JPH02161626A - 自動強度制御装置 - Google Patents
自動強度制御装置Info
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- JPH02161626A JPH02161626A JP63315956A JP31595688A JPH02161626A JP H02161626 A JPH02161626 A JP H02161626A JP 63315956 A JP63315956 A JP 63315956A JP 31595688 A JP31595688 A JP 31595688A JP H02161626 A JPH02161626 A JP H02161626A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
Landscapes
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- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば光デイスク装置に用いて好適な自動強度
制御装置に関する。
制御装置に関する。
光デイスク装置において情報を再生するとき。
比較的小さい強度のレーザビームを光デイスク上に照射
する。これに対して情報を記録する場合、光ディスクに
ピットを形成する等、その光学的性質を変化させるため
、再生時より大きい強度にする必要がある９レーザビー
ムを発生する光源となる半導体レーザは温度によってス
レツユホールド電流が変動するため一定電流で駆動する
ことはできない、再生と記録を繰り返したりして、光源
の温度が変動すると、再生信号のレベルが変動し、種々
のサーボが不安定になったり、また最適に調整されてい
る記録強度が変わり、不適当な強度で記録され、再生時
にＳＮの悪化をみることもある。
する。これに対して情報を記録する場合、光ディスクに
ピットを形成する等、その光学的性質を変化させるため
、再生時より大きい強度にする必要がある９レーザビー
ムを発生する光源となる半導体レーザは温度によってス
レツユホールド電流が変動するため一定電流で駆動する
ことはできない、再生と記録を繰り返したりして、光源
の温度が変動すると、再生信号のレベルが変動し、種々
のサーボが不安定になったり、また最適に調整されてい
る記録強度が変わり、不適当な強度で記録され、再生時
にＳＮの悪化をみることもある。
従ってこれらを除去するため強度が一定になるように自
動強度制御（ＡＰＣ）装置が設けられている。
動強度制御（ＡＰＣ）装置が設けられている。
従来のＡＰＣ装首は再生時におりる強度と記録時におけ
る強度とを各々一定にするため、２つの基準値を設定し
、再生時においてはレーザビームの強度が第１の基準値
と一致するように、また記録時においては高速で交互に
くり返される再生強度と記録強度の両者が第１−の基準
値と記録強度用の第２の基準値に各々−敗するように制
御していた。
る強度とを各々一定にするため、２つの基準値を設定し
、再生時においてはレーザビームの強度が第１の基準値
と一致するように、また記録時においては高速で交互に
くり返される再生強度と記録強度の両者が第１−の基準
値と記録強度用の第２の基準値に各々−敗するように制
御していた。
従来の装置はこのように２つの基準値に対応するように
レーザビームの強度を制御しているので５構成が複雑に
なるばかりでなく、装置が高価になる欠点がある。
レーザビームの強度を制御しているので５構成が複雑に
なるばかりでなく、装置が高価になる欠点がある。
本発明は斯かる状況に鑑みなされたもので、構成をＳ単
にし、安価な装置を実現するものである７〔課題を解決
するための手段〕 本発明の自動強度制御装騙は、記録媒体から情報を再生
するとき及び記録媒体に情報を記録するとき光源を駆動
する第１の駆動手段と、記録媒体に情報を記録するとき
記録情報に対応して光源を駆動する第２の駆動手段と、
