JPH02155468A - スイッチング回路 - Google Patents

スイッチング回路

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JPH02155468A
JPH02155468A JP63306176A JP30617688A JPH02155468A JP H02155468 A JPH02155468 A JP H02155468A JP 63306176 A JP63306176 A JP 63306176A JP 30617688 A JP30617688 A JP 30617688A JP H02155468 A JPH02155468 A JP H02155468A
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inductance
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和雄 小林
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文明 伊原
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、スイッチングレギュレータ等に於けるスイッ
チング回路に関するものである。
トランジスタ等のスイッチング素子を用いて、トランス
の一次巻線等のインダクタンスを含む負荷回路のスイッ
チングを行うスイッチング回路に於いては、スイッチン
グに伴って発生するサージ電圧から、スイッチング素子
を保護する必要があり、又トランジスタ等のスイッチン
グ素子のスイッチングに伴う損失を低減することが要望
されている。
〔従来の技術〕
スイッチングレギュレータに於いては、バイポーラトラ
ンジスタや電界効果トランジスタ等のスイッチング素子
により、トランスの一次巻線に供給する電流をスイッチ
ングするものであり、このようなスイッチング動作を行
うスイッチング回路に於いては、スイッチング素子のタ
ーンオフ時に生じるサージ電圧を抑制してスイッチング
素子を保護する為に、抵抗とコンデンサとの直列回路を
スイッチング素子に並列に接続した所謂スナバ回路が設
けられている。
このような従来例のスナバ回路は、スイッチング素子の
オン、オフに従ってコンデンサの充放電が行われ、その
度に抵抗に充放電電流が流れて損失となる。従って、ス
イッチング周波数を高くするに従って抵抗による損失が
増大する。そこで、第4図に示すようにスイッチングレ
ギュレータに適用したスイッチング回路が先に提案され
ている(特願昭62−164053号参照)。同図に於
いて、61は主スイッチング素子としての電界効果トラ
ンジスタ、63は副スイッチング素子としての電界効果
トランジスタ、62はコンデンサ、64.65はダイオ
ード、66はチョークコイル、67は駆動トランス、6
8は駆動回路、69は直流を源、70は主トランス、7
1.72は整流用のダイオード、73.74は平滑用の
チョークコイル及びコンデンサである。
トランス70の二次巻線に接続されたダイオード71.
72及びチョークコイル73とコンデンサ74とからな
る整流平滑回路の出力電圧が駆動回路68により検出さ
れ、出力電圧が設定値となるように、駆動トランス67
を介して電界効果トランジスタ61のオン、オフの制御
が行われる。
又電界効果トランジスタ63も同時にオン、オフ制御さ
れる。従って、電界効果トランジスタ61のターンオフ
時のサージ電圧は、ダイオード64を介してコンデンサ
62に印加され、又電界効果トランジスタ63のターン
オンにより、コンデンサ62の充電電荷は、ダイオード
65を介して、チョークコイル66との直列共振回路に
於ける共振電流として直流電源69に帰還される。
第5図は前述の第4図の動作説明図であり、(alは電
界効果トランジスタ61のドレイン・ソース間電圧、(
b)は電界効果トランジスタ61のドレイン電流、(C
)はチョークコイル66に流れる電流、(d)はコンデ
ンサ62の端子電圧、(elは電界効果トランジスタ6
1のスイッチング損失を示す。
電界効果トランジスタ61がオンとなると、そのドレイ
