
具体的に述べると、3位の絶対配置がR配置である6−
X−3(R)−メチルヘキシルベンジルエーテル(式2
a)又は6−X−3(R)−メチルヘキシルテトラヒド
ロピラニルエーテル(弐〇a)を出発物質とした際には
、その絶対配置は保持され、3位がR体の3(R)、7
−ジメチルノナノールを得ることができる。
X−3(R)−メチルヘキシルベンジルエーテル(式2
a)又は6−X−3(R)−メチルヘキシルテトラヒド
ロピラニルエーテル(弐〇a)を出発物質とした際には
、その絶対配置は保持され、3位がR体の3(R)、7
−ジメチルノナノールを得ることができる。
更に、3位と7位の絶対配置がR配置である(3R,7
R)−ジメチルノナノール(式5a)を用いることによ
り、4位と8位の絶対配置がR配置である(4R,8R
)−ジメチルデカナール(式31a)を得ることができ
る。
R)−ジメチルノナノール(式5a)を用いることによ
り、4位と8位の絶対配置がR配置である(4R,8R
)−ジメチルデカナール(式31a)を得ることができ
る。
近年の報告によれば、この(4R,8R)−ジメチルデ
カナール(式31a)は、天然のコクヌストモドキ集合
フェロモンであり、光学異性体が混在する4、8ジメチ
ルデカナール(式31)よりも活性が高いことが知られ
ている。
カナール(式31a)は、天然のコクヌストモドキ集合
フェロモンであり、光学異性体が混在する4、8ジメチ
ルデカナール(式31)よりも活性が高いことが知られ
ている。
従って(4R,8R)−ジメチルデカナール(式3 ]
、 a )をコクヌストモドキ誘引組成物として使用す
ることにより、極めて高い誘引効果が期待できる。
、 a )をコクヌストモドキ誘引組成物として使用す
ることにより、極めて高い誘引効果が期待できる。
(発明の効果)
以上詳述した如くこの発明に係る3、7−ジメチルノナ
ノールの製造方法及びその前駆中間体は、コクヌストモ
ドキの集合フェロモン4,8−ジメチルデカナールの合
成中間体である3、7−ジメチルノナノールを極めて容
易にかつ高収率で合成することができ、しかも出発物質
が汎用的で入手が容易な、従って工程全体として工業的
生産方法に適するという効果を奏する。
ノールの製造方法及びその前駆中間体は、コクヌストモ
ドキの集合フェロモン4,8−ジメチルデカナールの合
成中間体である3、7−ジメチルノナノールを極めて容
易にかつ高収率で合成することができ、しかも出発物質
が汎用的で入手が容易な、従って工程全体として工業的
生産方法に適するという効果を奏する。
特に、この発明に係る3、7−ジメチルノナノールの製
造方性は通釈性が高い為、出発物質の絶対配置を適宜選
択することにより所望の絶対配置を保持した3、7−ジ
メチルノナノールを得ることができ、更にほこの絶対配
置が保持された3、7−ジメチルノナノールを用いるこ
とにより、所望の絶対配置を持つ4,8−ジメチルデカ
ナール、例えばコクヌストモドキを誘引する能力が極め
て高い(4R,8R)−ジメチルデカナールを高収率で
台底することができる。
造方性は通釈性が高い為、出発物質の絶対配置を適宜選
択することにより所望の絶対配置を保持した3、7−ジ
メチルノナノールを得ることができ、更にほこの絶対配
置が保持された3、7−ジメチルノナノールを用いるこ
とにより、所望の絶対配置を持つ4,8−ジメチルデカ
ナール、例えばコクヌストモドキを誘引する能力が極め
て高い(4R,8R)−ジメチルデカナールを高収率で
台底することができる。
以下に実施例及び参考例を示すことにより、この発明の
効果をより一層明確にする。
効果をより一層明確にする。
[第一製造方法]
[6−x−3−メチルヘキサノール(但しXは塩素、臭
素、ヨウ素の原子か、トシル基、メシル基のいずれかを
意味する)を出発物質とした3、7−ジメチルノナノー
ルの製造方法コ (実施例1) 6−ブロモ−3−メチルヘキサノール19.51g(1
00mmol)にトリフェニルホスフィン28.23g
(100m mol)を加えて、100°Cの温度条件
下で5時間反応させた。
素、ヨウ素の原子か、トシル基、メシル基のいずれかを
意味する)を出発物質とした3、7−ジメチルノナノー
ルの製造方法コ (実施例1) 6−ブロモ−3−メチルヘキサノール19.51g(1
00mmol)にトリフェニルホスフィン28.23g
(100m mol)を加えて、100°Cの温度条件
下で5時間反応させた。
この反応系にTHFlooml (!: HMPA50
1111とを添加し、冷却して一20℃の温度条件下で
n−ブチルリチウム(15%ヘキセン溶液15m1)を
滴下した。
1111とを添加し、冷却して一20℃の温度条件下で
n−ブチルリチウム(15%ヘキセン溶液15m1)を
滴下した。
反応溶液を一20℃に保持して1時間反応させた後、メ
チルエチルケトン7.43g(100m mol)を加
えて温度を30分毎に5℃昇温するように徐々に40℃
まで上げて更に1時間反応させた。
チルエチルケトン7.43g(100m mol)を加
えて温度を30分毎に5℃昇温するように徐々に40℃
まで上げて更に1時間反応させた。
この反応液を水中に投入し、ペンタンで抽出した。
この有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させて、溶媒を留去
し残留物を得た。
し残留物を得た。
この残留物をメタノール21に溶解し、パラジウムを1
0%担持させた活性炭200mgを加えて、室温にて水
素雰囲気中激しく撹拌した。
0%担持させた活性炭200mgを加えて、室温にて水
素雰囲気中激しく撹拌した。
約3時間後ガスクロマトグラフィーにより反応が終了し
たことを確認して、反応液をセライト濾過し、濾岐をa
taした。
たことを確認して、反応液をセライト濾過し、濾岐をa
taした。
これにエーテル11を加え、水冷した0、5N塩酸、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び食塩水で順次洗浄し
、硫酸ナトリウムにて乾燥した。
和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び食塩水で順次洗浄し
、硫酸ナトリウムにて乾燥した。
エーテルを留去し、残留物を吸着クロマト(シリカゲル
を吸着剤、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)によ
り精製して反応生成物を得た。
