JPH02157822A - 配向制御膜および配向制御法および液晶表示素子 - Google Patents

配向制御膜および配向制御法および液晶表示素子

Info

Publication number
JPH02157822A
JPH02157822A JP31337888A JP31337888A JPH02157822A JP H02157822 A JPH02157822 A JP H02157822A JP 31337888 A JP31337888 A JP 31337888A JP 31337888 A JP31337888 A JP 31337888A JP H02157822 A JPH02157822 A JP H02157822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrates
orientation control
alignment
display element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31337888A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Mochimura
望村 秀晃
Yuji Satani
裕司 佐谷
Tsuyoshi Kamimura
強 上村
Kazuhiro Jiyouten
一浩 上天
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP31337888A priority Critical patent/JPH02157822A/ja
Priority to EP89305972A priority patent/EP0347178A3/en
Priority to KR1019890008271A priority patent/KR910001434A/ko
Publication of JPH02157822A publication Critical patent/JPH02157822A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は分子の配向制御に関するものであり、特に液晶
分子の配向制御に関する。
従来の技術 液晶表示素子(LCD)は今日、腕時計からゲーム機、
カラーテレビ、ランプトップコンピューターなどあらゆ
る分野で広く使用されるようになってきた。これに伴い
、LCDの高性能化に対する要請は大変高まってきてい
る。その要請に応えるため、アクティブマトリックス方
式や強誘電性液晶、スーパーツイスト方式などの高性能
液晶表示素子が開発されてきている。液晶素子の性能を
決定する重要な要素の一つとして配向制御技術がある。
これは、液晶分子を表示素子の全面にわたって一定の方
向に配向させるための処理であり、表示品位の優劣がこ
れにより大きく左右される。
配向制御が不出来な場合、表示のムラ、コントラストの
低下、性能の経時的劣化などの致命的欠陥を引き起こす
。配向制御技術の重要性は従来からのツィステッドネマ
チック型(TN型)LCDは言うに及ばず、前記した各
高性能液晶素子に於いても共通しており、むしろ益々重
要な技術となってきている。従来、液晶の配向制御方法
としては、電極表面にポリイミドなどの被膜を形成して
後、この表面を布などにより擦るという方法(ラビング
法)と、電極表面に対して斜めの方向からSiOなどを
蒸着する方法(斜方蒸着法)とが用いられており、主に
簡便なラビング法が主流となっている。
発明が解決しようとする課題 液晶素子の大画面化、高密度化が進んできた現在、従来
通りの配向膜を用いてこれをラビングするだけでは全面
にわたって均一で高品位な表示を得ることが難しくなっ
てきた。特に、前記した高性能液晶表示素子については
何れも従来方式の踏襲では満足できる表示が得られない
、中でも強誘電性液晶素子の場合、従来法では液晶分子
の配向方位の双安定性を61保できなかった。
課題を解決するための手段 本発明は液晶表示素子の高機能化を可能ならしめる新規
な分子配向制御方法を与えるものであり、本発明の液晶
表示素子は血しょう中に含まれるタンパク質を主成分と
する塗膜であって、かつ該塗膜を少なくとも電極層を形
成した基板上に塗布するに際し、前記基板が前記水?8
液の水面を横切って一定方向に引き上げ塗布されてなる
ことを特徴とする配向制御膜を、一対の基板のうち少な
くとも一方の基板上に存してなる一対の液晶支持板を、
前記配向制御膜側に接着されたスペーサーを介して互い
に対向・保持せしめ、その膜対向間隔中に液晶物質を注
入・保持したことを特徴とする。
作用 本発明の配向制御法により、液晶分子は電極面に平行で
かつ素子の全面にわたって均一な配向性能を示す。中で
も、強誘電性液晶の場合には、分子の配向方向に双安定
性が必要とされ従来の配向方法では満足できる性能が得
られていなかったが、本発明の配向制御法により双安定
性を完全に保持したままで均一な配向規制が可能となる
実施例 以下本発明の一実施例の配向制御膜について、図面を参
照しながら説明する。
第1図は本発明の配向制御膜を用いた液晶素子の概略を
示す図である。ガラスやプラスチックの基板11上にイ
ンジウム・錫酸化物(ITO)よりなる透明電極層12
を形成し、その上に配向制御膜13を形成後、シール樹
脂14を印刷し、2枚の基板を貼合わせ、開口部より液
晶15を注入後、開口部を封止していわゆる液晶セルを
完成した。
実施例1 1.0gの市販の組織培養用血清(仔牛血清:(財)阪
大微生物病研究会製)を100gの純水に希釈した水溶
液を調製した。次いで、この水溶液にITO電極のパタ
ーンを形成したガラス基板を水面に対して垂直方向にゆ
