JPH0212805A - 半導体を支持体に設ける方法 - Google Patents

半導体を支持体に設ける方法

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JPH0212805A
JPH0212805A JP1084912A JP8491289A JPH0212805A JP H0212805 A JPH0212805 A JP H0212805A JP 1084912 A JP1084912 A JP 1084912A JP 8491289 A JP8491289 A JP 8491289A JP H0212805 A JPH0212805 A JP H0212805A
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aluminum metal
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Petrus J M Peters
ペトラス・ヤコブス・マリア・ペテルス
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、アルミニウムの金属層を介在して支持体に半
導体を設ける方法に関するもので、この場合金属層の区
域に熱を供給しながら半導体および支持体を互いに加圧
するようにしている。
この種の方法では、アルミニウム層を主としてガルヴア
ニック　プロセス（ｇａｌｖａｎｉｃ　ｐｒｏｃｅｓｓ
）などによって支持体に設け、連続する滑らかなアルミ
ニウム層を得るようにしている。アルミニウム層によっ
て半導体と支持体との間の接着を促進するために、この
アルミニウム層にノツチなどを設け、これにより半導体
と支持体との間に熱圧接結合を形成する場合に、アルミ
ニウム層の変形性に好ましい作用を与えている。例えば
、半導体を支持体に設ける必要がある場合には、特にｐ
ｎエミッターを電子管に設ける場合のように、滑らかな
アルミニウム層を粗くする付加段階を必要としている。
本発明の目的は上述する欠点を除去することができる、
半導体を支持体に設ける方法を提供することである。
本発明は、上記方法においてアルミニウム金属層を支持
体に溶射によって被着することを特徴とする。
アルミニウム層を溶射によって被着する場合には、不規
則な表面を有する層を自動的に形成し、この結果として
半導体を設ける前に、この不規則な表面を腐食またはノ
ツチ形成手段によって粗くする必要がなくなる。
次に、本発明を添付図面について説明する。図面はアル
ミニウム層およびこの上に設ける半導体を有する支持体
を示している。
添付図面には支持体１、例えば陰極支持体を示している
。アルミニウムからなる金属層２を上記支持体１に溶射
によって被着する。このアルミニウム層２を溶射によっ
て被着する場合には、その露出表面におけるアルミニウ
ム層の外観が自動的にネＩＩくなる。この平坦でない状
態を図面に拡大して示している。
半導体３を支持体１に固着するために、アルミニウム層
２に熱を加えながら、このアルミニウム層に半導体３を
既知の手段で加圧し、いわゆる、熱圧接結合を而立する
。アルミニウム層２の粗い表面のために、このアルミニ
ウム層が十分に変形し、このためにアルミニウム層を支
持体に被着した後に、あらかじめアルミニウム層に付加
加工段階を施す必要がなく、半導体と支持体との間に良
好な接着を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
添付図面は本発明の詳細な説明するためのアルミニウム
層およびこの一トに設ける半導体を有する支持体を示す
説明用線図である。 ｌ・・・支持体 ２・・・金属層（またはアルミニウム層）３・・・半導
体

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、アルミニウムの金属層の区域に熱を加えながら、半
    導体および支持体を互いに加圧して接着することによっ
    て、半導体を支持体にアルミニウム金属層を介在して設
    ける方法において、アルミニウム金属層を支持体に溶射
    によって被着することを特徴とする半導体を支持体に設
    ける方法。
JP1084912A 1988-04-08 1989-04-05 半導体を支持体に設ける方法 Expired - Lifetime JP2697890B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8800902 1988-04-08
NL8800902A NL8800902A (nl) 1988-04-08 1988-04-08 Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager.

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JPH0212805A true JPH0212805A (ja) 1990-01-17
JP2697890B2 JP2697890B2 (ja) 1998-01-14

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US (1) US4961528A (ja)
EP (1) EP0336514B1 (ja)
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DE (1) DE68926754T2 (ja)
NL (1) NL8800902A (ja)

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US4961528A (en) 1990-10-09
DE68926754T2 (de) 1997-01-23
DE68926754D1 (de) 1996-08-08
NL8800902A (nl) 1989-11-01
EP0336514A1 (en) 1989-10-11
EP0336514B1 (en) 1996-07-03
JP2697890B2 (ja) 1998-01-14

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