JPH02137285A - 光電子集積回路 - Google Patents
光電子集積回路Info
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- JPH02137285A JPH02137285A JP29119588A JP29119588A JPH02137285A JP H02137285 A JPH02137285 A JP H02137285A JP 29119588 A JP29119588 A JP 29119588A JP 29119588 A JP29119588 A JP 29119588A JP H02137285 A JPH02137285 A JP H02137285A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザや発光ダイオードなどの発光素
子とこれらの発光素子を駆動するためのバイポーラトラ
ンジスタなどの電子素子を同一の基板上に集積化した光
電子集積回路（ＯＥ Ｉ Ｃ）における、光出力を一定
にするＡ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏｍａｔｌｃ Ｐｏｗｅｒ
Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路に関する。
子とこれらの発光素子を駆動するためのバイポーラトラ
ンジスタなどの電子素子を同一の基板上に集積化した光
電子集積回路（ＯＥ Ｉ Ｃ）における、光出力を一定
にするＡ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏｍａｔｌｃ Ｐｏｗｅｒ
Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路に関する。
従来の技術
第３図は従来のＡＰＣ回路を構成する受光回路である。
第３図において、１は半導体レーザ（ＬＤ）であり、１
１のトランジスタＱ１のベース電位ＶＢと１２の抵抗Ｒ
Ｉの大きさで決まるＬＤバイアス電流ｌｌＩが流れてい
る。Ｉａ＝ （Ｖｌｌ−Ｖ９ｉ−ＶｇＥ）／Ｒ１である
。但しＶＥＥは電源電圧■ＢＥはＱ＋のベース・エミッ
タ間電圧である。２はホトダイオード（ＰＤ）であり、
ＬＤ光出力パヮーＰに比例したモニタ電流Ｉ＋（Ｉ＋＝
βＰ）が流れる。ここでβはホトダイオードの受光感度
である。４はオペアンプＵ１であり、その出力電圧は、
Ｖｌ。、３−Ｒ・”Ｉ＋となる。５の抵抗Ｒ５，６の抵
抗Ｒ，，７のオペアンプＵ２は反転増幅器を構成してお
り、そのゲインは、−Ｒ＝／Ｒｓである。８の抵抗Ｒ３
，９の抵抗Ｒ２，１０のオペアンプＵ３も反転増幅器を
構成しており、そのゲインは−Ｒ２／Ｒ１である。
１のトランジスタＱ１のベース電位ＶＢと１２の抵抗Ｒ
Ｉの大きさで決まるＬＤバイアス電流ｌｌＩが流れてい
る。Ｉａ＝ （Ｖｌｌ−Ｖ９ｉ−ＶｇＥ）／Ｒ１である
。但しＶＥＥは電源電圧■ＢＥはＱ＋のベース・エミッ
タ間電圧である。２はホトダイオード（ＰＤ）であり、
ＬＤ光出力パヮーＰに比例したモニタ電流Ｉ＋（Ｉ＋＝
βＰ）が流れる。ここでβはホトダイオードの受光感度
である。４はオペアンプＵ１であり、その出力電圧は、
Ｖｌ。、３−Ｒ・”Ｉ＋となる。５の抵抗Ｒ５，６の抵
抗Ｒ，，７のオペアンプＵ２は反転増幅器を構成してお
り、そのゲインは、−Ｒ＝／Ｒｓである。８の抵抗Ｒ３
，９の抵抗Ｒ２，１０のオペアンプＵ３も反転増幅器を
構成しており、そのゲインは−Ｒ２／Ｒ１である。
つぎに上記従来例の動作について説明する。第３図にお
いて温度変動あるいは電源電圧変動等によりＬＤ光出力
パワーＰがΔＰだけ太き（なると、ＰＤモニター電流Ｉ
、がβΔＰだけ大きくなり、オペアンプＵ３の出力電圧
は、Ｒ６’β・ΔＰだけ下がる。したがってオペアンプ
Ｕ２の出力電圧は、Ｒｅ・β・ΔＰ ”ＲＪ／Ｒｅだけ
上がる。したがってオペアンプＵ１の出力電圧はＲ６・
β・ΔＰ＠Ｒａ／Ｒ６”Ｒ２／Ｒ３だけ下がる。トラン
ジスタＱ１のペース電位もＲ６・β・ΔＰφＲ４／ Ｒ
ｓ侮Ｒ２／Ｒ３だけ下がり、レーザのバイアス電流Ｉｌ
ｌはＲ６−β・ΔＰ・Ｒ４／ Ｒｓ・Ｒ２／Ｒ３／Ｒ１
だけ小さくなる。したがってレーザの光出力パワーＰは
、Ｒ６”β・ΔＰ・Ｒａ ／ Ｒｓ・Ｒ２／Ｒ３／Ｒ１
・ηだけ小さくなりレーザの光出力パワーＰを一定に保
つようなＡＰＣ機能を宵する。ここでηはＰとＩ８との
