JPH0215615A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0215615A JPH0215615A JP16532988A JP16532988A JPH0215615A JP H0215615 A JPH0215615 A JP H0215615A JP 16532988 A JP16532988 A JP 16532988A JP 16532988 A JP16532988 A JP 16532988A JP H0215615 A JPH0215615 A JP H0215615A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用するパターン形成
方法に関する。
方法に関する。
一般に、この種のパターン形成方法には、金属配線材料
として高反射率をもつアルミニウムが使用され、このア
ルミニウムからなる金属配線膜が予め形成された絶縁膜
上にレジスト膜を塗布した後、これから露光、現像によ
ってレジストパターンを形成してから金属配線パターン
を形成するものが知られている。
として高反射率をもつアルミニウムが使用され、このア
ルミニウムからなる金属配線膜が予め形成された絶縁膜
上にレジスト膜を塗布した後、これから露光、現像によ
ってレジストパターンを形成してから金属配線パターン
を形成するものが知られている。
ところで、この種のパターン形成方法においては、金属
配線膜上に塗布されるレジスト膜の厚さ変化に伴いレジ
ストパターンの寸法に大きい変動が生じるが、これは露
光時の照射光とレジスト膜下方からの反射光との干渉に
よるものとされている。
配線膜上に塗布されるレジスト膜の厚さ変化に伴いレジ
ストパターンの寸法に大きい変動が生じるが、これは露
光時の照射光とレジスト膜下方からの反射光との干渉に
よるものとされている。
そこで、従来により前記した反射光の影響を低減するた
めに、金属配線膜上に反射防止膜を介してレジスト膜を
塗布するパターン形成方法が採用されている。
めに、金属配線膜上に反射防止膜を介してレジスト膜を
塗布するパターン形成方法が採用されている。
次に、このパターン形成方法につき、第６図（ａ＞〜（
ｉ）を用いて説明する。
ｉ）を用いて説明する。
先ず、同図（ａ）に示すように予めシリコン酸化膜から
なる絶縁膜１上にスパンタリング法によって形成された
アルミニウム製の金属配線膜２上に同図（ｂｌに示すよ
うに反射防止膜３を形成する。次に、同図（Ｃ１に示す
ようにレジスト膜４を塗布した後、同図（ｄ）に示すよ
うにマスク５を通して光Ａ照射してから同図（ｅ）に示
すように現像することによりしシストパターン６を形成
する。そして、同図（ｆ）。
なる絶縁膜１上にスパンタリング法によって形成された
アルミニウム製の金属配線膜２上に同図（ｂｌに示すよ
うに反射防止膜３を形成する。次に、同図（Ｃ１に示す
ようにレジスト膜４を塗布した後、同図（ｄ）に示すよ
うにマスク５を通して光Ａ照射してから同図（ｅ）に示
すように現像することによりしシストパターン６を形成
する。そして、同図（ｆ）。
ｆｇ）に示すように反射防止膜３．金属配線膜２を順次
エツチングした後、同図（ｈｌに示すようにレジストパ
ターン６を除去してから同図（１１に示すように反射防
止膜３を除去することにより金属配線パターン７を形成
する。
エツチングした後、同図（ｈｌに示すようにレジストパ
ターン６を除去してから同図（１１に示すように反射防
止膜３を除去することにより金属配線パターン７を形成
する。
このようにして、金属配線パターン７を形成することが
できる。
できる。
マｆ、−２従来のパターン方法には、色素入りのレジス
ト膜を用いてこれを金属配線膜上に塗布する方法も採用
されている。
ト膜を用いてこれを金属配線膜上に塗布する方法も採用
されている。
これを第７図を用いて説明すると、先ず同図（ａｌに示
すように予め絶縁膜ｌ上にスパッタリング法によって形
成された金属配線膜２上に同図（ｂ）に示すように色素
入りのレジスト膜４ａを形成し、次に同図（Ｃ１に示す
ようにマスク５を通して光照射してから同図（ｄ）に示
すように現像することによりレジストパターン６ａを形
成した後、同図（ｅ）に示すように金属配線膜２をエツ
チングし、同図（ｆｌに示すようにレジストパターン６
ａを除去することにより金属配線パターン７を形成する
。
すように予め絶縁膜ｌ上にスパッタリング法によって形
成された金属配線膜２上に同図（ｂ）に示すように色素
