JPH02151035A - バイポーラｉｃ製造時の埋込み拡散方法 - Google Patents
バイポーラｉｃ製造時の埋込み拡散方法Info
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- JPH02151035A JPH02151035A JP30575788A JP30575788A JPH02151035A JP H02151035 A JPH02151035 A JP H02151035A JP 30575788 A JP30575788 A JP 30575788A JP 30575788 A JP30575788 A JP 30575788A JP H02151035 A JPH02151035 A JP H02151035A
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、埋込み拡散においてＩＧ層を形成し得るよ
うにしたバイポーラＩＣ製造時の埋込み拡散方法に関す
る。
うにしたバイポーラＩＣ製造時の埋込み拡散方法に関す
る。
従来の技術
従来のバイポーラＩＣ製造時の埋込み拡散は、半導体基
板を８００〜９００℃の拡散炉へ入れ、反応温度１ｉｏ
ｏ〜１３００℃に昇温し所定時間保持して埋込み拡散を
行ったのち、再び元の低温まで降温させ、埋込み拡散を
終った半導体基板は拡散炉から取り出す方法で行われて
いた。
板を８００〜９００℃の拡散炉へ入れ、反応温度１ｉｏ
ｏ〜１３００℃に昇温し所定時間保持して埋込み拡散を
行ったのち、再び元の低温まで降温させ、埋込み拡散を
終った半導体基板は拡散炉から取り出す方法で行われて
いた。
この方法によれば、熱拡散は１１００〜１３００℃の高
温で行われるため、拡散装置の拡散管に石英管を使用す
れば管が軟化する問題がおる。そのため、炭化けい素管
が使用される。しかし、この炭化けい素管は石英管に比
べ純度が劣るため、シリコン基板は汚染を受ける。また
、１１００〜１３００℃の反応温度に加熱するとシリコ
ン基板内の内部欠陥を消滅させる温度に達しているため
、シリコン基板表面の汚染や欠陥をゲッタリングできな
くなる。
温で行われるため、拡散装置の拡散管に石英管を使用す
れば管が軟化する問題がおる。そのため、炭化けい素管
が使用される。しかし、この炭化けい素管は石英管に比
べ純度が劣るため、シリコン基板は汚染を受ける。また
、１１００〜１３００℃の反応温度に加熱するとシリコ
ン基板内の内部欠陥を消滅させる温度に達しているため
、シリコン基板表面の汚染や欠陥をゲッタリングできな
くなる。
そのため、従来の埋込み拡散に使用する炭化けい素管は
、管の清浄化を目的とした洗浄および塩酸ガスエッチベ
ーキングを数十時間行っている。
、管の清浄化を目的とした洗浄および塩酸ガスエッチベ
ーキングを数十時間行っている。
したがって、拡散炉の立ち上げに長時間を要していた。
発明が解決しようとする課題
上記のごとく、バイポーラＩＣ製造時に、炭化けい素管
を使って埋込み拡散を行えば、シリコン基板の内部欠陥
が消滅してシリコン基板表面の汚染や欠陥をゲッタリン
グできなくなる。
を使って埋込み拡散を行えば、シリコン基板の内部欠陥
が消滅してシリコン基板表面の汚染や欠陥をゲッタリン
グできなくなる。
この発明は、埋込み拡散中のシリコン基板の内部欠陥の
消滅を防止し、埋込み拡散後のシリコン基板表面の汚染
や欠陥をゲッタリングできるようにした埋込み拡散方法
を提供するものである。
消滅を防止し、埋込み拡散後のシリコン基板表面の汚染
や欠陥をゲッタリングできるようにした埋込み拡散方法
を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するため、この発明のバイポーラＩＣ製
造時の埋込み拡散方法は、シリコン基板を１１００〜１
３００℃の反応温度に加熱して埋込み拡散を行ったのち
、冷却途中で１１００〜８００℃の所定温度に保持して
ＩＧ層を形成することにある。
造時の埋込み拡散方法は、シリコン基板を１１００〜１
３００℃の反応温度に加熱して埋込み拡散を行ったのち
、冷却途中で１１００〜８００℃の所定温度に保持して
ＩＧ層を形成することにある。
上記において、ＩＧ層の形成を１１００〜８００℃の温
度範囲で行うのは、１１０Ｑ℃を超え高温すぎても、ま
た８００℃未満で低くすぎても、ＩＧ層の十分な形成が
できないためである。
度範囲で行うのは、１１０Ｑ℃を超え高温すぎても、ま
た８００℃未満で低くすぎても、ＩＧ層の十分な形成が
できないためである。
作 用
上記のごとく、バイポーラＩＣ製造過程のシリコン基板
への埋込み拡散において、表面にバターニングされたシ
リコン基板の不純物を埋込み拡散するとともに、この高
温加熱により破壊されたＩＧ層は冷却途中において、シ
リコン基板内にＩＧ層を再形成させるため、シリコン基
板表面の汚染や欠陥はＩＧ層へゲッタリングできる。
への埋込み拡散において、表面にバターニングされたシ
リコン基板の不純物を埋込み拡散するとともに、この高
温加熱により破壊されたＩＧ層は冷却途中において、シ
リコン基板内にＩＧ層を再形成させるため、シリコン基
板表面の汚染や欠陥はＩＧ層へゲッタリングできる。
したがって、シリコン基板が炭化けい素管より受けた汚
染や欠陥は、再形成１０層へゲッタリングされ汚染や欠
陥を低減できる。また、その結果、炭化けい素管の立ち
上げ時間を短縮できる。
染や欠陥は、再形成１０層へゲッタリングされ汚染や欠
陥を低減できる。また、その結果、炭化けい素管の立ち
上げ時間を短縮できる。
実施例
バイポーラＩＣを製造する過程で、表面にパタニングさ
れたシリコン基板を拡散炉に入れて熱拡散し埋込み層を
形成する際、次の要領で、この発明法を実施するととも
に、比較のため従来法も行った。
れたシリコン基板を拡散炉に入れて熱拡散し埋込み層を
形成する際、次の要領で、この発明法を実施するととも
に、比較のため従来法も行った。
■ 本発明法
８００℃の拡散炉にシリコン基板を入れ、昇温速度５．
０℃／Ｈｒで１３００℃まで昇温し、この熱拡散温度に
６時間保持して熱拡散を行い、降温速度４．０℃／ Ｈ
ｒで降温する途中で１０５０℃に６時間保持してＩＧ層
を形成したのち、８００℃まで冷却した。この際のヒー
トパタンを第１図に示す。
０℃／Ｈｒで１３００℃まで昇温し、この熱拡散温度に
６時間保持して熱拡散を行い、降温速度４．０℃／ Ｈ