光源より出力さお４た光の強度を検出し、所定の基準値
との差に対応して光の強度が一定になるように第１の駆
動手段を制御する第１の制御手段と、記録媒体に情報を
記録するとき＠、】−の制御手段による第１．の駆動手
段の制御を禁止させるとともに、第１．の駆動手段より
光源に一定の電流を供給させる禁止手段と、記録媒体に
情報を記録するとき、第１の駆動手段による電流に付加
して所定の電流が光源に供給されるように第２の駆動手
段を制御する第２の制御手段とを備える。
にし、安価な装置を実現するものである７〔課題を解決
するための手段〕 本発明の自動強度制御装騙は、記録媒体から情報を再生
するとき及び記録媒体に情報を記録するとき光源を駆動
する第１の駆動手段と、記録媒体に情報を記録するとき
記録情報に対応して光源を駆動する第２の駆動手段と、
光源より出力さお４た光の強度を検出し、所定の基準値
との差に対応して光の強度が一定になるように第１の駆
動手段を制御する第１の制御手段と、記録媒体に情報を
記録するとき＠、】−の制御手段による第１．の駆動手
段の制御を禁止させるとともに、第１．の駆動手段より
光源に一定の電流を供給させる禁止手段と、記録媒体に
情報を記録するとき、第１の駆動手段による電流に付加
して所定の電流が光源に供給されるように第２の駆動手
段を制御する第２の制御手段とを備える。
再生時光源は第１の駆動手段により駆動される。
またこのとき第１の制御手段は光源より出力される光の
強度が一定になるように第１の駆動手段を制御する。一
方記録時においては第２の駆動手段が記録信号に対応す
るタイミングで第２の制御手段によって決められた最適
に記録できる強度の駆動電流を、第１−の駆動手段の駆
動電流に重畳して光源に供給する。このとき第１の制御
手段による第Ｊ−の駆動手段の制御は禁止されるが６例
えば禁止される直前の制御信号が保持されるため、第１
の駆動手段は記録時でもその保持されている制御信号で
光源を駆動しつづける。
強度が一定になるように第１の駆動手段を制御する。一
方記録時においては第２の駆動手段が記録信号に対応す
るタイミングで第２の制御手段によって決められた最適
に記録できる強度の駆動電流を、第１−の駆動手段の駆
動電流に重畳して光源に供給する。このとき第１の制御
手段による第Ｊ−の駆動手段の制御は禁止されるが６例
えば禁止される直前の制御信号が保持されるため、第１
の駆動手段は記録時でもその保持されている制御信号で
光源を駆動しつづける。
従って強度制御のための基準値は１つでよく。
構成のｍ帖化とコス１−の低減が可能になる。
第１図は本発明のＡＰＣ装置のブロック図である。端子
６Ｊ−には図示せぬマイクロコンピュータより信号＋Ｌ
Ｄ ＯＮが入力される。この信号は光源としての半導体
レーザＬ Ｄを駆動するとき論理Ｈ１駆動を停止すると
き論理りとされる。
６Ｊ−には図示せぬマイクロコンピュータより信号＋Ｌ
Ｄ ＯＮが入力される。この信号は光源としての半導体
レーザＬ Ｄを駆動するとき論理Ｈ１駆動を停止すると
き論理りとされる。
端子６１に論Ｒ４Ｈが入力されると、インバータ（抵抗
付トランジスタ（例えば商品名デジトラ））Ｉ２Ｏ３が
論理りを出力し、発光ダイオードＤ７０１が発光する。
付トランジスタ（例えば商品名デジトラ））Ｉ２Ｏ３が
論理りを出力し、発光ダイオードＤ７０１が発光する。
また抵抗材１−ランジスタｌ７０２が論理Ｈを出力し、
トランジスタＱ７２４のエミッタに正電圧が供給される
。いま再生モードである（記録モードでない）とすると
、端子６４の信号−ＷＧは論理Ｈとされ、る。その結果
ＦＥＴＱ７０ノーがオフ、１−ランジスタＱ７０２がオ
ン！２．て、１−ランジスタＱ７２４がオンし、禁１Ｆ
手段としてのＦ Ｅ Ｔ Ｑ ７２５がオンする。その
結果トランジスタＱ７２６．７２７．７２９、ＦＥＴＱ
７２８を有する制御回路１】０の出力が、Ｆ Ｅ Ｔ
Ｑ ７２５を介して、トランジスタＱ７２１．７２２、
ＦＥＴＱ７２３を有する駆動回路１２０に供給可能とな
