JPH0215678A - 半導体不揮発性メモリ - Google Patents
半導体不揮発性メモリInfo
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- JPH0215678A JPH0215678A JP16544688A JP16544688A JPH0215678A JP H0215678 A JPH0215678 A JP H0215678A JP 16544688 A JP16544688 A JP 16544688A JP 16544688 A JP16544688 A JP 16544688A JP H0215678 A JPH0215678 A JP H0215678A
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- Japan
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- film
- insulating film
- psg
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
- H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野]
本発明はフローティングゲート構造を有するEPROM
等の半導体不揮発性メモリに関する。 [発明の概要〕 本発明はフローティングゲート構造を有する紫外線消去
型のEFROM (消去可能な書込み可能読み出し専用
メモリ)の最終保護膜(パッシベイション膜)として、
薄い窒化シリコン膜の上にリン硅化ガラス(PSG)膜
を堆積した2層膜を用いた。
等の半導体不揮発性メモリに関する。 [発明の概要〕 本発明はフローティングゲート構造を有する紫外線消去
型のEFROM (消去可能な書込み可能読み出し専用
メモリ)の最終保護膜(パッシベイション膜)として、
薄い窒化シリコン膜の上にリン硅化ガラス(PSG)膜
を堆積した2層膜を用いた。
従来のEFROMに用いられているパッシベイション構
造を第2図を用いて説明する。第2図はPチャネル型の
EFROMを示している。N型半導体基板11の表面領
域にソース領域12およびドレイン領域13が設けられ
、ソース領域12およびドレイン領域13の間のチャネ
ル領域の上にはゲート絶縁膜14を介してフローティン
グゲート15が設けられ、フローティングゲートを覆う
PSG等よりなる中間絶縁膜16と同じ<PSG等より
なるパッシベイション膜17が配置されている。 〔発明が解決しようとする課題〕 上記のごとく、従来の技術においてはパッシベイション
膜7はPSGからなっている。EFROMを含まない通
常のIC(集積回路)ではパッシベイション膜にプラズ
マCVD法により堆積される窒化シリコン膜(以下P−
SiNと略す)を用いている。P−SiN膜はPSGに
比べはるかに耐湿性に優れているからである。しかし、
EPROMを含むICではP−SiN膜はパッシベイシ
ョン膜に用いられていない、この理由は、P−SiN膜
をパッシベイションに用いると紫外線によるEFROM
の消去時間がのびてしまうからである。第3図は様々な
膜厚のP−SiN膜をパッシベイションに持つEPRO
Mの紫外線消去特性をPSG膜のものと比べた図である
# 400 n mのP−SiNllを用いた場合でも
PSGを用いたEFROMの10倍程度の消去時間が必
要となってしまう、P−SiNをパッシベイションに用
いた場合、製造工程での消去に多大の時間が必要となっ
てしまう、そのため、パッシベイション膜としてPSG
膜を用いているが、PSG膜だけで必要とされる耐湿性
を得ようとするとPSG膜の厚さを1.2μmから2μ
m程度にしなければならないが、このように厚くすると
クラック等の欠陥がPSG膜に発生しやす(なり、IC
の歩留りを下げていた。 [課題を解決するための手段] 上記課題を解決するために本発明では、EFROMのパ
ッシベイションとして、100〜400nm程度のP−
SiNの上に600〜11000n程度のPSGを堆積
した2層膜を用いた。 [作用] パッシベイション膜としてP−3iNとPSGとの2層
膜を用いているので、P−3iN膜の働きによって耐湿
性は非常に改善される。そのためPSG膜の厚さを薄く
することができるのでクラック等の欠陥の発生を少くす
ることができる。P−5iN膜の上にPSG膜を堆積し
ているので1回のドライエツチング処理によって、アル
ミ等の配線材料のパッド部分上のパッシベイション膜を
除去することができる。 〔実施例〕 本発明の実施例を図面を用いて説明する。第1図は本発
明を用いたPチャネル型EPROMの構造断面図である
。N型半導体基板lの表面領域にP型のソース領域2お
よびドレイン領域3が設けられ、ソース領域2およびド
レイン領域3の間のチャネル領域の上にはゲート絶縁膜
4を介してフローティングゲート5が設けられ、フロー
ティングゲート5を覆うPSGの中間絶縁膜6が配置さ
れる。中間絶縁膜6の上にアルミ等の金属配線を配置し
た後厚さ100〜400 nm程度のP−SiN膜7と
厚さ600〜looOnm程度のPSG膜8とからなる
2層膜のパッシベイション膜を設けている。P−SiN
IIの厚さが200nm程度であれば紫外線による消去