ン・ソース間電圧はほぼ0となり、ドレイン電流は次第
に上昇する。又電界効果トランジスタ63も同時にオン
となり、コンデンサ62とチョークコイル66との直列
共振電流の半波が、ダイオード65を介して(C)に示
すように流れる。
即ち、コンデンサ62の充電電荷が直流電源69に帰還
され、コンデンサ62の端子電圧は!d)に示すように
ほぼ0となる。
次に、電界効果トランジスタ61.63がオフとなると
、電界効果トランジスタ61のドレイン・ソース間電圧
は、ダイオード64を介してコンデンサ62に印加され
る。このコンデンサ62の端子電圧は、(dlに示すよ
うに、電界効果トランジスタ61がオフとなる直前にO
■となっているから、電界効果トランジスタ61のドレ
イン・ソース間電圧の上昇を抑制することができる。又
このコンデンサ62に対する充放電は、抵抗を介して行
われるものではないので、電界効果トランジスタ61の
スイッチング周波数を高くしても、損失が特に増大する
ことはない。
〔発明が解決しようとする課題〕
第4図に示す先に提案されたスイッチング回路に於いて
は、コンデンサ62の充電電荷を直流電源69に帰還す
るものであるから、無損失でスイッチング素子としての
電界効果トランジスタ61の保護を行うことができる。
しかし、実際には、電界効果トランジスタ61と並列に
、ダイオード64とコンデンサ62との直列回路を接続
することになり、その接続の為のリード・インダクタン
ス及びダイオード64の順方向回復特性(順方向電流の
立上り遅れ特性)により、電界効果トランジスタ61の
ドレイン・ソース間のサージ電圧を完全に吸収すること
ができないことになる。
又コンデンサ62の端子電圧は、共振半波電流によって
ほぼ0■とすることができるが、電界効果トランジスタ
61の寄生容量の充電電荷は放電されないので、ターン
オン時にその電荷が放電することになり、次式に示す損
失P、が生じる。
P L−’A Co5t V” f        −
(1)なお、cossは電界効果トランジスタ61の出
力容量、■は電界効果トランジスタ61のターンオン直
前のドレイン・ソース間の電圧、fはスイッチング周波
数である。
従って、(1)式に示す損失は、スイッチング周波数f
が低い時には余り問題とならないが、スイッチングレギ
レータに於ける高周波化に伴って、スイッチング周波数
を高くすると、それに伴って無視できないものとなる。
本発明は、スイッチング周波数を高くした場合の前述の
問題点を解決することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のスイッチング回路は、バイポーラトランジスタ
や電界効果トランジスタ等のスイッチング素子を用いた
スイッチング回路に於けるサージ電圧の抑制並びに損失
の低減を行うものであり、第1図を参照して説明する。
バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ等から
なる主スイッチング素子lと並列に接続した第1のコン
デンサ2と、主スイッチング素子1がオフの時に充電さ
れた第1のコンデンサ2の充電電荷を、主スイッチング
素子1をオンとする直前にオンとして放出させ、その後
にオフとする副スイッチング素子3と、この副スイッチ
ング素子3に直列に接続した第1のダイオード9と、こ
の副スイッチング素子3をオンとした時に、第1のコン
デンサ2と共に直列共振回路を構成して、第1のコンデ
ンサ2の充電電荷を共振半サイクル電流により転送する
第1のインダクタンス4と第2のコンデンサ5とからな
る直列回路と、この直列回路に並列に接続し、共振半サ
イクル電流が流れた後に、第2のコンデンサの充電極性
を反転させる共振電流を流す為の第2のインダクタンス
6と第2のダイオード7とからなる直列回路とを備えて
おり、トランス11、ダイオード12.13、チラーク
コイル14、コンデンサ15等からなる負荷回路lOに
直流電源16から供給する電流をスイッチングするもの
である。
又ダイオード8は、第1のコンデンサ2の端子電圧が逆
極性となることを防ぐものであるが、スイッチング素子
1を電界効果トランジスタとした時の寄生ダイオードを