る。
トランジスタＱ７２４のエミッタに正電圧が供給される
。いま再生モードである（記録モードでない）とすると
、端子６４の信号−ＷＧは論理Ｈとされ、る。その結果
ＦＥＴＱ７０ノーがオフ、１−ランジスタＱ７０２がオ
ン！２．て、１−ランジスタＱ７２４がオンし、禁１Ｆ
手段としてのＦ Ｅ Ｔ Ｑ ７２５がオンする。その
結果トランジスタＱ７２６．７２７．７２９、ＦＥＴＱ
７２８を有する制御回路１】０の出力が、Ｆ Ｅ Ｔ
Ｑ ７２５を介して、トランジスタＱ７２１．７２２、
ＦＥＴＱ７２３を有する駆動回路１２０に供給可能とな
る。
また抵抗材１−ランジスタエ７０】が論理りのとき、抵
抗付トランジスタエフ０３は論理Ｉ（を出力する。これ
によりＦＥＴＱ７２８がオフし、制御回路１１０が動作
可能になる。同様にＦＥＴＱ７３Ｇがオフし、抵抗付ト
ランジスタエフ１］の出力が開放され、制御回路】３０
が動作可能となる。
抗付トランジスタエフ０３は論理Ｉ（を出力する。これ
によりＦＥＴＱ７２８がオフし、制御回路１１０が動作
可能になる。同様にＦＥＴＱ７３Ｇがオフし、抵抗付ト
ランジスタエフ１］の出力が開放され、制御回路】３０
が動作可能となる。
半導体レーザＬ Ｄは駆動回路１．２０により駆動され
、レーザビームを出力する。このレーザビームの少なく
とも一部は受光素子ＰＤにより受光される。従って受光
素子ＰＤよりレーザビームの強度に対応した電流が出力
されている。
、レーザビームを出力する。このレーザビームの少なく
とも一部は受光素子ＰＤにより受光される。従って受光
素子ＰＤよりレーザビームの強度に対応した電流が出力
されている。
受光素子ＰＤより出力された電流は制御回路１】０に入
力され、抵抗Ｒ７３６，７３７により電圧に変換される
。トランジスタＱ７２６のベース（トランジスタＱ７２
７のエミッタ）はエミッタより電圧Ｖｂｅだけ大きく、
トランジスタＱ７２７のベースはそのエミッタより電圧
Ｖｂｅだ（Ｊ小さいから、トランジスタＱ７２６のエミ
ッタとトランジスタＱ７２７のベースは略同−の電位で
安定する。
力され、抵抗Ｒ７３６，７３７により電圧に変換される
。トランジスタＱ７２６のベース（トランジスタＱ７２
７のエミッタ）はエミッタより電圧Ｖｂｅだけ大きく、
トランジスタＱ７２７のベースはそのエミッタより電圧
Ｖｂｅだ（Ｊ小さいから、トランジスタＱ７２６のエミ
ッタとトランジスタＱ７２７のベースは略同−の電位で
安定する。
トランジスタＱ７２Ｇのエミッタはツェナー・ダイオー
ドＤ７２５を介して所定の基準電位でクランプされてい
るので、トランジスタＱ７２７のベースもこの基ｉ？１
位で安定する。
ドＤ７２５を介して所定の基準電位でクランプされてい
るので、トランジスタＱ７２７のベースもこの基ｉ？１
位で安定する。
半導体Ｉノーザの駆動電流と出力光の特性は第３図に示
すようになっており、駆動電流が一定の場合、温度が低
下すると出力光が強くなる。従って仮りにいま温度が低
下したとすると、半導体レーザＬＤの出力光が大きくな
り、受光素子ＰＤの出力電流が増加する。その結果抵抗
Ｒ７３６，７３７の電圧降下が大きくなり、１−ランジ
スタＱ７２７のベース電位が上昇する。このときトラン
ジスタＱ７２７のエミッタ（トランジスタＱ７２６のベ
ー・ス）の電位が上昇するので、Ｉ−ランジスタＱ７２
６のコレクタの電位が下降する。従ってＦＥＴＱ７２３
のゲート、さらにトランジスタＱ７２２のベースの電位
が下降し、トランジスタ（Ｑ７２２を流れる電流が少な
くなり、半導体レーザＬ Ｄの出力が低下する。同様に
１−ランジスタＱ７２７のベース電位が下降するとトラ
ンジスタＱ７２２を流れる電流は増加し、半導体レーザ
Ｌ Ｄの出力が大きくなる。このようにしてトランジス
タＱ ’７２７のベース電位がツェナーダイオードＤ７
２５を介して供給される基準電位と一致するようにサー
ボがかかり、半導体レーザＬＤの出力は一定値に保持さ
れる。
すようになっており、駆動電流が一定の場合、温度が低
