JPH02129149A - 液晶形成性重合体およびその製造法 - Google Patents

液晶形成性重合体およびその製造法

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JPH02129149A
JPH02129149A JP63279478A JP27947888A JPH02129149A JP H02129149 A JPH02129149 A JP H02129149A JP 63279478 A JP63279478 A JP 63279478A JP 27947888 A JP27947888 A JP 27947888A JP H02129149 A JPH02129149 A JP H02129149A
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、表示素子、光記録媒体、非線形光学素子など
の分野に有用な高速応答性を示す新規液晶形成性高分子
を提供するものである。
〈従来の技術〉 従来、液晶化合物は代表的な表示材料として知られ、時
計、電卓、小型テレビジョンなどの分野に使われている
。近年、表示機能の進歩に伴い、素子材料の固体化に対
する要請が高まっており、かかる観点から従来の低分子
液晶に加えて液晶高分子に対する要請も高まってきてい
る。また、液晶高分子に関しては、表示素子への応用の
他に、光記録材料への応用も期待がよせられている。し
かしながら、一般に知られている液晶高分子は、高分子
であるが故に電気光学効果による応答性が低い欠点を内
包している。その欠点を回避するために、高分子鎖の大
きな変位を伴わないでも液晶相転移を起こす強誘電性カ
イラル液晶が提案されているが、まだ十分に要求性能を
満足するような実用域には至っていない。一方、液晶高
分子は電場や磁場により配向する性質があり、その性質
を利用することによりその双極子を揃えることができる
ために非線形光学材料としての期待も高まっている。こ
の材料は、光通信や光IC分野において主として薄膜導
波路の形態で用いられる。しかしながら一般に、非線形
光学特性を示す高分子はパターン形成性がないために微
細回路を形成することは困難であった。
く問題を解決するための手段〉 本発明者らは、上記の問題を解決すべく鋭意検討した結
果、感光性を示すケイヒ酸のカイラルなアルキルエステ
ル構造を(メタ)アクリル酸重合体側鎖のメソーゲン成
分として導入することにより、カイラル基を有する高分
子を(q、この高分子がSC本液晶を形成し、かつ、こ
の薄膜に活性光線を照射することにより照射部分が架橋
し導波路が形成されることを見いだし、本発明に到達し
た。
すなわち、本発明は、 1、下記−船人: で示される液晶形成性重合体!!!造単量体。
2、下記−船人: で示される繰り返し単位(A)から主として成る液晶形
成性重合体(■)。
3、前記−船人(I)で示される単量体ラジカル重合開
始剤の存在下加熱重合することを特徴とする液晶形成性
重合体(II)の製造法、及び4、前記重合体(II)
から主として成る膜に活性光線を照射することを特徴と
するパターン形成法 である。
以下に本発明を詳述する。
前記式(I>で示される単量体(以下単但体工とする)
および(八)で示される繰り返し単位を有する重合体(
■)(以下重合体■とする)においで、R1は水素原子
、塩素原子またはメチル基である。また、R2は液晶高
分子において主鎖と側鎖のメソーゲン基とを結合する柔
軟(フレキシブル)基であり、炭素数2〜20.好まし
くは4〜15の直鎖および分岐鎖のアルキレン基から選
ばれる。その役割は、液晶性を示すメソーゲン基に主鎖
の影響を及ぼさないように遮断する役割をする。nはO
または1であり、また、Xは水素原子、塩素原子または
シアノ基である。nとXは吸収スペクトルに影響を及ぼ
し、nはOよりも1、また、RはHよりもCNである単
量体(I)および重合体(ff>がより長波長の最大吸
