JPH02126443A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、書き換えが可能な光磁気記録媒体に関し、特
に高速、高密度記録が可能な光磁気記録媒体に関するも
のである。

〔従来の技術〕

光磁気記録媒体は垂直磁気記録と磁気光学効果（カー効
果等）を利用するもので、従来の光記録媒体と同様にレ
ーザ光を用いて情報の記録、再生を行うため記録容量が
大きく、その上書き換えが可能である。さらにヘッドと
媒体が非接触で記録再生を行うことができ、！！ｌ埃の
影響を受けないため安定性にも優れている。このため光
磁気記録媒体は、現在盛んに研究されており、文書情報
ファイル、ビデオ・静止画フィイル、音声ファイル、コ
ンピューター用メモリ等への利用あるいはフロッピーデ
ィスク、ハードディスクの代替が期待され、近い将来の
商品化段階を迎えるに至っている。

このような光磁気記録媒体の記録層として、遷移金属（
Ｆａ、Ｃｏ）と希土類金属（７ｂ、Ｄｙ、ＧｄＪｏ＊ｌ
Ｅｒ等）とを組合せた非晶質（アモルファス）磁性合金
膜が提案されている。遷移金属と希土類金属とをそれぞ
れ１種以上組み合せ、スパッタ法や蒸着法で基板上に作
製した磁性合金膜は、非晶質の垂直磁化膜（膜面と垂直
な方向に磁化容易軸を有する磁化膜）となり、光磁気記
録媒体に応用する事が可能となる。

上記のような磁性合金膜を光磁気記録媒体に応用する場
合には、ａ）再生Ｃ／Ｎが大きい、ｂ）記録感度が良い
（記録時のレーザパワーが小さい）、Ｃ）記録したメモ
リが安定である、ｄ）記録した磁区（ビット）が小さく
、高密度化できる等の条件を満足する必要がある。これ
らの特性には磁性合金膜のカー回転角θ１、キュリー温
度Ｔｃ、保磁力Ｈｅ、飽和磁化Ｍｓ等の物性が係わって
くるが、単一の磁性合金膜で上記特性を全て満足させる
ことは困難であったため、記録層を二層構造とし、各特
性を分離して各々の磁性合金膜に持たせるいわゆる機能
分離型二層膜構造にした光磁気記録媒体が研究されてお
り、最近では特開昭６２−６２１７号公報、同６３−１
７５２４４号公報等に開示されたものがある。

ここで第８図及び第９図を参照しながら従来の機能分離
型二層膜構造の光磁気記録媒体について説明する。

第８図は、従来のこの種の光磁気記録媒体の断面構成を
示す図で、基板２１上に設けられた記録層２２は第１磁
性層２２ａ及び第２磁性層２２ｂの２つの層からなって
いる。第１磁性［２２ａはＧｄＦａＣｏ等のカー回転角
θ、が大きく保磁力Ｈｃが小さくキュリー温度Ｔｃが高
い非晶質磁性合金膜よりなり、再生層として作用する。

一方、第２磁性層２２ｂはＴｂＦｅＣｏ　、　ＴｂＤｙ
Ｆｅ等の保磁力Ｈｅが大きくキュリー温度Ｔｃが低い非
晶質合金膜よりなり、記録層として作用する。また、耐
食性の改善のために記録層２２にＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｚｒ等からなる金属層を積層したものもある。このよう
な構成の光磁気記録媒体の記録過程は第９図で説明され
る。同図は第１磁性層２２ａにＧｄＦｅＣｏ膜、第２磁
性層２２ｂにＴｂＦｅＣｏ膜を用いた場合の例である。

ＴｂＦｅＣｏ膜（記録層）はキュリー温度Ｔｃが低いの
で記録レーザパワーが低い■の曲線にしたがってに記録
がなされ、この場合ＧｄＦｅＣｏ膜（再生層）は保磁力
Ｈｅ□が十分小さいのでＴｂＦｅＣｏ膜からの浮遊磁界
Ｈｒ。

