JPH02122709A - 増幅装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は映像分野等における増幅装置に関するものでお
る。

従来の技術 近年、映像分野における増幅装置ｔは、映像分野の発達
につれて益々高性能化が要求されている。

以下、従来の増幅装置について図面を９照しながら説明
する。

第２図は従来の増幅装置の一例を示す回路図である。第
２図において、入力端子１にＮＰＮ　）ヲンジスタ２０
ベースに接続され、そのエミッタは抵抗３を介して接地
され、ま几そのコレクタば抵抗４を介して電源ＶＣＣに
接続されるとともにＰＮＰ　トランジスタ５のベースに
接続される。このＰＮＰ　）フンジスタ５のエミッタは
抵抗６を介してｔ源Ｖ。０に接続され、ま九そのコレク
タは抵抗７を介して接地されるとともに出力端子８に接
続される。

以上のように構成された従来の増幅装置について、以下
、その動作を説明する。入力信号は入力端子１から入力
され、ＮＰＮ　）フンジスタ２と抵抗３．４にエリ反転
増幅され、その信号はＰＮＰ　トランジスタ５のベース
に入力され、信号はＰＮＰ　トランジスタ５と抵抗６，
７により再び反転増幅され。

増幅された信号が出力端子８から出力される。

発明が解決しようとする課題 しかしながら）ｌ＋記従来の構成では、ＮＰＮ　トラン
ジスタ２お工ヒＰＮＰトランジスタ５のエミッタベース
間におけるダイオードの温度特性が増幅されて直流的に
不安定になるという問題を有していｔ０木発明は上巳従
来の間０１解決するもので、温度特性の良好な増幅装置
を提供することを目的とするものである。

課題？解決する九めの手段 上記課題を解決するために本発明の増幅装置は、エミッ
タホロ’７５（構成する第１の極性の第１のトランジス
タのベースを入力端子に接続するとともニ、エミッタ？
第２の極性の第２のトランジスタのベースに接続し、前
記第２のトランジスタのコレクタをダイオードと抵抗を
介して電源に接続するとともに第１の極性の第３および
第４のトランジスタのベースにそれぞれ接続し、かつエ
ミッタを抵抗を介して接地し、前記第３のトランジスタ
のコＶクタヲ前記第１のトランジスタのエミッタに接続
するとともにエミッタを抵抗を介して前記を源に接続し
、前記第４のトランジスタのコレクタを抵抗ケ介して接
地するとともに、出力端子に接続し、かつエミッタを抵
抗を介して前記電源に接続し、前記第２のトランジスタ
のコレクタにダイオードを介して接続した抵抗と前記第
３および第４のトランジスタのエミッタに接続し−ａ抵
抗のそれぞれの抵抗値の比率を１に近く設定しｔもので
ある。

作用 上記構成により、ダイオードと第３および第４のトラン
ジスタのベース、エミッタ間のダイオード特性により温
度補償を行ない、かつ第２のトランジスタのコレクタに
ダイオードを介して接続しｔ抵抗と第３および第４のト
ランジスタのエミッタに接続した抵抗のそれぞれの抵抗
値の比率を１に近く設定して定電流源を構成したので、
３経路に流れる電流が等しくなり、第２のトランジスタ
（ｙ）　エミツｙ　ｖＣＭ　ＩＲし霞抵抗と第４のトラ
ンジスタのコレクタに接続しｔ抵抗との比率により利得
が決１す、利得設定が容易となるとともに、第１の）　
−１ンシＸりおよび第２のトランジスタのベースエミッ
タ間のダイオードの温度特性も極めて近くなり、温度特
性の補償が精変良くなる。

冥施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。

第１図に本発明の一実施例を示す増幅装置の回路図であ
る。第１図において、入力端子１１はＰＮＰトフンジス
タ１２のベースに接続され、このＰＮＰ　）フンジスタ
１２のエミッタはＮＰＮ　ｌ−フンジスタ１３０ベース
に接続され、かつ、ＰＮＰ　トランジスタ１４のコレク
タに接続されるとともにコレクタは接地されてＰＮＰ　
）フンジスタ１２はエミッタホロワを構成する。ＮＰＮ
　）ヲンジスタ１３のエミッタはｉ抗１５に介して接地
されるとともにコレクタはダイオード１６と抵抗１７を
介して電源ｖｃｃに接続され、かつＰＮＰトランジスタ
１４．１８のベースにそれぞれ接続される。ＰＮＰ　）
ヲンジスタ１４のエミッタは抵抗１９　ｅ介Ｌ　テｔ　
ｔＡ　Ｖｃｃに接続される。ＰＮＰ　ｌ−ヲンジスタ１
８のエミッタは抵抗２０ヲ介して電源”ｃｃ　ｉｃ接続
されるとと本にコレクタは抵抗２１５Ｃ介して接地され
、かつ出力端子２２に接続される。

