JPH0212906A - 薄膜抵抗体のトリミング方法 - Google Patents
薄膜抵抗体のトリミング方法Info
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- JPH0212906A JPH0212906A JP16326488A JP16326488A JPH0212906A JP H0212906 A JPH0212906 A JP H0212906A JP 16326488 A JP16326488 A JP 16326488A JP 16326488 A JP16326488 A JP 16326488A JP H0212906 A JPH0212906 A JP H0212906A
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- trimming
- resistance
- resistance value
- resistor
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 10
- 238000009966 trimming Methods 0.000 title abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、セラミック基板等に蒸着等により薄膜抵抗体
を形成し、トリミングを行うことにより抵抗値を設定す
るトリミング方法に関する。
を形成し、トリミングを行うことにより抵抗値を設定す
るトリミング方法に関する。
ｒ従来の技術」
従来、窒化タンタル等の材料を真空蒸着等の方法を用い
、セラミック基板上に薄膜を形成し、抵抗体を形成する
ことが行われてきた、これら形成された抵抗体は、その
ままでは抵抗値に誤差を有しているため、例えば、レー
ザートリミング方法にて、抵抗値を微細に調整すること
が行われている。第３図は従来の技術による抵抗体のト
リミング法を示す図で、電極１．１間に薄膜２が形成さ
れ、複数回のトリミング５．６および７を行うことによ
り所要の抵抗値を得ていた。しかし、数１０Ω以下の低
抵抗では、レーザー等のトリミングを行う時の発熱によ
り初期ドリフト抵抗が発生し、トリミングの制御を困難
にする等の問題点を存していた。
、セラミック基板上に薄膜を形成し、抵抗体を形成する
ことが行われてきた、これら形成された抵抗体は、その
ままでは抵抗値に誤差を有しているため、例えば、レー
ザートリミング方法にて、抵抗値を微細に調整すること
が行われている。第３図は従来の技術による抵抗体のト
リミング法を示す図で、電極１．１間に薄膜２が形成さ
れ、複数回のトリミング５．６および７を行うことによ
り所要の抵抗値を得ていた。しかし、数１０Ω以下の低
抵抗では、レーザー等のトリミングを行う時の発熱によ
り初期ドリフト抵抗が発生し、トリミングの制御を困難
にする等の問題点を存していた。
「発明が解決しようとする課題」
従来、薄膜抵抗体による低抵抗の形成は、トリミング時
の発熱にて発生する初期ドリフト抵抗によるトリミング
誤差の発生を防止しようとするもので、抵抗体を複数個
、並列に形成し、この複数個の抵抗体を順次トリミング
することにより、精密なトリミングを行い得るトリミン
グ方法を提供するものである。
の発熱にて発生する初期ドリフト抵抗によるトリミング
誤差の発生を防止しようとするもので、抵抗体を複数個
、並列に形成し、この複数個の抵抗体を順次トリミング
することにより、精密なトリミングを行い得るトリミン
グ方法を提供するものである。
「課題を解決するための手段」
本発明は、上述の課題を解決するため、第１電極と、第
２電極と、この第１電極と第２電極の間に複数個に分割
して形成した抵抗体を設け、該抵抗体をそれぞれ個別に
トリミングするようにした薄膜抵抗体のトリミング方法
を提供するものである。
２電極と、この第１電極と第２電極の間に複数個に分割
して形成した抵抗体を設け、該抵抗体をそれぞれ個別に
トリミングするようにした薄膜抵抗体のトリミング方法
を提供するものである。
「実施例」
以下、図面に基づいて本発明による薄膜抵抗体のトリミ
ング方法を説明する。第１図は本発明によるＦｉｌ膜抵
抗体の平面図である０図において、１は電極で、電極１
．１間に複数個に分割した抵抗体２ａ、２ｂ・・・２ｎ
か真空蒸着等にて形成される。
