JPH02120226A - 酸化物超伝導材料 - Google Patents

酸化物超伝導材料

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JPH02120226A
JPH02120226A JP63272353A JP27235388A JPH02120226A JP H02120226 A JPH02120226 A JP H02120226A JP 63272353 A JP63272353 A JP 63272353A JP 27235388 A JP27235388 A JP 27235388A JP H02120226 A JPH02120226 A JP H02120226A
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JP
Japan
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superconducting material
oxide
present
oxide superconducting
bismuth
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JP63272353A
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English (en)
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Motofumi Honma
本間 基文
Masuo Okada
益男 岡田
Masaru Matsuoka
大 松岡
Takaaki Murakami
隆昭 村上
Tetsuto Yoneyama
米山 哲人
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、新規な酸化物超伝導材料に関する。
〈従来の技術〉 ビスマス系層状化合物は、B14TiiO+*を初めと
して、種々の類縁化合物を構成している。
従来、これらビスマス系層状化合物は、主として誘電体
として考えられていた。 しかし、近年、ビスマス系銅
酸化物、具体的にはB1−5r−Ca−Cu系酸化物が
、従来のビスマス系層状化合物と同様な層状結晶構造を
とりながら導電性を示し、しかも、100に以上の臨界
温度を示す超伝導相を有することが報告されている(前
日ら、金属58巻2号、p。
2.1988  金属学会会報第27巻第7号P566
〜P573 1988) 一般に、超伝導体は臨界温度以下で超伝導状態となり、
電気抵抗ゼロおよび完全反磁性を示す。
また、超伝導状態にある超伝導体に臨界電流密度以上の
電流を流すと、超伝導状態が破壊され、常伝導を示すよ
うになる。 実用的な超伝導体を得るためには、臨界温
度および臨界電流密度が高いことが必要とされる。
さらには、水分安定性や、耐候性等が良好であることが
必要であり、またハンダヌレ性が良好なことも必要とさ
れる。
また、資源的に選択の範囲が広い材料組成であることも
必要である。
一般に、上記のB1−5r−Ca−Cu系酸化物等の酸
化物超伝導材料は、高い臨界温度を有する相(高温相)
と低い臨界温度を有する相(低温相)とが、層状に積層
されて構成される。 このため、金属系超伝導材料に比
べ臨界電流密度が小さく、いまだ実用には至っていない
また、ビスマスは、殆どが電解スライムの副産品であり
、その主産品の生産に左右されている。 このため、ビ
スマスを他の元素で置換すれば、資源的に選択の範囲が
拡大され、有利となる。
そこで、本発明者らは、先に1988年金属学会秋季(
第103回)大会講演概要にて、Biの75at%以下
をInで置換したB1−In−5r−Ca−Cu系超伝
導材料を報告している。
このものは、抵抗値がOとなる臨界温度はB1−5r−
Ca−Cu系材料と同等であるが、臨界電流密度が増大
する。
同時に、この報告ではIn/(In+Bi)80%のも
のでは、910℃で焼成しても超伝導物性が得られない
旨を報告している。
〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、従来のB1−5r−Ca−Cu系酸化
物超伝導材料に比べてより高い臨界電流密度を示し、資
源的な選択の範囲も広い酸化物超伝導材料を提供するこ
とにある。
また、第2の目的は、高温相の体積分率を向上させ、よ
り高い臨界温度を発現させることにある。
く課題を解決するための手段〉 上記目的は、下記(1)〜(5)の本発明により達成さ
れる。
(1)インジウムIn、ストロンチウムSr、カルシウ
ムCaおよび銅Cuを含有することを特徴とする酸化物
超伝導材料。
(2)インジウムIn、ビスマスBi、ストロンチウム
Sr、カルシウムCaおよび銅Cuを含有し、In+−
xBixとしたときO・≦xく0.25であることを特
徴とする酸化物超伝導材料。
(3)インジウムIn、鉛Pb、ストロンチウムSr、
カルシウムCaおよび銅Cuを含有することを特徴とす
る酸化物超伝導材料。
(4)インジウムIn、ビスマスBi、鉛Pb、ストロ
ンチウムSr、カルシウムCaおよび銅Cuを含有する
ことを特徴とする酸化物超伝導材料。
(s)(In+−x B111 )+−y pbyとし
