JPH02137247A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH02137247A JPH02137247A JP29140588A JP29140588A JPH02137247A JP H02137247 A JPH02137247 A JP H02137247A JP 29140588 A JP29140588 A JP 29140588A JP 29140588 A JP29140588 A JP 29140588A JP H02137247 A JPH02137247 A JP H02137247A
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- JP
- Japan
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- layer
- wirings
- insulating film
- metal wiring
- integrated circuit
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に多層配線構造を有
する半導体集積回路に関する。
する半導体集積回路に関する。
従来、多層配線構造を有する半導体集積回路は、第２図
に示すように、同じ電気的特性を得る必要がない部分で
は、半導体基板に最も近い金属配線である第１層金属配
線１と半導体チップの表面に最も近い金属配線である第
２層金属配線２との接続は行なわれていなかった。
に示すように、同じ電気的特性を得る必要がない部分で
は、半導体基板に最も近い金属配線である第１層金属配
線１と半導体チップの表面に最も近い金属配線である第
２層金属配線２との接続は行なわれていなかった。
上述した従来の半導体集積回路では、周囲温度を急激か
つ連続的に変化させると、半導体集積回路を封入した樹
脂が収縮、伸長を繰返す為、半導体チップ表面には半導
体チップの中心に向って半導体チップ表面を押す力が加
わる。この力により、第２層金属配線２が押され、元の
位置からずれてしまう為、最悪の場合には、他の配線と
短絡したり、断線してしまうという欠点がある。
つ連続的に変化させると、半導体集積回路を封入した樹
脂が収縮、伸長を繰返す為、半導体チップ表面には半導
体チップの中心に向って半導体チップ表面を押す力が加
わる。この力により、第２層金属配線２が押され、元の
位置からずれてしまう為、最悪の場合には、他の配線と
短絡したり、断線してしまうという欠点がある。
本発明は、回路素子が形成されている半導体基板と、前
記回路素子に接続する金属配線が層間絶縁膜で絶縁され
て少くとも二層形成されている多層配線構造を有する半
導体集積回路において、前記半導体基板に最も近い下層
絶縁膜上に前記回路素子とは接続しない金属層を設け、
該金属層と最上部の金属配線とを前記層間絶縁膜に設け
られたスルーホールを介して接続したものである。
記回路素子に接続する金属配線が層間絶縁膜で絶縁され
て少くとも二層形成されている多層配線構造を有する半
導体集積回路において、前記半導体基板に最も近い下層
絶縁膜上に前記回路素子とは接続しない金属層を設け、
該金属層と最上部の金属配線とを前記層間絶縁膜に設け
られたスルーホールを介して接続したものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図である。
Ａ−Ａ’線断面図である。
半導体基板３には回路素子が形成されており、絶縁膜４
で覆われる。ホトリソグラフィ法を用いて絶縁膜４に窓
あけし、下層配線である第１層金属配線１を形成する。
で覆われる。ホトリソグラフィ法を用いて絶縁膜４に窓
あけし、下層配線である第１層金属配線１を形成する。
このとき、回路素子に接続しない、即ち電気特性に全く
影響しない金属層６を形成する。層間絶縁膜５で覆って
絶縁し、コンタクトホール７をあけて最上層配線である
第２層金属配線２を形成する。このようにして第２層金
属配線２と金属層６とを接続する。金属層６は半導体基
板に最も近い層に設け、これと接続する金属配線は半導
体チップの表面に最も近い金属配線とする。
影響しない金属層６を形成する。層間絶縁膜５で覆って
絶縁し、コンタクトホール７をあけて最上層配線である
第２層金属配線２を形成する。このようにして第２層金
属配線２と金属層６とを接続する。金属層６は半導体基
板に最も近い層に設け、これと接続する金属配線は半導
体チップの表面に最も近い金属配線とする。
このような構造にすると、樹脂封止後、周囲濃度が急激
かつ接続的に変化した特に第２層金属配線２を押す力Ｆ
が発生しても第２層金属配線２はずれにくくなり、断線
、短絡を起しにくくなる。
かつ接続的に変化した特に第２層金属配線２を押す力Ｆ
が発生しても第２層金属配線２はずれにくくなり、断線
、短絡を起しにくくなる。
以上説明したように、本発明は、最上層の第２層金属配
線と電気的特性には全く関係のない最下層の第１層金属
配線とを接続することにより、周囲温度の急激かつ連続
的な変化によって起こる第２層金属配線のずれを防ぐこ
とができるという効果がある。
線と電気的特性には全く関係のない最下層の第１層金属
配線とを接続することにより、周囲温度の急激かつ連続
的な変化によって起こる第２層金属配線のずれを防ぐこ
とができるという効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図、第２図は従来の半導体チップの二層
配線部分の平面図である。 １・・・第１層金属配線、２・・・第２層金属配線、３
・・・半導体基板、４・・・絶縁膜、５・・・層間絶縁
膜、６・・金属層、７・・・コンタクトホール。
Ａ−Ａ’線断面図、第２図は従来の半導体チップの二層
配線部分の平面図である。 １・・・第１層金属配線、２・・・第２層金属配線、３
・・・半導体基板、４・・・絶縁膜、５・・・層間絶縁
膜、６・・金属層、７・・・コンタクトホール。
Claims (1)
- 回路素子が形成されている半導体基板と、前記回路素子
に接続する金属配線が層間絶縁膜で絶縁されて少くとも
二層形成されている多層配線構造を有する半導体集積回
路において、前記半導体基板に最も近い下層絶縁膜上に
前記回路素子とは接続しない金属層を設け、該金属層と
最上部の金属配線とを前記層間絶縁膜に設けられたスル
ーホールを介して接続したことを特徴とする半導体集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29140588A JPH02137247A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29140588A JPH02137247A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137247A true JPH02137247A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17768469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29140588A Pending JPH02137247A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137247A (ja) |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP29140588A patent/JPH02137247A/ja active Pending
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