利用することができるものである。
〔作用〕
主スイッチング素子lは、図示を省略した駆動回路によ
りオン、オフのスイッチング制御が行われるものであり
、第2図を参照して第1図の作用を説明する。第2図の
(a)は第1のコンデンサ2の端子電圧、(b)は第1
のインダクタンス4に流れる電流、(e)は第2のコン
デンサ5の端子電圧、(d+は副スイッチング素子3の
オン、オフ、(elは主スイッチング素子1のオン、オ
フのそれぞれスイッチング動作を示す。
時刻t1に、副スイッチング素子3が(d)に示すよう
にオンとなると、第1のダイオード9と第1のコンデン
サ2と第1のインダクタンス4と第2のコンデンサ5と
の直列共振回路が形成されて、第1のコンデンサ2の充
電電圧による共振電流が(blに示すように流れ、第1
のコンデンサ2の端子電圧は低下し、第2のコンデンサ
5の端子電圧は、(C)に示すように、負極性から正極
性に向かって上昇する。
時刻t2に共振電流が最大となり、又第1のコンデンサ
2の充電電荷が放出されて端子電圧がO■となり、更に
継続して電流が流れることにより、第1のコンデンサ2
の端子電圧が反転しようとすると、ダイオード8を介し
てその電流が流れるから、第1のコンデンサ2の端子電
圧はO■のままとなる。そして、時刻t3に主スイッチ
ング素子1を(e)に示すようにオンとすると、第1の
コンデンサ2の充電電荷は完全に放出されているから、
第1のスイッチング素子1にコンデンサ2の放電電流に
よるサージ電流が流れることはない。
又時刻t4に第2のコンデンサ5の端子電圧が最大とな
り、共振電流の方向が反転することになるが、第1のダ
イオード9により逆方向の共振電流は阻止されるから、
共振半サイクルの電流が(b)に示すように流れること
になる。
又時刻t4に第2のコンデンサ5の端子電圧が最大とな
り、第1のインダクタンス4を介して流れる電流の方向
が反転することになるが、第1のダイオード9により阻
止されるから、第2のコンデンサ5の充電電圧による反
対方向の電流は、第1のインダクタンス4と第2のイン
ダクタンス6と第2のダイオード7との閉回路に流れる
ことになり、時刻t5に副スイッチング素子3をオフと
しても、継続して閉回路に共振電流が流れる。この場合
の共振周波数を比較的低く選定することにより、(bl
の時刻t4〜t6に示す負極性の電流が流れ、第2のコ
ンデンサ5の端子電圧は時刻t6には(C)に示すよう
に負極性となる。
従って、時刻t7に主スイッチング素子1をオフとする
と、第1のコンデンサ2の充電電荷は0であるから、イ
ンダクタンスを含む負荷回路10によるサージ電圧を確
実に抑圧することができると共に、抵抗を介して充放電
されるものではないから、損失が増加することはない、
文筆2のコンデンサ5は、負極性となっているから、次
に副スイッチング素子3がオンした時に共振電流が流れ
て、第1のコンデンサ2の充電電荷を確実に放出させる
ことができると共に、直流電源16からトランス11の
一次巻線及び第1のインダクタンス4を介して第2のコ
ンデンサ5に電流が流れる為に、トランス11等のイン
ダクタンスによって生じたサージエネルギは、トランス
11の二次巻線から負荷へ供給されて消費される。従っ
て、サージエネルギが無限に第2のコンデンサ5に蓄積
されることはない。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。
第3図は本発明の実施例のブロック図であり、スイッチ
ング素子として電界効果トランジスタを用いたスイッチ
ングレギュレータを示す。同図に於いて、21は主スイ
ッチング素子1に対応する電界効果トランジスタ、22
は第1のコンデンサ2に対応するコンデンサ、23は副
スイッチング素子3に対応する電界効果トランジスタ、
24゜26は第1及び第2のインダクタンス4.6に対
応するインダクタンス、25は第2のコンデンサ5に対
応するコンデンサ、27は第2のダイオード7に対応す
るダイオードである。
又28は第1のダイオード9に対応するダイオード、2
9は直流電源、30.32は電界効果トランジスタ21
.23のドレイン・ソース間の寄生コンデンサ、31.