入りのレジスト膜４ａを形成し、次に同図（Ｃ１に示す
ようにマスク５を通して光照射してから同図（ｄ）に示
すように現像することによりレジストパターン６ａを形
成した後、同図（ｅ）に示すように金属配線膜２をエツ
チングし、同図（ｆｌに示すようにレジストパターン６
ａを除去することにより金属配線パターン７を形成する
。
このようにして、金属配線パターン７を形成することが
できる。
できる。
ところが、前者にあっては、反射防止膜３の形成、除去
する工程が嵩み、パターン形成を煩雑にするばかりか、
コスト高になるという問題かあった。
する工程が嵩み、パターン形成を煩雑にするばかりか、
コスト高になるという問題かあった。
一方、後者にあっては、パターン形成時にレジスト膜４
ａ下方からの反射光だけでなく照射光も色素によって吸
収されることになり、レジスト感度が低下するという不
都合があった。
ａ下方からの反射光だけでなく照射光も色素によって吸
収されることになり、レジスト感度が低下するという不
都合があった。
さらに、レジスト膜厚の変動に伴いパターン寸法が変動
してしまい（バルク効果が大きくなる）、均一なパター
ンを得ることができないという不都合もあった。
してしまい（バルク効果が大きくなる）、均一なパター
ンを得ることができないという不都合もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、パタ
ーン形成の簡素化およびコストの低廉化を図ることがで
きると共に、レジスト膜の照射光吸収によるレジスト感
度の低下を防止することができ、かつ均一のパターンを
得ることができるパターン形成方法を提供するものであ
る。
ーン形成の簡素化およびコストの低廉化を図ることがで
きると共に、レジスト膜の照射光吸収によるレジスト感
度の低下を防止することができ、かつ均一のパターンを
得ることができるパターン形成方法を提供するものであ
る。
本発明に係るパターン形成方法は、絶縁膜上に拡散反射
率が大きい金属配線膜を形成する工程と、この金属配線
膜上にレジストパターンを形成した後、エツチングによ
って所定の金属配線パターンを形成する工程とを備えた
ものである。
率が大きい金属配線膜を形成する工程と、この金属配線
膜上にレジストパターンを形成した後、エツチングによ
って所定の金属配線パターンを形成する工程とを備えた
ものである。
本発明においては、拡散反射率が大きい金属配線膜によ
って露光時の入射光とその反射光の干渉を抑制すること
ができる。
って露光時の入射光とその反射光の干渉を抑制すること
ができる。
以下、本発明におけるパターン形成方法を図に示す実施
例によって説明する。
例によって説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係るパターン形成方法
を説明するための断面図、第２図は露光時の反射光を説
明するための図、第３図はレジスト膜厚の変動に対する
反射強度の変動状態を示す図、第４図はレジスト膜厚の
変動に対するレジストパターン寸法の変動状態を示す図
、第５図は反射率の波長依存性を示す図で、同図におい
て第６図および第７図と同一の部材については同一の符
号を付す。
を説明するための断面図、第２図は露光時の反射光を説
明するための図、第３図はレジスト膜厚の変動に対する
反射強度の変動状態を示す図、第４図はレジスト膜厚の
変動に対するレジストパターン寸法の変動状態を示す図
、第５図は反射率の波長依存性を示す図で、同図におい
て第６図および第７図と同一の部材については同一の符
号を付す。
先ず、同図（ａｌに示すように絶縁膜１上にバイアスス
パッタリング法によって金属配線膜２を形成する。ここ
で、金属配線膜２はアルミニウム製であることから高い
光反射率を有しており、第２図に示すように入射光Ａは
正反射光Ｂと拡散反射光Ｃに分けることができ、下地の
平坦性が良い程正反射成分が太き（、逆に平坦性が悪く
なる程拡散反射成分が大きくなる。そして、例えば４３
６ｎｍのｇ−線を用いた場合の拡散反射率は、通常のス
パッタリング法で得られたアルミニウム膜の場合と比較
して約３倍の値を示し、全反射率については両者に大き
な差異はない。このため、スパッタリング時にバイアス
をかけることにより得られる金属配線膜２の表面は、凹
凸が相当に激しいものとなり、平坦性が低下しているも
のと考えられる。次に、同図（ｂ）に示すように金属配
線膜２上にレジスト膜４を塗布した後、同図（Ｃ）に示
すようにマスク５を通して光Ａ照射してから同図（ｄ）