と記録磁界Ｈｗとの和がＨｔｇ＋Ｈｒ、）Ｈｅ１となっ
た時に磁化反転し、記録がなされる。また記録レーザパ
ワーが高い場合はＧｄＦｅＣｏ膜（再生層）の磁化反転
が最初に起こり、その浮遊磁界Ｈｒ□と記録磁界Ｈ％ｌ
との和がＴｂＦｅＣｏ膜（記録層）の保磁力Ｈｅ、より
大きくなった時すなわちＨｗ＋Ｈｒ、　＞Ｈｅ２の時に
ＴｂＦｅＣｏ膜（記録層）に磁化反転が起こり、記録が
なされる。これは曲線ｆに示される。曲線■は曲線Ｉと
曲線■との間の記録磁界とした場合で、レーザパワーの
大きさによってＧｄＦｅＣｏ膜又はＴｂＦｅＣｏ膜より
磁化反転が起きる。

〔発明が解決しようとする課題〕

一般に光磁気記録媒体の記録磁界は、ｉ）磁石（電磁石
）の磁界特性のバラツキ、　ｉｉ）磁石（電磁石）の半
径方向の磁界分布、ｉ）磁石（電磁石）と光磁気記録媒
体（記録層）との距離変動（取付バラツキ、ディスク回
転時の偏心、ディスクの面傾斜等による）等により、±
２０００ｅ以上変動する。すなわち例えば記録磁界を４
０００ｅに設定したとしても２００〜６０００ｅ程度の
範囲の変動がある。

一方、光磁気記録媒体を高速アクセスするために、ディ
スクの加速度を一定とするＣＡＶ　（ｃｏｎｓｔａｎｔ
ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ　ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式の
場合は半径方向の位置によって線速か変わる。例えば半
径３５ｍａ＋と６゜ｌｌｌ１１の位置では１８００ｒｐ
ｍの回転速度で線速に約６　、６ｍ／秒差異が生じ、こ
のため記録レーザパワーを半径方向に変動する必要があ
る。

しかしながら、前述の従来の機能分離型二層膜構造の光
磁気記録媒体の場合、第９図により説明したような原理
で記録が行われるため、上記の如き記録磁界の変動や記
録レーザパワーの変動に対してその記録、再生特性が大
きく影響され、そのうえ各磁性合金膜の特性を厳しく制
御・適正化しなければならず、実用化上難点がある。

また１機能分離型二層膜の記録層に金属層を積層した構
造の場合には、該金属層が記録層の熱を吸熱、拡散し、
このため記録レーザパワーが大きくなる。特にガラス基
板を用いた場合はポリカーボネート基板より熱伝導率が
１桁大きいため、記録レーザパワーが更に大きくなり、
高速記録（線２２ｍ１秒以上）は困難である。

一方、情報処理の高速化、ハードディスク等の代替の見
地から、光磁気記録媒体の記録速度はハードディスクと
同等以上であることが期待される。

すなわち、ディスク回転数３６０Ｏｒｐｍ、線速２２！
ｌ／秒以上、記録レーザパワー（媒体面）１０ｍＷ以下
での記録が望まれる。そのためには、さらに高速、高密
度化を図ることが必要となる。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって
、上記の要求を満たす高速、高密度記録が可能でかつ再
生Ｃ／Ｈの高い機能分離型の光磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。

〔課題を解決するための手段及び作用〕上記目的を達成
するため、本発明によれば、基板上に誘電層、光磁気記
録層及び断熱層を順に設け、さらに必要に応じて熱吸収
層を設けて構成され、前記光磁気記録層が少なくとも１
種以上の希土類金属と遷移金属Ｆｅ、Ｃｏを含有する非
晶質の第Ｉ及び第２の磁性合金膜を積層してなり、該第
１の磁性合金膜が再生層として作用しかつ該第２の磁性
合金膜が記録層として作用する光磁気記録媒体において
、前記第１及び第２の磁性合金膜はいずれもその希土類
金属の濃度が補償組成の近傍でかつ該補償組成に対し高
濃度（リッチ）側にあり、かつ、前記第１の磁性合金の
キュリー温度が前記第２の磁性合金層のキュリー温度よ
り大であることを特徴とする光磁気記録媒体が提供され
る。