を吸着剤、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)によ
り精製して反応生成物を得た。
この反応生成物を質量スペクトルにより元素分析を行な
った結果を下記第1表に記載する。
った結果を下記第1表に記載する。
(C+1H2to F、W、 =172.30
)この反応物の赤外線吸収スペクトルの吸収波数(Cn
−’)は、3350(m)、1055(nl)であった
。
)この反応物の赤外線吸収スペクトルの吸収波数(Cn
−’)は、3350(m)、1055(nl)であった
。
測定は、試料をフィルム法により調製し、測定を行なっ
た。
た。
更に、プロトン核磁気共鳴(’H−NMR)スペクトル
の6(直(ppm)は、0.6〜1.05 (9H,m
)、1.05〜1.9(12H,m)、2.45(IH
,S)、3.48(28)であった。
の6(直(ppm)は、0.6〜1.05 (9H,m
)、1.05〜1.9(12H,m)、2.45(IH
,S)、3.48(28)であった。
測定は、試料をクロロホルム−dに溶解し、周波数が4
00MH2のプロトン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。
00MH2のプロトン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。
尚、席点は2mmHgにおいて76〜78℃であり、2
5℃におけるナトリウムD線に対する屈折率は1.43
75であった。
5℃におけるナトリウムD線に対する屈折率は1.43
75であった。
以上の結果から、反応生成物は3.7−ジメチルノナノ
ールであることが分かった。
ールであることが分かった。
この反応生成物の重量は、9.05gであり、収率は5
2.5!%であった。
2.5!%であった。
尚、出発物質である8−X−3−メチルヘキサノールの
Xを下記第2表記載の原子又は置換基に変更し、実施例
1と全く同様に処理及び同定して得られた3、7−ジメ
チルノナノールの収率を第2表に併せて記す。
Xを下記第2表記載の原子又は置換基に変更し、実施例
1と全く同様に処理及び同定して得られた3、7−ジメ
チルノナノールの収率を第2表に併せて記す。
第 2 表
(ただし、各々の出発物質は実施例1と同様にloom
molとした。、) [6−X−3−メチルヘキシルベンジルエーテル(但し
Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子か、トシル基、メシル基
のいずれかを意味する)を出発物質とした3、7−ジメ
チルノナノールの製造方法](実施例2) 6−ブロモ−3−メチルヘキシルベンジンエーテル28
.52g(100m mot)にトリフェニルホスフィ
ン26.23g(loom mol)を加えて、100
℃の塩度条件下で3時間反応させた。
molとした。、) [6−X−3−メチルヘキシルベンジルエーテル(但し
Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子か、トシル基、メシル基
のいずれかを意味する)を出発物質とした3、7−ジメ
チルノナノールの製造方法](実施例2) 6−ブロモ−3−メチルヘキシルベンジンエーテル28
.52g(100m mot)にトリフェニルホスフィ
ン26.23g(loom mol)を加えて、100
℃の塩度条件下で3時間反応させた。
この反応系にTHFloordとHMPA50−とを添
加し、冷却して一20℃の温度条件下でn−ブチルリチ
ウム(15Xヘキセン溶液7d)を滴下した。
加し、冷却して一20℃の温度条件下でn−ブチルリチ
ウム(15Xヘキセン溶液7d)を滴下した。
反応溶液を一20’Cに保持して1時間反応させた後、
メチルエチルケトン7.43g(Loom nof)を
加えて温度を30分毎に5℃昇温するように徐々に40
’Cまで上げて更に1時間反応させた。
メチルエチルケトン7.43g(Loom nof)を
加えて温度を30分毎に5℃昇温するように徐々に40
’Cまで上げて更に1時間反応させた。
この反応液を水中に投入し、ペンタンで抽出した。
この有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させて、溶媒を留去
し残留物を得た。
し残留物を得た。
この残留物をメタノール21に溶解し、パラジウムを1
0%担持させた活性炭200mgを加えて、室温にて水
素雰囲気中激しく撹拌した。
0%担持させた活性炭200mgを加えて、室温にて水
素雰囲気中激しく撹拌した。
約5時間後ガスクロマトグラフィーにより反応が終了し
たことを確認して、反応液をセライト濾過し、濾液を濃
縮した。
たことを確認して、反応液をセライト濾過し、濾液を濃
縮した。
これにエーテル11を加え、水冷した0、 5N塩酸、
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び食塩水で順次洗浄
し、硫酸ナトリウムにて乾燥した。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び食塩水で順次洗浄
し、硫酸ナトリウムにて乾燥した。
エーテルを留去し、残留物を吸着クロマト(シリカゲル
を吸着剤、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)によ
り精製して反応生成物を得た。
を吸着剤、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)によ
り精製して反応生成物を得た。
この反応生成物の物性等を測定したところ、実施例1で
得られた3、7−ジメチルノナノールと同し結果であり
、以上のことから3.7−ジメチルノナノールが得られ
ていることが分かった。
得られた3、7−ジメチルノナノールと同し結果であり
、以上のことから3.7−ジメチルノナノールが得られ
ていることが分かった。
この反応生成物の重量は、12.28gであり、収率は
71.3%であった。
71.3%であった。
尚、出発物質である6−X−3−メチルヘキシルベンジ
ルエーテルのXを下記第3表記載の原子又は置換基に変
更し、実施例2と全く同様に処理及び同定して得られた
3、7−ジメチルノナノールの収率を第3表に併せて記
す。
ルエーテルのXを下記第3表記載の原子又は置換基に変
更し、実施例2と全く同様に処理及び同定して得られた
3、7−ジメチルノナノールの収率を第3表に併せて記