ここで、ダイオード１６に接続された抵抗１７と抵抗比
との抵抗値の比率およびダイオード１６に接続された抵
抗１７と抵抗２０との抵抗値の比率がそれぞれ１近くに
設定され、ＰＮＰ　ｌ−フンジスタ１４．１８　トダイ
オード１６と抵抗１７．１９．２０　Ｋより定電流源が
構成される。

上記構成により、以−ド、その動作を説明する。

入力店号が入力端子１１から入力されてエミッタホロワ
を構成するＰＮＰ　トランジスタ１２ノべ−ＸＧＣ供給
され、これ１ＮＰＮ？ヲンジスタ１３のベースに供給し
て反転増幅を行ない、ＮＰＮ　）フンジスタ１３の動作
電流を基本として動作するＰＮＰ　）ヲンジスタ１８の
コレクタに接続されｔ出力端子２２から出力信号が取り
出される。

このとき、ダイオード１６とＰＮＰ　ｌ−ランジスタ１
４゜１８のベース、エミッタ間のダイオード特性により
温度補償を行なうとともに抵抗１７．１９．２０を等し
く設定して、ＮＰＮ　）ヲンジスタ１３の動作電流を基
本とするＰＮＰ　トランジスタ１４．１８とダイオード
１６と抵抗１７，１９．２０による定電流源を構成する
ので、３経路に流れる電流は等しくなり、ＮＰＮ　）フ
ンジスタ１３とＰＮＰ　Ｉ−フンジスタ１８に流れる電
流も等しくなる。このことにより、ＮＰＮ　）ヲンジス
タ１３のエミッタに接続しｔ抵抗１５とＰＮＰ　）ツン
ジスタ１８のコレクタに接続した抵抗２１との比率によ
り利得が決まり、利得設定が簡単に行なえる。ま之、Ｐ
ＮＰトヲンジスタ１２ヲ用い友エミッタホロワのエミッ
タ電流は定電流源の電流と等しく成り、ＰＮＰ　）ラン
ジスタ１２　トＮＰＮ　トランジスタ１３の動作電流も
等しり成って、ＰＮＰ　）ヲンジスタ１２およびＮＰＮ
　）フンジスタ１３のベース、エミッタ間のダイオード
の温度特性も極めて近くなり、温度特性を精度良く補償
できる。

なお、上記実施例では第１、第３、第４のトランジスタ
１２．１４．１８の弾性をＰＮＰ形とし、第２のトラン
ジスタ１３の極性をＮＰＮ形とし九が、これらは逆の極
性にしてもよい。その場合、電源Ｖ。Ｃおよびダイオー
ド１６の極性も逆にすれば工い。

発明の効果 以上のように本発明によれば、入力信号を第１のトラン
ジスタで構成しｔエミッタホロワを通過させたのち、第
２のトランジスタのベースに供給し、第２のトランジス
タのコレクタにはこの第２のトランジスタの動作電流を
基本とする定°ｌ流源を構成するとともに、第２のトラ
ンジスタのコレクタにダイオードを介して接続した抵抗
と第３および第４のトランジスタのエミッタに接続した
抵抗のそれぞれの抵抗値の比率を１に近く設定して、３
経路に流れる複流を等しくしたため、利得の設定が簡単
に行え、熱的に安定で、直流Ｏ電位の入力／出力の等し
い増幅装置を構成できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１因は本発明の一実施例を示す増幅装置の回路図、第
２図は従来の増幅装置の一例を示す回路図である。 １１・・・入力端子、１２．１４．１８・・・ＰＮＰ　
トランジスタ、１３−ＮＰＮ　）　ランシス！ｉ、１５
　、１７　、１９．２０．２１−・・抵抗、１６・・・
ダイオード、２２・・・出力端子、ｖｃＣ・・・電源。 代理人　　　　　森　　　本　　　義　　　弘第 ！ 図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、エミッタホロワを構成する第１の極性の第１のトラ
   ンジスタのベースを入力端子に接続するとともに、エミ
   ッタを第２の極性の第２のトランジスタのベースに接続
   し、前記第２のトランジスタのコレクタをダイオードと
   抵抗を介して電源に接続するとともに第１の極性の第３
   および第４のトランジスタのベースにそれぞれ接続し、
   かつエミッタを抵抗を介して接地し、前記第３のトラン
   ジスタのコレクタを前記第１のトランジスタのエミッタ
   に接続するとともにエミッタを抵抗を介して前記電源に
   接続し、前記第４のトランジスタのコレクタを抵抗を介
   して接地するとともに、出力端子に接続し、かつエミッ
   タを抵抗を介して前記電源に接続し、前記第２のトラン
   ジスタのコレクタにダイオードを介して接続した抵抗と
   前記第３および第４のトランジスタのエミッタに接続し
   た抵抗のそれぞれの抵抗値の比率を１に近く設定した増
   幅装置。