っくりした速度で降ろした。所望の部分まで浸漬したと
ころで、しばらく静置し、再びゆっくりした速度でガラ
ス基板を水面に対して垂直方向に引き上げた。この後、
100’Cで一時間加熱乾燥し配合制御膜を形成した。
こうして牛血端の配向制御膜を形成したガラス基板を・
2枚用意し、その片方のITO電極を形成した面に直径
7μmのガラス繊維を分散した酸無水物硬化型エポキシ
樹脂を1辺のみ辺の中央部に5胴幅を残して他の全周に
0.2LIIIII幅で印刷した上で、2枚のガラス基
板の配向制御膜形成時の引き上げ方向が直角でかつ電極
面を対向させた状態で加圧し、150 ’Cで5時間加
熱して硬化接着した。接着後、減圧下で開口部から液晶
(メルク社製、商品名ZLI3225)を注入した。注
入後、開口部を市販の酸無水物硬化型エポキシ樹脂で封
止していわゆる′ンイスナインドネマチノク(T N)
型液晶セルを完成した。第2図はTN型液晶セルを示す
図であり、21は上側基板、22は下側基板で23.2
4はそれぞれの引き上げ方向を示し、25はシール樹脂
である。完成したTN型液晶セルは配向ムラのない良好
な配向状態を示した。
実施例2 10gの市販の組織培養用血清(仔牛証清:@阪大微生
物病研究会製)を100gの純水に希釈した水溶液を調
製した。次いで、この水溶液にITO電極のパターンを
形成したガラス基板を水面に対して垂直方向にゆっくり
した速度で降ろした。所望の部分まで浸漬したところで
、しばらく静置し、再びゆっくりした速度でガラス基板
を水面に対して垂直方向に引き上げた。この後、100
°Cで一時間乾燥させ配向制御膜を作製した。次に生血
清の塗膜を形成したガラス基板を2枚用意し、その片方
のrTO1極を形成した面に直径2μmのガラス繊維を
分散した酸無水物硬化型エポキシ樹脂を1辺のみ辺の中
央部に5Na幅を残して他の全周に0.2ma+幅で印
刷した上で、2枚のガラス基板の配向膜形成後のラビン
グ方向が平行でかつ電極面を対向させた状態で加圧し、
150°Cで5時間加熱して硬化接着した。接着後、減
圧下で開口部から液晶(メルク社製 商品名ZL136
54)を注入した。注入後、開口部を市販の酸無水物硬
化型エポキシ樹脂で封止した。さらに、封入した液晶が
等吉相を示す温度すなわち80°C付近まで加熱し徐々
に温度を下げ、いわゆる強誘電性液晶セルを完成した。
第3図は強誘電性液晶セルを示す図であり、31は上側
基板、32は下側基板で33.34はそれぞれの引き上
げ方向を示し、35はシール樹脂である。完成した強誘
電性液晶セルは配向ムラのない良好な配向状態を示し、
電圧印加により、双安定性の確保された良好な電気光学
特性が得られた。
実施例3 1gの市販のアルブミン/ラビットを100dの純水に
溶解して水溶液を調製した。この水溶液を用いて実施例
2に示した方法により強誘電性液晶セルを作製した。完
成した強誘電性液晶セルは配向ムラのない良好な配向状
態を示し、電圧印加により、双安定性の確保された良好
な電気光学特性が得られた。
実施例4 1gの市販のアルブミン/豚血清を100dの純水に溶
解して水溶液を調製した。この水溶液を用いて実施例2
に示した方法により強誘電性液晶セルを作製した。完成
した強誘電性液晶セルは配向ムラのない良好な配向状態
を示し、電圧印加により、双安定性の確保された良好な
電気光学特性が得られた。
実施例5 1gの市販のアルブミン/ヤギ製を100dの純水に溶
解して水溶液を調整した。この水溶液を用いて実施例2
に示した方法により強誘電性液晶セルを作製した。完成
した強誘電性液晶セルは配向ムラのない良好な配向状態
を示し、電圧印加により、双安定性の確保された良好な
電気光学特性が得られた。
実施例6 1gの市販のγ−グロブリンを100 mlの純水に溶
解して水溶液を調整した。この水溶液を用いて実施例2
に示した方法により強誘電性液晶セルを作製した。完成
した強誘電性液晶セルは配向ムラのない良好な配向状態
を示し、電圧印加により、双安定性の確保された良好な
電気光学特性が得られた。
以上、液晶表示素子を用いて本発明の配向制御法を説明
してきたが、本発明は表示素子に限定されるものではな
く、分子を配向させることが必要なシャッターなどの光
学素子にも適用できるものである。
発明の効果 本発明の配向制御法により分子、特に液晶分子を安価に
して容易に配向可能ならしめるものであり、従来安定な
配向がきわめて困難であった強誘電性液晶をも安定に、
かつ良好に配向させることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の液晶素子の概略図、第2図は本発明の
配向制御膜を用いたTN型液晶素子を示す説明図、第3
図は本発明の配向制御膜を用いた強誘電性液晶素子を示
す説明図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・透明電疹層、
13・・・・・・配向制御膜、14・・・・・・スペー
サー、15・旧・・液晶、21.31・・・・・・上側
基板、22.32・・・・・・下側基板、23.33・
・・・・・上側基板の引き上げ方向、24.34・・・
・・・下側基板の引き上げ方向、25゜35・・・・・
・シール樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1巻筒 図 I −m− 24−・ 25−・・ よ側暮伍 下側基板 上側蟇報の3Iき上げ方向 下側慕伍のり1;上げ5句 シール彰脂 第 図 I ざ 31−・上!l+1墓板 32−・下tll版 板−上制暮慌の?1巳上げ方向 剣暮玉の!IH上げ方向 一ル罰脂 / ++  −−− 12−−・ 13 −・− 15−・− 暮   叛 !!明電倫層 配向ネリ圓膿 スペーサ 潰   晶