収波長を示し、かつ、より長波長の光に感光する。本発
明において、重合体に用いられる、R1,R21mおよ
びXは一種であってもよいし二種以上であってもよい。
これらを適宜組み合わせることにより、液晶性や液晶相
転移温度を制御することができる。R3*は、炭素原子
数4から15の不整炭素原子を有する光学活性の一価の
鎖状または環状のアルキル基である。−般に、不整炭素
原子を有するアルキル基でも光学不活性、いいかえれば
、ラセミ体では、SC*を示すカイラルな液晶は得られ
ないので好ましくない。
具体的な例として、R−および5−2−ブチル基。
R−および5−2−メチル−1−ブチル基、R−および
5−2−ヘプチル基、R−および5−3−メチル−2−
ブチル基、R−および5−2−オクチル基、R−#よび
5−1−ペンチル基、メンチル基などが挙げられる。ま
た、本発明の特徴を損わない範囲で、前記式(n)で示
される繰り返し単位を有する重合体中には、(n)の繰
り返し単位以外の液晶性を示す、繰り返し単位が含まれ
ていてもよい。
これらの単量体■の製造法は特に限定はないが、次式に
示すように、ヒドロキシアルキルオキシ安息香酸の水酸
基を(メタ)アクリル酸でアシル化した後、酸クロリド
に誘導することにより活性化し、ついで、これとp−ヒ
ドロキシケイヒ酸、pヒドロキシシンナミリデン酢酸お
るいはそれらのシアン誘導体とをカップリングし、最後
に光学活性アルコールによりエステル化する方法が好ま
しい。
HO−Rz−Br Uと (1)Soα2 (2)  HO−R:l* ○ × また、(メタ)アクリロイルオキシアルキルオキシ安息
香酸クロリドとp−ヒドロキシケイヒ酸。
p−ヒドロキシシンナミリデン酢酸あるいはそれらのシ
アン誘導体の光学活性アルキルエステルとをカップリン
グする方法も好適に用いられる。
重合体■は単量体■をラジカル重合することにより製造
することができる。ラジカル重合開始剤としては特に限
定はないが、過酸化ジ第三ブチル。
過酸化ベンゾイルなどの過酸化物、アゾビスイソブチロ
ニトリルなどのアゾ化合物などが好ましく用いられる。
反応は通常有機溶媒中で行われる。
好ましい例として、ベンゼン、ヘキサン、シクロヘキサ
ン、エーテル、ジオキサン、酢酸エチル。
メチルエチルケトン、クロロホルム、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド等の有機溶媒が挙げられる
。重合温度は一般に30〜200℃、好ましくは50〜
120℃が用いられる。
本発明で得られる単量体■および重合体■の構造解析は
、例えば元素分析、赤外吸収スペクトル。
紫外−可視吸収スペクトル、核磁気共鳴吸収スペクトル
等で行うことができる。
重合体■からなる膜は、それに活性光線を照射すること
によりパターンを形成することができる。
この場合、前記式(A)で示される繰り返し単位中の二
重結合が光化学反応することにより架橋硬化する。塗工
法としては、特に限定はないが、一般に有機溶剤に溶解
してドクターナイフ法、バーコーター法、スピンコータ
ー法、グラビアコーティング法等により乾式製膜される
。その際、安定剤。
増感剤などを添加しても差し支えない。回路形成のため
の活性光線としては、紫外線、可視光線。
電子線などが好ましく使われる。
く作用〉 かくして得られた液晶形成性重合体は、表示素子、記録
媒体、非線形光学素子などとして、情報記録分野1通信
分野に有用な材料を提供するものである。
〈実施例〉 以下、本発明を実施例により説明する。但し、本発明は
、これに限定されない。
実施例1 単量体■および重合体■の内、R+=H,Rz=(CH
z) 11  、 n =O,X=ONおよびR3木=
−CH2CH(C市)CzHsについて述べる。
p−ヒドロキシ安息香!(1) 27.6部を触媒伍の
ヨウ化カリウムを含む当モルのアルコール性水酸化カリ
ウム溶液に加えた。ついで、ω−ブロモウンデカノール
50.2部を添加して5時間加熱還流した。反応混合物