下すると出力光が強くなる。従って仮りにいま温度が低
下したとすると、半導体レーザＬＤの出力光が大きくな
り、受光素子ＰＤの出力電流が増加する。その結果抵抗
Ｒ７３６，７３７の電圧降下が大きくなり、１−ランジ
スタＱ７２７のベース電位が上昇する。このときトラン
ジスタＱ７２７のエミッタ（トランジスタＱ７２６のベ
ー・ス）の電位が上昇するので、Ｉ−ランジスタＱ７２
６のコレクタの電位が下降する。従ってＦＥＴＱ７２３
のゲート、さらにトランジスタＱ７２２のベースの電位
が下降し、トランジスタ（Ｑ７２２を流れる電流が少な
くなり、半導体レーザＬ Ｄの出力が低下する。同様に
１−ランジスタＱ７２７のベース電位が下降するとトラ
ンジスタＱ７２２を流れる電流は増加し、半導体レーザ
Ｌ Ｄの出力が大きくなる。このようにしてトランジス
タＱ ’７２７のベース電位がツェナーダイオードＤ７
２５を介して供給される基準電位と一致するようにサー
ボがかかり、半導体レーザＬＤの出力は一定値に保持さ
れる。
このとき半導体レーザ１．、 Ｄ （従ってトランジス
タＱ７２１．７２２）を流れる電流値を１、とすると、
半導体レーザＬ Ｄが出力するレーザビームの強度Ｐは
ｐ ＞ （再生時のレベル）となる。
タＱ７２１．７２２）を流れる電流値を１、とすると、
半導体レーザＬ Ｄが出力するレーザビームの強度Ｐは
ｐ ＞ （再生時のレベル）となる。
半導体！／−ザＬ Ｄが正常に動作しているとき、トラ
ンジスタＱ７２２のエミッタに接続された抵抗Ｒ７２６
を流れる電流は所定値以下であるから。
ンジスタＱ７２２のエミッタに接続された抵抗Ｒ７２６
を流れる電流は所定値以下であるから。
その端子電圧は、抵抗Ｒ７２３，７２２で設定するトラ
ンジスタＱ７１１のベース電圧より小さい。
ンジスタＱ７１１のベース電圧より小さい。
従って検知回路１４０を構成する１−ランジスタＱ７】
１がオンし、端子６２の信号＋ＬＤ Ｄｙｉｎｇは論理
りとなっている。半導体レーザＬ Ｄが劣化する等して
その駆動電流が増加すると抵抗Ｒ７２６の端子電圧が上
昇し、トランジスタＱ７１１がオフする。こむにより端
子６２の信号は論理Ｘ−１に反転する。この論理）Ｉの
信号を受けたときマイクロコンピュータは半導体レーザ
に異常があったものとして警告表示等を行わせる。
１がオンし、端子６２の信号＋ＬＤ Ｄｙｉｎｇは論理
りとなっている。半導体レーザＬ Ｄが劣化する等して
その駆動電流が増加すると抵抗Ｒ７２６の端子電圧が上
昇し、トランジスタＱ７１１がオフする。こむにより端
子６２の信号は論理Ｘ−１に反転する。この論理）Ｉの
信号を受けたときマイクロコンピュータは半導体レーザ
に異常があったものとして警告表示等を行わせる。
一方記録モード時においては端子６４の信号−ＷＧが論
理りに反転される。これによりＦＥＴＱ７０１がオン、
トランジスタＱ７０２、Ｑ７２４がオフし、ＦＥＴＱ７
２５がオフする。その結果制御回路１１０による駆動回
路１２０の制御が禁止される。同時にそれまでの駆動電
圧がコンデンサＣ７２５にホールドされるので、駆動回
路１２０はそれまで流していた電流１１を半導体レーザ
ＬＤに供給し続ける。記録は通常セクタ毎に行われる。
理りに反転される。これによりＦＥＴＱ７０１がオン、
トランジスタＱ７０２、Ｑ７２４がオフし、ＦＥＴＱ７
２５がオフする。その結果制御回路１１０による駆動回
路１２０の制御が禁止される。同時にそれまでの駆動電
圧がコンデンサＣ７２５にホールドされるので、駆動回
路１２０はそれまで流していた電流１１を半導体レーザ
ＬＤに供給し続ける。記録は通常セクタ毎に行われる。
従ってコンデンサＣ７２５によるホールド時間は少なく
ともこのセクタへの記録時間（例えば約２１１１ｓ）に
対応して設定される。
ともこのセクタへの記録時間（例えば約２１１１ｓ）に
対応して設定される。
また端子６３には記録信号−ＷＤが入力される。
論理りの記録信号−ＷＤが入力されると、駆動回路１５
０のトランジスタＱ７３１とＱ７３２がオフする。その
