JPH02151077A - インパットダイオードの製造方法 - Google Patents
インパットダイオードの製造方法Info
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- JPH02151077A JPH02151077A JP63305228A JP30522888A JPH02151077A JP H02151077 A JPH02151077 A JP H02151077A JP 63305228 A JP63305228 A JP 63305228A JP 30522888 A JP30522888 A JP 30522888A JP H02151077 A JPH02151077 A JP H02151077A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波及びミリ波帯の発振素子であるイ
ンパットダイオードの製造方法に関するものであり、特
にその組立方法に関するものである。
ンパットダイオードの製造方法に関するものであり、特
にその組立方法に関するものである。
従来、インパットダイオードの構造は、第５図に示す様
に、無酸素銅のヒートシンク１にアルミナ等の誘電体リ
ング２及びＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなるリング３が７
００℃程度の温度で銀銅ロー付けされたパッケージに、
ダイオードチップ４及び金テープ５が３５０℃程度の温
度で熱圧着され、キャップ６をシームウェルドでコバー
リング３に電気溶接し、密封を行って実現されていた。
に、無酸素銅のヒートシンク１にアルミナ等の誘電体リ
ング２及びＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなるリング３が７
００℃程度の温度で銀銅ロー付けされたパッケージに、
ダイオードチップ４及び金テープ５が３５０℃程度の温
度で熱圧着され、キャップ６をシームウェルドでコバー
リング３に電気溶接し、密封を行って実現されていた。
上述した従来のインパットダイオードは、誘電体リング
としてアルミナ（ＡＪ２２０３）を使用しているため、
ミリ波帯、特に８０ＧＨｚ以上では高周波損失により発
振効率が損われるという欠点がある。
としてアルミナ（ＡＪ２２０３）を使用しているため、
ミリ波帯、特に８０ＧＨｚ以上では高周波損失により発
振効率が損われるという欠点がある。
そこで発振効率を上げる為に、高周波損失の少ない石英
リングを使用すれば良いのであるが、そのような構造の
ものは、石英の熱膨張率（０，４ＸＩＯ−６／’Ｃ）が
銅（２０ｘ １０−６／’Ｃ）及びＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合
金（４〜５×１０−６／℃）のそれに比べて著しく小さ
いため、ケース組立時に石英リングが熱歪により割れて
しまい、容易に実現できない。
リングを使用すれば良いのであるが、そのような構造の
ものは、石英の熱膨張率（０，４ＸＩＯ−６／’Ｃ）が
銅（２０ｘ １０−６／’Ｃ）及びＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合
金（４〜５×１０−６／℃）のそれに比べて著しく小さ
いため、ケース組立時に石英リングが熱歪により割れて
しまい、容易に実現できない。
本発明の目的は、石英リングを使用して組立てることが
できるインパットダイオードの製造方法を提供すること
にある。
できるインパットダイオードの製造方法を提供すること
にある。
本発明のインパッドダイオードの製造方法は、銅製のヒ
ートシンクの中央部にダイオードチップを熱圧着する工
程と、前記ヒートシンクと直接又は金属あるいは合金製
のリングを介して、両端面をメタライズした石英リング
の一端面のメタライズ層をろう付する工程と、前記石英
リングの他端面のメタライズ層と直接又は金属あるいは
合金製の他のリングを介して接続する配線金属を前記ダ
イオードチップに接続する工程と、前記メタライズ部と
直接又は前記他のリングと金属あるいは合金製のキャッ
プをろう付する工程とを含むというものである。
ートシンクの中央部にダイオードチップを熱圧着する工
程と、前記ヒートシンクと直接又は金属あるいは合金製
のリングを介して、両端面をメタライズした石英リング
の一端面のメタライズ層をろう付する工程と、前記石英
リングの他端面のメタライズ層と直接又は金属あるいは
合金製の他のリングを介して接続する配線金属を前記ダ
イオードチップに接続する工程と、前記メタライズ部と
直接又は前記他のリングと金属あるいは合金製のキャッ
プをろう付する工程とを含むというものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例を説明
するための工程順に配置した縦断面図である。
するための工程順に配置した縦断面図である。
まず、第１図（ａ＞に示すように、無酸素銅から成るヒ
ートシンク１０１中夫の突起にダイオードチップ１０４
を４００℃前後の温度で熱圧着し、次に第１図（ｂ）に
示すように、両端面に厚さ１５０ｎｍのｐｔ膜及び厚さ
１．８μｍの金膜をスパッタ法で順次に被着してメタラ
イズされた石英リング１０７の一端面のメタライズ層１
０７ａを、Ａ ｕ −Ｓ ｉ合金等のろう材で、３５０
℃〜３８０℃の温度でロー付けし、そして第１図（Ｃ）
に示すように金テープ１０５（配線金属）を、ダイオー
ドチップ１０４とメタライズ層１０７ｂとに３００″Ｃ
前後で熱圧着し、最後に第１図（、ｄ）に示すように、
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成るキャップ６を、Ａｕ−８
ｎ合金等のろう材で２８０℃〜３００℃で密封して、密
封する。この様に、石英リングを低温でろう付けすれば
従来の様に熱歪みにより石英リングが割れることはない
。
ートシンク１０１中夫の突起にダイオードチップ１０４
を４００℃前後の温度で熱圧着し、次に第１図（ｂ）に
示すように、両端面に厚さ１５０ｎｍのｐｔ膜及び厚さ
１．８μｍの金膜をスパッタ法で順次に被着してメタラ
イズされた石英リング１０７の一端面のメタライズ層１
０７ａを、Ａ ｕ −Ｓ ｉ合金等のろう材で、３５０
℃〜３８０℃の温度でロー付けし、そして第１図（Ｃ）
に示すように金テープ１０５（配線金属）を、ダイオー
ドチップ１０４とメタライズ層１０７ｂとに３００″Ｃ
前後で熱圧着し、最後に第１図（、ｄ）に示すように、
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成るキャップ６を、Ａｕ−８
ｎ合金等のろう材で２８０℃〜３００℃で密封して、密
封する。この様に、石英リングを低温でろう付けすれば
従来の様に熱歪みにより石英リングが割れることはない
。
第２図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施例を説明
するための工程順に配置した縦断面図である。
するための工程順に配置した縦断面図である。
第１の実施例と同様に、まず、第２図（ａ）に示すよう
に、ヒートシンク２０１中夫の突起にダイオードチップ
２０４を４００℃前後で熱圧着し次に両端がメタライズ
された石英リング２０７の一端面のメタライズ層２０７
ａをヒートシンク２０１と、他端面のメタライズ層２０
７ｂをＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金製のリング２０３とそれぞ
れＡｕ−３ｉ合金等で３５０℃〜３８０℃の温度でろう
付する。次に、第２図（Ｃ）に示すように、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金からなるキャップ２０６をシームウェルド法
で溶接して密封する。
に、ヒートシンク２０１中夫の突起にダイオードチップ
２０４を４００℃前後で熱圧着し次に両端がメタライズ
された石英リング２０７の一端面のメタライズ層２０７
ａをヒートシンク２０１と、他端面のメタライズ層２０
７ｂをＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金製のリング２０３とそれぞ
れＡｕ−３ｉ合金等で３５０℃〜３８０℃の温度でろう
付する。次に、第２図（Ｃ）に示すように、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金からなるキャップ２０６をシームウェルド法
で溶接して密封する。
この実施例は、金テープとリング２０３とキャップ２０
６の接合面が別になっているので密封状態を一層確実に
達成できる効果がある。
６の接合面が別になっているので密封状態を一層確実に
達成できる効果がある。
第３図は第３の実施例を説明するための縦断面図である
。
。
この実施例は、ヒートシンク３０１にＦｅ−ＮｉＣｏ合
金からなるリング３０８を溶接又はろう付により接合し
たのち、第１の実施例に準じて石英リング３０７を取つ
けるものであり、石英リング３０７とヒートシンク３０
１の間に両者の中間の熱膨張係数を有するリング３０８
が挿入されているので第１の実施例より一層熱歪みが緩
和される。
金からなるリング３０８を溶接又はろう付により接合し
たのち、第１の実施例に準じて石英リング３０７を取つ
けるものであり、石英リング３０７とヒートシンク３０
１の間に両者の中間の熱膨張係数を有するリング３０８
が挿入されているので第１の実施例より一層熱歪みが緩
和される。
第４図は第４の実施例を説明するための縦断面図である
。
。
この実施例は、第３の実施例と同様に、ヒートシンク４
０１にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなるリング４０８を接
合したのち、第２の実施例に準じて石英リング４０７を
取付けるものであり、第２の実施例より一層熱歪みが緩
和される。
０１にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなるリング４０８を接
合したのち、第２の実施例に準じて石英リング４０７を
取付けるものであり、第２の実施例より一層熱歪みが緩
和される。
以上の説明において、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の代りに熱
膨張係数がほぼ同じのＭｏやＷを使用してもよいことは
明らかである。
膨張係数がほぼ同じのＭｏやＷを使用してもよいことは
明らかである。
以上説明した様に、本発明はヒートシンクにダイオード
チップを熱圧着したのち、端面をメタライズした石英リ
ングをろう付することにより、高周波損失の少ない、誘
電体を用いてインパットダイオードを組立てることがで
きるので、インパッドダイオードのミリ波帯における発
振効率を向上することができる効果がある。
チップを熱圧着したのち、端面をメタライズした石英リ
ングをろう付することにより、高周波損失の少ない、誘
電体を用いてインパットダイオードを組立てることがで
きるので、インパッドダイオードのミリ波帯における発
振効率を向上することができる効果がある。
イオードの縦断面図である。
１．１０１，４０１・・・ヒートシンク、２出アルミナ
リング、３，２０３・・・リング、４．１０４゜２０４
・・・ダイオードチップ、５，１０５，２０５・・・金
テープ、６，１０６，２０６・・・キャップ、１０７〜
４０７・・・石英リング、３０８，４０８・・・リング
。
リング、３，２０３・・・リング、４．１０４゜２０４
・・・ダイオードチップ、５，１０５，２０５・・・金
テープ、６，１０６，２０６・・・キャップ、１０７〜
４０７・・・石英リング、３０８，４０８・・・リング
。
Claims (1)
- 銅製のヒートシンクの中央部にダイオードチップを熱圧
着する工程と、前記ヒートシンクと直接又は金属あるい
は合金製のリングを介して、両端面をメタライズした石
英リングの一端面のメタライズ層をろう付する工程と、
前記石英リングの他端面のメタライズ層と直接又は金属
あるいは合金製の他のリングを介して接続する配線金属
を前記ダイオードチップに接続する工程と、前記メタラ
イズ部と直接又は前記他のリングと金属あるいは合金製
のキャップをろう付する工程を含むことを特徴とするイ
ンパットダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63305228A JPH02151077A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | インパットダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63305228A JPH02151077A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | インパットダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151077A true JPH02151077A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17942577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63305228A Pending JPH02151077A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | インパットダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02151077A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5653891A (en) * | 1992-06-03 | 1997-08-05 | Seiko Epson Corporation | Method of producing a semiconductor device with a heat sink |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP63305228A patent/JPH02151077A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5653891A (en) * | 1992-06-03 | 1997-08-05 | Seiko Epson Corporation | Method of producing a semiconductor device with a heat sink |
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