時間はそれほど長くならない、耐湿性に関してはP−3
iN膜を用いているので非常に優れている。 第4図に本発明の第2の実施例を示す、第4図は本発明
を用いたNチャネル型EFROMの構造断面図である。 P型半導体基板21の表面領域にN型のソース領域22
およびドレイン領域23が設けられ、ソース領域22お
よびドレイン領域23の間のチャネル領域の上にはゲー
ト絶縁膜24を介してフローティングゲート25が設け
られ、フローティングゲート25の上には層間絶縁膜2
6を介してコントロールゲート27が設けられている。 PSGの中間絶縁膜28を設はアルミ等の金属配線を配
置した後厚さ100〜400nm程度のP−SiN膜2
膜上9さ600〜11000n程度のPSG膜3膜上0
らなる2層膜のパッシベイションを設けている0本実施
例においても消去時間をそれほど増すことなしに耐湿性
を向上させている。 〔発明の効果1 紫外線消去型のEFROMのバッシベイション膜として
薄いP−SiN膜とPSG膜とからなる2層膜を用いる
ことで消去時間をそれほど増すことなしに耐湿性を向上
させることができる。 8.17.30・・PSG膜 7.29・ ・ ・ ・ ・P−SiNtl1
造を第2図を用いて説明する。第2図はPチャネル型の
EFROMを示している。N型半導体基板11の表面領
域にソース領域12およびドレイン領域13が設けられ
、ソース領域12およびドレイン領域13の間のチャネ
ル領域の上にはゲート絶縁膜14を介してフローティン
グゲート15が設けられ、フローティングゲートを覆う
PSG等よりなる中間絶縁膜16と同じ<PSG等より
なるパッシベイション膜17が配置されている。 〔発明が解決しようとする課題〕 上記のごとく、従来の技術においてはパッシベイション
膜7はPSGからなっている。EFROMを含まない通
常のIC(集積回路)ではパッシベイション膜にプラズ
マCVD法により堆積される窒化シリコン膜(以下P−
SiNと略す)を用いている。P−SiN膜はPSGに
比べはるかに耐湿性に優れているからである。しかし、
EPROMを含むICではP−SiN膜はパッシベイシ
ョン膜に用いられていない、この理由は、P−SiN膜
をパッシベイションに用いると紫外線によるEFROM
の消去時間がのびてしまうからである。第3図は様々な
膜厚のP−SiN膜をパッシベイションに持つEPRO
Mの紫外線消去特性をPSG膜のものと比べた図である
# 400 n mのP−SiNllを用いた場合でも
PSGを用いたEFROMの10倍程度の消去時間が必
要となってしまう、P−SiNをパッシベイションに用
いた場合、製造工程での消去に多大の時間が必要となっ
てしまう、そのため、パッシベイション膜としてPSG
膜を用いているが、PSG膜だけで必要とされる耐湿性
を得ようとするとPSG膜の厚さを1.2μmから2μ
m程度にしなければならないが、このように厚くすると
クラック等の欠陥がPSG膜に発生しやす(なり、IC
の歩留りを下げていた。 [課題を解決するための手段] 上記課題を解決するために本発明では、EFROMのパ
ッシベイションとして、100〜400nm程度のP−
SiNの上に600〜11000n程度のPSGを堆積
した2層膜を用いた。 [作用] パッシベイション膜としてP−3iNとPSGとの2層
膜を用いているので、P−3iN膜の働きによって耐湿
性は非常に改善される。そのためPSG膜の厚さを薄く
することができるのでクラック等の欠陥の発生を少くす
ることができる。P−5iN膜の上にPSG膜を堆積し
ているので1回のドライエツチング処理によって、アル
ミ等の配線材料のパッド部分上のパッシベイション膜を
除去することができる。 〔実施例〕 本発明の実施例を図面を用いて説明する。第1図は本発
明を用いたPチャネル型EPROMの構造断面図である
。N型半導体基板lの表面領域にP型のソース領域2お
よびドレイン領域3が設けられ、ソース領域2およびド
レイン領域3の間のチャネル領域の上にはゲート絶縁膜
4を介してフローティングゲート5が設けられ、フロー
ティングゲート5を覆うPSGの中間絶縁膜6が配置さ
れる。中間絶縁膜6の上にアルミ等の金属配線を配置し
た後厚さ100〜400 nm程度のP−SiN膜7と
厚さ600〜looOnm程度のPSG膜8とからなる
2層膜のパッシベイション膜を設けている。P−SiN
IIの厚さが200nm程度であれば紫外線による消去
時間はそれほど長くならない、耐湿性に関してはP−3
iN膜を用いているので非常に優れている。 第4図に本発明の第2の実施例を示す、第4図は本発明
を用いたNチャネル型EFROMの構造断面図である。 P型半導体基板21の表面領域にN型のソース領域22
およびドレイン領域23が設けられ、ソース領域22お
よびドレイン領域23の間のチャネル領域の上にはゲー
ト絶縁膜24を介してフローティングゲート25が設け
られ、フローティングゲート25の上には層間絶縁膜2
6を介してコントロールゲート27が設けられている。 PSGの中間絶縁膜28を設はアルミ等の金属配線を配
置した後厚さ100〜400nm程度のP−SiN膜2
膜上9さ600〜11000n程度のPSG膜3膜上0
らなる2層膜のパッシベイションを設けている0本実施
例においても消去時間をそれほど増すことなしに耐湿性
