JPH05283344A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH05283344A JPH05283344A JP4077687A JP7768792A JPH05283344A JP H05283344 A JPH05283344 A JP H05283344A JP 4077687 A JP4077687 A JP 4077687A JP 7768792 A JP7768792 A JP 7768792A JP H05283344 A JPH05283344 A JP H05283344A
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- JP
- Japan
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- coil electrode
- plasma cvd
- substrate
- reaction
- reaction container
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】成膜条件にかかわりなく、大面積の基板上に均
一かつ均質に薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置を提
供する。 【構成】反応容器１と、この反応容器内に反応ガスを供
給し、排出する手段と、反応容器１内に収容された、線
材がはしご状に組み合わされた形状の平面形コイル電極
１２と、この平面形コイル電極１２にグロー放電用電力
を供給する電源１４とを有し、反応容器１内に設置され
た基板１６表面に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ
装置において、平面形コイル電極１２を構成する線材
に、線材の温度を各々独立に制御できるようにヒータを
組み込み、反応容器１内の反応ガス圧力分布を各々の線
材の温度により制御する。
一かつ均質に薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置を提
供する。 【構成】反応容器１と、この反応容器内に反応ガスを供
給し、排出する手段と、反応容器１内に収容された、線
材がはしご状に組み合わされた形状の平面形コイル電極
１２と、この平面形コイル電極１２にグロー放電用電力
を供給する電源１４とを有し、反応容器１内に設置され
た基板１６表面に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ
装置において、平面形コイル電極１２を構成する線材
に、線材の温度を各々独立に制御できるようにヒータを
組み込み、反応容器１内の反応ガス圧力分布を各々の線
材の温度により制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
太陽電池、薄膜半導体、光センサ半導体保護膜など各種
電子デバイスに使用される大面積薄膜の製造に適したプ
ラズマＣＶＤ（化学蒸着）装置に関する。
太陽電池、薄膜半導体、光センサ半導体保護膜など各種
電子デバイスに使用される大面積薄膜の製造に適したプ
ラズマＣＶＤ（化学蒸着）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】大面積アモルファスシリコン窒化膜を製
造するために、従来より用いられているプラズマＣＶＤ
装置を図５〜図８を参照して説明する。
造するために、従来より用いられているプラズマＣＶＤ
装置を図５〜図８を参照して説明する。
【０００３】反応容器１内には、グロー放電プラズマを
発生させるために、平面形コイル電極１２が基板加熱用
ヒータ１５と基板１６に平行に配置されている。図６お
よび図７に示すように、この平面形コイル電極１２は線
材がはしご状に組み合わされた形状を有している。この
平面形コイル電極１２には、高周波電源１４からインピ
ーダンス整合器１３を介して例えば周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの電力が供給される。反応容器１の周囲にはコイル
５が巻かれており、交流電源６から交流電力が供給され