比例係数（レーザの量子効率）である。
いて温度変動あるいは電源電圧変動等によりＬＤ光出力
パワーＰがΔＰだけ太き（なると、ＰＤモニター電流Ｉ
、がβΔＰだけ大きくなり、オペアンプＵ３の出力電圧
は、Ｒ６’β・ΔＰだけ下がる。したがってオペアンプ
Ｕ２の出力電圧は、Ｒｅ・β・ΔＰ ”ＲＪ／Ｒｅだけ
上がる。したがってオペアンプＵ１の出力電圧はＲ６・
β・ΔＰ＠Ｒａ／Ｒ６”Ｒ２／Ｒ３だけ下がる。トラン
ジスタＱ１のペース電位もＲ６・β・ΔＰφＲ４／ Ｒ
ｓ侮Ｒ２／Ｒ３だけ下がり、レーザのバイアス電流Ｉｌ
ｌはＲ６−β・ΔＰ・Ｒ４／ Ｒｓ・Ｒ２／Ｒ３／Ｒ１
だけ小さくなる。したがってレーザの光出力パワーＰは
、Ｒ６”β・ΔＰ・Ｒａ ／ Ｒｓ・Ｒ２／Ｒ３／Ｒ１
・ηだけ小さくなりレーザの光出力パワーＰを一定に保
つようなＡＰＣ機能を宵する。ここでηはＰとＩ８との
比例係数（レーザの量子効率）である。
発明が解決しようとする課題
本発明が解決しようとする第１の課題は、従来の受光回
路では、光電子集積回路に集積しようとしたばあい受光
素子は種々の制約から耐圧・暗電流特性が十分でなく、
特に温度により暗電流が変動し、その結果ＡＰＣ回路を
用いても光出力が変化していたことである。
路では、光電子集積回路に集積しようとしたばあい受光
素子は種々の制約から耐圧・暗電流特性が十分でなく、
特に温度により暗電流が変動し、その結果ＡＰＣ回路を
用いても光出力が変化していたことである。
また、本発明が解決しようとする第２の課題は、従来の
光電子集積回路においては温度検出用の素子が集積され
ていなかったため外部の検出器では正確に光電子集積回
路の温度がモニタできずに、暗電流の変動が生じていた
ことである。
光電子集積回路においては温度検出用の素子が集積され
ていなかったため外部の検出器では正確に光電子集積回
路の温度がモニタできずに、暗電流の変動が生じていた
ことである。
課題を解決するための手段
本発明は上述のような従来の光電子集積回路に於ける課
題を解決するためになされたもので第１の課題を解決す
るための手段は、基板上に２つのホトダイオードをモノ
リシックに集積し、一方のホトダイオードには、レーカ
の一部が入射しモニタ電流が発生するように配置し、他
方はレーザの光が入力しないように配置する。さらにこ
れら２つのホトダイオードを流れる電流を差動増幅器に
それぞれ入力することを特徴とするものである。
題を解決するためになされたもので第１の課題を解決す
るための手段は、基板上に２つのホトダイオードをモノ
リシックに集積し、一方のホトダイオードには、レーカ
の一部が入射しモニタ電流が発生するように配置し、他
方はレーザの光が入力しないように配置する。さらにこ
れら２つのホトダイオードを流れる電流を差動増幅器に
それぞれ入力することを特徴とするものである。
また第２の課題を解決するための手段は、基板上に温度
検出用の素子としてダイオードをモノリシックに集積し
することであり、ダイオードの順方向電圧降下が温度に
より変化することを利用することを特徴とするものであ
る。
検出用の素子としてダイオードをモノリシックに集積し
することであり、ダイオードの順方向電圧降下が温度に
より変化することを利用することを特徴とするものであ
る。
作用
上述の第１の手段によれば、２つのホトダイオードの暗
電流が差動増幅器の差動入力に入力する事により、温度
変化によるホトダイオードの暗電流の変化を相殺するこ
とができる。
電流が差動増幅器の差動入力に入力する事により、温度
変化によるホトダイオードの暗電流の変化を相殺するこ
とができる。
また上述の第２の手段によれば、温度検出用のダイオー
ドが、モノリシックに集積されていることによりレーザ
と熱的に繋がれているため正確な温度モニタが可能とな
る。さらに第１の手段にょるホトダイオードと第２の手
段による温度検出用のダイオードをレーザと同一積層構
造にすることにより、光電子集積回路の構造を変更する
ことなく製造することができる。
ドが、モノリシックに集積されていることによりレーザ
と熱的に繋がれているため正確な温度モニタが可能とな
る。さらに第１の手段にょるホトダイオードと第２の手
段による温度検出用のダイオードをレーザと同一積層構
造にすることにより、光電子集積回路の構造を変更する
ことなく製造することができる。
実施例
第１図に本発明の実施例の構成を示すものである。第１
図において、３１は半導体レーザ（Ｌ Ｄ）であり、４