たとき、0≦x<1.O<y≦0.5である上記(3)
または(4)に記載の酸化物超伝導材料。
く作用さ 本発明では、低温側の温度にて長時間焼結することによ
り、In/ (In+Bi)75%超100%の組成に
おいて、超伝導性を発現させた。
そして、この酸化物超伝導材料では、臨界電流密度が向
上する。
また、pbの添加により、高温相の体積分率が増大し、
臨界温度が向上する。
く具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成を、詳細に説明する。
本発明の酸化物超伝導材料は、インジウム、ストロンチ
ウム、カルシウムおよび銅を含有し、これらに加え、さ
らにビスマスを含有してもよい。
本発明の酸化物超伝導材料の組成(原子比)は、下記式
■で表わされる範囲である。
[式■] (In+−x B111) Srs Caw Cuv 
O4上記式■において、0≦x<0.25、特にO≦X
≦0.24である。 上記範囲内にて良好な超伝導性が
得られる。
また、これらはX≧0.25のものに比較して、臨界電
流密度が向上する。
また、Z、WおよびVの好ましい範囲は、下記の通りで
ある。
0.3≦2≦265 0.2≦W≦2,5 0.7≦V≦3,5 z、wおよびVが上記範囲内であれば、上記式で表わさ
れる酸化物は超伝導性を有するものとなる。 なお、良
好な超伝導特性を得るためには、上記式において、z=
1、w=1、■=2であることが好ましい。
上記式において、x=1、すなわちBiのみを含有する
酸化物超伝導材料は、例えば、「金属、58巻2号、第
2頁、(1988)、前出」に記載されている。
なお、本発明の酸化物超伝導材料の組成は、EPMA等
により測定することができる。
また、上記式1における酸素の含有量Uは通常4〜5で
あるが、超伝導性を損なわない限り、この範囲を外れて
いてもよい。
本発明においては、下記式■の組成も好ましい。
このものは、高温相の体積分率が向上し、抵抗ゼロの臨
界温度が100に以上となる。
[式■] (In+−x B111)l−y Pby Srz C
aw Cuv ou上記式Hにおいて、Z、W、Vおよ
びUは上記と同一範囲である。
そして、pb添加量yは、y≦0,5、特にy≦0.4
である。 このとき、良好な超伝導特性かえられる。
また、pb添加の実効を得るためには、y≧0.01、
特にy≧0.05、さらにはy≧0.1であることが好
ましい。
そして、Bi添加量Xは、O≦xく1、特にO≦X≦0
.95であればpb添加の実効が得られる。 ただし、
Xが式Iと同義であると、より一層好ましい結果を得る
なお、式■および式Hにおいて、さらにSn、Sb%A
s、Ag、Al1等が含有されていてもよい。 この場
合、Sn、Sbの添加により、超伝導層かえられやす(
なる。
このような本発明の酸化物超伝導材料は、層状結晶構造
を有し、走査型電子顕微鏡等では、板状結晶の集合体か
ら構成されていることが観察される。 そして、この板
状結晶は、長軸がほぼ同一方向に配向した構造を有する
なお、本発明の酸化物超伝導材料中において、インジウ
ムおよび鉛はビスマスサイトの全部または一部を置換し
て存在していると考えられる。
本発明の酸化物超伝導材料は、公知のセラミック製造プ
ロセスに従い製造される。
具体的には、本発明の酸化物超伝導材料は、例えば下記
のようにして製造することが好ましい。
インジウム、ストロンチウム、カルシウム、銅さらには
ビスマス、鉛の原料としては、これらの酸化物あるいは
炭酸化物を用いることが好ましい。
具体的には、例えば、三二酸化・インジウム、炭酸スト
ロンチウム、炭酸カルシウムおよび酸化第二銅が好適で
ある。
また、ビスマスおよび鉛の原料としては、三二酸化ビス
マス、および酸化鉛を用いることが好ましい。
これらの原料化合物を、インジウム、ストロンチウム、
カルシウム、銅およびビスマスが本発明の組成比となる
ようにボールミル等の公知の手段により粉砕・混合する
。−なお、粉砕・混合は、湿式にて行なわれることが好
ましい。
この後、ボールミル等の公知の粉砕手段により平均粒径
2〜3μm程度まで粉砕して原料粉体を得る。
得られた原料粉体を、空気中あるいは酸素雰囲気を制御
した雰囲気中で、800〜900℃にて1〜30時間仮
焼する。 得られた仮焼粉を、ボールミル等を用いて平
均粒径1〜2μmに粉砕し、必要に応じてパイ・ンダと
混合した後、所望の形状に成形する。 用いるバインダ
に特に制限はなく、ポリビニルアルコール等の公知の有
機系バインダを用いればよい。
得られた成形体を焼成する。
焼成雰囲気は、空気中あるいは酸素雰囲気を制御した雰
囲気中であることが好ましい。
また、焼成時の保持温度は800〜900℃、特に80
0〜850℃であることが好ましい。
温度保持時間は2〜70時間程時間上り好ましくは30
〜60時間程度であることが好ましい。
このような焼成温度により、In系の酸化物の超伝導特
性の発現が可能となる。
なお、X≧0.25のInブアなpb添加系では焼成温
度は、800〜1060℃程度であってよい。
本発明の超伝導材料は、このようにして製造される焼結
体のほか、厚膜あるいは薄膜にも適用することができる
厚膜は、上記組成有する原料粉末とバインダ、溶剤等を
混合したペーストを印刷法等により基板上に塗布し、こ