ング方法を説明する。第１図は本発明によるＦｉｌ膜抵
抗体の平面図である０図において、１は電極で、電極１
．１間に複数個に分割した抵抗体２ａ、２ｂ・・・２ｎ
か真空蒸着等にて形成される。
３ａ、３ｂ・ ３ｎは第１トリミング、４ａ、４ｂ・・
・４ｎは第２トリミングを示している。
・４ｎは第２トリミングを示している。
今、第１図に示すような複数個の抵抗体２に分割して形
成された抵抗体のトリミング動作を説明する。第２図は
第１図の複数個の抵抗体を回路で表したもので、各抵抗
体はＲａ、Ｒｂ・・・Ｒｎの並列回路で表すことができ
る。トリミングはまず抵抗体２ａで、トリミング３ａお
よびトリミング４ａで、例えば、レーザートリミングが
実施される。
成された抵抗体のトリミング動作を説明する。第２図は
第１図の複数個の抵抗体を回路で表したもので、各抵抗
体はＲａ、Ｒｂ・・・Ｒｎの並列回路で表すことができ
る。トリミングはまず抵抗体２ａで、トリミング３ａお
よびトリミング４ａで、例えば、レーザートリミングが
実施される。
例として、初期抵抗値が７０Ωで、調整すべき抵抗値（
最終抵抗値）を５０Ωとすれば、各抵抗体は、略２１０
Ωに形成される。そして、最終抵抗値は各抵抗体とも、
１５０Ωに調整するように、レーザートリミング装置に
セットされる。抵抗体２ａの第１トリミング３ａおよび
第２トリミング４ａにて、全抵抗値が略６１．２Ωにな
るようにトリミングが調整され、トリミングが実施され
る。
最終抵抗値）を５０Ωとすれば、各抵抗体は、略２１０
Ωに形成される。そして、最終抵抗値は各抵抗体とも、
１５０Ωに調整するように、レーザートリミング装置に
セットされる。抵抗体２ａの第１トリミング３ａおよび
第２トリミング４ａにて、全抵抗値が略６１．２Ωにな
るようにトリミングが調整され、トリミングが実施され
る。
ＲＲａ Ｒｂ Ｒｃ
で Ｒａ ＝ １５０Ω 最終抵抗値
Ｒｈ、Ｒｃ＝ ２１０Ω 初期抵抗値
を代入すると
６１．２ １５０ ２１０ ２１０
この場合、抵抗値２ａにはレーザービームによる発熱で
発生する初期ドリフト抵抗分が含まれる。
この場合、抵抗値２ａにはレーザービームによる発熱で
発生する初期ドリフト抵抗分が含まれる。
同様に、抵抗体２ｂをトリミングする。トリミングは全
抵抗値が略５５．３Ωになるようにトリミングが調整さ
れ、実施される。 すなわち、ＲＲａ Ｒｂ
Ｒｃ で、Ｒａ、Ｒｈ’；１５０Ω 最終抵抗値Ｒｃ＝２１０
Ω 初期抵抗値 を代入すると、 ５５．３ １５０ １５０ ２１０
この場合、抵抗体２ａの抵抗値Ｒａには初期ドリフト抵
抗ΔＲａが含まれた値であり、このトリミングにより新
たに抵抗体２ｂの発熱による初期ドリフト抵抗値ΔＲｂ
が発生するが、この初期ドリフト抵抗値ΔＲｂには前記
したΔＲａのドリフト抵抗は含まれない、同様に、抵抗
体２ｃ（例として、３個の抵抗体で構成した場合で、説
明しているので、最終のトリミング）のトリミングを実
施する。 すなわち、 ＲＲａ Ｒｂ Ｒｃ で、Ｒａ、Ｒｂ＝１５０Ω（最終抵抗値）になるように
調整されることから、 となり、抵抗体２ａ、抵抗値２ｂで発生した初期ドリフ
ト抵抗ΔＲａおよびΔＲｂはトリミング調整の抵抗値に
含まれた状態でトリミングが実施されるため、最終トリ
ミングにて発生する抵抗体２Ｃの発熱にて生ずる初期ド
リフト抵抗ΔＲｃには含まれない。
抵抗値が略５５．３Ωになるようにトリミングが調整さ
れ、実施される。 すなわち、ＲＲａ Ｒｂ
Ｒｃ で、Ｒａ、Ｒｈ’；１５０Ω 最終抵抗値Ｒｃ＝２１０
Ω 初期抵抗値 を代入すると、 ５５．３ １５０ １５０ ２１０
この場合、抵抗体２ａの抵抗値Ｒａには初期ドリフト抵
抗ΔＲａが含まれた値であり、このトリミングにより新
たに抵抗体２ｂの発熱による初期ドリフト抵抗値ΔＲｂ
が発生するが、この初期ドリフト抵抗値ΔＲｂには前記
したΔＲａのドリフト抵抗は含まれない、同様に、抵抗
体２ｃ（例として、３個の抵抗体で構成した場合で、説
明しているので、最終のトリミング）のトリミングを実
施する。 すなわち、 ＲＲａ Ｒｂ Ｒｃ で、Ｒａ、Ｒｂ＝１５０Ω（最終抵抗値）になるように
調整されることから、 となり、抵抗体２ａ、抵抗値２ｂで発生した初期ドリフ
ト抵抗ΔＲａおよびΔＲｂはトリミング調整の抵抗値に
含まれた状態でトリミングが実施されるため、最終トリ
ミングにて発生する抵抗体２Ｃの発熱にて生ずる初期ド