に示すように現像することによりレジストパターン６を
形成する。ここで、露光時に照射光と反射光が干渉して
レジスト膜４の厚さが変化するに伴って反射光の強度は
周期的に変動するが、第３図に示すようにバイアススパ
ッタリング法で得られた拡散反射率が大きい金属配線膜
２の場合には、通常のスパッタリング法で得られた金属
配線膜の場合と比較して振幅が小さくなる。このため、
現像時にレジスト膜４の厚さ変動に伴って起こるパター
ン寸法の変動量は、第４図に示すように従来のスパッタ
リング法による場合と比較して小さくなる。なお、金属
配線膜２の拡散反射率は、第５図に示すように光の波長
が短くなるにつれて高くなるから、パターンの微細化が
進むに伴って露光波長を短くすると、この効果は一層大
きくなるものと考えられる。そして、同図（ｅ）に示す
ように金属配線膜２をエツチングした後、同図（ｆ）に
示すようにレジストパターン６を除去してから金属配線
パターン７を形成する。
パッタリング法によって金属配線膜２を形成する。ここ
で、金属配線膜２はアルミニウム製であることから高い
光反射率を有しており、第２図に示すように入射光Ａは
正反射光Ｂと拡散反射光Ｃに分けることができ、下地の
平坦性が良い程正反射成分が太き（、逆に平坦性が悪く
なる程拡散反射成分が大きくなる。そして、例えば４３
６ｎｍのｇ−線を用いた場合の拡散反射率は、通常のス
パッタリング法で得られたアルミニウム膜の場合と比較
して約３倍の値を示し、全反射率については両者に大き
な差異はない。このため、スパッタリング時にバイアス
をかけることにより得られる金属配線膜２の表面は、凹
凸が相当に激しいものとなり、平坦性が低下しているも
のと考えられる。次に、同図（ｂ）に示すように金属配
線膜２上にレジスト膜４を塗布した後、同図（Ｃ）に示
すようにマスク５を通して光Ａ照射してから同図（ｄ）
に示すように現像することによりレジストパターン６を
形成する。ここで、露光時に照射光と反射光が干渉して
レジスト膜４の厚さが変化するに伴って反射光の強度は
周期的に変動するが、第３図に示すようにバイアススパ
ッタリング法で得られた拡散反射率が大きい金属配線膜
２の場合には、通常のスパッタリング法で得られた金属
配線膜の場合と比較して振幅が小さくなる。このため、
現像時にレジスト膜４の厚さ変動に伴って起こるパター
ン寸法の変動量は、第４図に示すように従来のスパッタ
リング法による場合と比較して小さくなる。なお、金属
配線膜２の拡散反射率は、第５図に示すように光の波長
が短くなるにつれて高くなるから、パターンの微細化が
進むに伴って露光波長を短くすると、この効果は一層大
きくなるものと考えられる。そして、同図（ｅ）に示す
ように金属配線膜２をエツチングした後、同図（ｆ）に
示すようにレジストパターン６を除去してから金属配線
パターン７を形成する。
このようにして、金属配線パターン７を形成することが
できる。
できる。
したがって、本発明においては、拡散反射率が大きい金
属配線膜２によって露光時の入射光とその反射光の干渉
を抑制することができる。
属配線膜２によって露光時の入射光とその反射光の干渉
を抑制することができる。
なお、本実施例においては、バイアススパッタリング法
によって拡散反射率が大きい金属配線膜２を絶縁膜１上
に形成する例を示したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、通常のスパッタリング法によって金属配線
膜を絶縁膜上に形成した後、酸あるいはアルカリ水溶液
によって金属配線膜を表面処理することにより拡散反射
率を増大させても実施例と同様の効果を奏する。
によって拡散反射率が大きい金属配線膜２を絶縁膜１上
に形成する例を示したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、通常のスパッタリング法によって金属配線
膜を絶縁膜上に形成した後、酸あるいはアルカリ水溶液
によって金属配線膜を表面処理することにより拡散反射
率を増大させても実施例と同様の効果を奏する。
以上説明したように本発明によれば、絶縁膜上に拡散反
射率が大きい金属配線膜を形成する工程と、この金属配
線膜上にレジストパターンを形成した後、エツチングに
よって所定の金属配線パターンを形成する工程とを備え
たので、金属配線膜により露光時の入射光とその反射光
の干渉を抑制することができる。したがって、従来必要
とした反射防止膜を形成、除去する工程が不要になるが
ら、パターン形成の簡素化およびコストの低廉化を図る
ことができる。また、従来のように色素入りのレジスト
膜を使用するものではないから、パターン形成時にレジ
スト膜によって反射光、照射光が吸収されず、レジスト
感度の低下を防止することができる。さらに、拡散反射
率が大きい金属配線膜の使用によってレジスト膜厚が変
動してもパターン寸法の変動量が小さくすることができ
るから、それだけ均一なパターンを得ることができると
いった利点もある。
射率が大きい金属配線膜を形成する工程と、この金属配
線膜上にレジストパターンを形成した後、エツチングに
よって所定の金属配線パターンを形成する工程とを備え
たので、金属配線膜により露光時の入射光とその反射光
の干渉を抑制することができる。したがって、従来必要
とした反射防止膜を形成、除去する工程が不要になるが
ら、パターン形成の簡素化およびコストの低廉化を図る
ことができる。また、従来のように色素入りのレジスト
膜を使用するものではないから、パターン形成時にレジ
スト膜によって反射光、照射光が吸収されず、レジスト
感度の低下を防止することができる。さらに、拡散反射
率が大きい金属配線膜の使用によってレジスト膜厚が変
動してもパターン寸法の変動量が小さくすることができ
るから、それだけ均一なパターンを得ることができると
いった利点もある。
第１図（ａｌ〜（ｆ）は本発明に係るパターン形成方法
を説明するための断面図、第２図は露光時の反射光を説
明するための図、第３図はレジスト膜厚の変動に対する
反射強度の変動状態を示す図、第４図はレジスト膜厚の
変動に対するレジストパターン寸法の変動状態を示す図
、第５図は反射率の波長依存性を示す図、第６図（ａｌ
〜（１）および第７図（ａｌ〜（「）は従来のパターン
形成方法を説明するための図である。 １・・・・絶縁膜、２・・・・金属配線膜、５・・・・
マスク、６・・・・レジストパターン、７・・・・金属
配線パターン。 代 理 人 大 岩 増 雄第 図 第 図 第 図 しジ′スト月１厘 第 図 第７図 （ａ）〒ヨヨ冴に（ 手 続 補 正 愈 （自発） 発明の名称 パターン形成方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁Ｉ′：１２番
３号名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志
岐 守 哉 代 理 住所 人 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 ７・− （７３７５）弁理士大岩増雄□、。 （連絡先０３（２１３）３４２１特許部）５、補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 ＋１１ 明細書１頁１７行〜１９行の「このアルミニ
ウムからなる・・・露光、現像によって」を「予め絶縁
）１り上に形成されたアルミニウムからなる金属配線膜
Ｆにレジスト膜を塗布した後、露光、現像によって」と
補正する。 （２）同書２頁８行の「従来により」を「従来より」と
補正する。 （３） 同書３＠１６行の「同図（Ｃ１に」の次に「
矢印Ａで」を挿入する。 （４）同書４頁７行の「問題か」を「問題が」と補正す
る。 （５）同書６頁４行の「同図」を「第１図」と補正する
。 （６）同書９頁１行〜１２行の「従来必要とした・とい
った利点もある。」を「拡散反射率が大きい金属配線膜
の使用によってレジスト１１々厚が変動してもパターン
寸法の変動量を小さくすることができるから、それだけ
均一なパターンを得ることができる。また、均一なパタ
ーンが得られることで、従来必要とした反射防止膜を形
成、除去する工程が不要になるから、パターン形成の簡
素化およびコストの低廉化を図ることができる。さらに
、従来のように色素入りのレジスト膜を使用するもので
はないから、パターン形成時にレジスト膜によって反射
光、照射光が吸収されず、レジスト感度の低下を防止す
ることもできる。」と補正する。 以 上
を説明するための断面図、第２図は露光時の反射光を説
明するための図、第３図はレジスト膜厚の変動に対する
反射強度の変動状態を示す図、第４図はレジスト膜厚の
変動に対するレジストパターン寸法の変動状態を示す図
、第５図は反射率の波長依存性を示す図、第６図（ａｌ
〜（１）および第７図（ａｌ〜（「）は従来のパターン
形成方法を説明するための図である。 １・・・・絶縁膜、２・・・・金属配線膜、５・・・・
マスク、６・・・・レジストパターン、７・・・・金属
