JPH02142133A - バンプ電極 - Google Patents
バンプ電極Info
- Publication number
- JPH02142133A JPH02142133A JP29545388A JP29545388A JPH02142133A JP H02142133 A JPH02142133 A JP H02142133A JP 29545388 A JP29545388 A JP 29545388A JP 29545388 A JP29545388 A JP 29545388A JP H02142133 A JPH02142133 A JP H02142133A
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- JP
- Japan
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- indentation
- bump electrode
- resin
- center
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1301—Shape
- H01L2224/13016—Shape in side view
- H01L2224/13018—Shape in side view comprising protrusions or indentations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/1301—Shape
- H01L2224/13016—Shape in side view
- H01L2224/13018—Shape in side view comprising protrusions or indentations
- H01L2224/13019—Shape in side view comprising protrusions or indentations at the bonding interface of the bump connector, i.e. on the surface of the bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体チップをフリップチップ方式やＴＡＢ
方式で基板上に実装するために半導体チップ上に形成さ
れるバンプｔｉに関する。
方式で基板上に実装するために半導体チップ上に形成さ
れるバンプｔｉに関する。
半導体チップを実装するために、チップ上にバンプ電極
を形成し、基板導体部に融着させる方式がフリップチッ
プ方式あるいはＴＡＢ方式として広く用いられている。
を形成し、基板導体部に融着させる方式がフリップチッ
プ方式あるいはＴＡＢ方式として広く用いられている。
このようにバンプ電極と基板とを接着する場合、接合部
に加わる応力を緩和するため、バンプ電極の周辺を樹脂
で補強する方法がある。
に加わる応力を緩和するため、バンプ電極の周辺を樹脂
で補強する方法がある。
第２図（ａ）、 ｆｂ）はＴＡＢ方式に用いられるＡυ
バンプ部を断面図および平面図で示し、図（ｂｌでは上
部の金属からなる部分のみを示している０図（５）から
れかるように、半導体基板６の上に酸化膜５を介してＡ
ｊ−５１配線４０の一部をなｔ電極バッド４を形成し、
その上を覆う窒化膜３に明けられた接続孔３１において
下地金属膜２を接触させる。この下地金属膜２は、例え
ばＴｌ−Ｐｄ−Ａｕ合金のスパッタリングで形成される
０図示しないがこの下地金属膜２の上を絶縁膜で覆い、
その開口部で下地金属膜２と接触するバンプ［１４１を
Ａｕのめっきで形成する。従ってこのバンプ電極ｌの表
面には、窒化膜３の開口部３１の上に生ずる下地金属膜
２のくぼみ７に対応してくぼみ８が生ずる。バンプ環ｐ
ｉ１を基板の導体と接着する際に樹脂で補強すると、そ
の樹脂がバンプｔｉ接着面のこのくぼみ８に残り、バン
プ電極と基Ｆｉ導体との接着不良あるいは経時変化によ
るバンプを極の剥離などの原因となった。
バンプ部を断面図および平面図で示し、図（ｂｌでは上
部の金属からなる部分のみを示している０図（５）から
れかるように、半導体基板６の上に酸化膜５を介してＡ
ｊ−５１配線４０の一部をなｔ電極バッド４を形成し、
その上を覆う窒化膜３に明けられた接続孔３１において
下地金属膜２を接触させる。この下地金属膜２は、例え
ばＴｌ−Ｐｄ−Ａｕ合金のスパッタリングで形成される
０図示しないがこの下地金属膜２の上を絶縁膜で覆い、
その開口部で下地金属膜２と接触するバンプ［１４１を
Ａｕのめっきで形成する。従ってこのバンプ電極ｌの表
面には、窒化膜３の開口部３１の上に生ずる下地金属膜
２のくぼみ７に対応してくぼみ８が生ずる。バンプ環ｐ
ｉ１を基板の導体と接着する際に樹脂で補強すると、そ
の樹脂がバンプｔｉ接着面のこのくぼみ８に残り、バン
プ電極と基Ｆｉ導体との接着不良あるいは経時変化によ
るバンプを極の剥離などの原因となった。
本発明の課題は、実装時の基板導体との接着の前に補強
のために用いる樹脂が接着時に接着面のくぼみに残留す
ることのないバンプ電極を提供することにある。
のために用いる樹脂が接着時に接着面のくぼみに残留す
ることのないバンプ電極を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明は実装時の基板導体
との接着面の中央部にくぼみを有するバンプ電極におい
て、そのくぼみから接着面の外縁まで延びるみぞ部を有
するものとする。
との接着面の中央部にくぼみを有するバンプ電極におい
て、そのくぼみから接着面の外縁まで延びるみぞ部を有
するものとする。
バンプ電極接着面のくぼみから接着面の外縁にのびるみ
そ部があるため、接着する際補強に用いる樹脂が接着面
のくぼみに入っても、バンプ電極と基板導体との接着の
ための加圧により樹脂はみぞを通じて外部へ押し出され
、接着面に樹脂が残留することがない。
そ部があるため、接着する際補強に用いる樹脂が接着面
のくぼみに入っても、バンプ電極と基板導体との接着の
ための加圧により樹脂はみぞを通じて外部へ押し出され
、接着面に樹脂が残留することがない。
第１図（ａｌ、（ｂｌは本発明の一実施例のバンプ部を
第２図（ａｌ、 ｆｂｌと同様の断面図、平面図で示し
、第２図と共通の部分には同一の符号が付されている。