す。
第 3 表
ただし、還元反応までの工程は実施例1と全く同様に処
理し、精製工程を経ずに反応系にp−トルエンスルホン
酸200mg(1,2m mol)を添加して室温にて
3時間反応させた。
理し、精製工程を経ずに反応系にp−トルエンスルホン
酸200mg(1,2m mol)を添加して室温にて
3時間反応させた。
この加水分解の工程が終了した後に、実施例1と全く同
様に精製し、同定して3.7−ジメチルノナノールが得
られていることを確認した。
様に精製し、同定して3.7−ジメチルノナノールが得
られていることを確認した。
第 4 表
(ただし、各々の出発物質は実施例1と同様にloom
mol とした。) [6−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニルエ
ーテル(但しXは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味する)を出発物質とした3
、7−ジメチルノナノールの製造方法コ(実施例3) 出発物質を6−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロピ
ラニルエーテルとし、Xを下記第4表記載の原子又は置
換基とした場合の3.7−ジメチルノナノールの収率を
第4表に併せて記載した。
mol とした。) [6−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニルエ
ーテル(但しXは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味する)を出発物質とした3
、7−ジメチルノナノールの製造方法コ(実施例3) 出発物質を6−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロピ
ラニルエーテルとし、Xを下記第4表記載の原子又は置
換基とした場合の3.7−ジメチルノナノールの収率を
第4表に併せて記載した。
(ただし、各々の出発物質は実施例1と同様に100m
matとした。) [第二製造方法コ [6−x−3−メチルヘキサノール(但しXは塩素、臭
素、ヨウ素の原子のいずれかを意味する)を出発物質と
した3、7−ジメチルノナノールの製造方法](実施例
4) 乾燥窒素雰囲気中でマグネシウム12.15g(500
+++mol)と臭化5ec−ブチル68.51g(5
00m mol)とをTHF 250−に溶解した試薬
を調製する一方、6−ブロモ−3−メチルヘキサノール
19.51g(Loom mol)をTHF250/に
溶解し、更に塩化リチウム2.12g(50m not
)と塩化第二銅3,36g(25m mol)を添加し
た反応系に、上記試薬を−10乃至−20℃の温度条件
下で滴下した。
matとした。) [第二製造方法コ [6−x−3−メチルヘキサノール(但しXは塩素、臭
素、ヨウ素の原子のいずれかを意味する)を出発物質と
した3、7−ジメチルノナノールの製造方法](実施例
4) 乾燥窒素雰囲気中でマグネシウム12.15g(500
+++mol)と臭化5ec−ブチル68.51g(5
00m mol)とをTHF 250−に溶解した試薬
を調製する一方、6−ブロモ−3−メチルヘキサノール
19.51g(Loom mol)をTHF250/に
溶解し、更に塩化リチウム2.12g(50m not
)と塩化第二銅3,36g(25m mol)を添加し
た反応系に、上記試薬を−10乃至−20℃の温度条件
下で滴下した。
これを−晩室温で反応させた後、この反応酸をセライト
濾過し、濾液を濃縮した。
濾過し、濾液を濃縮した。
これにエーテル11を加え、水冷した0、 5N塩酸、
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び食塩水で順次洗浄
し、硫酸ナトリウムにて乾燥した。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び食塩水で順次洗浄
し、硫酸ナトリウムにて乾燥した。
エーテルを留去し、残留物を吸着クロマト(シリカゲル
を吸着剤、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)によ
り精製して反応生成物を得た。
を吸着剤、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)によ
り精製して反応生成物を得た。
この反応生成物の物性等を測定したところ、実施例1で
得られた3、7−ジメチルノナノールと同じ結果であり
、以上のことから3.7−ジメチルノナノールが得られ
ていることが分かった。
得られた3、7−ジメチルノナノールと同じ結果であり
、以上のことから3.7−ジメチルノナノールが得られ
ていることが分かった。
この反応生成物の重量は、10.34gであり、収率は
60%であった。
60%であった。
尚、出発物質である6−x−3−メチルヘキサノールの
Xを下記第5表記載の原子とし、且つ臭化secブチル
のハライドを同第5表記載の原子として、実施例4と全
く同様に処理及び同定して得られた3、7−ジメチルノ
ナノールの収率を第5表に併せて記す。
Xを下記第5表記載の原子とし、且つ臭化secブチル
のハライドを同第5表記載の原子として、実施例4と全
く同様に処理及び同定して得られた3、7−ジメチルノ
ナノールの収率を第5表に併せて記す。
第 5 表
[6−X−3−メチルヘキシルベンジルエーテル(但し
Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれかを意味する)
を出発物質とした3、7−ジメチルノナノールの製造方
法] (実施例5) 出発物質である6−ブロモ−3−メチルヘキサノールを
6−ブロモ−3−メチルヘキシルベンジルエーテルと変
更した以外は実施例4と全く同様に処理して得られた3
、7−シメチルノニルベンジルエーテルの重量は、20
.99gであり、収率は80%であった。
Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれかを意味する)
を出発物質とした3、7−ジメチルノナノールの製造方
法] (実施例5) 出発物質である6−ブロモ−3−メチルヘキサノールを
6−ブロモ−3−メチルヘキシルベンジルエーテルと変
更した以外は実施例4と全く同様に処理して得られた3
、7−シメチルノニルベンジルエーテルの重量は、20