本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層は第１の磁性合
金膜（以下第１磁性層という）と第２の磁性合金膜（以
下第２磁性層という）の２つの層を積層して構成され、
いずれの膜も、少なくとも１種以上の希土類金属と遷移
金属Ｆｅ　、　Ｃｏを含有し、膜面と垂直な方向に磁化
容易軸を持つ非晶質磁性合金膜であり、しかも膜中の希
土類金属の濃度が補償組成（室温における膜中の希土類
金属の磁性モーメントをＭＲＭ−遷移金属の磁気モーメ
ントをＭＴＭ”としたとき、ＩＭＲＭ−ＭＴＭ１＝ｏと
なる組成）の近傍でかつ希土類金属リッチ（優位）のも
のとなっている、そしてこの希土類金属の濃度ｚ（ａｔ
ｏｍ％）は、補償組成での濃度をｚｏ（ａｔｏｍ％）と
したとき、ｚｏ（ｚ（ｚｏ＋５であるのが好ましい、２
の値が大きくなりすぎると室温での保磁力Ｈｅ及びカー
回転角θ。

が急激に低下するので光磁気記録媒体の記録層には不適
となる。

第１図と第２図及び第３図に希土類金属リッチである磁
性層と、遷移金属リッチである磁性層の飽和磁化Ｍｓと
保磁力Ｈｃ及びカー回転角θい飽和）硫化Ｍｓと対応）
の温度特性を示す。これらの図から分かるように、飽和
磁化Ｍｓについては、遷移金属リッチの磁性層の場合は
キュリー温度Ｔｃ付近迄減少しないが、希土類金属リッ
チの磁性層の場合は温度上昇に対応し直線的に減少する
。また保磁力Ｈｅについても同様な傾向を示す、この現
象を第４図により考察してみる。第４図は記録ビット周
囲の磁化分布及び記録ビットの内部の浮遊磁界分布を示
すグラフである。遷移金属リッチの磁性層が示す上記傾
向は、遷移金属リッチの磁性層は第４図に示されるよう
に希土類金属リッチの磁性層に比べ、記録ビットの周辺
に飽和磁化Ｍｓが残留磁化訃として大きく残存している
ことによるものである。この残留磁化訃は記録過程ある
いは消去過程に悪い効果をもたらす。すなわち、記録過
程においては、残留磁化Ｍｒによる浮遊磁界Ｈｒはレー
ザ光照射記録部において記録磁界Ｈυと同方向に作用し
、記録ビットを拡大させるので、微小記録ビットの記録
が困難である。この場合、団ｗ　Ｉ　＞　ｌ　Ｈｃ−Ｈ
ｒ　ｌの時に記録が可能となる。一方、消去過程では、
浮遊磁界Ｈｒは消去磁界Ｈ１逆方向に作用し、Ｉ）ＩＥ
＋＞ＩＨｃ＋Ｈｒｌの時に消去が可能となる。これらの
ことより、消去時には記録時より２Ｈｒ大きす磁界が必
要となる。記録時と消去時とで印加する磁界の大きさを
変化させることは望ましくなく、特に磁界変調記録法に
は不適である。これに対し、希土類金属リッチの磁性層
では第４図に示されるように、記録ビットの周辺に残存
している飽和磁化Ｍｒが小さく、浮遊磁界も小さいため
、上記のような不都合がなく、微小記録ビットの記録が
可能となるとともに、記録時、消去時の印加磁界の大き
さが同じにできしかも小さくすることができる。