ｒで降温する途中で１０５０℃に６時間保持してＩＧ層
を形成したのち、８００℃まで冷却した。この際のヒー
トパタンを第１図に示す。
■ 従来法
８００℃の拡散炉にシリコン基板を入れ、昇温速度５，
０℃／Ｈｒで１３００℃まで昇温し、この熱拡散温度に
６時間保持して熱拡散を行い、降温速度４゜Ｏ℃／Ｈｒ
で８００℃まで降温した。
０℃／Ｈｒで１３００℃まで昇温し、この熱拡散温度に
６時間保持して熱拡散を行い、降温速度４゜Ｏ℃／Ｈｒ
で８００℃まで降温した。
そして、上記本発明法と従来法を実施したあとのシリコ
ン基板表面の汚染や欠陥を測定した。その結果を第１表
に示す。
ン基板表面の汚染や欠陥を測定した。その結果を第１表
に示す。
第１表
埋込み拡散時に発生したシリコン基板表面の汚染や欠陥
はゲッタリングでき、基板表面の汚染や欠陥を減少でき
る。また、炭化けい素管の立ち上げ時間が大幅に短縮で
きる。
はゲッタリングでき、基板表面の汚染や欠陥を減少でき
る。また、炭化けい素管の立ち上げ時間が大幅に短縮で
きる。
第１図はこの発明の埋込み拡散方法の一実施例における
ヒートパタンを示すグラフである。
ヒートパタンを示すグラフである。
Claims (1)
- １バイポーラＩＣ製造過程のシリコン基板への埋込み拡
散において、反応温度１１００〜１３００℃で埋込み拡
散を行つたのち、冷却途中で１１００℃〜８００℃の温
度に保持してＩＧ層を形成し、基板表面の汚染、欠陥を
ＩＧ層へゲッタリングできるようにしたバイポーラＩＣ
製造時の埋込み拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30575788A JPH02151035A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | バイポーラｉｃ製造時の埋込み拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30575788A JPH02151035A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | バイポーラｉｃ製造時の埋込み拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151035A true JPH02151035A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17948980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30575788A Pending JPH02151035A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | バイポーラｉｃ製造時の埋込み拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02151035A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0350737A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-05 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0494120A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2001086710A1 (fr) * | 2000-05-09 | 2001-11-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production de plaquettes epitaxiales de silicium |
| KR100312970B1 (ko) * | 1994-12-26 | 2002-04-06 | 박종섭 | 반도체 기판의 결함 감소 방법 |
| KR20030033187A (ko) * | 2001-10-18 | 2003-05-01 | 주식회사 실트론 | 반도체용 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5722417A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-05 | Mitsubishi Metal Corp | Oil-containing bearing of two sintered layers |
| JPS6255697A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JPS6326541A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Nissan Motor Co Ltd | トルクセンサ |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP30575788A patent/JPH02151035A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5722417A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-05 | Mitsubishi Metal Corp | Oil-containing bearing of two sintered layers |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6544899B2 (en) | 2000-05-09 | 2003-04-08 | Shin-Etsu Handotai Co. | Process for manufacturing silicon epitaxial wafer |
| KR20030033187A (ko) * | 2001-10-18 | 2003-05-01 | 주식회사 실트론 | 반도체용 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 |
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