.99gであり、収率は80%であった。
(ただし、出発物質である6−ブロモ−3−メチルヘキ
シルベンジルエーテルは実施例4と同様に100m m
ol とした。) 更に、得られたこの3,7−シメチルノニルエーテル2
0.99g(80m mol)をメタノール250 m
lに溶解し、パラジウムを10%担持させた活性炭20
0mgを加えて、室温にて水素雰囲気中激しく撹拌した
。
シルベンジルエーテルは実施例4と同様に100m m
ol とした。) 更に、得られたこの3,7−シメチルノニルエーテル2
0.99g(80m mol)をメタノール250 m
lに溶解し、パラジウムを10%担持させた活性炭20
0mgを加えて、室温にて水素雰囲気中激しく撹拌した
。
約5時間後ガスクロマトグラフィーにより反応が終了し
たことを確認して、反応液をセライト濾過し、濾液を濃
縮した。
たことを確認して、反応液をセライト濾過し、濾液を濃
縮した。
これを水蒸気蒸留することにより精製して、反応生成物
を得た。
を得た。
この反応生成物の物性等を測定したところ、実施例1で
得られた3、7−ジメチルノナノールと同じ結果であり
、以上のことから3.7−ジメチルノナノールが得られ
ていることが分かった。
得られた3、7−ジメチルノナノールと同じ結果であり
、以上のことから3.7−ジメチルノナノールが得られ
ていることが分かった。
この反応生成物の重量は、12.41gであり、収率は
90%であった。
90%であった。
尚、出発物質である8−X−3−メチルヘキシルベンジ
ルエーテルのXを下記第6表記載の原子とし、且つ臭化
5ec−ブチルのハライドを同第6表記載の原子として
、実施例5と全く同様に処理及び同定して得られた3、
7−ジメチルノナノールの収率を第6表に併せて記す。
ルエーテルのXを下記第6表記載の原子とし、且つ臭化
5ec−ブチルのハライドを同第6表記載の原子として
、実施例5と全く同様に処理及び同定して得られた3、
7−ジメチルノナノールの収率を第6表に併せて記す。
第 6 表
[6−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニルエ
ーテル(但しXは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれか
を意味する)を出発物質とした3、7−ジメチルノナノ
ールの製造方法] (実施例6) 出発物質である6−ブロモ−3−メチルヘキサノールを
6−ブロモ−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニル
エーテルと変更した以外は実施例4と全く同様に処理し
て得られた3、7−ジメチルノニルテトラヒドロピラニ
ルエーテルの重量は、21.95gであり、収率は85
.6%であった。
ーテル(但しXは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれか
を意味する)を出発物質とした3、7−ジメチルノナノ
ールの製造方法] (実施例6) 出発物質である6−ブロモ−3−メチルヘキサノールを
6−ブロモ−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニル
エーテルと変更した以外は実施例4と全く同様に処理し
て得られた3、7−ジメチルノニルテトラヒドロピラニ
ルエーテルの重量は、21.95gであり、収率は85
.6%であった。
(ただし、出発物質である6−ブロモ−3−メチルヘキ
シルテトラヒドロピラニルエーテルは実施例4と同様に
100[11not とした。)更に、得られたこの3
,7−ジメチルノニルテトラヒドロピラニルエーテル2
1.95g(85,6m mol)をメタノール250
−に溶解し、トルエンスルホン酸150mg(0,9m
mol)を添加して、室温にて一晩撹拌し反応させた
。
シルテトラヒドロピラニルエーテルは実施例4と同様に
100[11not とした。)更に、得られたこの3
,7−ジメチルノニルテトラヒドロピラニルエーテル2
1.95g(85,6m mol)をメタノール250
−に溶解し、トルエンスルホン酸150mg(0,9m
mol)を添加して、室温にて一晩撹拌し反応させた
。
この反応液を飽和炭酸水素ナトリウムにより中和した後
、溶媒を留去して濃縮した。
、溶媒を留去して濃縮した。
これを水蒸気蒸留することにより精製して、反応生成物
を得た。
を得た。
この反応生成物の物性等を測定したところ、実施例■で
得られた3、7−ジメチルノナノールと同じ結果であり
、以上のことから3.7−ジメチルノナノールが得られ
ていることが分かった。
得られた3、7−ジメチルノナノールと同じ結果であり
、以上のことから3.7−ジメチルノナノールが得られ
ていることが分かった。
この反応生成物の重量は、13.27gであり、収率は
90%であった。
90%であった。
尚、出発物質である6−x−3−メチルヘキシルテトラ
ヒドロピラニルエーテルのXを下記第7表記載の原子と
し、且つ臭化5ee−ブチルのハライドを同第7表記載
の原子として、実施例6と全く同様に処理及び同定して
得られた3、7−ジメチルノナノールの収率を第7表に
併せて記す。
ヒドロピラニルエーテルのXを下記第7表記載の原子と
し、且つ臭化5ee−ブチルのハライドを同第7表記載
の原子として、実施例6と全く同様に処理及び同定して
得られた3、7−ジメチルノナノールの収率を第7表に
併せて記す。
(以下余白)
第 7 表
[(3R,7R)−ジメチルノナノールの製造方法コ(
実施例7) 1−OR−6−X−3(R)−メチルヘキサノールされ
ル6−X−3(R)−メチルヘキサノール、6−X−3
(R)−メチルヘキシルベンジルエーテル、6−X−3
(R)−メチルヘキシルテトラヒドロピラニルエーテル
(但しXは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれかを意味
する)を出発物質として、それぞれの実施例4乃至6に
準じて(R)−sec−ブチルハライドを用いることに
より、各出発物質に対する反応生成物を得た。
実施例7) 1−OR−6−X−3(R)−メチルヘキサノールされ
ル6−X−3(R)−メチルヘキサノール、6−X−3
(R)−メチルヘキシルベンジルエーテル、6−X−3
(R)−メチルヘキシルテトラヒドロピラニルエーテル
(但しXは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれかを意味