本発明は第１磁性層と第２磁性層の双方を以上のような
性質を持った希土類金属リッチの非晶質磁性合金膜で形
成し、第１磁性層と第２磁性層を同条件すなわち同じ記
録レーザパワーと同じ記録磁界での記録を可能とする（
記録レーザパワーや記録磁界の変動を受けない）もので
ある。

また、本発明の第１磁性層のキュリー温度Ｔｃ１は第２
磁性層のキュリー温度Ｔｅ、より大きく設定され。

Ｔｃ、は１７０−２３０℃１丁ｃ２は１２０−１７０℃
であるのが望ましい。第１磁性層及び第２磁性層の室温
における飽和磁化Ｍｓ！、Ｍｓ、はいずれも１５０Ｇａ
ｕｓｓ以下であるのが望ましく、１００Ｇａｕｓｓ以下
であるのがより望ましい。第１磁性層の室温における保
磁力Ｈａ１は５０００ｅ〜２ｋＯｅであるのが望ましく
、第２磁性層の室温における保磁力Ｈｅ、は２ｋＯｅ以
上であるのが望ましい。

また第１磁性層のカー回転角θ、はより大きいことが望
ましい、さらに、本発明の磁性層はキュリー温度Ｔｃ近
傍において保磁力Ｈｃの温度特性曲線の勾配が第２図に
示すように大きいことが望ましい。

この特性を持った記録層は記録ビットと非記録部の領域
の保持力ＨＣの差が大きくデジタルに変化するので、記
録ビットの長さは短く１、その形状は第５図（ａ）の様
にシャープとなる。一方、第３図のようにキュリー温度
Ｔｃ近傍における保磁力Ｈｃの温度特性曲線の勾配が小
さくしかも長く裾を引いているような磁性層では、記録
ビットと非記録部の領域の保磁力Ｈｃの差が小さく、記
録ビットの長さは長く、その形状は第５図（ｂ）の様に
乱れ、媒体移動方向の後端で尾引かある。また記録ビッ
トのサイズも不揃いとなり、磁性合金膜組成の小さい変
動を受けやすくなり、望ましくない。このように、キュ
リー温度Ｔｃ付近では保磁力Ｈｃの勾配値は大きいほど
良く、しかも長く裾を引かず直線的に変化しているのが
好ましい、保磁力Ｈｅの温度特性の良否はキュリー温度
Ｔｃから５０℃低い温度（Ｔｃ−５０℃）における保磁
力をＨｅ、。とじたとき、このＨＣｓｌｌを５０℃で割
った勾配値Ｈｅ５ｏ　／　５０　（Ｏｅ／　℃）で評価
できる。

本発明の磁性層の勾配値Ｈｅ、。１５０は１０以上であ
るのが好ましい。

また、本発明の各磁性層の膜厚は、第１磁性層の膜厚を
ｔｏ、第２磁性層の膜厚をｔ２としたとき、１００人＜
ｔｌ＜３００人、２００人りｔ、５；６００人で、かっ
ｔｌ＜ｔ２／２及び３００人＜ｔｉｌｔ２＜８００人を
満足するように設定するのが望ましい、このように設定
された膜厚の磁性層は、膜厚方向に熱分布が少なく、膜
厚方向への熱拡散による熱損失が少なく、しかもキュリ
ー温度Ｔｃの高い第１磁性層が薄層化され、第１磁性層
と第２磁性層を同条件で記録するのに最適である。この
同条件での記録という観点からすると、第１磁性層と第
２磁性層との記録開始磁界Ｈｖに対応する保磁力となる
温度は双方でほぼ一致している事のが望ましい。第２図
の例の場合、）Ｉｗ＝５０００ｅとすると、この磁界に
対応する温度は双方で１５５℃とほぼ一致している。

第１磁性層と第２磁性層に適用できる非晶質磁性合金膜
としてはたとえばＴｂＤｙＦｅＣｏとＧｄＤｙＦｅＣｏ
が挙げられるが、これに限定されるものではなく上記の
条件を満足するものであれば適用可能である。