る。反応容器１内には、図示しないボンベから反応ガス
導入管７を通して反応ガスが供給される。反応ガスは、
ガス混合器８の表面に設けられている多数のガス導入孔
９より噴き出される。図８に、ガス混合器８の平面図を
示す。反応容器１内のガスは排気管１０を通して真空ポ
ンプ１１により排気される。
発生させるために、平面形コイル電極１２が基板加熱用
ヒータ１５と基板１６に平行に配置されている。図６お
よび図７に示すように、この平面形コイル電極１２は線
材がはしご状に組み合わされた形状を有している。この
平面形コイル電極１２には、高周波電源１４からインピ
ーダンス整合器１３を介して例えば周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの電力が供給される。反応容器１の周囲にはコイル
５が巻かれており、交流電源６から交流電力が供給され
る。反応容器１内には、図示しないボンベから反応ガス
導入管７を通して反応ガスが供給される。反応ガスは、
ガス混合器８の表面に設けられている多数のガス導入孔
９より噴き出される。図８に、ガス混合器８の平面図を
示す。反応容器１内のガスは排気管１０を通して真空ポ
ンプ１１により排気される。
【０００４】この装置を用いて、以下のようにして薄膜
を製造する。真空ポンプ１１を駆動して反応容器１内を
排気する。基板１６を基板加熱用ヒータ１５により所定
の温度に加熱する。反応ガス導入管７を通して、例えば
モノシラン、アンモニアおよび窒素の混合ガスを供給
し、反応容器１内の圧力を０．０５〜１．０Ｔｏｒｒに
保ち、高周波電源１４からインピーダンス整合器１３を
介して平面形コイル電極１２に電圧を印加することによ
り、グロー放電プラズマを発生させる。コイル５に例え
ば１０Ｈｚの交流電圧を印加し、平面形コイル電極１２
と基板１６間に発生する電界Ｅと直交する方向に１０ガ
ウス程度の磁界Ｂを発生させる。
を製造する。真空ポンプ１１を駆動して反応容器１内を
排気する。基板１６を基板加熱用ヒータ１５により所定
の温度に加熱する。反応ガス導入管７を通して、例えば
モノシラン、アンモニアおよび窒素の混合ガスを供給
し、反応容器１内の圧力を０．０５〜１．０Ｔｏｒｒに
保ち、高周波電源１４からインピーダンス整合器１３を
介して平面形コイル電極１２に電圧を印加することによ
り、グロー放電プラズマを発生させる。コイル５に例え
ば１０Ｈｚの交流電圧を印加し、平面形コイル電極１２
と基板１６間に発生する電界Ｅと直交する方向に１０ガ
ウス程度の磁界Ｂを発生させる。
【０００５】ガス混合器８のガス導入孔９より反応容器
１内に噴き出されたモノシラン、アンモニアなどの反応
ガスは、グロー放電プラズマによって分解される。この
結果、ラジカル種が発生し、基板１６表面に薄膜が形成
される。
１内に噴き出されたモノシラン、アンモニアなどの反応
ガスは、グロー放電プラズマによって分解される。この
結果、ラジカル種が発生し、基板１６表面に薄膜が形成
される。
【０００６】基板１６と平面形コイル電極１２との間に
発生する電界Ｅに直交する磁界Ｂは、交流電源１４によ
り制御させているので、基板１６と平面形コイル電極１
２間にあるグロー放電プラズマは、時間−空間的に均一
化される。また、反応ガス導入管７を通して導入される
数種の反応ガスは、ガス混合器８内でよく混合され、多
数のガス導入孔９より噴き出されるので、グロー放電プ
ラズマ領域へ均一に導入される。この結果、基板１６の
表面に非晶質薄膜をある程度まで均一に形成できる。
発生する電界Ｅに直交する磁界Ｂは、交流電源１４によ
り制御させているので、基板１６と平面形コイル電極１
２間にあるグロー放電プラズマは、時間−空間的に均一
化される。また、反応ガス導入管７を通して導入される
数種の反応ガスは、ガス混合器８内でよく混合され、多
数のガス導入孔９より噴き出されるので、グロー放電プ
ラズマ領域へ均一に導入される。この結果、基板１６の
表面に非晶質薄膜をある程度まで均一に形成できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】プラズマＣＶＤにより
大面積非晶質薄膜を均一に形成するためには、空間的に
均一なグロー放電プラズマを形成するとともに、均一な
