NL8800902A - Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager. - Google Patents

Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager. Download PDF

Info

Publication number
NL8800902A
NL8800902A NL8800902A NL8800902A NL8800902A NL 8800902 A NL8800902 A NL 8800902A NL 8800902 A NL8800902 A NL 8800902A NL 8800902 A NL8800902 A NL 8800902A NL 8800902 A NL8800902 A NL 8800902A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor body
support
applying
carrier
aluminum layer
Prior art date
Application number
NL8800902A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8800902A priority Critical patent/NL8800902A/nl
Priority to US07/326,583 priority patent/US4961528A/en
Priority to EP89200843A priority patent/EP0336514B1/en
Priority to DE68926754T priority patent/DE68926754T2/de
Priority to JP1084912A priority patent/JP2697890B2/ja
Publication of NL8800902A publication Critical patent/NL8800902A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Description

r PHN 12.515 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager onder tussenplaatsing van een metaallaag van aluminium, waarbij de hechting plaatsvindt door tijdens toevoer van warmte ter hoogte van de metaallaag 5 het halfgeleiderlichaam en de drager tegen elkaar te drukken.
Bij een dergelijke werkwijze wordt, veelal langs galvanische weg of dergelijke, een aluminiumlaag op de drager aangebracht. Hierbij wordt een gesloten gladde aluminiumlaag verkregen.
Om daarbij de hechting tussen het halfgeleiderlichaam en de drager met 10 behulp van de aluminiumlaag te bevorderen worden in deze laag wel inkervingen of dergelijke gemaakt om de vervormbaarheid van de aluminiumlaag bij het tot stand brengen van de thermo-drukverbinding tussen het halfgeleiderlichaam en de drager gunstig te beïnvloeden.
Als bijvoorbeed een halfgeleiderlichaam op een drager moet worden 15 aangebracht, zoals onder meer bij het aanbrengen van pn-emitters in electronenbuizen, zal het zo ruw maken van de gladde aluminiumlaag een extra bewerking vereisen.
Met de uitvinding wordt nu beoogd een werkwijze van bovengenoemde soort te verkrijgen waarbij het bovengeschetste nadeel kan 20 worden vermeden.
Volgens de uitvinding kan dit worden bereikt doordat de metaallaag uit aluminium door vlamspuiten op de drager wordt aangebracht.
Door het door middel van vlamspuiten aanbrengen van de 25 aluminiumlaag zal automatisch een laag worden vervormd met een onregelmatig oppervlak, waardoor de noodzaak om dit oppervlak voor het aanbrengen van het halfgeleiderlichaam door etsen of kerven of dergelijke ruw te maken vervalt.
De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan 30 de hand van bijgaande figuren waarin schematisch een drager met aangebrachte aluminiumlaag en daarop aan te brengen halfgeleider is weergegeven.
.8800902 PHN 12.515 2
Figuur 1 toont schematisch een drager 1, bijvoorbeeld een kathodedrager. Op deze drager 1 is een uit alumiunium bestaand metaallaagje 2 aangebracht door middel van vlamspuiten. Door het door vlamspuiten aanbrengen van een dergelijke aluminiumlaag 2 verkrijgt deze 5 laag aan zijn blootliggend oppervlak automatisch een ruw uiterlijk. De oneffenheden zijn in de figuur overdreven groot voorgesteld ter wille van de duidelijkheid.
Voor het bevestigen van een halfgeleiderlichaam 3 op de drager 1 kan dit halfgeleiderlichaam 3 nu op op zichzelf bekende wijze 10 tegen de aluminiumlaag 2 worden gedrukt onder het toevoeren van warmte aan deze aluminiumlaag, zodat daarbij een zogenaamde thermo-drukverbinding tot stand wordt gebracht. Door het ruwe oppervlak van de aluminiumlaag 2 wordt daarbij een goede hechting tussen halfgeleiderlichaam en drager verkregen, zonder dat hiervoor tevoren de 15 aluminiumlaag na het aanbrengen op de drager nog aan een extra bewerking moet worden onderworpen.
.8800902

Claims (1)

  1. * PHN 12.515 3 Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager onder tussenplaatsing van een metaallaag uit aluminium waarbij de hechting plaatsvindt door tijdens toevoeren van warmte ter hoogte van de metaallaag het halfgeleiderlichaam en de drager tegen 5 elkaar te drukken, met het kenmerk, dat de metaallaag uit aluminium door vlamspuiten op de drager wordt aangebracht. .8800902
NL8800902A 1988-04-08 1988-04-08 Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager. NL8800902A (nl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8800902A NL8800902A (nl) 1988-04-08 1988-04-08 Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager.
US07/326,583 US4961528A (en) 1988-04-08 1989-03-21 Method of providing a semiconductor body on a support
EP89200843A EP0336514B1 (en) 1988-04-08 1989-04-03 Method of providing a semiconductor body on a support
DE68926754T DE68926754T2 (de) 1988-04-08 1989-04-03 Verfahren zum Anordnen eines Halbleiterkörpers auf einem Träger
JP1084912A JP2697890B2 (ja) 1988-04-08 1989-04-05 半導体を支持体に設ける方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8800902 1988-04-08
NL8800902A NL8800902A (nl) 1988-04-08 1988-04-08 Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8800902A true NL8800902A (nl) 1989-11-01