配線パターン。 代 理 人 大 岩 増 雄第 図 第 図 第 図 しジ′スト月１厘 第 図 第７図 （ａ）〒ヨヨ冴に（ 手 続 補 正 愈 （自発） 発明の名称 パターン形成方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁Ｉ′：１２番
３号名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志
岐 守 哉 代 理 住所 人 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 ７・− （７３７５）弁理士大岩増雄□、。 （連絡先０３（２１３）３４２１特許部）５、補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 ＋１１ 明細書１頁１７行〜１９行の「このアルミニ
ウムからなる・・・露光、現像によって」を「予め絶縁
）１り上に形成されたアルミニウムからなる金属配線膜
Ｆにレジスト膜を塗布した後、露光、現像によって」と
補正する。 （２）同書２頁８行の「従来により」を「従来より」と
補正する。 （３） 同書３＠１６行の「同図（Ｃ１に」の次に「
矢印Ａで」を挿入する。 （４）同書４頁７行の「問題か」を「問題が」と補正す
る。 （５）同書６頁４行の「同図」を「第１図」と補正する
。 （６）同書９頁１行〜１２行の「従来必要とした・とい
った利点もある。」を「拡散反射率が大きい金属配線膜
の使用によってレジスト１１々厚が変動してもパターン
寸法の変動量を小さくすることができるから、それだけ
均一なパターンを得ることができる。また、均一なパタ
ーンが得られることで、従来必要とした反射防止膜を形
成、除去する工程が不要になるから、パターン形成の簡
素化およびコストの低廉化を図ることができる。さらに
、従来のように色素入りのレジスト膜を使用するもので
はないから、パターン形成時にレジスト膜によって反射
光、照射光が吸収されず、レジスト感度の低下を防止す
ることもできる。」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 絶縁膜上に拡散反射率が大きい金属配線膜を形成する工
程と、この金属配線膜上にレジストパターンを形成した
後、エッチングによって所定の金属配線パターンを形成
する工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16532988A JPH0215615A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16532988A JPH0215615A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215615A true JPH0215615A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15810266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16532988A Pending JPH0215615A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215615A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04314349A (ja) * | 1991-04-11 | 1992-11-05 | Mitsutoyo Corp | 真空リソグラフィ装置 |
| US5639203A (en) * | 1994-06-03 | 1997-06-17 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor device transfer apparatus |
| JP2006303452A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP16532988A patent/JPH0215615A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04314349A (ja) * | 1991-04-11 | 1992-11-05 | Mitsutoyo Corp | 真空リソグラフィ装置 |
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