する)を出発物質として、それぞれの実施例4乃至6に
準じて(R)−sec−ブチルハライドを用いることに
より、各出発物質に対する反応生成物を得た。
これらの反応生成物の質量スペクトル、赤外線吸収スペ
クトル、プロトン核磁気共鳴(’H−NMR)スペクト
ル、25℃におけるナトリウムDlilに対する屈折率
は実施例1で得られた3、7−ジメチルノナノールとほ
ぼ同じ結果であった。
クトル、プロトン核磁気共鳴(’H−NMR)スペクト
ル、25℃におけるナトリウムDlilに対する屈折率
は実施例1で得られた3、7−ジメチルノナノールとほ
ぼ同じ結果であった。
尚、沸点は4mmHgにおいて88〜89℃であり、比
旋光度〔α] ”o (c=4.389.クロロホルム
)は−4,95°であった。
旋光度〔α] ”o (c=4.389.クロロホルム
)は−4,95°であった。
以上の結果から、これら反応生成物は(3R,7R)
−ジメチルノナノールであることが分かった。
−ジメチルノナノールであることが分かった。
これら反応生成物の収率は、実施例4乃至6で得られた
収率とほぼ同様であった。
収率とほぼ同様であった。
[発明物質である3、7−ジメチルノニルテトラヒドロ
ピラニルエーテルの製造方法] (実施例8) シトロネロール70g(448m mol)をT HF
350m1に溶解し、2.3−ジヒドロビラン55g
(655m mol)とpiミルエンスルホン0.7g
(4m mol)とを添加して水温以下で30分間反応
させた。
ピラニルエーテルの製造方法] (実施例8) シトロネロール70g(448m mol)をT HF
350m1に溶解し、2.3−ジヒドロビラン55g
(655m mol)とpiミルエンスルホン0.7g
(4m mol)とを添加して水温以下で30分間反応
させた。
この反応液を水中に投入し、エーテルで抽出操作を行な
った後、溶媒を留去してシトロネリルテトラヒドロビラ
ニルエーテルを105g(収率100%)得た。
った後、溶媒を留去してシトロネリルテトラヒドロビラ
ニルエーテルを105g(収率100%)得た。
得られたこのシトロネリルテトラヒドロビラニルエーテ
ル(100g 416+n moりと炭酸水素ナトリウ
ム38.4g(457m mol)を、メタノールとジ
クロロメタンの混合溶媒(混合比率l対lN40m1に
溶解して、−65°C乃至一55℃の温度条件下でオゾ
ンを吹き込み反応させた。
ル(100g 416+n moりと炭酸水素ナトリウ
ム38.4g(457m mol)を、メタノールとジ
クロロメタンの混合溶媒(混合比率l対lN40m1に
溶解して、−65°C乃至一55℃の温度条件下でオゾ
ンを吹き込み反応させた。
過剰のオゾンを除去した後−60°C乃至−50℃の温
度条件下で水素化ホウ素ナトリウム75g(1,98m
ol)を添加して、還元反応を行なった。
度条件下で水素化ホウ素ナトリウム75g(1,98m
ol)を添加して、還元反応を行なった。
この反応液を水中に投入し、エーテルで抽出操作を行な
った後、溶媒を留去して3−メチル−6−ヒトロキシヘ
キシルテトラヒドロビラニルエーテルを83.5g(収
率93,6%)得た。
った後、溶媒を留去して3−メチル−6−ヒトロキシヘ
キシルテトラヒドロビラニルエーテルを83.5g(収
率93,6%)得た。
得られたこの3−メチル−6−ヒトロキシヘキシルテト
ラヒドロビラニルエーテル83g(382m mol)
をピリジン600−に溶解し、塩化トルエンスルホニル
88g(461m mol)を添加して、氷温以下で2
時間反応させた。
ラヒドロビラニルエーテル83g(382m mol)
をピリジン600−に溶解し、塩化トルエンスルホニル
88g(461m mol)を添加して、氷温以下で2
時間反応させた。
更に室温にて1時間反応させ、エーテルで抽出操作を行
なった後、溶媒を留去してトシル化物を118.6g(
収率82.7%)得た。
なった後、溶媒を留去してトシル化物を118.6g(
収率82.7%)得た。
このトシル化物をアセトン700−に溶解し、炭酸水素
ナトリウム32.3g(384m mol)と臭化リチ
ウム33.4g(385m mol)とを添加して、6
時間還流させた。
ナトリウム32.3g(384m mol)と臭化リチ
ウム33.4g(385m mol)とを添加して、6
時間還流させた。
反応液の溶媒を留去した後、エーテルで抽出操作を行な
い、溶媒を留去して6−ブロモ−3−メチルヘキシルテ
トラヒドロピラニルエーテルを101.8g(収率82
.7%)得た。
い、溶媒を留去して6−ブロモ−3−メチルヘキシルテ
トラヒドロピラニルエーテルを101.8g(収率82
.7%)得た。
一方、窒素雰囲気中で臭化5ee−ブチル33g(24
1mmol)を乾燥T HF 75m1に溶解した後マ
グネシウム5.8g(239m mol)に添加して試
薬を調製した。
1mmol)を乾燥T HF 75m1に溶解した後マ
グネシウム5.8g(239m mol)に添加して試
薬を調製した。
前工程により得られた6−ブロモー3−メチルヘキシル
テトラヒドロピラニルエーテル101.8g(363m
mat)を窒素雰囲気中で乾燥T HF 64m1に溶
解した後、塩化リチウム2.1g(50m mol)と
塩化第二銅3゜4g(25+++ moりとを添加して
、氷温以下で1時間反応させた。
テトラヒドロピラニルエーテル101.8g(363m
mat)を窒素雰囲気中で乾燥T HF 64m1に溶
解した後、塩化リチウム2.1g(50m mol)と
塩化第二銅3゜4g(25+++ moりとを添加して
、氷温以下で1時間反応させた。
この反応液に前記試薬を滴下して、更に氷温以下で1時
間反応させた。
間反応させた。
この反応液を塩化アンモニウム水溶液に投入した後、エ
ーテルで抽出操作を行なった。
ーテルで抽出操作を行なった。
エーテルを留去し、残留物を吸着クロマト(シリカゲル
を吸着剤、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)によ
り精製して反応生成物を得た。
を吸着剤、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする)によ
り精製して反応生成物を得た。
この反応生成物を質量スペクトルにより元素分析を行な
った結果を下記第8表に記載する。
った結果を下記第8表に記載する。
第 8 表
(CIIIH3□Oz F、 W、 =256.
