JPH02138793A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は回路基板の製造方法に関する。

（従来の技術） Ｔ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）用テープキャリア、プリント基板等のように
、基体上に回路パターンを有する回路基板は、基体上に
銅箔を接着したのち、この銅箔を表面側からエッチング
加工して所定の回路パターンに形成するようにしている
。

（発明が解決しようとする課５） 上記の回路基板は銅箔をエッチング加工して回路パター
ンに形成するので、微細な回路パターンを形成すること
が可能となる。

しかしながら、銅箔が基体上に接着されているため、銅
箔のエッチング加工は表面側、すなわち片面側からしか
行えず、そのため回路パターンの断面形状は第３図に示
すように、基部側が広いほぼ台形状の断面形状になって
しまう問題点がある。

一般にエッチングファクターは、（基体側の幅−表面の
幅）／銅箔厚Ｘ　２　＝Ｗ／Ｔで示されるが、片面エッ
チングでは、この工・ノチングファクターは０．３３程
度が限界で、これより小さい値になるように加工するこ
とは困難である。因みに、厚さが３５μｍの銅箔を用い
て片面エッチングを行った場合には、片側に約１２μｍ
の裾野を引くことを意味し、パターン幅や、バクーン間
が狭くなるに従い無視できないものとなる。

特に銅箔は樹脂製の基体との接着強度を高めるため、片
面を粗面に形成して、この粗面側を接着剤により基体上
に接着するようにしているので、粗面の凸部が接着剤層
中にくい込んでいる。この銅箔を表面側からエッチング
する際、最後に残る、接着剤層中にくい込んでいる凸部
の溶解に時間がかかり、これによりサイドエッチングが
進んで上記のようにエッチングファクターが大きくなる
と考えられる。

本発明は上記問題点を解消すべくなされたものであり、
その目的とするところは、エッチングファクターを小さ
くすることができ、より微細な回路パターンを精度よく
形成することができる回路基板の製造方法を提供するに
ある。

（課題を解決するための手段） 上記目的による本発明では、 Ａ；支持体上に導体金属箔を粗面側を表にして剥離可能
に貼着した接合体の該導体金属箔を所定の回路パターン
に従い少なくとも粗面の凸部がとれるエッチングを施す
第１のエッチング工程、Ｂ：基体上に、上記接合体を粗
面側を基体側に向けて接着剤により接着し、導体金属箔
から支持体を剥離する転写工程、 Ｃ：支持体が剥離されて露出した導体金属箔表面を前記
第１のエッチング工程でエッチングしたパターンに重ね
て表面側からエッチングして所定の回路パターンに形成
する第２のエッチング工程を含むことを特徴としている
。

また、 Ａ：得るべき回路パターンの厚さよりも厚い導体金属箔
を粗面側を表にして剥離可能に支持体上に貼着した接合
体の該導体金属箔を所定の回路パターンに従い少なくと
も得るべき回路パターンの厚み分だけエッチングする第
１のエッチング工程、 Ｂ：基体上に、上記接合体を粗面側を基体側に向けて接
着剤により接着し、導体金属箔から支持体を剥離する転
写工程、 Ｃ：支持体が剥離されて露出した導体金属箔表面全体を
、前記第１のエッチング工程によって形成されたエッチ
ング溝に到達するエッチングを行って所定の回路パター
ンに形成する第２のエッチング工程を含むことを特徴と
している。

なお、接着工程では、接合体を基体上に圧接して、接着
剤が第１のエッチング工程で形成したエッチング溝内に
入り込むようにすると好適である。

（作用） 上記第１の方法では、導体金属箔が両面からエッチング
されるので、エッチングファクターを小さくすることが
できる。特に導体金属箔の粗面側からもエッチングされ
るので、従来のように接着剤層中にくい込んでいる凸部
をエッチングするのと異なり、均一なエッチングが行え
、ザイドエノチングが少なくなってエッチングファクタ
ーを小さくすることができるのである。導体金属箔は転
写法によって支持体あるいは基体に常に接合しているの
で、形成された微細な回路パターンが変形しない。

第２の方法では回路パターンが実質上片面エッチングに
よって形成されるので、エッチングファクターは上記第
１の方法よりも大きくなるが、実質的な回路パターンを
形成する第１のエッチング工程が導体金属箔の粗面側か
ら行われるので、粗面凸部が接着剤層中にくい込むこと
に起因する従来方法でのエツングファクター増大をやは
り阻止することができる。なお、第２のエッチング工程
でのエッチング量を多くすれば、第１のエッチング工程
で形成されたエッチング溝の幅狭となっている底部をカ
ットできるのでエッチングファクターを小さくすること
ができる。また、この第２の方法では第２のエッチング
工程でフォトエッチングを行う必要がないので工程の短
縮化が図れる。

転写工程において、接着剤がエッチング溝を充填するよ
うにすれば、回路パターンのサイドエッチングが防止さ
れ、また回路パターンの基体上への接着強度が増大し、
電気的絶縁性も大きくなる。