結果トランジスタＱ７３２ど差動接続されているトラン
ジスタＱ７３３がオンし、端子ＬＤ、トランジスタＱ７
３３、Ｑ７３４の経路で電流が流れる。
０のトランジスタＱ７３１とＱ７３２がオフする。その
結果トランジスタＱ７３２ど差動接続されているトラン
ジスタＱ７３３がオンし、端子ＬＤ、トランジスタＱ７
３３、Ｑ７３４の経路で電流が流れる。
このときトランジスタＱ７３３．７３４を流れる電流を
工２とするとき、第３図に示すように、レーザビームの
強度はＰ２となる。すなわちこのとき半導体レーザＬＤ
には駆動回路１．２０より供給される電流Ｉｉと、＊動
回路１５０より供給される電流工２とが加算された電流
Ｉａ（＝ Ｉｓ ＋ ｌ１ｚ）が流れることになる。
工２とするとき、第３図に示すように、レーザビームの
強度はＰ２となる。すなわちこのとき半導体レーザＬＤ
には駆動回路１．２０より供給される電流Ｉｉと、＊動
回路１５０より供給される電流工２とが加算された電流
Ｉａ（＝ Ｉｓ ＋ ｌ１ｚ）が流れることになる。
記録モードにおいては端子６６に信号ＷＰＣが入力され
る。この信号ＷＰＣは第２図に示す回路により生成され
る。
る。この信号ＷＰＣは第２図に示す回路により生成され
る。
すなわち、ｌイタＹ」コンピュータはヘッドのディスク
半径方向の位置に対ノ：ｔ： ｂで最適の出力Ｐ２が得
られるようにコントロールデ・−タを出力する。
半径方向の位置に対ノ：ｔ： ｂで最適の出力Ｐ２が得
られるようにコントロールデ・−タを出力する。
このコントロ・−ルデータがＤ／Ａ変換され、端子５２
に入力される。コン１−ロールデータは抵抗Ｒ６０１、
コンデンサＣ６０】−よりなる回路により積分された後
、バッファとしての演算増幅器０６０４より出力される
。またマイクロコンピュータは所定のタイミングで端子
５３に信号−ＷＳＰを出力する。端子５ Ｉ３の信号が
論理［、になったとき抵抗付１〜ランジスタｌ６０３．
６０４の出力が開放され、ＦＥＴＱ６０３はオンする。
に入力される。コン１−ロールデータは抵抗Ｒ６０１、
コンデンサＣ６０】−よりなる回路により積分された後
、バッファとしての演算増幅器０６０４より出力される
。またマイクロコンピュータは所定のタイミングで端子
５３に信号−ＷＳＰを出力する。端子５ Ｉ３の信号が
論理［、になったとき抵抗付１〜ランジスタｌ６０３．
６０４の出力が開放され、ＦＥＴＱ６０３はオンする。
その結果演算増幅器０６０４の出力がコンデンサＣ６１
１に充電される。端子５：３の信号が論理Ｉ（に反転す
ると、ＦＥＴＱ６０３がオフするので、コンデンサＣ６
１〕は充電電圧を保持する。この保持電圧が演算増幅器
０６０５．０６０６．ＦＥＴＱ６０４により増幅され、
端子６６に信号ＷＰＣどして出力される。
１に充電される。端子５：３の信号が論理Ｉ（に反転す
ると、ＦＥＴＱ６０３がオフするので、コンデンサＣ６
１〕は充電電圧を保持する。この保持電圧が演算増幅器
０６０５．０６０６．ＦＥＴＱ６０４により増幅され、
端子６６に信号ＷＰＣどして出力される。
この信号ＷＰＣが第１−図の端子６６より制御回路１３
０に入力され、抵抗ＲＩＧ３．：］ンデン刀−Ｇ７４２
，７４１により積分される。制御回路】３０の出力が抵
抗Ｒ７６２を介して駆動回路Ｊ５０の！−ランジスタＱ
７３５に供給される。ダイオード接続さ九たトランジス
タＱ７３５は１−ランジスタＱ７３４とカレントミラー
回路を構成している。従ってトランジスタＱ７３５に流
れる電流と同一の電流がトランジスタＱ７３４を流れる
。
０に入力され、抵抗ＲＩＧ３．：］ンデン刀−Ｇ７４２
，７４１により積分される。制御回路】３０の出力が抵
抗Ｒ７６２を介して駆動回路Ｊ５０の！−ランジスタＱ
７３５に供給される。ダイオード接続さ九たトランジス
タＱ７３５は１−ランジスタＱ７３４とカレントミラー
回路を構成している。従ってトランジスタＱ７３５に流
れる電流と同一の電流がトランジスタＱ７３４を流れる
。
このようにして記録時にトランジスタＱ７３４を流狂る