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)血しょう中に含まれるタンパク質を主成分とする
    ことを特徴とする配向制御膜。
  2. (2)血しょう中に含有されるタンパク質の水溶液を、
    少なくとも電極を形成した基板上に塗布するに際し、前
    記基板が前記水溶液の水面を横切って一定方向に引き上
    げ塗布されることを特徴とする液晶配向制御法。
  3. (3)少なくとも電極層を形成した一対の基板のうち少
    なくとも一方の基板上に、血しょう中に含まれるタンパ
    ク質を主成分として含む配向制御膜を有してなる一対の
    液晶支持板を、前記配向制御膜側に接着されたスペーサ
    ーを介して互いに対向・保持せしめ、その膜対向間隔中
    に液晶物質を注入・保持したことを特徴とする液晶表示
    素子。
  4. (4)液晶物質が、強誘電性を示す液晶組成物であるこ
    とを特徴とする請求項(3)記載の液晶表示素子。
JP31337888A 1988-06-15 1988-12-12 配向制御膜および配向制御法および液晶表示素子 Pending JPH02157822A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31337888A JPH02157822A (ja) 1988-12-12 1988-12-12 配向制御膜および配向制御法および液晶表示素子
EP89305972A EP0347178A3 (en) 1988-06-15 1989-06-13 Orientation control film of liquid crystal molecule and liquid crystal element using it
KR1019890008271A KR910001434A (ko) 1988-06-15 1989-06-15 배향제어막과 배향제어법 및 액정소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31337888A JPH02157822A (ja) 1988-12-12 1988-12-12 配向制御膜および配向制御法および液晶表示素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02157822A true JPH02157822A (ja) 1990-06-18

Family

ID=18040546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31337888A Pending JPH02157822A (ja) 1988-06-15 1988-12-12 配向制御膜および配向制御法および液晶表示素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02157822A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970030282A (ko) * 1995-11-28 1997-06-26 김광호 플라즈마 씨ㆍ브이ㆍ디 장치의 세라믹 스페이서
KR20020006308A (ko) * 2000-07-12 2002-01-19 박종섭 반도체 웨이퍼의 평탄화 방법
KR100333822B1 (ko) * 2000-07-11 2002-04-26 이종성 세라믹계 절연체의 세정방법
KR100342395B1 (ko) * 2000-06-28 2002-07-02 황인길 반도체 소자 제조 장치
KR100335483B1 (ko) * 1995-11-28 2002-11-20 삼성전자 주식회사 반도체소자의스페이서형성방법
KR100364091B1 (ko) * 2000-06-27 2002-12-11 주식회사 아펙스 다채널 플레이트를 구비한 증착장치
KR100364090B1 (ko) * 2000-07-10 2002-12-11 주식회사 아펙스 유전체 박막형성장치
KR100364656B1 (ko) * 2000-06-22 2002-12-16 삼성전자 주식회사 실리사이드 증착을 위한 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치
KR100371343B1 (ko) * 2000-07-04 2003-02-06 주식회사 엘지이아이 플라즈마 중합용 증착장치
KR100372640B1 (ko) * 2000-06-28 2003-02-17 주식회사 하이닉스반도체 선택적 에피택셜 성장을 이용한 콘택 플러그 형성방법
KR100373165B1 (ko) * 1999-12-24 2003-02-25 주식회사 하이닉스반도체 게이트 유전체막이 적용되는 반도체 소자의 제조 방법
KR100374894B1 (ko) * 2000-06-22 2003-03-06 이영춘 이온빔 보조 전자빔 진공증착기를 이용하여 수지계기판에투명 아이티오 도전박막을 형성하는 방법
KR100365328B1 (ko) * 1998-10-22 2003-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 플라즈마를이용한비정질막의결정화장비