（実施例） 以下では本発明の好適な一実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。

第１図にはＴＡＢ用テープキャリアの製造工程を示す。

（１）銅箔接着工程 まず、第°１図（ａ）に示すように、支持体たるマスタ
ーフィルム１０上に、銅箔１２を、その鏡面側がマスタ
ーフィルム１０側になるようにして接着剤１４により貼
着して接合体１Ｇを形成する。

この接着剤１４はマスターフィルム１０および接着剤１
４自身が銅箔１２上から容易に剥離しうるよう、接着力
の低いものを用いる。なお接合体１６は、銅箔１２をマ
スターフィルム１０上に直接熱圧着したものを用いるこ
ともできる。

マスターフィルムＩＯは銅箔１２が平面性を維持するに
足る強度を有すればよく、厚さ、材質などは特に限定さ
れない。

なおこの銅箔接着工程は、あらかじめ別途マスターフィ
ルム１０に銅箔１２を接着した接合体を出発材料として
用いるようにすれば省略できる。

（２）第１のエッチング工程 上記のように粗面側を表にしてマスターフィルム１０に
接着されている銅箔１２を粗面側から、所定の回路パタ
ーンに従ってエッチング加工する（同図（ｂ））。エッ
チング加工自体は公知のフォトエッチング方法を採用し
うるので、特には説明しない。

この場合のエッチング加工の程度は銅箔１２の厚みの約
半分程度とするのが好適である。

なお最小であっても、粗面の凸部がとれる程度のエッチ
ング加工が必要である。

（３）転写工程 次に同図（Ｃ）に示すように、上記エッチング加工した
接合体１６をベースフィルム１８上にエッチング加工面
がベースフィルム１８側となるように接着剤２０により
接着し、次いで、接着剤１４およびマスターフィルム１
０を銅箔１２上から剥１情して、ベースフィルム１８上
に銅箔１２が転写された転写体２２を得る。

この場合、ベースフィルム１８上に接合体の銅箔１ンを
加熱圧着して、接着剤２０がエッチング溝内に進入・充
填されるようにするのが好適である。

銅箔１２は粗面側がベースフィルム１８に接着されるの
で、所定の接着強度を得る。なお５．接着剤２０がエッ
チング溝内に進入・充填されると一層接着強度が増す。

なおベースフィルム１８には、図示しないが、デバイス
ホール、スプロケットホール等の必要な透孔があらかじ
めプレス加工によって形成されている。これら透孔（ス
プロケットボールを除く）内には、溶剤によって除去可
能なレジストを裏当てとして充填し、この部分の銅箔が
レジスト上に固着されるようにするとよい。

（４）第２のエッチング工程 次に転写体２２を銅箔１２の表面側から所定の回路パタ
ーンに従ってエッチング加工する。すなわち、第１のエ
ッチング加工のパターンに重ねて表側からエッチング加
工し、最終的な回路パターンに形成するのである（同図
（ｄ））。この両者のエッチングパターンを正確に重ね
るために、用いるフォトマスクを正確に位置決めする必
要がある。

最後に、透孔内に裏当として充填した前記レジストを除
去する。

上記の製造工程によって、エッチングファクターの小さ
なＴＡＢ用テープキャリアを製造することができる。

エッチングファクターを小さくできるのは次の理由によ
る。

■　銅箔１２を両面エッチングすることによって、エッ
チングファクターが小さくできること。

■　粗面側が表になっている状態でエッチング加工を行
うので、粗面の凸部が接着剤層にくい込んでいるのと違
い、均一なエッチング加工が行え、それだけサイドエッ
チングを少なくすることができること。

■　接着剤２０がエッチング溝内に進入・充填している
と、第２のエフチグ加工の際、第１のエッチング加工で
形成したエッチング溝の再度のサイドエッチングを防止
できること。

なおこのように接着剤２０がパターン間に進入している
と前記したように、銅箔１２　（回路パターン）とベー
スフィルム１８の接着強度が増大するばかりか、マイグ
レーションが阻止され、パターン間の電気絶縁性を向上
させることができる。

第２図にはＴＡＢ用テープキャリアの他の製造工程を示
す。

本実施例では、上記筒１の実施例で用いた銅箔の厚さの
程度度の厚さを有する銅箔２４を用いる。

本実施例においても、第１の実施例での（１）〜（３）
の転写工程までは同じである（同図（ａ）、（ｂ）、（
Ｃ））。なお、（２）第１ののエッチング工程では銅箔
２４の厚さの約半分程度のエッチングを施す。

次いで同図（ｄ）に示すように、・転写された銅箔２４
の表面側を、前記第１のエッチング工程で形成されたエ
ッチング溝に到達するまで全面エッチングして回路パタ
ーンを形成するのである。

本実施例ではエッチング化は多くなるが、第２のエッチ
ング工程では、レジスト塗布工程やパターン合せをして
の露出工程、レジスト除去工程が不要となり、パターン
ニングの際の位置ずれのおそれもなく、また工程の短縮
が図れる。