を酸析して、得られた固体を)戸別し、エタノール/水
混合溶媒から再結晶してω−ヒドロキシウンデシルオキ
シ安安息香酸−を52.4部得た。得られた化合物(2
) 31.0部およびアクリル17.2部をクロロホル
ムに加え、p−トルエンスルホン酸0.6部を触媒とし
て添加し、18時間加熱還流した。反応中に副生した水
はベンゼンとともに共沸留去した。反応後、溶媒を留去
し、得られた固形物を水洗し、化合物ぢり−を30部得
た。化合物(3) 18部を塩化チオニル7.0部に加
え、1時間加熱還流した。反応終了後、溶媒および副生
成物を留去し、これをα−シアノ−p−ヒドロキシケイ
ヒ酸9.0部を含む当モルのトリエチルアミンを含むテ
トラヒドロフラン溶液に冷却下で添加した。反応混合物
を水中に投入し、析出した沈澱を)戸別し、テトラヒド
ロフランから再結晶またはクロマト分離して化合物J2
0.0部を得た。化合物−〇920.0部を塩化チオニ
ル6.0部を含むベンゼン)8液に加え、5時間加熱還
流した。溶媒、未反応物および副生成物を留去後、(+
)−2−メチル−1−ブタノール4.0部を含むピリジ
ン溶液に冷却下で添加した。反応混合物を水に投入し、
精製固体をテトラヒドロフランから再結晶することによ
り目的物単量体■を15部得た。単量体重の元素分析値
はC71,15%、 H7,90%、 N2.21%で
あり、理論値C71,62%、 87.51%、 N2
.32%と良好な一致を示した。また、この物質の赤外
吸収スペクトルは1710cm−1近傍にエステル結合
の伸縮撮動に基づく特性吸収を、1610cm−1近傍
にケイヒ酸エステル結合のC=C二重結合に基づく特性
吸収を、また、2220cm−1にシアノ基の特性吸収
を示した。
また、紫外−可視吸収スペクトルは3401mにαシア
ノケイヒ酸結合に基づく特性吸収を示した。
単量体■、1.0部をベンゼンに溶解し、アゾビスイソ
ブチロニトリルo、 oi部を添加し、60℃で18時
間加熱重合した。重合後、再沈澱精製することにより重
合体■を0.95部得た。得られた重合体のゲルパーミ
ェーションクロマトグラ7法によるスチレン換算の分子
量は15,000であった。この重合体は15℃にガラ
ス転移点を示し、104℃にスメクチックC* (SC
* )の液晶構造からネマチック(N)の液晶構造への
転移点を、また143℃にネマチック(N)の液晶構造
から等方性(1)構造への転移点を示した。この重合体
をクロロホルムに溶解しスピンコーティング法により塗
工し2.5μmの塗膜を得た。1qられた塗膜に2Kk
高圧水銀灯により1分紫外線照射を行ったところ、照射
部分は不溶化した。不溶化した部分の赤外吸収スペクト
ルには、α−シアノケイヒ酸結合のC=C二重結合に基
づ< 1610cm−1の特性吸収の強度が著しく低下
し、光架橋が起こっていることが確認された。
実施例2 単量体重および重合体■の内、RI=H,R2=(CH
2) 11  、 n =O,X=HおよびR3*=−
CHzCH(CH:l) C21−15について)ホベ
る。
実施例1のα−シアノ−p−ヒドロキシヶイヒ酸をp−
ヒドロキシケイヒ酸に代えただけで、同様の方法により
単量体重を得た。この化合物の元素分析値は、C72,
15%、 1−18.30%であり理論値C72,64
%、 H8,01%と良好な一致を示した。赤外吸収ス
ペクトルは1710cm−1近傍にエステル結合の特性
吸収、1630cm−1にケイヒ酸エステル結合のC=
C二重結合に基づく特性吸収を示した。紫外可視吸収ス
ペクトルは約310nmに吸収極大を示した。
単量体重、1.0部とベンゾイルペルオキシド0、01
部をベンゼンに溶解し70℃で24時間加熱反応した。
得られた重合体を再沈澱精製することにより重合体■を
0.83部得た。この重合体の分子量は17.000で
あった。この重合体は液晶相を示した。
また、この重合体を実施例1と同様の方法により塗工し
、得られた塗膜に紫外線照射を行ったところ、照射部分
は不溶化した。