８のトランジスタＱ６のベース電位ｖ［Ｉと４９の抵抗
Ｒ８の大きさで決まるＬＤバイアス電流■８が流れてい
る。
図において、３１は半導体レーザ（Ｌ Ｄ）であり、４
８のトランジスタＱ６のベース電位ｖ［Ｉと４９の抵抗
Ｒ８の大きさで決まるＬＤバイアス電流■８が流れてい
る。
Ｉ ｅ ＝ （Ｖｅ −Ｖ８ｔ −ＶＥＥ） ／ Ｒ１
１である。但しＶ５εは電源電圧Ｎ Ｖ［ｌＥはＱｌ
のベース・エミッタｆｉｆｌｉ圧である。３３は、第１
のホトダイオードＰＤ＋であり、レーザの光３２の一部
が第１のホトダイオードＰＤ＋に入射され、出力パワー
Ｐに比例したモニタ電流Ｉ＋（Ｉ＋＝βＰ：βは重厚感
度）がホトダイオードの暗電流Ｉ、に加算されて流れる
。第１のホトダイオードＰＤＩに流れる電流Ｉｐｎ＋は
■ρＤ、＝βＰ＋ ＩＤである。一方第２のホトダイオ
ード３４にはレーザの光３２は入力されず流れる電流Ｉ
ＰＯ２は暗電流Ｉｏだけが流れる。それぞれのＩＰＤ
ｌ・Ｉｐ１１２は、３９及び４０のトランジスタＱ、と
Ｑ２により構成される差動増幅器に入力される。３５と
３６の抵抗Ｒ１とＲ２はトランジスタＱ＋（３９）のベ
ース電位を決定する。３７と３８の抵抗Ｒ４とＲ５はト
ランジスタＱ２（４０）のベース電位を決定する。差動
増幅器は、それぞれの入力のうち同相入力を打ち消し合
うので第１のホトダイオードの暗電流と駄２のホトダイ
オードの暗電流Ｉｎを相殺することができる。４５と５
６の抵抗Ｒ３およびＲ６は、差動増幅器の負荷抵抗であ
り２４及び２５との端子間にレーザの光出力に比例した
電圧出力のかたちで取り山すことができる。４１と４２
のトランジスタＱ３およびＱ４は、４３と４４の抵抗Ｒ
７及びＲ８とともにカレントミラー回路を構成し差動増
幅器の定電流源として動作する。端子２３は、レーザの
駆動信号入力端子であり、端子２１及び端子２２は、そ
れぞれ電源電圧端子である。
１である。但しＶ５εは電源電圧Ｎ Ｖ［ｌＥはＱｌ
のベース・エミッタｆｉｆｌｉ圧である。３３は、第１
のホトダイオードＰＤ＋であり、レーザの光３２の一部
が第１のホトダイオードＰＤ＋に入射され、出力パワー
Ｐに比例したモニタ電流Ｉ＋（Ｉ＋＝βＰ：βは重厚感
度）がホトダイオードの暗電流Ｉ、に加算されて流れる
。第１のホトダイオードＰＤＩに流れる電流Ｉｐｎ＋は
■ρＤ、＝βＰ＋ ＩＤである。一方第２のホトダイオ
ード３４にはレーザの光３２は入力されず流れる電流Ｉ
ＰＯ２は暗電流Ｉｏだけが流れる。それぞれのＩＰＤ
ｌ・Ｉｐ１１２は、３９及び４０のトランジスタＱ、と
Ｑ２により構成される差動増幅器に入力される。３５と
３６の抵抗Ｒ１とＲ２はトランジスタＱ＋（３９）のベ
ース電位を決定する。３７と３８の抵抗Ｒ４とＲ５はト
ランジスタＱ２（４０）のベース電位を決定する。差動
増幅器は、それぞれの入力のうち同相入力を打ち消し合
うので第１のホトダイオードの暗電流と駄２のホトダイ
オードの暗電流Ｉｎを相殺することができる。４５と５
６の抵抗Ｒ３およびＲ６は、差動増幅器の負荷抵抗であ
り２４及び２５との端子間にレーザの光出力に比例した
電圧出力のかたちで取り山すことができる。４１と４２
のトランジスタＱ３およびＱ４は、４３と４４の抵抗Ｒ
７及びＲ８とともにカレントミラー回路を構成し差動増
幅器の定電流源として動作する。端子２３は、レーザの
駆動信号入力端子であり、端子２１及び端子２２は、そ
れぞれ電源電圧端子である。
第１図に示した回路即ち破線２０で囲まれた回路を同一
基板上に集積することにより破線２０内の素子はほぼ同
一温度になる。従って基板内に温度検出用の素子４７と
してダイオードＴｎを作り込んでおくことにより温度検
出用のダイオード４７が、モノリシックに集積されてい
ることによりレーザと熱的に繋がれて、正確な温度モニ
タが可能となる。さらに２つのホトダイオードＩ ＰＤ
Ｉ・Ｉ。
基板上に集積することにより破線２０内の素子はほぼ同
一温度になる。従って基板内に温度検出用の素子４７と
してダイオードＴｎを作り込んでおくことにより温度検
出用のダイオード４７が、モノリシックに集積されてい
ることによりレーザと熱的に繋がれて、正確な温度モニ
タが可能となる。さらに２つのホトダイオードＩ ＰＤ
Ｉ・Ｉ。
１１２と温度検出用のダイオードＴ１１をレーザと同・
−積層構造にすることにより、光電子集積回路の構造を
変更する事なく製造することができる次に本発明の光電
子集積回路の概略図を第２図にしめす。第２図（ｂ）は