ガスの流れ、密度分布を形成することが重要である。従
来は、均一なガス流れを形成するために、基板１６と同
程度の大きさのガス混合器８に設けられた多数のガス導
入孔９の径とピッチを調節していた。しかし、この方法
では、ガスの混合比、流量、および反応容器内の圧力な
どの条件に応じて、ガス導入孔９の最適径、最適ピッチ
が変わるため、条件を変動させるたびごとにガス混合器
８を交換しなければならなかった。また、成膜する基板
が大きくなるほど、図９に示すように中央部にガスのよ
どみができ、均一かつ均質な成膜を行うことが困難であ
った。本発明の目的は、成膜条件にかかわりなく、大面
積の基板上に均一かつ均質に薄膜を形成できるプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することにある。
大面積非晶質薄膜を均一に形成するためには、空間的に
均一なグロー放電プラズマを形成するとともに、均一な
ガスの流れ、密度分布を形成することが重要である。従
来は、均一なガス流れを形成するために、基板１６と同
程度の大きさのガス混合器８に設けられた多数のガス導
入孔９の径とピッチを調節していた。しかし、この方法
では、ガスの混合比、流量、および反応容器内の圧力な
どの条件に応じて、ガス導入孔９の最適径、最適ピッチ
が変わるため、条件を変動させるたびごとにガス混合器
８を交換しなければならなかった。また、成膜する基板
が大きくなるほど、図９に示すように中央部にガスのよ
どみができ、均一かつ均質な成膜を行うことが困難であ
った。本発明の目的は、成膜条件にかかわりなく、大面
積の基板上に均一かつ均質に薄膜を形成できるプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、反応容器と、この反応容器内に反応ガスを供給
し、排出する手段と、上記反応容器内に収容された、線
材がはしご状に組み合わされた形状の平面形コイル電極
と、この平面形コイル電極にグロー放電用電力を供給す
る電源とを有し、反応容器内に設置された基板表面に非
晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上記
平面形コイル電極を構成する線材に、線材の温度を各々
独立に制御できるようにヒータを組み込み、反応容器内
の反応ガス圧力分布を各々の線材の温度により制御する
ことを特徴とするものである。
装置は、反応容器と、この反応容器内に反応ガスを供給
し、排出する手段と、上記反応容器内に収容された、線
材がはしご状に組み合わされた形状の平面形コイル電極
と、この平面形コイル電極にグロー放電用電力を供給す
る電源とを有し、反応容器内に設置された基板表面に非
晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上記
平面形コイル電極を構成する線材に、線材の温度を各々
独立に制御できるようにヒータを組み込み、反応容器内
の反応ガス圧力分布を各々の線材の温度により制御する
ことを特徴とするものである。
【０００９】本発明において、加熱用のヒータは、放電
用電極を構成する各々の線材に組み込み、線材の温度を
各々独立に制御できるようにすることが好ましい。ただ
し、放電用電極にヒータを組み込むことが困難な場合に
は、放電用電極とガス混合器のガス導入孔が設けられて
いる面との間に、数個の加熱用ヒータを設けてもよい。
用電極を構成する各々の線材に組み込み、線材の温度を
各々独立に制御できるようにすることが好ましい。ただ
し、放電用電極にヒータを組み込むことが困難な場合に
は、放電用電極とガス混合器のガス導入孔が設けられて
いる面との間に、数個の加熱用ヒータを設けてもよい。
【００１０】
【作用】本発明においては、はしご状平面形電極を構成
する線材に加熱用ヒータを組み込み、線材の温度を制御
することによりグロー放電プラズマ領域に流れ込む反応
ガスの流れを制御できる。その結果、成膜条件にかかわ
らずガス流れの均一化を達成できる。このため、基板表
面に均一な膜厚で薄膜を形成できる。したがって、本発
明のプラズマＣＶＤ装置は、大面積の非晶質薄膜の製造
に適している。
する線材に加熱用ヒータを組み込み、線材の温度を制御
することによりグロー放電プラズマ領域に流れ込む反応