42 )この反応物の赤外線吸収スペクトルの吸収波数
(cm−’)は、2950(s)、1740(w)、1
460(m)、1380(m)、1360(m)、13
20(W)、1280(W)、1200(m)1180
(w)、1140(n+)、1120(m)、1080
(m)、1030(S)、990 (W)、910(
m)、870(m)、820(m)、740 (v)で
あった。
42 )この反応物の赤外線吸収スペクトルの吸収波数
(cm−’)は、2950(s)、1740(w)、1
460(m)、1380(m)、1360(m)、13
20(W)、1280(W)、1200(m)1180
(w)、1140(n+)、1120(m)、1080
(m)、1030(S)、990 (W)、910(
m)、870(m)、820(m)、740 (v)で
あった。
測定は、試料をフィルム法により調製し、測定を行なっ
た。
た。
更に、プロトン核磁気共鳴(’)l−NMR)スペクト
ルのδ値(ppm)は、0.75〜0.9(m 、 9
H)、1.00〜1.88(m、 208)、3.31
〜5.00(m 、2H)、3.71〜3.90(m
。
ルのδ値(ppm)は、0.75〜0.9(m 、 9
H)、1.00〜1.88(m、 208)、3.31
〜5.00(m 、2H)、3.71〜3.90(m
。
2H)、4.55〜4.60(br、 S 、 1)I
)であった。
)であった。
測定は、試料をクロロホルム−dに溶解し、周波数が4
00MHzのプロトン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。
00MHzのプロトン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。
更に、カーボン核磁気共鳴(” CPT−NMR)スペ
クトルのδ値(ppm)は、11.42.11.44.
19.23.19.2B 、19.70〜19.80.
19.86.24.39.25.57.29.49.2
9.59.30.01〜30.08.30.86.34
.43.36.72〜36.93.37.41 、37
.44.37.54.37.58.62.36.66.
01 、66、12.98.84.99、00であった
。
クトルのδ値(ppm)は、11.42.11.44.
19.23.19.2B 、19.70〜19.80.
19.86.24.39.25.57.29.49.2
9.59.30.01〜30.08.30.86.34
.43.36.72〜36.93.37.41 、37
.44.37.54.37.58.62.36.66.
01 、66、12.98.84.99、00であった
。
測定は、試料をクロロホルム−dに熔解し、周波数がl
oOMHzのカーボン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。
oOMHzのカーボン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。
尚、沸点はlmmHgにおいて140℃であった。
以上の結果より反応生成物は3,7−シメチルノニルテ
トラヒドロピラニルエーテルであることが分かった。
トラヒドロピラニルエーテルであることが分かった。
この反応生成物の重量は、17.7gであり、収率は2
9%であった。
9%であった。
尚、第1図に赤外線吸収スペクトル図を、第2図に40
0MH2のプロトン核磁気共鳴スペクトル図を、第3図
に100MH2のカーボン核磁気共鳴スペクトル図をそ
れぞれ記載する。
0MH2のプロトン核磁気共鳴スペクトル図を、第3図
に100MH2のカーボン核磁気共鳴スペクトル図をそ
れぞれ記載する。
[3,7−ジメチルノナノールよりコクヌストモドキ集
合フェロモンである4、8−ジメチルデカナールを合成
する場合の参考例コ (参考例1) 3.7−ジメチルノナノール7.2g(42m mol
)をピリジン7(1m/に溶解し、p−トルエンスルホ
ン酸クロリド9.5g(46m mol)を滴下して、
氷温以下の条件下で一晩反応させた。
合フェロモンである4、8−ジメチルデカナールを合成
する場合の参考例コ (参考例1) 3.7−ジメチルノナノール7.2g(42m mol
)をピリジン7(1m/に溶解し、p−トルエンスルホ
ン酸クロリド9.5g(46m mol)を滴下して、
氷温以下の条件下で一晩反応させた。
この反応液を水中に投入し、エーテルにて抽出操作を行
なった。
なった。
このエーテル層をIN塩酸、飽和硫酸銅水溶液、水、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液及び食塩水で順次洗浄し、
硫酸ナトリウムにて乾燥させた。
和炭酸水素ナトリウム水溶液及び食塩水で順次洗浄し、
硫酸ナトリウムにて乾燥させた。
これを濾過後、溶媒を留去して粗製トシレート13.4
gを得た。
gを得た。
収率は91%であった。
得られたこの粗製トシレートをジメチルスルホキシド1
30 rI!に溶解し、シアン化ナトリウム5.03g
(103[Il[Iioりを加えて、60〜65°Cの
条件下で約1日反応させた。
30 rI!に溶解し、シアン化ナトリウム5.03g
(103[Il[Iioりを加えて、60〜65°Cの
条件下で約1日反応させた。
この反応液を水中に投入し、エーテル抽出を行なった後
、飽和食塩水で洗浄した。
、飽和食塩水で洗浄した。
これを硫酸ナトリウムで乾燥させた後濾過し、溶媒を留
去して6.45gの粗製シアン化物を得た。
去して6.45gの粗製シアン化物を得た。
収率は87%であった。
粗製シアン化物5.45gをヘキサン100dに溶解し
、窒素雰囲気中−70°Cの温度条件下でDIRAH(
25%トルエン溶液)34−を添加して反応させた。
、窒素雰囲気中−70°Cの温度条件下でDIRAH(
25%トルエン溶液)34−を添加して反応させた。
次に、酢酸エチル5−を添加した後、飽和塩化アンモニ
ウム水溶液を添加して反応を停止させた。
ウム水溶液を添加して反応を停止させた。
この反応液を0.5X硫酸により中和した後、エーテル
抽出を行なった。
抽出を行なった。
このエーテル層を飽和食塩水で洗浄し硫酸ナトリウムで
乾燥させた後、濾過し、溶媒を留去して残留物を得た。