次に１本発明の光磁気記録媒体の層構成について説明す
る。

第６図は本発明による光磁気記録媒体の一構成例の断面
図であり、基板ｌｌ上に誘電層１２を介して、第１磁性
層１３ａと第２磁性層１３ｂからなる記録層１３を設け
、さらにその上に誘電層１４を設けた構成となっている
。そして必要に応じて有機保護層１５が形成される。な
お１６はレーザ光である。

先ず、基板１１の材料としてはポリカーボネート、メチ
ルメタクリレート、ポリオレフィン、エポキシ等のプラ
スチック、あるいはガラス等が使用可能である。基板１
１にあらかじめガイドトラック。

プリフォーマットを形成してもよい。

誘電層１２は基板外部からＨ，０１０２が侵入して記録
層１３の磁気特性が劣化するのが防止するとともに、光
の多重反射により磁気光学効果（カー回転角θ、）をエ
ンハンスメントする役割を行う、したがって、誘電層１
２には屈折率ｎが２．１以上の材料を膜厚４００〜１０
００人で使用する。また、熱伝導による熱損失という観
点から誘電層１２の熱伝導率は０．０５ｃａ１２／ｃ＋
＋＋−ｓ・℃以下であるのが好ましい。このような材料
としては、具体的には５ｉＸＮＹ、　ＡＩｔＮ、５ｉｘ
ＯＹ、　ＺｒＮ、　ＺｒＯ２、Ｔａｇ、、ＴａＮ、ＡＱ
ＯＮ、１ＱｓｉＮ。

ＺｎＳ、　ｕ２ｓｉＮｏ、ＡＱ、０．・２ＳｉＯ，，５
ｉＺｒＮ、　Ａｌ１１ＺｒＮ等が好ましく使用される。

成膜方法としてはスパッタ法、蒸着法、イオンブレーテ
ィング法等が使用される。

記録層１３については、既に詳述したような各磁性合金
膜で第１磁性／１１１３ａ及び第２磁性層１３ｂが形成
される。成膜方法としてはスパッタ法、蒸着法等が使用
される。

誘電層１４は記録時にレーザ光照射により記録層１３に
発生した熱を拡散させないで該記録層１３内に集める役
割をするとともに、大気中の水、酸素により記録層１３
が酸化、腐食するのを防止する役割を行う。このため、
誘電層１４には熱伝導率が０．０５ｃａｕ／ｃｍ−ｓ・
℃以下の誘電材料が好ましく用いられる。そして、その
ような誘電材料としては、誘電層１２で使用したと同様
の材料を用いることができる。そして誘電層１４は誘電
層１２の形成と同様の成膜法により４００〜１０００人
の膜厚に形成される。

誘電層１４の上には必要に応じて有機保護層１５が設け
られるが、この有機保護Ｍ１５は紫外線硬化樹脂（υＶ
レジン）、ホットメルト樹脂、熱可塑性樹脂、プラズマ
重合樹脂等を用いてスピナー塗布法等の方法で１−〜１
００声の膜厚に成膜される。なお、両面記録タイプの光
磁気記録媒体とするときには、有機保護層１５の代わり
に接合層が設けられる。

第７図は本発明による光磁気記録媒体の別の構成例を示
す断面図であり、基板１１上に誘電層１２、記録ｌＬ３
、断熱層１７、熱吸収層（ヒートシンク層）１８を順次
積層した構成となっている。そして必要に応じて有機保
護Ｎ１５又は接合層が形成される。