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100335483B1 (ko) * 1995-11-28 2002-11-20 삼성전자 주식회사 반도체소자의스페이서형성방법
KR970030282A (ko) * 1995-11-28 1997-06-26 김광호 플라즈마 씨ㆍ브이ㆍ디 장치의 세라믹 스페이서
KR100365328B1 (ko) * 1998-10-22 2003-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 플라즈마를이용한비정질막의결정화장비
KR100373165B1 (ko) * 1999-12-24 2003-02-25 주식회사 하이닉스반도체 게이트 유전체막이 적용되는 반도체 소자의 제조 방법
KR100364656B1 (ko) * 2000-06-22 2002-12-16 삼성전자 주식회사 실리사이드 증착을 위한 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치
KR100374894B1 (ko) * 2000-06-22 2003-03-06 이영춘 이온빔 보조 전자빔 진공증착기를 이용하여 수지계기판에투명 아이티오 도전박막을 형성하는 방법
KR100364091B1 (ko) * 2000-06-27 2002-12-11 주식회사 아펙스 다채널 플레이트를 구비한 증착장치
KR100372640B1 (ko) * 2000-06-28 2003-02-17 주식회사 하이닉스반도체 선택적 에피택셜 성장을 이용한 콘택 플러그 형성방법
KR100342395B1 (ko) * 2000-06-28 2002-07-02 황인길 반도체 소자 제조 장치
KR100371343B1 (ko) * 2000-07-04 2003-02-06 주식회사 엘지이아이 플라즈마 중합용 증착장치
KR100364090B1 (ko) * 2000-07-10 2002-12-11 주식회사 아펙스 유전체 박막형성장치
KR100333822B1 (ko) * 2000-07-11 2002-04-26 이종성 세라믹계 절연체의 세정방법
KR20020006308A (ko) * 2000-07-12 2002-01-19 박종섭 반도체 웨이퍼의 평탄화 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02157822A (ja) 配向制御膜および配向制御法および液晶表示素子
JPH0743689A (ja) 情報表示装置およびその製造方法
JPH02311822A (ja) 配向制御膜と配向制御法および液晶素子
JPH02311824A (ja) 配向制御膜と液晶素子
JP2532759B2 (ja) 配向制御膜と液晶素子
JPH0339932A (ja) 液晶素子
JPH02208633A (ja) 液晶表示装置
JPH0194318A (ja) 液晶表示素子
JPH02157823A (ja) 配向制御膜および配向制御法および液晶表示素子
EP0347178A2 (en) Orientation control film of liquid crystal molecule and liquid crystal element using it
JPH02311821A (ja) 配向制御膜と配向制御法および液晶素子
JPH02157824A (ja) 液晶素子
JPH022517A (ja) 配向制御膜とそれを用いた液晶素子
JPS61100726A (ja) 液晶表示装置
JPH0445424A (ja) 配向制御膜とそれを用いた強誘電性液晶素子
JPH0372323A (ja) 液晶表示素子の製造法
JPH04190328A (ja) 強誘電性液晶表示素子とその製造法
JPH02311823A (ja) 配向制御膜と液晶素子
JPH01166018A (ja) 湾曲液晶パネルとその製造方法
JPH04136915A (ja) 液晶素子
JPH04131826A (ja) 液晶配向制御膜と強誘電性液晶素子
JPH07120762A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JPS6114623A (ja) 液晶セル用配向処理剤
JPH03113422A (ja) 液晶素子及びその製造法
JPS61255321A (ja) 液晶表示素子の製造方法