ガスの流れを制御できる。その結果、成膜条件にかかわ
らずガス流れの均一化を達成できる。このため、基板表
面に均一な膜厚で薄膜を形成できる。したがって、本発
明のプラズマＣＶＤ装置は、大面積の非晶質薄膜の製造
に適している。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１２】図１は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ
装置の断面図である。反応容器１内には、グロー放電プ
ラズマを発生させるために、はしご状平面形コイル電極
１２が基板加熱用ヒータ１５と基板１６に平行に配置さ
れている。図６（平面図）に示すように、この平面形コ
イル電極１２は、２本の線材に対して垂直に数本の線材
をはしご状に組んだ構造を有している。図２（断面図）
に示すように、平面形コイル電極１２を構成する各線材
には、ヒータ１７が組み込まれている。この平面形コイ
ル電極１２の電力供給端子１２ａ、１２ｂには、高周波
電源１４からインピーダンス整合器１３を介して例えば
周波数１３．５６ＭＨｚの電力が供給される。反応容器
１の周囲にはコイル５が巻かれており、交流電源６から
交流電力が供給される。反応容器１内には、図示しない
ボンベから反応ガス導入管７を通して反応ガスが供給さ
れる。反応ガスは、ガス混合器８の表面に設けられてい
る多数のガス導入孔９より噴き出される。反応容器１内
のガスは排気管１０を通して真空ポンプ１１により排気
される。
装置の断面図である。反応容器１内には、グロー放電プ
ラズマを発生させるために、はしご状平面形コイル電極
１２が基板加熱用ヒータ１５と基板１６に平行に配置さ
れている。図６（平面図）に示すように、この平面形コ
イル電極１２は、２本の線材に対して垂直に数本の線材
をはしご状に組んだ構造を有している。図２（断面図）
に示すように、平面形コイル電極１２を構成する各線材
には、ヒータ１７が組み込まれている。この平面形コイ
ル電極１２の電力供給端子１２ａ、１２ｂには、高周波
電源１４からインピーダンス整合器１３を介して例えば
周波数１３．５６ＭＨｚの電力が供給される。反応容器
１の周囲にはコイル５が巻かれており、交流電源６から
交流電力が供給される。反応容器１内には、図示しない
ボンベから反応ガス導入管７を通して反応ガスが供給さ
れる。反応ガスは、ガス混合器８の表面に設けられてい
る多数のガス導入孔９より噴き出される。反応容器１内
のガスは排気管１０を通して真空ポンプ１１により排気
される。
【００１３】この装置を用いて、以下のようにして薄膜
を製造する。真空ポンプ１１を駆動して反応容器１内を
排気する。基板１６を基板加熱用ヒータ１５により所定
の温度に加熱する。反応ガス導入管７を通して、例えば
モノシラン、アンモニアおよび窒素の混合ガスを供給
し、反応容器１内の圧力を０．５〜１．０Ｔｏｒｒに保
ち、高周波電源１４からインピーダンス整合器１３を介
して平面形コイル電極１２に電圧を印加することによ
り、グロー放電プラズマを発生させる。コイル５に例え
ば１０Ｈｚの交流電圧を印加し、平面形コイル電極１２
と基板１６間に発生する電界Ｅと直交する方向に１０ガ
ウス程度の磁界Ｂを発生させる。ガス混合器８のガス導
入孔９より反応容器１内に噴き出されたモノシラン、ア
ンモニアなどの反応ガスは、グロー放電プラズマによっ
て分解される。この結果、ラジカル種が発生し、基板１
６表面に薄膜が形成される。本発明の装置においては、
平面形コイル電極１２を構成する各線材に組み込まれた
ヒータ１７により、反応ガスの流れを均一化している。
を製造する。真空ポンプ１１を駆動して反応容器１内を
排気する。基板１６を基板加熱用ヒータ１５により所定
の温度に加熱する。反応ガス導入管７を通して、例えば
モノシラン、アンモニアおよび窒素の混合ガスを供給
し、反応容器１内の圧力を０．５〜１．０Ｔｏｒｒに保
ち、高周波電源１４からインピーダンス整合器１３を介
して平面形コイル電極１２に電圧を印加することによ
り、グロー放電プラズマを発生させる。コイル５に例え
ば１０Ｈｚの交流電圧を印加し、平面形コイル電極１２
と基板１６間に発生する電界Ｅと直交する方向に１０ガ
ウス程度の磁界Ｂを発生させる。ガス混合器８のガス導