基板１１、誘電層１２、記録層１３及び有機保護／１１
５の必要特性等については第６図の媒体と同様である。

断熱Ｍ１７は第６図の誘電層１２と同様の必要特性であ
っても良く、また十分な断熱効果を得るために誘電層１
２よりさらに小さい熱伝導率の材料で形成しても良い。

熱吸収層１８は断熱層１７での熱拡散を防止する作用を
行う。すなわち、記録時にレーザ照射により記録／１ｌ
１３に発生した熱は、熱伝導率の小さい断熱層１７に伝
導し、その断熱層１７の熱が熱吸収層１８に伝導するこ
とにより、断熱層１７での熱拡散が防止される。その結
果、記録層１３の蓄熱効果が向上し、記録ビット長がよ
り短くかつその形状もよりシャープになる。上記作用の
ため熱吸収層１８には熱伝導率が０．２ｃａｌ／ｃｍ−
ｓ・℃以上の材料が使用される。このような材料として
はＡｆｌ、　Ｐｔ、Ａｕ、　Ｒｈ、　Ｃｕ、　Ａｇ、　
Ｃｒ等又はこれらの合金が最適である。その成膜方法と
してはスパッタ法、蒸着法等の方法が使用され、　２０
０〜６００人の膜厚に形成される。熱吸収層１８の膜厚
が６００人より大きくなると熱吸収層１８の横方向に熱
拡散が起こるため強い記録レーザパワーが必要となり好
ましくなく、また２００人より薄いと上記のような作用
をなし得なくなる。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例をあげるが、本発明はこれらの実
施例に限定されるものではない。

実施例１ 外径１３０＋ａｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｓ＋ｍの
ポリカーボネート板を基板として用い、ＲＦマグネトロ
ンスパッタ装置において該基板上に誘電層として５ｉＸ
Ｎ。

膜をスパッタ法により７００人の膜厚に形成した。

次に、同スパッタ装置において誘電層上に記録層の第１
の磁性層としてＧｄｘｓ＋ｕＤＹｘ４＊５Ｆｅｔｏ＋５
ＣＯｘ２＊ａ磁性膜をスパッタ法により５０人／分の成
膜速度で３００人の膜厚に１．さらに第２の磁性層とし
てＴｂ工２．４ＤＹｚｘ　＊ｓＦｅｓｇ　、＠Ｃｏ８ｅ
３磁性膜を３００人の膜厚に形成した。この第１の磁性
層の磁気特性はキュリー温度Ｔｃ＝２２５℃、保磁力Ｈ
ｃ：１．５ｋＯｅ、飽和磁化Ｍｓ＝６４Ｇａｕｓｓ、第
２の磁性層の磁気特性はキュリー温度Ｔｃ＝Ｌ６ｆ１℃
、保磁力Ｈｃ：３　、７ｋＯｅ、飽和磁化Ｍｓ＝１０８
Ｇａｕｓｓであった。

次に、その上に、同じくスパッタ法により誘電層として
５ｉｘＮＹ膜を７００人の成膜に形成した。そして誘電
層上にスピンコードにてエポキシアクリレート（大日精
化■製のＵＤＡＬ−３９（Ｋ））を１０−の膜厚に被着
させた後、紫外線照射により硬化させて、有機保護層を
形成し、光磁気記録媒体を得た。

実施例２〜４ 各層の材料として各々表−１、表−２及び表−３に示す
ものを用い、実施例１と同様にして各層が表−１に示す
膜厚の光磁気記録媒体を得た。記録層の第１磁性層及び
第２磁性層の磁気特性は表−２に示す通りであった。な
お、ポリエステル（ケミットＲ−９９、東し製）は熱ロ
ーラで塗布して形成した。誘電層の成膜速度は２０〜５
０人１分、第１及び第２磁性層の成膜速度は３０〜６０
人／分とした。

実施例５，６ 各層の材料として各々表−１、表−２及び表−３に示す
ものを用い、新たに熱吸収層を設けた以外は上記の実施
例と同様にして第７図の構成を有する光磁気記録媒体を
得た。熱吸収層は黒膜法により１００〜２００人／分の
成膜速度で誘電層（断熱層）上に形成した。