33はドレイン・ソース間に形成される寄生ダイオード
、34はトランス、35.36は整流用ダイオード、3
7.38は平滑用チラークコイル及びコンデンサ、39
〜43は抵抗、44はツェナーダイオード、45は差動
増幅器、46はホトカブラ、47は三角波発生器、48
は比較回路、49は単安定マルチバイブレータ、50は
駆動回路、51は遅延回路、52は駆動回路、VCCは
制御回路の電源電圧である。
トランス34の二次巻線に接続されたダイオード35.
36と、チョークコイル37と、コンデンサ38とから
なる整流平滑回路の出力電圧は、抵抗39.40により
分割され、ツェナーダイオード44による基準電圧と差
動増幅器45により比較され、その差に対応した出力信
号がホトカプラ45のホトダイオードに加えられ、その
ホトダイオードと光学的に結合されたホトトランジスタ
の出力信号と、三角波発生器47からの三角波信号とが
比較回路48により比較され、その比較出力信号はパル
ス幅制御信号となり、単安定マルチバイブレータ49と
遅延回路51とに加えられ、単安定マルチパイプレーク
49の出力信号は駆動回路50に、遅延回路51の出力
信号は駆動回路52にそれぞれ加えられる。
単安定マルチバイブレータ49は、例えば、第2図に於
ける時刻t1〜t5の期間のパルスを出力するもので、
電界効果トランジスタ23は、この期間だけオンとなる
。又遅延回路51は、例えば、第2図に於ける時刻t1
〜(3の期間の遅延時間を有し、電界効果トランジスタ
23がオンとなった後、電界効果トランジスタ21はオ
ンとなり、そのオンの期間は、パルス幅制御信号による
パルス幅に対応したものとなる。従って、主スイッチン
グ素子としての電界効果トランジスタ21がオンとなる
直前に、副スイッチング素子としての電界効果トランジ
スタ23をオンとすることができる。
電界効果トランジスタ23がオンとなると、コンデンサ
22.寄生コンデンサ30に蓄積された電荷が、インダ
クタンス24.コンデンサ25゜ダイオード28の経路
で放出され、その時に、コンデンサ22,30.25と
インダクタンス24と第1のダイオード28とによる直
列共振回路が形成されることになり、この直列共振回路
のインピーダンスが低いことと、インダクタンス26を
選定することとにより、インダクタンス26側には電流
が流れず、インダクタンス24側に流れる共振電流によ
ってコンデンサ22.30の充電電荷がコンデンサ25
に転送され、且つコンデンサ22.30は寄生ダイオー
ド31により逆極性の充電が阻止される。この寄生ダイ
オード31を有しないスイッチング素子は、第1図に示
すように、ダイオード8を接続するものである。
そして、コンデンサ25の充電電荷による電流が逆方向
に流れようとしても、ダイオード28により阻止される
ことから、コンデンサ25の充電電荷による電流は、イ
ンダクタンス24.26及びダイオード27の閉回路に
流れることになる。
この場合も共振電流として流れ、コンデンサ25の端子
電圧は逆極性となる。
そして、電界効果トランジスタ21がオンとなると、直
流電源29からトランス34の一次巻線に電流が流れ、
その二次巻線に電圧が誘起され、整流平滑回路により整
流されて平滑化され、直流の出力電圧となる。この場合
の直流電源29は、交流電源を整流平滑化した構成とす
ることができるものである。
又電界効果トランジスタ21がオンとなった時は、コン
デンサ22.30の充電電荷は0であるから、電界効果
トランジスタ21に放電サージ電流が流れることはない
。又電界効果トランジスタ21がオフとなると、コンデ
ンサ22.30の充t[荷は0であるから、トランス3
4等によるインダクタンスによって生じたサージ電圧を
確実に吸収することが可能となる。
又コンデンサ25の端子電圧は逆極性となっているから
、次に電界効果トランジスタ23がオンとなった時に、
コンデンサ22.30の充電電荷を確実にコンデンサ2
5に転送することが可能となると共に、直流電源29か
らトランス34の一次t’f%il及びインダクタンス
24を介してコンデンサ25に電流が流れる為、トラン
ス34等のインダクタンスによって生じるサージエネル
ギは、トランス34の二次巻線から負荷へ供給されて消
費されることになり、サージエネルギが無限にコンデン
サ25に蓄積されるようなことはない。
前述のように、電界効果トランジスタ21等のスイッチ
ング素子と並列にコンデンサ22を接続して、サージ電
圧を抑圧するものであり、各種の構成のスイッチングレ
ギュレータに適用することができる。又各種の負荷回路
をスイッチングする回路にも適用することができるもの