なお、第１のエッチング工程でのエッチング厚が実際の
回路パターンの厚さとなり、実質上片面エッチングとな
るが、粗面側からエッチングするものであり、粗面の凸
部が接着剤層にくい込んでいる従来方法に比して、やは
りエッチングが均一かつ短時間に行えるので、それだけ
サイドエッチングが少なくなり、エッチングファクター
を小さくすることができる。

また、第２のエッチング工程により、第１のエッチング
工程により形成された、幅狭のエッチング溝の内底部が
カッＩ・されるので、実質的なエッチングファクターは
小さくなる（同図（ｄ）参照）。

上記各実施例ではＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を
例に挙げて説明したが、プリント基板など、基体上に銅
箔を接着して、エッチングにより回路パターンを形成す
るものであれば、いがなる回路基板にも通用しうる。

基体１０は樹脂ばかりでなく、セラミック、あるいは絶
縁層を介した金属板などであってもよい。

また銅箔は具体的には電解銅箔を好適に用い得るが、圧
延等によって形成したものでもよく、また銅には限られ
ず、他の金泥であってもよいことはもちろんである。

以上、本発明につき好適な実施例を上げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明のネｎ神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。

（発明の効果） 請求項１の方法では、導体金属箔が両面からエッチング
されるので、エッチングファクターを小さくすることが
できる。特に導体金属箔の粗面側からもエッチングされ
るので、従来のように接着剤層中にくい込んでいる凸部
をエッチングするのと異なり、均一なエッチングが行え
、サイドエッチングが少なくなってエッチングファクタ
ーを小さくすることができるのである。導体金属箔は転
写法によって支持体あるいは基体に常に接合しているの
で、形成された微細な回路パターンが変形しない。

請求項２の方法では回路パターンが実質上片面エッチン
グによって形成されるので、エッチングファクターは上
記第１の方法よりも大きくなるが、実質的な回路パター
ンを形成する第１のエッチング工程が導体金属箔の粗面
側から行われるので、粗面凸部が接着剤層中にくい込む
ことに起因する従来方法でのエツングファクター増大を
やはり型止することができる。なお、第２のエッチング
工程での工・ノチング量を多くすれば、第１のエッチン
グ工程で形成されたエッチング溝の幅狭となっている底
部をカットできるのでエッチングファクターを小さくす
ることができる。また、この第２の方法では第２のエッ
チング工程でフォトエッチングを行う必要がないので工
程の短縮化が図れる。

転写工程において、接着剤がエッチング溝を充愼するよ
うにすれば、回路パターンのサイドエッチングが防止さ
れ、また回路パターンの基体上への接着強度が増大し、
電気的絶縁性も大きくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）は第１の製造工
程を示し、その（ａ）図は接合体の断面図、（ｂ）図は
エッチング加工した接合体の断面図、（Ｃ）図はベース
フィルムに銅箔を転写した転写体の断面図、（ｄ）図は
転写体にエッチング加工した状態の断面図を示す。 第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は第２の製造工
程を示し、その（ａ）図は接合体の断面図、（ｂ）図は
エッチング加工した接合体の断面図、（Ｃ）図はベース
フィルムに銅箔を転写した転写体の断面図、（ｄ）図は
転写体にエッチング加工した状態の断面図を示す。 第３図は従来の回路基板の回路パターンの断面図を示す
。 １０・・・マスターフィルム、 １２・・・銅箔、　　１４・・・接着剤、１６・・・Ｗ
合体、　１Ｂ・・・ベースフィルム、２０・・・接着剤
、　２２・・・転写体、２４　・　・　・　参同箔。 第 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．Ａ：支持体上に導体金属箔を粗面側を表にして剥離
   可能に貼着した接合体の該導体 金属箔を所定の回路パターンに従い少な くとも粗面の凸部がとれるエッチングを 施す第１のエッチング工程、 Ｂ：基体上に、上記接合体を粗面側を基体 側に向けて接着剤により接着し、導体金 属箔から支持体を剥離する転写工程、 Ｃ：支持体が剥離されて露出した導体金属 箔表面を前記第１のエッチング工程でエ ッチングしたパターンに重ねて表面側か らエッチングして所定の回路パターンに 形成する第２のエッチング工程 を含むことを特徴とする回路基板の製 造方法。
2. ２．Ａ：得るべき回路パターンの厚さよりも厚い導体金
   属箔を粗面側を表にして剥離可 能に支持体上に貼着した接合体の該導体 金属箔を所定の回路パターンに従い少な くとも得るべき回路パターンの厚み分だ けエッチングする第１のエッチング工程、 Ｂ：基体上に、上記接合体を粗面側を基体 側に向けて接着剤により接着し、導体金 属箔から支持体を剥離する転写工程、 Ｃ：支持体が剥離されて露出した導体金属 箔表面全体を、前記第１のエッチング工 程によって形成されたエッチング溝に到 達するエッチングを行って所定の回路パ ターンに形成する第２のエッチング工程 を含むことを特徴とする回路基板の製 造方法。
3. ３．転写工程において、接合体を基体に圧接して接着剤
   を第１のエッチング工程で形成されたエッチング溝内に
   進入・充填させることを特徴とする請求項１または２記
   載の回路基板の製造方法。