れを焼成して形成すればよい。 また、必要に応じて適
当な熱処理を行なってもよい。
薄膜とする場合、例えばスパッタ等の気相成膜法により
成膜し、これに熱処理を施して超伝導性を付与すること
が好ましい。
〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。
実施例1 三二酸化インジウム、三二酸化ビスマス、炭酸ストロン
チウム、炭酸カルシウム、酸化第二銅を、原子比でIn
:Bi:Sr:Ca:Cu=0.8:0.2:1:1:
2となるように秤量した(x=0.20)。
これらを磁器製のボールミルを用いて湿式混合した後、
粗粉砕を行なった。 次いで微粉砕を行ない、平均粒径
2μmの原料粉2体を得た。
この原料粉体を空気中で850℃にて5時間仮焼した。
 仮焼粉を、ライカイ機を用いて平均粒径2μmに粉砕
し、バインダとしてポリビニルアルコールを用い、直径
10mm、厚さ2mmのペレット状の成形体を得た。
得られた成形体を、ジルコニア製のサヤ中に入れ、上ブ
タをして電気炉中で50時間焼成し、本発明の酸化物、
超伝導材料サンプル(サンプルNo、1)を得た。 焼
成温度は、850℃とした。
さらに、比較のために、x=0.50.0.75.1と
した他は、サンプルNo、1と同様にして、それぞれサ
ンプルNo、11.12.13を作製した。 ただし、
焼成温度は850℃、焼成時間は5時間とした。
得られたサンプルに白金線を金属インジウムを用いて圧
着し、直流四端子法により超伝導特性を評価した。
また、これらのサンプルの70Kにおける臨界電流密度
Jcを、直流四端子法により測定した。
Jcと臨界温度Tcとを表1に示す。
表     1 実施例2 前記式Hにおいて、z=w=0.77、V=1.15に
て、Xおよびyを下記のようにかえて、下記表2に示さ
れる焼結体を得た。
これらのTcを表2に示す。
表    2 1       0.20   50      ?5
     1.51xlO’11(比較) 0.50 
 5   70   1.31X 10’12(比較)
 0.75  5   71   1.21X 10’
13(比較)1    5   70   1.01X
lO’表1に示される結果から、本発明に従い、Tcと
Jcが向上することがわかる。
さらに、サンプル表面を走査型電子顕微鏡により観察し
た。
この結果、本発明のサンプルは、Bi系と同様、板状結
晶の集合体から構成されていることが確認された。
(℃)     (時間)    (K)また、x=0
.10.y=0.23のサンプルのX線回折チャートを
第1図に示す。
上記実施例から、本発明の効果が明らかである。
〈発明の効果〉 本発明によれば、高い臨界電流密度を有する酸化物超伝
導材料が実現する。
すなわち、本発明の材料はX≧0.25のものと比較し
て、臨界電流密度が向上する。
また、pbの添加により、高温相の体積分率が向上し、
臨界温度が向上する。
そして、Biの一部または全部をInで置換するので、
資源的に選択の範囲が拡がり、有利となる。
また、このような本発明の酸化物超伝導材料は、通常の
セラミック焼成プロセスにより製造することができるた
め、生産性に優れる。
また、本発明の酸化物超伝導材料は、水分安定性や耐候
性にすぐれる。 そして、ハンダヌレ性も良好である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の超伝導材料のX線回折チャートであ
る。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)インジウムIn、ストロンチウムSr、カルシウ
    ムCaおよび銅Cuを含有することを特徴とする酸化物
    超伝導材料。
  2. (2)インジウムIn、ビスマスBi、ストロンチウム
    Sr、カルシウムCaおよび銅Cuを含有し、In_1
    _−_xBi_xとしたとき0≦x<0.25であるこ
    とを特徴とする酸化物超伝導材料。
  3. (3)インジウムIn、鉛Pb、ストロンチウムSr、
    カルシウムCaおよび銅Cuを含有することを特徴とす
    る酸化物超伝導材料。
  4. (4)インジウムIn、ビスマスBi、鉛 Pb、ストロンチウムSr、カルシウムCaおよび銅C
    uを含有することを特徴とする酸化物超伝導材料。
  5. (5)(In_1_−_xBi_x)_1_−_yPb
    _yとしたとき、0≦x<1、0<y≦0.5である請
    求項3または4に記載の酸化物超伝導材料。
JP63272353A 1988-10-28 1988-10-28 酸化物超伝導材料 Pending JPH02120226A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02307860A (ja) * 1989-05-23 1990-12-21 Fujitsu Ltd 超伝導物質及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02307860A (ja) * 1989-05-23 1990-12-21 Fujitsu Ltd 超伝導物質及びその製造方法

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