リフト抵抗ΔＲｃには含まれない。
「発明の効果」
以上に説明したように、本発明によるトリミングによる
発熱にて発生する初期ドリフト抵抗は最後のトリミング
にて発生するドリフト抵抗のみとなる。
発熱にて発生する初期ドリフト抵抗は最後のトリミング
にて発生するドリフト抵抗のみとなる。
さらには、抵抗体を複数個に分割し、分割された各抵抗
体ごとにトリミングを行うように構成したことから、ト
リミングに使用するレーザービームの使用時間が小さく
ても良いことと相候って、トリミングにて発熱する発熱
量が小さくでき、その結果、発生する初期ドリフト抵抗
をも小さくしうるちのであり、より高精度の抵抗を提供
しうるものである。
体ごとにトリミングを行うように構成したことから、ト
リミングに使用するレーザービームの使用時間が小さく
ても良いことと相候って、トリミングにて発熱する発熱
量が小さくでき、その結果、発生する初期ドリフト抵抗
をも小さくしうるちのであり、より高精度の抵抗を提供
しうるものである。
第１図は本発明による薄膜抵抗体の平面図、第２図は同
薄膜抵抗体の等価回路図、第３図は従来の１膜抵抗体の
平面図である。 図中、１は電極、２は抵抗体、３乃至７はトリミングで
ある。 特許出願人 株式会社富士通ゼネラル 第１図 第２図 第３図 手 続 補 正 自 （自発） 昭和６３年 ９月 ９日
薄膜抵抗体の等価回路図、第３図は従来の１膜抵抗体の
平面図である。 図中、１は電極、２は抵抗体、３乃至７はトリミングで
ある。 特許出願人 株式会社富士通ゼネラル 第１図 第２図 第３図 手 続 補 正 自 （自発） 昭和６３年 ９月 ９日
Claims (1)
- 第１電極と、第２電極と、この第１電極と、第２電極
の間に複数個に分割して形成した抵抗体を設け、該抵抗
体をそれぞれ個別にトリミングするようにした薄膜抵抗
体のトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16326488A JPH0212906A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 薄膜抵抗体のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16326488A JPH0212906A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 薄膜抵抗体のトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212906A true JPH0212906A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15770499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16326488A Pending JPH0212906A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 薄膜抵抗体のトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212906A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046089A1 (fr) * | 1999-12-21 | 2001-06-28 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Engrais a base de silice granulaire |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP16326488A patent/JPH0212906A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046089A1 (fr) * | 1999-12-21 | 2001-06-28 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Engrais a base de silice granulaire |
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