表−２ 表−３ 以上のようにして作製した各光磁気記録媒体の記録再生
特性の評価を下記の条件で行った。

・記録周波数　１５（ＭＨｚ） ・デユーティ　５０％ ・線速　　　　２２（ｍ／ｓ） ・媒体の回転数　３６００　（ｒｐｍ）・記録レーザ波
長　７８０（ｒ＋ｎ） ・レーザスポット径　約１（ｐ） ・バイアス磁界　４００（Ｏｓ） ・再生レーザ波長　７８０（ｎｍ） ・再生レーザパワー　２（ｍす） その特性評価の結果を表−４に示す。

表−４ 表−４に示されるように、本発明の実施例の光磁気記録
媒体は記録レーザパワーが９１以下、記録ビット長０．
８−１記録ビツト形状はシャープで。

さらに再生Ｃ／Ｎが５０ｄＢ以上の高速、高密度記録可
能なものであった。熱吸収層を設けた実施例５及び６は
再生Ｃ／Ｎがより優れていた。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明によれば、第１及び
第２の磁性合金膜に補償組成に対し希土類金属リッチの
非晶質磁性合金膜を用いたので、記録レーザパワーや記
録磁界の変動に影響されず、高速、高密度記録（媒体回
転数３６０Ｏｒｐｍ以上、線速２２ｍ／秒以上、記録ビ
ット長０．８−以下）が可能で。

再生Ｃ／Ｎが５０ｄＢ以上と高品質な光磁気記録媒体を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は遷移金属リッチ及び希土類金属リッチの磁性層
の飽和磁化Ｍｓの温度特性を示すグラフ、第２図は希土
類金属リッチのＴｂＤｙＦｅＣｏ磁性層及びＧｄＤｙＦ
ａＣｏ磁性層のカー回転角θ、及び保磁力Ｈｅの温度特
性を示すグラフ、第３図は遷移金属リッチのＴｄＴｂＦ
ｅＣｏ磁性層のカー回転角θ、及び保磁力Ｈｅの温度特
性を示すグラフ、第４図は希土類金属リッチと遷移金属
リッチの磁性層における記録ビット周囲の磁化分布及び
ビット内部の浮遊磁界分布を示すグラフ、第５図は希土
類金属リッチと遷移金属リッチの各磁性層の記録ビット
形状を示す図、第６図は本発明による光磁気記録媒体の
一構成例の断面図、第７図は本発明による光磁気記録媒
体の別の構成例の断面図、第８図は従来の機能分離二層
膜型光磁気記録媒体の構成例を示す断面図、第９図は従
来の機能分離二層膜型光磁気記録媒体における記録層の
記録過程説明図である。 １１・・・基板　　　　　１２・・・誘電層１３・・・
記録、／ｉｌ　　　　　１３ａ・・・第１磁性層１３ｂ
・・・第２磁性層　　　１４・・・誘電層１５・・・有
機保護層　　１７・・・断熱層１８・・・熱吸収層 特許出願人　株式会社　リ　　　コ　　　一代　理　人
　弁理士　池浦敏明（ほか１名）わ ｄ 彰曳３￥♀ 駕４ 喰壇ムｊ輪℃ 工 第 ５図 （ａ） （ｂ） 第６図 第７図 第８図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に誘電層、光磁気記録層及び断熱層を順に
   設け、さらに必要に応じて熱吸収層を設けて構成され、
   前記光磁気記録層が少なくとも１種以上の希土類金属と
   遷移金属Ｆｅ、Ｃｏを含有する非晶質の第１及び第２の
   磁性合金膜を積層してなり、該第１の磁性合金膜が再生
   層として作用しかつ該第２の磁性合金膜が記録層として
   作用する光磁気記録媒体において、 前記第１及び第２の磁性合金膜はいずれもその希土類金
   属の濃度が補償組成の近傍でかつ該補償組成に対し高濃
   度（リッチ）側にあり、かつ、前記第１の磁性合金のキ
   ュリー温度が前記第２の磁性合金層のキュリー温度より
   大であることを特徴とする光磁気記録媒体。