を向上させている。 〔発明の効果1 紫外線消去型のEFROMのバッシベイション膜として
薄いP−SiN膜とPSG膜とからなる2層膜を用いる
ことで消去時間をそれほど増すことなしに耐湿性を向上
させることができる。 8.17.30・・PSG膜 7.29・ ・ ・ ・ ・P−SiNtl1
第1図は本発明の第1の実施例を示すEPROMの構造
断面図、第2図は従来の技術によるEFROMの構造断
面図、第3図はEFROMの紫外線消去特性を示す図、
第4図は本発明の第2の実施例を示すEFROMの構造
断面図である。 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助1 、11
・ 2 l ・ ・ ・ 2、12. 3、13. 4、 l 4. 5、 l 5. 6、 l 6. 26 ・ ・ ・ 27 ・ ・ ・ ・ N型半導体基板 P型半導体基板 ソース領域 ドレイン領域 ゲート絶縁膜 フローティングゲート 中間絶縁膜 層間絶縁膜 コントロールゲート 2ソース傾)ス 5フローテイン7ケート EFROMのamFialZ 第 1 図 県外fia鋼WtlIIC1LILa)EFROMの索
9)録Aと特性図 第3図 庵、来のEPROMσ構埒阿面図 第2図 42のE PROM nahFNFfn’f2r第 4
図
断面図、第2図は従来の技術によるEFROMの構造断
面図、第3図はEFROMの紫外線消去特性を示す図、
第4図は本発明の第2の実施例を示すEFROMの構造
断面図である。 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助1 、11
・ 2 l ・ ・ ・ 2、12. 3、13. 4、 l 4. 5、 l 5. 6、 l 6. 26 ・ ・ ・ 27 ・ ・ ・ ・ N型半導体基板 P型半導体基板 ソース領域 ドレイン領域 ゲート絶縁膜 フローティングゲート 中間絶縁膜 層間絶縁膜 コントロールゲート 2ソース傾)ス 5フローテイン7ケート EFROMのamFialZ 第 1 図 県外fia鋼WtlIIC1LILa)EFROMの索
9)録Aと特性図 第3図 庵、来のEPROMσ構埒阿面図 第2図 42のE PROM nahFNFfn’f2r第 4
図
Claims (1)
- 第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板表面領域に
間隔をあけて設けられた前記半導体基板とは逆の導電型
を有するソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイ
ン領域間にあって、いずれの領域へも電気的に直接接触
しないように絶縁包囲して置かれたフローティングゲー
トと、前記フローティングゲートと前記半導体基板とを
分離するために設けられた第1の絶縁膜と前記フローテ
ィングゲートを覆う第2の絶縁膜とから構成されるフロ
ーティングゲート型メモリにおいて、前記第2の絶縁膜
あるいは前記第2の絶縁膜の上にさらに設けられる第3
の絶縁膜は窒化シリコン膜の上にリン硅化ガラス(PS
G)膜を堆積した2層膜であることを特徴とする半導体
不揮発性メモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16544688A JPH0215678A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体不揮発性メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16544688A JPH0215678A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体不揮発性メモリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0215678A true JPH0215678A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15812581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16544688A Pending JPH0215678A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体不揮発性メモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0215678A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0417373A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP16544688A patent/JPH0215678A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0417373A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
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