電流■２がディスク半径方向の位置に対応して外周程大
きな値になるように制御される。
電流■２がディスク半径方向の位置に対応して外周程大
きな値になるように制御される。
半導体レーザＬ Ｄの出力特性は第３図に示すように、
（のスレシュホールド電流ＩＴにが温度により変動する
が、その発光効率Δすは温度に拘らず略一定となる。す
なわちより高い温度における発光効率ΔηＭ（傾斜角度
）とより低い温度における発光効率ΔＶｔ（傾斜角度）
とは略等しい。また」−述したように記録モード時にお
いては駆動回路１２０により記録モードに切り換えられ
る直前の駆ｌ！ｌＩ電流工、が供給され続けるので、そ
の時の温度がどのような値であっても半導体レーザＬ
Ｄの低レベルの出力は一定値Ｐ１に保持される。従って
駆動回路１５０による駆動電流１２を温度に拘らず一定
にしておけば、半導体レーザＬ Ｄの高１ノベルの出力
を一定値Ｐ２に保持することができる。
（のスレシュホールド電流ＩＴにが温度により変動する
が、その発光効率Δすは温度に拘らず略一定となる。す
なわちより高い温度における発光効率ΔηＭ（傾斜角度
）とより低い温度における発光効率ΔＶｔ（傾斜角度）
とは略等しい。また」−述したように記録モード時にお
いては駆動回路１２０により記録モードに切り換えられ
る直前の駆ｌ！ｌＩ電流工、が供給され続けるので、そ
の時の温度がどのような値であっても半導体レーザＬ
Ｄの低レベルの出力は一定値Ｐ１に保持される。従って
駆動回路１５０による駆動電流１２を温度に拘らず一定
にしておけば、半導体レーザＬ Ｄの高１ノベルの出力
を一定値Ｐ２に保持することができる。
駆動電流をＩ２（従って出力ｐｚ）をディスク半径方向
の位置に対応して変化させるのは、ＣＡＶディスクは外
周になる程ヘッドとの相対速度が速くなるので、情報を
記録する（ピットを形成する）にはそれだけ内周より大
きな強度を必要とするからであり、温度特性等に起因す
るＡＰＣサーボとは本質的に異なる趣旨に基づくもので
ある。
の位置に対応して変化させるのは、ＣＡＶディスクは外
周になる程ヘッドとの相対速度が速くなるので、情報を
記録する（ピットを形成する）にはそれだけ内周より大
きな強度を必要とするからであり、温度特性等に起因す
るＡＰＣサーボとは本質的に異なる趣旨に基づくもので
ある。
以上の如く本発明によれば、出力光の強度が比較的小さ
い第１のレベルにおいて一定になるように制御するとと
もに、所定の大きさの駆動電流を付加することにより第
１のレベルより大きい第２のレベルの強度を得るように
したので、構成が簡単になり、部品点数が減り、コスト
を低減させることができる。
い第１のレベルにおいて一定になるように制御するとと
もに、所定の大きさの駆動電流を付加することにより第
１のレベルより大きい第２のレベルの強度を得るように
したので、構成が簡単になり、部品点数が減り、コスト
を低減させることができる。
第１図は本発明の自動強度制御装置のブロック図、
第２図はその制御信号を生成する装置のブロック図、
第：３図は半導体レーザの出力特性図である。
１１０・・・制御回路
１２０・・・駆動回路
１３０・・・制御回路
１４０・・・検知回路
〕５０・・・駆動回路
以上
特許出願人 旭光学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 記録媒体から情報を再生するとき及び記録媒体に情報を
記録するとき光源を駆動する第１の駆動手段と、 記録媒体に情報を記録するとき記録情報に対応して光源
を駆動する第２の駆動手段と、 光源より出力された光の強度を検出し、所定の基準値と
の差に対応して光の強度が一定になるように第１の駆動
手段を制御する第１の制御手段と、記録媒体に情報を記
録するとき第１の制御手段による第１の駆動手段の制御
を禁止させるとともに、第１の駆動手段より光源に一定
の電流を供給させる禁止手段と、 記録媒体に情報を記録するとき、第１の駆動手段による
電流に付加して所定の電流が光源に供給されるように第