、第２図（ａ）のＡ−Ａ゛而での断面図である。半導体
基板５０上にレーザ５１と第１のホトダイオード５２と
が、エツチングミラーを形成する溝６１をはさんで一直
線上に配置されており、ホトダイオードはレーザの一方
の光出力６３の一部が入射できる。溝６１の第１のホト
ダイオード５２側は、ホトダイオードでの反射光がレー
ザに戻るのを防止するため斜めにエツチングされている
。レーザ５１の他方の光出力６４は外部出力となる。第
２のホトダイオード５３と温度検出用のダイオード５５
とは、レーザの迷光が入射しないように配置する必要が
ある。
−積層構造にすることにより、光電子集積回路の構造を
変更する事なく製造することができる次に本発明の光電
子集積回路の概略図を第２図にしめす。第２図（ｂ）は
、第２図（ａ）のＡ−Ａ゛而での断面図である。半導体
基板５０上にレーザ５１と第１のホトダイオード５２と
が、エツチングミラーを形成する溝６１をはさんで一直
線上に配置されており、ホトダイオードはレーザの一方
の光出力６３の一部が入射できる。溝６１の第１のホト
ダイオード５２側は、ホトダイオードでの反射光がレー
ザに戻るのを防止するため斜めにエツチングされている
。レーザ５１の他方の光出力６４は外部出力となる。第
２のホトダイオード５３と温度検出用のダイオード５５
とは、レーザの迷光が入射しないように配置する必要が
ある。
そのため第２のホトダイオード５３と温度検出用のダイ
オード５５とは、レーザから遠い位置に配置するために
、その間には受光用増幅部５７を配置し、さらに遮蔽板
５４が形成されている。遮蔽板５４は、半導体基板にエ
ツチング溝を形成し、レーザの光に対して不透明な樹脂
あるいは金属をエツチング溝内に充填することにより形
成できる。
オード５５とは、レーザから遠い位置に配置するために
、その間には受光用増幅部５７を配置し、さらに遮蔽板
５４が形成されている。遮蔽板５４は、半導体基板にエ
ツチング溝を形成し、レーザの光に対して不透明な樹脂
あるいは金属をエツチング溝内に充填することにより形
成できる。
ここでレーザ５１と第１のホトダイオード５２と、第２
のホトダイオード、および温度検出用のダイオード５Ｓ
を、第２図（ｂ）に示すように同−ｐｎ接合の素子構造
にしておくこと、即ちｐ型クラッド層６５と活性層６６
とｎ型りラッド届６７とが積層されたダイオード構造に
しておくことにより本発明の光電子集積回路を製造する
際、あらたな製造プロセスは不用となり、レーザ５１を
製造する際、第１のホトダイオード５２と第２のホトダ
イオードとおよび温度検出用のダイオード５５とを同時
に容易に作り込むことができる。ところで第２図におい
て５６は、レーザを駆動する電子回路部分であり、５７
は第１及び第２のホトダイオードの電流より暗電流を相
殺して、レーザの光出力に応じた出力を出す受光用増幅
部であり、例えば第１図に示す回路が集積されている。
のホトダイオード、および温度検出用のダイオード５Ｓ
を、第２図（ｂ）に示すように同−ｐｎ接合の素子構造
にしておくこと、即ちｐ型クラッド層６５と活性層６６
とｎ型りラッド届６７とが積層されたダイオード構造に
しておくことにより本発明の光電子集積回路を製造する
際、あらたな製造プロセスは不用となり、レーザ５１を
製造する際、第１のホトダイオード５２と第２のホトダ
イオードとおよび温度検出用のダイオード５５とを同時
に容易に作り込むことができる。ところで第２図におい
て５６は、レーザを駆動する電子回路部分であり、５７
は第１及び第２のホトダイオードの電流より暗電流を相
殺して、レーザの光出力に応じた出力を出す受光用増幅
部であり、例えば第１図に示す回路が集積されている。
なお６２は、分離用の溝である。
発明の効果
本発明は、上述のように構造に於いてはレーザと同−ｐ
ｎ接合の素子構造にしておくことにより本発明の光電子
集積回路を製造する際、あらたな製造プロセスなしで、
温度により暗電流の変動による光出力の変動のないＡＰ
Ｃ回路を実現できる。
ｎ接合の素子構造にしておくことにより本発明の光電子
集積回路を製造する際、あらたな製造プロセスなしで、
温度により暗電流の変動による光出力の変動のないＡＰ
Ｃ回路を実現できる。
また、同様にあらたな製造プロセスなしで、温度検出用
の素子が集積され正確に光電子集積回路温度検出が出来
、従って正確な温度制御が可能となり、光出力の安定化
、信頼性の向上がはかれる。