である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、主スイッチング素子l
に並列に第1のコンデンサ2を接続したことにより、主
スイッチング素子1をオフとした時のサージ電圧が発生
しても、リードインダクタンス等による影響及び抵抗に
よる損失を生じることなく、確実にそのサージ電圧を吸
収することができる。
文筆1のコンデンサ2の充電電荷は、副スイッチング素
子3と、第1のダイオード9と、第1のインダクタンス
4と第2のコンデンサ5とによる共振半サイクルの電流
により完全に放出することができる。この場合、主スイ
ッチング素子1の寄生容量の充電電荷も完全に放出する
できることになる。又充電電荷の放出は、共振半サイク
ル電流により行われ、比較的短時間で行うことができる
から、主スイッチング素子1のオン、オフ期間の制御に
於ける制約が少ない利点がある。
文筆2のコンデンサ5の端子電圧は、第2のインダクタ
ンス6と第2のダイオード7とを含む閉回路に流れる共
振電流によって逆極性とするもので、従って、第1のコ
ンデンサ2の充電電荷の放出を確実に行うことができる
従って、スイッチング周波数を高くしても、コンデンサ
2の充放電による損失は原理的には存在しないので、ス
イッチングレギュレータに適用した場合には、高周波化
により装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の動作説
明図、第3図は本発明の実施例のブロック図、第4図は
先に提案されたスイッチング回路、第5図は第4図の動
作説明図である。 1は主スイッチング素子、2は第1のコンデンサ、3は
副スイッチング素子、4は第1のインダクタンス、5は
第2のコンデンサ、6は第2のインダクタンス、7は第
2のダイオード、8はダイオード、9は第1のダイオー
ド、10は負荷回路11はトランスである。 特許出願人  富士通電装株式会社 代理人弁理士   相 谷 昭 司 代理人弁理士   渡 邊 弘 − 本発明の原理説明図 第1図 本発明の動作説明図 第2図 第4図 第4図の動作説明図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 主スイッチング素子(1)によりインダクタンスを含む
    負荷回路のスイッチングを行うスイッチング回路に於い
    て、 前記主スイッチング素子(1)と並列に接続した第1の
    コンデンサ(2)と、 前記主スイッチング素子(1)がオフの時に充電された
    前記第1のコンデンサ(2)の電荷を、前記主スイッチ
    ング素子(1)をオンとする直前にオンとして放出させ
    、その後にオフとする副スイッチング素子(3)と、 該副スイッチング素子(3)に直列に接続した第1のダ
    イオード(9)と、 前記副スイッチング素子(3)をオンとした時に、前記
    第1のコンデンサ(2)と共に直列共振回路を構成して
    、前記第1のコンデンサ(2)の充電電荷を共振半サイ
    クル電流により転送する第1のインダクタンス(4)と
    第2のコンデンサ(5)とからなる直列回路と、 該直列回路に並列に接続し、前記共振半サイクル電流が
    流れた後に前記第2のコンデンサ(5)の充電極性を反
    転させる共振電流を流す為の第2のインダクタンス(6
    )と第2のダイオード(7)とからなる直列回路と を備えたことを特徴とするスイッチング回路。
JP63306176A 1988-12-05 1988-12-05 スイッチング回路 Expired - Lifetime JPH0626470B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003079528A1 (fr) * 2002-03-19 2003-09-25 Soc Corporation Appareil de commutation de courants a facteur de puissance eleve

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WO2003079528A1 (fr) * 2002-03-19 2003-09-25 Soc Corporation Appareil de commutation de courants a facteur de puissance eleve

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