実施例3 単量体重および重合体■の内、RI=CH3,R2=−
(CH2) a −、n = 1 、 X=CNおよび
R3*=CH(CH3) C6H13について述べる。
実施例1のω−ブロモドデカノールをω−ブロモヘキサ
ノールに、α−シアノ−p−ヒドロキシケイヒ酸をp−
ヒドロキシシンナミリデン酢酸に、また、2−メチル−
1−ブタノールを(+)−2−オクタツールに代えて、
実施例1と同様の方法で単量体■を1qだ。この重合体
の赤外吸収スペクトルは1710cm−1にエステルに
基づく特性吸収を、2230cvlにシアノ基に基づく
特性吸収、1610cm−1近傍にシンナミリデン酢酸
エステル結合のC=C二重結合に基づく特性吸収を示し
た。また、紫外可視吸収スペクトルは約390nmにシ
ンナミリデン酢酸エステル結合に基づく特性吸収を示し
た。
元素分析値はC71,56%、 H7,53%、 N2
.15%を示し、理論値C71,85%、 H7,20
%、 N2.33%と良好な一致を示した。
単量体■、1.0部とアゾビスイソブチロニトリル0.
01部とをベンゼンに溶解し60℃で24時間加熱重合
し、重合体■を得た。この重合体の分子量は12.00
0であった。得られた重合体を塗工して、塗膜にネガフ
ィルムを覆いその上から紫外線照射をしたところパター
ンが得られた。
実施例4 単量体■および重合体■の内、R1−[七R2=4゜n
 =1.X=HおよびR3*=メンチル基について)ホ
ベる。
実施例1のω−ブロモウンデカノールをω−ブロモブタ
ノールに、α−シアノ−p−ヒドロキシケイヒ酸をρ−
ヒドロキシシンナミリデン酢酸に、2−メチル−1−ブ
タノールを(+)−メントールに代えて、実施例1と同
様の方法で単量体重を(qた。この化合物の赤外吸収ス
ペクトルは約1710Cm−1にエステル結合に基づく
吸収、1620cm−1近傍にシンナミリデン酢酸エス
テル結合に基づく特性吸収を示した。紫外−可視吸収は
、350nmにシンナミリデン酢酸エステル結合に基づ
く特性吸収を示した。元素分析値はC73,56%、 
H7,93%であリ、理論値C73,73%、 1−(
7,69%と良好な一致を示した。
単量体■、1.0部とアゾビスイソブチロニトリル0.
01部をベンゼンに溶解し60℃で24時間加熱重合し
、重合体■を得た。このものの分子量は15 、000
であった。重合体を実施例1と同様の方法で塗工して、
紫外線照射を行ったところ、照射部分は不溶化した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、下記一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R_1は水素原子、塩素原子またはメチル基、
    R_2は2から20のアルキレン基、nは1または2、
    Xは水素原子、メチル基またはシアノ基、R_3^*は
    炭素原子数4〜15の不整炭素原子を有するアルキル基
    を表わす。〕 で示される液晶形成性重合体製造用単量体。 2、下記一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1、R_2、n、XおよびR_3^*は前
    記定義の通りである。〕 で示される繰り返し単位(A)から主として成る液晶形
    成性重合体(II)。 3、前記一般式( I )で示される単量体をラジカル重
    合開始剤の存在下加熱重合することを特徴とする液晶形
    成性重合体(II)の製造法。 4、前記重合体(II)から主として成る膜に活性光線を
    照射することを特徴とするパターン形成法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014501831A (ja) * 2010-12-23 2014-01-23 ロリク アーゲー 光活性高分子材料
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