入孔９より反応容器１内に噴き出されたモノシラン、ア
ンモニアなどの反応ガスは、グロー放電プラズマによっ
て分解される。この結果、ラジカル種が発生し、基板１
６表面に薄膜が形成される。本発明の装置においては、
平面形コイル電極１２を構成する各線材に組み込まれた
ヒータ１７により、反応ガスの流れを均一化している。
【００１４】アモルファスシリコン窒化膜の膜厚分布
は、反応ガスの流量、圧力、モノシランとアンモニアと
窒素の混合比、電力などのほか、グロー放電領域の反応
ガスの流速分布、圧力分布に大きく依存する。そこで、
実際にこの装置を用いて以下のような条件でアモルファ
スシリコン窒化膜を形成した。 基板材料：ガラス 基板面積：４０ｃｍ×３０ｃｍ 反応ガス流量：１００％ＳｉＨ4 ； ５０ｃｃ／ｍｉ
ｎ １００％ＮＨ3 ； ３００ｃｃ／ｍｉｎ １００％Ｎ2 ；１５００ｃｃ／ｍｉｎ 反応容器圧力：１．０Ｔｏｒｒ 高周波電力：３００Ｗ ガス混合器８として、０．３ｍｍ径のガス導入孔９を１
０ｍｍのピッチで、横３０列、縦３０行、合計９００個
設けたものを用いた。
は、反応ガスの流量、圧力、モノシランとアンモニアと
窒素の混合比、電力などのほか、グロー放電領域の反応
ガスの流速分布、圧力分布に大きく依存する。そこで、
実際にこの装置を用いて以下のような条件でアモルファ
スシリコン窒化膜を形成した。 基板材料：ガラス 基板面積：４０ｃｍ×３０ｃｍ 反応ガス流量：１００％ＳｉＨ4 ； ５０ｃｃ／ｍｉ
ｎ １００％ＮＨ3 ； ３００ｃｃ／ｍｉｎ １００％Ｎ2 ；１５００ｃｃ／ｍｉｎ 反応容器圧力：１．０Ｔｏｒｒ 高周波電力：３００Ｗ ガス混合器８として、０．３ｍｍ径のガス導入孔９を１
０ｍｍのピッチで、横３０列、縦３０行、合計９００個
設けたものを用いた。
【００１５】はしご状平面形コイル電極１２として、線
材の本数が１５本、線材の間隔が２５ｍｍのものを用い
た。そして、線材の温度は、中央の３本を３５０℃、そ
の両端の３本ずつを２５０℃、さらにその外側の３本ず
つを１５０℃に設定した。
材の本数が１５本、線材の間隔が２５ｍｍのものを用い
た。そして、線材の温度は、中央の３本を３５０℃、そ
の両端の３本ずつを２５０℃、さらにその外側の３本ず
つを１５０℃に設定した。
【００１６】このように線材の温度を設定した場合、図
１０に示すように、平面形コイル電極１２の中央部でガ
スの流速が速くなるので、ガスのよどみが解消され、均
一なガス密度分布が実現できる。
１０に示すように、平面形コイル電極１２の中央部でガ
スの流速が速くなるので、ガスのよどみが解消され、均
一なガス密度分布が実現できる。
【００１７】図３は、上記成膜条件において、はしご状
平面形コイル電極１２の線材を加熱した場合（本発明）
と加熱しない場合（従来）で、電極近傍のグロー放電プ
ラズマ中の発光状態を、波長４１４ｎｍ近傍のみの光を
通過させる光フィルタを介して観測した結果を示すもの
である。図３に示されるように、本発明では、従来のも
のと比較して、一様性の高いＳｉＨ発光強度分布が得ら
れている。
平面形コイル電極１２の線材を加熱した場合（本発明）
と加熱しない場合（従来）で、電極近傍のグロー放電プ
ラズマ中の発光状態を、波長４１４ｎｍ近傍のみの光を
通過させる光フィルタを介して観測した結果を示すもの
である。図３に示されるように、本発明では、従来のも
のと比較して、一様性の高いＳｉＨ発光強度分布が得ら
れている。
【００１８】図４は、上記成膜条件において、はしご状
平面形コイル電極１２の線材を加熱した場合（本発明）
と加熱しない場合（従来）で、得られたアモルファスシ
リコン窒化膜の膜厚分布を示すものである。図４に示さ
れるように、本発明では、従来のものと比較して、均一
な膜厚を有する薄膜が得られている。
平面形コイル電極１２の線材を加熱した場合（本発明）
と加熱しない場合（従来）で、得られたアモルファスシ
リコン窒化膜の膜厚分布を示すものである。図４に示さ
れるように、本発明では、従来のものと比較して、均一
な膜厚を有する薄膜が得られている。
【００１９】さらに、得られた膜の組成を分析したとこ
ろ、膜全体にわたり、Ｎ／Ｓｉ比は１．３３±０．１で
あった。このことから、本発明では、均質性にも優れた
薄膜が得られることがわかる。
ろ、膜全体にわたり、Ｎ／Ｓｉ比は１．３３±０．１で