乾燥させた後、濾過し、溶媒を留去して残留物を得た。
この残留物を吸着クロマト(シリカゲルを吸着剤、ペン
タンとエーテルを展開溶媒とする)により精製して反応
生成物を得た。
タンとエーテルを展開溶媒とする)により精製して反応
生成物を得た。
この反応生成物を質量スペクトルにより元素分析を行な
った結果を下記第9表に記載する。
った結果を下記第9表に記載する。
この反応物の赤外線吸収スペクトルの吸収波数(cm−
’)は、2970(S)、2940(s)、2875(
S)、2820(m、 sh)、2720 (ffi)
、1735(S)、1465(m)、1410(w)、
1380(m)、1130(W)、1020(W)、9
70 (W)、765(W)、730 (W)であった
。
’)は、2970(S)、2940(s)、2875(
S)、2820(m、 sh)、2720 (ffi)
、1735(S)、1465(m)、1410(w)、
1380(m)、1130(W)、1020(W)、9
70 (W)、765(W)、730 (W)であった
。
測定は、試料をフィルム法により調製し、測定を行なっ
た。
た。
プロトン核磁気共鳴(’H−NMR)スペクトルのδ値
(ppm)は、0.7〜1.0(9H,m)、1. O
−1,8(12H,m)、2.3〜2.5(2H,dt
)、9.75(1)1. L)であった。
(ppm)は、0.7〜1.0(9H,m)、1. O
−1,8(12H,m)、2.3〜2.5(2H,dt
)、9.75(1)1. L)であった。
測定は、試料をクロロホルム−dに溶解し、周波数が4
00M)Izのプロトン核磁気共鳴スペクトルにより測
定を行なった。
00M)Izのプロトン核磁気共鳴スペクトルにより測
定を行なった。
更に、カーボン核磁気共鳴(口CFT−NMR)スペク
トルのδ値(ppm)は、11.4.19.2,19.
4 .24.4.29.0.29.5.32,4.34
,4.37.0.36.9.41.7.203.05で
あった。
トルのδ値(ppm)は、11.4.19.2,19.
4 .24.4.29.0.29.5.32,4.34
,4.37.0.36.9.41.7.203.05で
あった。
測定は、試料をクロロホルム−dに溶解し、周波数がl
oOMHzのカーボン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。
oOMHzのカーボン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。
尚、沸点は、lmmHgにおいて70〜73℃であり、
25℃におけるナトリウムD線に対する屈折率は1゜4
329であった。
25℃におけるナトリウムD線に対する屈折率は1゜4
329であった。
以上の結果から、反応生成物は4,8−ジメチルデカナ
ールが得られていることが分かった。
ールが得られていることが分かった。
この反応生成物の重量は、4.3gであり、収率は78
%であった。
%であった。
(参考例2)
(3R,7R)−ジメチルノナノールを出発物質とじた
以外は参考例1と全く同様の操作を行なって反応生成物
を得た。
以外は参考例1と全く同様の操作を行なって反応生成物
を得た。
この反応生成物の質量スペクトル、赤外線吸収スペクト
ル、プロトン核磁気共鳴(’H−NMR)スペクトル、
カーボン核磁気共鳴(” CFT−NMR)スペクトル
、25℃におけるナトリウムD線に対する屈折率は参考
例1とほぼ同様の結果であった。
ル、プロトン核磁気共鳴(’H−NMR)スペクトル、
カーボン核磁気共鳴(” CFT−NMR)スペクトル
、25℃におけるナトリウムD線に対する屈折率は参考
例1とほぼ同様の結果であった。
尚、沸点は2.5mm)Igにおいて65℃であり、比
旋光度[αコ”” o (c=2.04. クロロホル
ム)は−7,37°であった。
旋光度[αコ”” o (c=2.04. クロロホル
ム)は−7,37°であった。
以上の結果から、この反応生成物は(4R,8R)−ジ
メチルデカナールであることが分かった。
メチルデカナールであることが分かった。
この反応生成物の収率は、参考例1とほぼ同様の収率で
あった。
あった。
(試験例)
4.8−ジメチルデカナール、(4R,8R)−ジメチ
ルデカナールのコクヌストモドキ誘引効果を確認すべく
下記の試験を行なった。
ルデカナールのコクヌストモドキ誘引効果を確認すべく
下記の試験を行なった。
1mgの4.8−ジメチルデカナール、(4R,8R)
−ジメチルデカナールをそれぞれIOJのエーテルに溶
解して散布した粘着板(25X 25c+n )と、対
象として何も散布しない粘着板とを調製した。
−ジメチルデカナールをそれぞれIOJのエーテルに溶
解して散布した粘着板(25X 25c+n )と、対
象として何も散布しない粘着板とを調製した。
これら3種類の粘着板を穀物倉庫内に2m間隔に配置し
た。
た。
1週間後、各粘着板に捕獲されたコクヌストモドキの数
を数えた。
を数えた。
その結果、4,8−ジメチルデカナールを散布した粘着
板には28匹、(4R,8R)−ジメチルデカナールを
散布した粘着板には126匹、何も散布しない粘着板に
は3匹のコクヌストモドキが確認された。
板には28匹、(4R,8R)−ジメチルデカナールを
散布した粘着板には126匹、何も散布しない粘着板に
は3匹のコクヌストモドキが確認された。
第1図、第2図及び第3図はそれぞれ3,7−ジメチル
ノニルテトラヒドロピラニルエーテルの赤外線吸収スペ
クトル図、400MH2のプロトン核磁気共鳴スペクト
ル図及び100MHzのカーボン核磁気共鳴スペクトル
図を示す。
ノニルテトラヒドロピラニルエーテルの赤外線吸収スペ
クトル図、400MH2のプロトン核磁気共鳴スペクト
ル図及び100MHzのカーボン核磁気共鳴スペクトル
図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)6−X−3−メチルヘキサノール(次式1)又は
6−X−3−メチルヘキシルベンジルエーテル(次式2
)とトリフェニルホスフィン(次式3)とを反応させ、
次に塩基の存在下でエチルメチルケトン(次式4)と置
換反応させてオレフィンを得、得られたこのオレフィン
を還元することを特徴とする3,7−ジメチルノナノー