の素子が集積され正確に光電子集積回路温度検出が出来
、従って正確な温度制御が可能となり、光出力の安定化
、信頼性の向上がはかれる。
第１図は本発明の第１および第２の実施例の光電子集積
回路の回路構成図、第２図（ａ）は本発明の第１および
第２の実施例の光電子集積回路の概略平面図、および第
２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＡ−Ａ’面での断面図、
第３図は従来例のＡＰＣ回路図である。 １．３１．５１・・瞭レーザ部、２．３３．３４、５２
、５３− Φ・ホトダイオード部、４７．５５・−φ温
度検出用ダイオード、４．７．１０・・・オペアンプ、
１１．３９．４０．４１．４２．４８・Φ・トランジス
タ。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１多筒 １ 図
回路の回路構成図、第２図（ａ）は本発明の第１および
第２の実施例の光電子集積回路の概略平面図、および第
２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＡ−Ａ’面での断面図、
第３図は従来例のＡＰＣ回路図である。 １．３１．５１・・瞭レーザ部、２．３３．３４、５２
、５３− Φ・ホトダイオード部、４７．５５・−φ温
度検出用ダイオード、４．７．１０・・・オペアンプ、
１１．３９．４０．４１．４２．４８・Φ・トランジス
タ。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１多筒 １ 図
Claims (5)
- （１）半導体レーザと、この半導体レーザの光出力パワ
ーをモニタするホトダイオードと、前記ホトダイオード
のモニタ電流Ｉ＿１を一定倍に増幅しＩ＿２（Ｉ＿２＝
ｋＩ＿１；ｋ≧１）を得る増幅回路と、前記Ｉ＿２が大
きい程前記半導体レーザに流れるバイアス電流を小さく
する電流変換部とより構成されるＡＰＣ回路の一部また
は全部を同一基板内に集積し、前記ホトダイオードが２
つより構成され第１のホトダイオードに前記半導体レー
ザの光出力の一部が入力され、第２のホトダイオードに
は入力されないことを特徴とした光電子集積回路。 - （２）２つのホトダイオードに流れる電流が差動増幅器
の差動入力として入力されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光電子集積回路。 - （３）半導体レーザと、前記半導体レーザを駆動する電
子回路と、前記半導体レーザの光出力パワーをモニタす
るホトダイオードと、前記ホトダイオードのモニタ電流
を増幅する増幅回路が同一基板上に集積され、かつ温度
検出用のダイオードが前記基板内に熱的に結合されて集
積されていることを特徴とする光電子集積回路。 - （４）半導体レーザと、前記半導体レーザを駆動する電
子回路と、半導体レーザの光出力パワーをモニタするホ
トダイオードと、前記ホトダイオードのモニタ電流Ｉ＿
１を一定倍に増幅しＩ＿２（Ｉ＿２＝ｋＩ＿１；ｋ≧１
）を得る増幅回路と、前記Ｉ＿２が大きい程半導体レー
ザに流れるバイアス電流を小さくする電流変換部とより
構成されるＡＰＣ回路の一部または全部を同一基板内に
集積し、前記ホトダイオードが２つより構成され第１の
ホトダイオードに前記半導体レーザの光出力の一部が入
力され、第２のホトダイオードには入力されず、前記２
つのホトダイオードに流れる電流が差動増幅器の差動入
力として入力され、さらに温度検出用のダイオードが前
記基板内に熱的に結合されて集積されていることを特徴
とする光電子集積回路。 - （５）半導体基板上に半導体レーザと第１のホトダイオ
ードとが、前記ホトダイオードが前記レーザの光出力の
一部が入射できるようにエッチングミラーを形成する溝
をはさんで一直線上に配置されており、第２のホトダイ
オードと温度検出用のダイオードとは、レーザの迷光が
入射しないように、前記レーザから遠い位置に配置する
とともに遮蔽板が前記レーザとの間に形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光電子集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29119588A JPH02137285A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 光電子集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29119588A JPH02137285A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 光電子集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137285A true JPH02137285A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17765688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29119588A Pending JPH02137285A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 光電子集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137285A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994019867A1 (en) * | 1993-02-25 | 1994-09-01 | Imperial College Of Science, Technology & Medicine | Opto-electronic transconductors |
| JP2001284703A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置、画像形成装置及び光ディスク装置 |
| JP2009522801A (ja) * | 2006-01-09 | 2009-06-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 一体化された温度センサ機能をもつ照明センサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188894A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5928389A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信回路 |
| JPS6214465A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | モノリシツク光電子集積回路 |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP29119588A patent/JPH02137285A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188894A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5928389A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信回路 |
| JPS6214465A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | モノリシツク光電子集積回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994019867A1 (en) * | 1993-02-25 | 1994-09-01 | Imperial College Of Science, Technology & Medicine | Opto-electronic transconductors |
| JP2001284703A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置、画像形成装置及び光ディスク装置 |
| JP2009522801A (ja) * | 2006-01-09 | 2009-06-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 一体化された温度センサ機能をもつ照明センサ |
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