あった。このことから、本発明では、均質性にも優れた
薄膜が得られることがわかる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明のプラズマＣ
ＶＤ装置を用いれば、大面積の基板上に、均一かつ均質
な薄膜を形成でき、薄膜トランジスタ、アモルファスシ
リコン太陽電池、光センサ、半導体保護膜などの分野に
おける工業的価値が大きい。
ＶＤ装置を用いれば、大面積の基板上に、均一かつ均質
な薄膜を形成でき、薄膜トランジスタ、アモルファスシ
リコン太陽電池、光センサ、半導体保護膜などの分野に
おける工業的価値が大きい。
【図１】本発明の実施例に係るプラズマＣＶＤ装置の断
面図。
面図。
【図２】本発明の実施例に係るプラズマＣＶＤ装置に用
いられるはしご状平面形コイル電極の断面図。
いられるはしご状平面形コイル電極の断面図。
【図３】本発明および従来の装置を用いた場合の電極近
傍のＳｉＨ発光強度分布を示す特性図。
傍のＳｉＨ発光強度分布を示す特性図。
【図４】本発明および従来の装置を用いた場合のアモル
ファスシリコン窒化膜の膜厚分布を示す特性図。
ファスシリコン窒化膜の膜厚分布を示す特性図。
【図５】従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図。
【図６】プラズマＣＶＤ装置に用いられるはしご状平面
形コイル電極の平面図。
形コイル電極の平面図。
【図７】従来のプラズマＣＶＤ装置に用いられるはしご
状平面形コイル電極の断面図。
状平面形コイル電極の断面図。
【図８】プラズマＣＶＤ装置に用いられるガス混合器の
平面図。
平面図。
【図９】従来のプラズマＣＶＤ装置におけるガスの流れ
を示す説明図。
を示す説明図。
【図１０】本発明のプラズマＣＶＤ装置におけるガスの
流れを示す説明図。
流れを示す説明図。
１…反応容器、５…コイル、６…交流電源、７…反応ガ
ス導入管、８…ガス混合器、９…ガス導入孔、１０…排
気管、１１…真空ポンプ、１２…はしご状平面形コイル
電極、１３…インピーダンス整合器、１４…高周波電
源、１５…基板加熱用ヒータ、１６…基板、１７…ヒー
タ。
ス導入管、８…ガス混合器、９…ガス導入孔、１０…排
気管、１１…真空ポンプ、１２…はしご状平面形コイル
電極、１３…インピーダンス整合器、１４…高周波電
源、１５…基板加熱用ヒータ、１６…基板、１７…ヒー
タ。
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器内に反応ガス
を供給し、排出する手段と、上記反応容器内に収容され
た、線材がはしご状に組み合わされた形状の平面形コイ
ル電極と、この平面形コイル電極にグロー放電用電力を
供給する電源とを有し、反応容器内に設置された基板表
面に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置におい
て、上記平面形コイル電極を構成する線材に、線材の温
度を各々独立に制御できるようにヒータを組み込み、反
応容器内の反応ガス圧力分布を各々の線材の温度により
制御することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04077687A JP3089087B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04077687A JP3089087B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283344A true JPH05283344A (ja) | 1993-10-29 |
| JP3089087B2 JP3089087B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010222690A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP04077687A patent/JP3089087B2/ja not_active Expired - Fee Related
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