ル(次式5)の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(式1) (但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味する。)▲数式、化学式、
表等があります▼(式2) (但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味する。) PPh_3(式3) ▲数式、化学式、表等があります▼(式4) ▲数式、化学式、表等があります▼(式5) (2)6−X−3−メチルヘキシルテトラヒドロピラニ
ルエーテル(次式6)とトリフェニルホスフィン(式2
)とを反応させ、次に塩基の存在下でエチルメチルケト
ン(式3)と置換反応させてオレフィンを得、得られた
このオレフィンを還元した後、脱保護することを特徴と
する3,7−ジメチルノナノール(式5)の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(式6) (ただし、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル
基、メシル基のいずれかを意味する。)(3)sec−
ブチルハライド(次式7)に銅、亜鉛、マグネシウムの
中から選択される少なくとも一の金属を反応させて得ら
れた試薬と、6−X−3−メチルヘキサノール(式1)
とを反応させることを特徴とする3,7−ジメチルノナ
ノール(式5)の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(式7) (ただし、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
かを意味する。) (4)sec−ブチルハライド(式7)に銅、亜鉛、マ
グネシウムの中から選択される少なくとも一の金属を反
応させて得られた試薬と、6−X−3−メチルヘキシル
ベンジルエーテル(式2)又は6−X−3−メチルヘキ
シルテトラヒドロピラニルエーテル(式6)とを反応さ
せた後、脱保護することを特徴とする3,7−ジメチル
ノナノール(式5)の製造方法。 (5)(R)−sec−ブチルハライド(次式7a)に
銅、亜鉛、マグネシウムの中から選択される少なくとも
一の金属を反応させて得られた試薬と、6−X−3(R
)−メチルヘキシルベンジルエーテル(次式2a)又は
6−X−3(R)−メチルヘキシルテトラヒドロピラニ
ルエーテル(次式6a)とを反応させた後、脱保護する
ことを特徴とする(3R,7R)−ジメチルノナノール
(次式5a)の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(式7a) (ただし、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
かを意味する。) ▲数式、化学式、表等があります▼(式2a) (但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味する。)▲数式、化学式、
表等があります▼(式6a) (但し、式中Xは塩素、臭素、ヨウ素の原子かトシル基
、メシル基のいずれかを意味する。)▲数式、化学式、
表等があります▼(式5a) (6)3,7−ジメチルノナノール(式5)の前駆中間
体である3,7−ジメチルノニルテトラヒドロピラニル
エーテル(次式8)。 ▲数式、化学式、表等があります▼(式8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30453488A JPH02167239A (ja) | 1988-09-28 | 1988-11-30 | 3,7−ジメチルノナノールの製造方法及びその前駆中間体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-245455 | 1988-09-28 | ||
JP24545588 | 1988-09-28 | ||
JP30453488A JPH02167239A (ja) | 1988-09-28 | 1988-11-30 | 3,7−ジメチルノナノールの製造方法及びその前駆中間体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02167239A true JPH02167239A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=26537235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30453488A Pending JPH02167239A (ja) | 1988-09-28 | 1988-11-30 | 3,7−ジメチルノナノールの製造方法及びその前駆中間体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02167239A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016514115A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-05-19 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | 3,7−ジメチルノナン−1−オールの調製プロセス |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30453488A patent/JPH02167239A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016514115A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-05-19 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | 3,7−ジメチルノナン−1−オールの調製プロセス |
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