２の駆動手段を制御する第２の制御手段とを備える自動
強度制御装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315956A JPH02161626A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 自動強度制御装置 |
| US07/450,679 US5119360A (en) | 1988-12-14 | 1989-12-14 | Controlling a laser used with an optical disk apparatus |
| US07/817,495 US5153871A (en) | 1988-12-14 | 1992-01-07 | Controlling a laser used with an optical disk apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315956A JPH02161626A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 自動強度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02161626A true JPH02161626A (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=18071619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63315956A Pending JPH02161626A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 自動強度制御装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5119360A (ja) |
| JP (1) | JPH02161626A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0569964U (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | 旭光学工業株式会社 | レーザダイオード発光装置の突入電流防止回路 |
| JPH0569965U (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | 旭光学工業株式会社 | レーザダイオード発光装置の光出力制御回路 |
| JPH0623267U (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-25 | 旭光学工業株式会社 | レーザ発光装置の光出力切替装置 |
| JPH09509791A (ja) * | 1994-12-23 | 1997-09-30 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | レーザ電力供給回路及びそのようなレーザ電力供給回路を具えた光学記録と読取との双方又はいずれか一方用装置 |
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-
1988
- 1988-12-14 JP JP63315956A patent/JPH02161626A/ja active Pending
-
1989
- 1989-12-14 US US07/450,679 patent/US5119360A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5119360A (en) | 1992-06-02 |
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