JPH02164745A - 炭素膜被覆光ファイバの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、ハーメチックコートとして炭素膜を被覆した
炭素膜被覆光ファイバの製造方法に関するものである。

［従来技術］ 光ファイバへの水分侵入による特性劣化を防ぐため、光
ファイバの表面にハーメチックコートとして炭素膜を被
覆した炭素膜被覆光ファイバが提案されている。この炭
素膜被覆光ファイバの一般的な方法は、炭化水素ガスを
流した反応管内に光ファイバを通し、該反応管をヒータ
により加熱し、炭化水素ガスの熱分解で生じた炭素が、
加熱された光ファイバの表面に析出し、炭素膜を形成す
る、所謂ＣＶＯ＜化学気相）法を応用した方法がとられ
ている。

［発明が解決しようとする課題１ しかしながら、反応管内に充満した炭化水素ガスが熱分
解すると、炭素の一部が反応管内空間で粉体として析出
し、光フアイバ表面に形成された炭素膜に付着或いは結
合する。これら炭素粉体の付着は、炭素膜表面に凹凸を
生じさけ、光ファイバを芯線化する際に樹脂の被覆がで
きなくなり、光フアイバ芯線の機械的強度の劣化の原因
となっている。

本発明の目的は、炭素膜表面に付着する炭素粉体を除去
できる炭素膜被覆光ファイバの製造方法を提供すること
にある。

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本発明の詳細な説明すると
、本発明の炭素膜被覆光ファイバの製造方法は、光ファ
イバを炭化水素ガスで満たした高温の反応管内に通し、
前記炭化水素ガスを熱分解して前記光ファイバの表面に
炭素膜を被覆して炭素膜被覆光ファイバを得た後、前記
炭素膜を加熱して該炭素膜の表面に付着している炭素粉
体を焼結或いは燃焼することを特徴とする。

［作用コ このように炭素膜を加熱すると、該炭素膜の表面に付着
している炭素粉体が焼結或いは燃焼されて除去される。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。

第１図は、本発明の方法を実施する装置の第１実施例を
示したものである。図において、１は処理すべき光ファ
イバ、２は該光ファイバ１を通してその表面に炭素膜を
被覆して炭素膜被覆光ファイバＩＡを得るための反応管
、３は反応管２内に原料ガスを導入するガス導入口、４
は反応管２内から反応後の生成ガスを排出させる排気口
、５は反応管２の外部に設けられて内部の加熱を行う赤
外線ヒータ又は抵抗加熱ヒータ等のヒータである。

６は反応管２の後段に設けられて炭素膜被覆光ファイバ
１Ａを通して炭素膜の表面に付着している炭素粉体を除
去するための後処理管、７は後処理管６内へ不活性ガス
或は該不活性ガスと酸素とが一定の比率で混合された混
合ガスを供給するガス導入口、８は後処理管６から排ガ
スを排出させる排気口、９は後処理管６内を加熱する高
周波加熱コイルである。

次に、このような装置を用いた本実施例の炭素膜被覆光
ファイバの製造方法について説明する。

反応管２内には光ファイバ１を通す。反応管２内には、
原料ガスとして炭化水素ガスを供給し、該反応管２内を
炭化水素ガスで充満させる。該反応管２内をヒータ５で
加熱すると、加熱された光ファイバ１の表面で炭化水素
ガスが水と炭素に分解され、炭素が光ファイバ１の表面
に付着し、炭素膜を形成する。かくして、炭素膜被覆光
ファイバ１Ａが得られる。このとき、炭化水素ガスの一
部は、ヒータ５により直接加熱され、光ファイバ１の近
傍で熱分解され、炭素粉体が析出され、該炭素粉体が炭
素膜の表面に付着する。

炭素粉体が付着した炭素膜被覆光ファイバ１Δは、次に
後処理管６に通す。後処理管６内には、窒素ガスの如き
不活性ガス或いは該窒素ガスの如き不活性ガスと酸素と
を一定比率で混合した混合ガスをガス導入ロアより導入
して充満させる。かかるガス雰囲気中で炭素膜被覆光フ
ァイバ１Ａの炭素膜の表面に付着している炭素粉体を高
周波加熱コイル９で加熱する。

後処理管６内に不活性ガスのみを導入している場合には
、炭素膜被覆光ファイバ１Ａの線速く通過速度）を上げ
、高周波加熱コイル９による加熱を強くすると、光ファ
イバ１自体の温度がその軟化点に達することなく、表面
の炭素膜及び炭素粉体のみが瞬間的に高温に上昇し、炭
素粉体が焼結され、炭素膜化される。

後処理管６内に不活性ガスと酸素との混合ガスを導入し
ている場合には、同様に線速を上げ、酸素ガス濃度と高
周波加熱コイル９の出力を適度に調整することで、表面
積の大きい炭素粉体のみを燃焼して除去できる。

第２図は、本発明の第２実施例を示したものである。な
お、第１図と対応する部分には同一符号を付けて示して
いる。本実施例では、反応管２の後段に１１ｉ電電極１
０とその電源１１とを配置し、放電電極１０間に炭素膜
被覆光ファイバ１Ａを通すようにしている。

この実施例では、放電電極１０間に炭素膜被覆光ファイ
バ１Ａを通す。かくすると、炭素膜及びその表面に付着
されている炭素粉体のみが瞬間的に加熱され、表面積の
大きい炭素粉体のみが酸素と反応して燃焼され、除去さ
れる。また、故電電］（１０の近傍を不活性ガスでパー
ジすると、炭素粉体を燃焼して炭素膜化することができ
る。

なお、後処理管６内に放電電極１０を配置し、第１実施
例と同様にして炭素粉体の除去を行うこともできる。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明に係る炭素膜被覆光ファイバ
の製造方法では、炭素膜被覆光ファイバを得た後、その
炭素膜を加熱するので、該炭素膜の表面に付着している
炭素粉体を焼結或いは燃焼させて除去することができる
。従って、本発明によれば、光フアイバ芯線の機械的強
度の低下の原因を除去することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の方法を実施する装置の第１
．第２実施例の縦断斜視図である。 １・・・光ファイバ、１Ａ・・・炭素膜被覆光ファイバ
、２・・・反応管、５・・・ヒータ、６・・・後処理管
、９・・・高周波加熱コイル、１０・・・放電電極、１
１・・・電源。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光ファイバを炭化水素ガスで満たした高温の反応管内に
   通し、前記炭化水素ガスを熱分解して前記光ファイバの
   表面に炭素膜を被覆して炭素膜被覆光ファイバを得た後
   、前記炭素膜を加熱して該炭素膜の表面に付着している
   炭素粉体を焼結或いは燃焼することを特徴とする炭素膜
   被覆光ファイバの製造方法。