第２図（ａｌ、 ｆｂｌと同様の断面図、平面図で示し
、第２図と共通の部分には同一の符号が付されている。
半導体基板６上に酸化１Ｉ１５を介してＡ７−３ｌから
なる電極パッド４を形成し、その上を窒化Ｉｌ！３で覆
うところまでは第２図に示した従来の場合と同様である
。しかしこの窒化膜をフォトエツチングでパターニング
する際、電極パッド４の中央接続孔３１だけでなく、そ
の中央部から四方に延びるみぞ状部３２も窒化膜を除去
する。従ってその上にスパッタリングされるＴｉ−Ｐｄ
−Ａｕ合金の下地金属膜２には中央のくぼみ７ばかりで
なく、それより四方に延びるみぞ部７１が生ずる０次い
で周囲を絶縁膜で覆い、Ａｕめっきを施せば、下地金属
膜２の表面形状にならって表面に中央のくぼみ８とそれ
より四方に延びるみぞ部８１を有するバンプ電極ｌが形
成される。このあとの実装工程において、補強に用いる
樹脂がくぼみ８に入っても、接着時のバンプ電極の基板
導体への加圧の際にみぞ部８１を通じて押し出され、接
着面に介在することがないため、接Ｍ強度が高く、経時
変化しない。
なる電極パッド４を形成し、その上を窒化Ｉｌ！３で覆
うところまでは第２図に示した従来の場合と同様である
。しかしこの窒化膜をフォトエツチングでパターニング
する際、電極パッド４の中央接続孔３１だけでなく、そ
の中央部から四方に延びるみぞ状部３２も窒化膜を除去
する。従ってその上にスパッタリングされるＴｉ−Ｐｄ
−Ａｕ合金の下地金属膜２には中央のくぼみ７ばかりで
なく、それより四方に延びるみぞ部７１が生ずる０次い
で周囲を絶縁膜で覆い、Ａｕめっきを施せば、下地金属
膜２の表面形状にならって表面に中央のくぼみ８とそれ
より四方に延びるみぞ部８１を有するバンプ電極ｌが形
成される。このあとの実装工程において、補強に用いる
樹脂がくぼみ８に入っても、接着時のバンプ電極の基板
導体への加圧の際にみぞ部８１を通じて押し出され、接
着面に介在することがないため、接Ｍ強度が高く、経時
変化しない。
なお、バンプ電極１の接着面のみぞ部８１の形成のため
には、窒化膜３へのみぞ加工でなく、下地金属２へみぞ
加工を施してもよい、あるいは、めっき後のバンプ電極
ｌの表面をみぞ加工してもよい。
には、窒化膜３へのみぞ加工でなく、下地金属２へみぞ
加工を施してもよい、あるいは、めっき後のバンプ電極
ｌの表面をみぞ加工してもよい。
本発明によれば、電極パッドへの接続孔形成の関係から
接着面中央にくぼみの生ずるのを避けられないバンプ電
極に、そのくぼみから接着面外周まで延びるみぞ部を形
成することにより、実装時にバンプ電極と基板との接合
部を樹脂で補強しても、接着の際、接着面に樹脂が残る
ことがないので、接着強度とその偉績性の高い半導体チ
ップの実装を行うことができる。
接着面中央にくぼみの生ずるのを避けられないバンプ電
極に、そのくぼみから接着面外周まで延びるみぞ部を形
成することにより、実装時にバンプ電極と基板との接合
部を樹脂で補強しても、接着の際、接着面に樹脂が残る
ことがないので、接着強度とその偉績性の高い半導体チ
ップの実装を行うことができる。
第１図ｆａｎ、ｆｂ）は本発明の一実施例のバンプ部を
示し、ｆａ）は断面図、（ｂ）は金属部分のみの平面図
、第２図（ａｌ、 ｆｂｌは従来のバンプ部を示し、（
ａ）は断面図、（ｂ）は金属部分のみの平面図である。 １：バンプ電極、２：下地金属膜、３；窒化膜、４：電
極パッド、８：くぼみ、８１：みぞ部。 第１７
示し、ｆａ）は断面図、（ｂ）は金属部分のみの平面図
、第２図（ａｌ、 ｆｂｌは従来のバンプ部を示し、（
ａ）は断面図、（ｂ）は金属部分のみの平面図である。 １：バンプ電極、２：下地金属膜、３；窒化膜、４：電
極パッド、８：くぼみ、８１：みぞ部。 第１７
Claims (1)
- １）実装時の基板導体との接着面の中央部にくぼみを有
するものにおいて、そのくぼみから接着面の外縁まで延
びるみぞ部を有するバンプ電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29545388A JPH02142133A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | バンプ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29545388A JPH02142133A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | バンプ電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142133A true JPH02142133A (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=17820782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29545388A Pending JPH02142133A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | バンプ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02142133A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222407A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Hannstar Display Corp | Ｉｃチップをボンディングするための構造と方法 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29545388A patent/JPH02142133A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222407A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Hannstar Display Corp | Ｉｃチップをボンディングするための構造と方法 |
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