Family

ID=19852090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8800902A NL8800902A (nl) 1988-04-08 1988-04-08 Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4961528A (nl)
EP (1) EP0336514B1 (nl)
JP (1) JP2697890B2 (nl)
DE (1) DE68926754T2 (nl)
NL (1) NL8800902A (nl)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5526977A (en) * 1994-12-15 1996-06-18 Hayes Wheels International, Inc. Method for fabricating a bimetal vehicle wheel
US5816478A (en) * 1995-06-05 1998-10-06 Motorola, Inc. Fluxless flip-chip bond and a method for making
US6090643A (en) * 1998-08-17 2000-07-18 Teccor Electronics, L.P. Semiconductor chip-substrate attachment structure
US6279811B1 (en) * 2000-05-12 2001-08-28 Mcgraw-Edison Company Solder application technique

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH527487A (de) * 1971-07-29 1972-08-31 Alusuisse Verfahren zur Herstellung einer Stromschiene
GB1426874A (en) * 1972-05-03 1976-03-03 Mullard Ltd Method of sealing electrical component envelopes
IT1111635B (it) * 1977-10-25 1986-01-13 Bfg Glassgroup Unita contenenti elementi vetrosi
SU703871A2 (ru) * 1977-10-28 1979-12-17 Предприятие П/Я Х-5737 Способ соединени разнородных материалов
JPS55132048A (en) * 1979-04-03 1980-10-14 Toshiba Corp Semiconductor device
SU854627A1 (ru) * 1979-09-11 1981-08-15 Предприятие П/Я М-5409 Способ пайки графита с алюминием
GB2067117B (en) * 1980-01-02 1983-07-06 Secr Defence Bonding semi-conductor bodies to aluminium thick-film circuits
DE3071367D1 (en) * 1980-09-29 1986-03-06 Toshiba Kk A semiconductor device with a semiconductor element soldered on a metal substrate
US4448853A (en) * 1981-04-15 1984-05-15 Bbc Brown, Boveri & Company, Limited Layered active brazing material and method for producing it
JPS5994569A (ja) * 1982-11-24 1984-05-31 Toshiba Corp 拡散接合方法
US4729504A (en) * 1985-06-01 1988-03-08 Mizuo Edamura Method of bonding ceramics and metal, or bonding similar ceramics among themselves; or bonding dissimilar ceramics
US4817853A (en) * 1986-11-26 1989-04-04 Sundstrand Corporation Composite, method of forming a composite, and article of manufacture
US4757934A (en) * 1987-02-06 1988-07-19 Motorola, Inc. Low stress heat sinking for semiconductors
US4905886A (en) * 1988-07-20 1990-03-06 Grumman Aerospace Corporation Method for diffusion bonding of metals and alloys using thermal spray deposition

Also Published As

Publication number Publication date
EP0336514B1 (en) 1996-07-03
DE68926754D1 (de) 1996-08-08
JP2697890B2 (ja) 1998-01-14
US4961528A (en) 1990-10-09
EP0336514A1 (en) 1989-10-11
DE68926754T2 (de) 1997-01-23
JPH0212805A (ja) 1990-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2227873A1 (en) Method for removal of surface layers of metallic coatings
CA2054944A1 (en) Fluoropolymer aluminum laminate
NL8800902A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een halfgeleiderlichaam op een drager.
DE3578840D1 (de) Verdichtungszusammensetzung fuer anodisiertes aluminium.
FR2617868B3 (fr) Procede pour le depot electrolytique d'un revetement metallique, de preference brasable, sur des objets fabriques en aluminium ou en un alliage de l'aluminium
AU4804090A (en) Process for impregnating anodized aluminium surfaces
JPS5852503U (ja) 反射鏡
JPS6324256U (nl)
JPS639925Y2 (nl)
Church Getting Started: How to Work With a Coil Coater
RU96104118A (ru) Способ обработки изделий из алюминия и его сплавов (варианты)
JPH0889393A (ja) 音の静かな金属製カーテンレール
JPS58118739U (ja) ボンデイングブロツク
JPH02108359U (nl)
RU97104598A (ru) Способ пайки изделий
JPS6122276U (ja) 溶接用ロ−ラ電極
JPS59189867U (ja) 蒸着装置
JPS6370173U (nl)
JPS60108807U (ja) U字形ボルト
JPS6059307U (ja) 照明具
JPS6228527U (nl)
JPS62102550A (ja) リ−ドフレ−ム表面へのアルミニウム被着方法
JPS63185229U (nl)
TW344864B (en) Process for producing aluminum metal layer
JPS6138336U (ja) デイスクブレ−キパツド

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed